专利名称：晶片分割方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶片的分割方法和装置，其中晶片的前表面上形成有格子模式的分割线，沿着分割线进行分割。
背景技术：
在半导体器件的制造过程中，通过在大致盘形的半导体晶片的前表面上布置的被称作“空白区(street)”的分割线而区段式划分出多个区域，电路例如IC或LSI形成在每个区段区域中。通过沿切割线切割半导体晶片，以将其分割为形成有电路的各区域，从而制造出单个的半导体晶片。一种包括积层在蓝宝石基片的前表面上的氮化镓基化合物半导体的光学器件晶片也是被沿着预定的分割线切割，从而被分割为单个光学器件，例如电气设备中广泛使用的发光二极管或激光二极管。
沿着上述半导体晶片或光学器件晶片的切割线的切割通常是利用一种被称作“切块机”的切割设备进行的。这种切割设备包括用于保持工件例如半导体晶片或光学器件晶片的装卡台，用于切割所述保持在装卡台上的工件的切割装置，以及用于将装卡台和切割装置彼此相对移动的切割进给装置。切割装置包括转轴、安装在转轴上的切割刀片和用于旋转驱动转轴的驱动机构。切割刀片包括盘形基部和安装在基部的侧壁周部上的环形切割刃，该切割刃通过将直径为大约3μm的金刚石磨削颗粒电铸固定在基部而被形成为具有大约20μm的厚度。
由于蓝宝石基片、碳化硅基片等具有高的莫式硬度，因此利用切割刀片切割上述基片不总是容易的事。此外，由于切割刀片具有大约20μm的厚度，因此用于对器件进行划分的切割线必须具有大约50μm的宽度。因此，在器件的尺寸为300μm×300μm的情况下，空白区与晶片的面积之比为14％，从而降低了生产率。
作为一项分割板状工件例如半导体晶片的措施，一种激光加工方法目前也被尝试、并被日本专利No.3408805公开，其施加能够穿过工件的脉冲激光束，且焦点被设置在将被分割的区域的内部。在这种使用激光加工技术的分割方法中，工件被施加脉冲激光束，该激光束位于能够从工件的一个表面侧穿过工件的红外范围内，且其焦点被设置在内部，以便沿着分割线连续地在工件内部形成变质层，并且沿着因形成变质层而强度减弱了的分割线施加外力，以分割工件。
为了通过沿着晶片的分割线施加外力以将具有沿分割线连续形成的变质层的晶片分割成单个的芯片，本申请的申请人提出一种技术，其通过使贴着在晶片上的保护带膨胀而向晶片施加张力，以将晶片分割成单个芯片，如日本专利申请No.2003-361471中所描述。
在通过膨胀贴着在晶片上的保护带而向晶片施加张力的方法中，在贴着在晶片上的保护带膨胀时，张力呈放射状施加在晶片上。因此，张力以随机方向施加在呈格子模式形成的分割线上，从而晶片的分割不规律且留有未分割区域。在晶片具有用于测试分割线上每个电路功能的被称作“试验元件组(TEG)”的试验用金属布线图形的情况下，如果晶片如上所述通过膨胀保护带而沿分割线被分割，则会产生一个问题，即不规则力作用在上述金属布线图形上，金属布线图形呈锯齿状断裂，从而形成污染物并且降低各器件的质量。
发明内容
本发明的目的是提出一种用于将强度已经沿分割线被降低了的晶片沿着切割线精确且可靠地分割的方法和装置。
根据本发明，上述目的首先可以通过一种晶片分割方法而实现，该方法用于沿着以格子模式形成在晶片前表面上的多条分割线分割晶片，所述晶片已经沿所述分割线降低了强度，所述方法包括带贴附步骤，其中将保护带贴着在晶片的一个表面侧；保持步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被定位于一条分割线的两侧，并且通过所述保护带将晶片吸附保持在第一吸附保持件和第二吸附保持件上；分割步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动，以便沿着与分割线垂直的方向施加张力。
其次，根据本发明，上述目的可以通过一种晶片分割装置而实现，该装置用于沿着以格子模式形成在晶片前表面上的多条分割线分割晶片，所述晶片已经沿所述分割线降低了强度，所述装置包括带保持装置，其保持一个贴着在晶片的一个表面侧的保护带；张力施加装置，其通过所述保护带在一条分割线的两侧吸附保持支撑在带保持装置上的晶片，并且沿着与分割线垂直的方向向晶片施加张力。
所述张力施加装置包括通过保护带在一条分割线的两侧吸附保持晶片的第一吸附保持件和第二吸附保持件，以及将第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动的移动装置。
所述保护带贴着在环形框架上，带保持装置包括保持所述环形框架的框架保持装置。所述框架保持装置包括圆筒形本体和安装在该本体的上端的环形框架保持件，所述第一吸附保持件、第二吸附保持件和移动装置安装在所述圆筒形本体中。所述第一吸附保持件、第二吸附保持件和移动装置安装在基座上，所述框架保持装置安装在可移动台上，该可移动台以可沿预定方向移动的方式安装在所述基座上。所述框架保持装置可转动地支撑在所述可移动台上，并且分割装置中设有转动所述框架保持装置的转动装置。
在本发明中，第一吸附保持件和第二吸附保持件安置在一条分割线的两侧，晶片通过保护带而被吸附保持在第一吸附保持件和第二吸附保持件上。第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动，以便沿着与分割线垂直的方向施加张力。因此，晶片可以沿着强度降低了的分割线精确且可靠地分割。结果，即使晶片具有用于测试分割线上每个电路功能的被称作“试验元件组(TEG)”的试验用金属布线图形，该金属布线图形也会被沿着分割线精确地切割。
图1是将要利用本发明的晶片分割方法分割的半导体晶片的透视图。
图2是用于在本发明的晶片分割方法中执行变质层形成步骤的激光束加工装置的主要部分的透视图。
图3是图2所示激光束加工装置的激光束照射装置的结构的示意性框图。
图4是脉冲激光束的焦斑直径的示意图。
图5(a)和5(b)是本发明的晶片分割方法中的变质层形成步骤的说明图。
图6是图5所示的变质层形成步骤中在晶片内部形成积层变质层的状态的说明图.
图7是半导体晶片的状态透视图，其已经历变质层形成步骤，且被放置在装于环形框架上的保护带的前表面上。
图8是用于在本发明的晶片分割方法中执行分割步骤的晶片分割装置的透视图。
图9是图8中的分割装置的主要部分的分解透视图。
图10是构成图8所示分割装置的可移动台和框架保持装置的剖视图。
图11是构成图8所示分割装置的框架保持装置的状态的主要部分剖视图，该框架保持装置保持着通过保护带承载半导体晶片的环形框架。
图12(a)和12(b)是本发明的晶片分割方法中的分割步骤的说明图。
具体实施例方式
下面参照附图描述根据本发明的晶片分割方法和装置的优选图1是作为根据本发明而被加工的晶片的半导体晶片的透视图。图1所示的半导体晶片10是硅晶片，其厚度为例如300μm，并且多个分割线101以格子模式形成在其前表面10a上。在半导体晶片10的前表面10a上，在由所述多个分割线101区段式划分出的多个区域的每个中，分别形成作为功能元件的电路102。
下面描述将半导体晶片10分割成单个半导体芯片的方法。
为了将半导体晶片10分割成单个半导体芯片，需要先执行一个变质层形成步骤，其中沿着分割线101施加能够穿过半导体晶片10的脉冲激光束，以便沿着分割线101在半导体晶片10的内部形成变质层，从而沿着切割线101降低强度。该变质层形成步骤是利用图2至4所示的激光束加工装置1实施的。图2至4所示的激光束加工装置1包括用于保持工件的装卡台11、用于向保持在装卡台11上的工件照射激光束的激光束照射装置12、用于拾取保持在装卡台11上的工件的图像的图像拾取装置13。装卡台11被设计成吸附保持工件，并且被未示出的移动机构沿图2中的箭头X所示的加工进给方向和箭头Y所示的分度进给方向移动。
前述激光束照射装置12具有基本上水平布置的圆筒形壳体121。如图3所示，在壳体121中安装着脉冲激光束振荡装置122和传输光学系统123。脉冲激光束振荡装122包括由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光束振荡器122a和连接着脉冲激光束振荡器122a的重复频率(周波数)设定装置122b。传输光学系统123包括适宜的光学器件例如分束器等。聚光器124安装在壳体121的端部，并且容纳着由自身公知的一组透镜构成的聚光透镜(未示出)。由脉冲激光束振荡装置122振发的激光束通过传输光学系统123到达聚光器124，并从聚光器124以预定的焦斑直径D照射到由装卡台11保持着的工件。在如图4所示具有高斯分布的脉冲激光束通过聚光器124的物镜124a照射时，该焦斑直径D被定义为D(μm)＝4×λ×f/(π×W)，其中λ是脉冲激光束的波长(μm)，W是照射到物镜124a上的脉冲激光束的直径(mm)，f是物镜124a的焦矩(mm)。
作为前述激光束照射装置12的组成元件的安装在壳体121端部的图像拾取装置13除了可以如图示的实施例中那样利用可见光拾取图像的常规图像拾取器件(CCD)以外，还可以由用于向工件照射红外线的红外线照明装置、用于捕获由红外线照明装置照射的红外线的光学系统、用于输出与光学系统捕获的红外线相对应的电信号的图像拾取器件(红外线CCD)构成。图像信号被传递到将在后面描述的控制装置。
下面参照图2、图5(a)和5(b)、图6来描述利用激光束加工装置1执行的变质层形成步骤。
在变质层形成步骤中，半导体晶片10首先被以其后表面10b面向上方的方式放置在图2所示的激光束加工装置1的装卡台11上，并且被吸附保持在装卡台11上。吸附保持着半导体晶片10的装卡台11被未示出的移动机构安置到图像拾取装置13的正下方。
在装卡台11被安置到图像拾取装置13的正下方后，利用图像拾取装置13和未示出的控制装置进行检测半导体晶片2的待加工区域的对正操作。也就是说，图像拾取装置13和控制装置(未示出)实施图像处理例如图案匹配，以将半导体晶片10上的沿预定方向形成的分割线101与激光束照射装置12的聚光器124对正，以便沿着切割线101照射激光束，从而实现激光束照射位置的对正。激光束照射位置的对正还对沿着与所述预定方向垂直的方向形成在半导体晶片10上的切割线101实施。在这一点上，尽管半导体晶片10上的形成有分割线101的前表面10a面向下方，但如果图像拾取装置13如前所述由红外线照明装置、用于捕获红外线的光学系统、用于输出与红外线相对应的电信号的图像拾取器件(红外线CCD)构成，则分割线101的图像可以透过后表面10b而被拾取。
在如前所述形成在保持于装卡台11上的半导体晶片10上的分割线被检测到且激光束照射位置的对正被执行后，装卡台11被移动到用于照射激光束的激光束照射装置12的聚光器124所在的激光束照射区域，以将预定分割线101的一端(图5(a)中的左端)带到激光束照射装置12的聚光器124正下方的位置，如图5(a)所示。装卡台11即半导体晶片10随后沿着图5(a)中的箭头X1所示的方向以预定的加工进给速度移动，同时由聚光器124照射出能够穿透半导体晶片10的脉冲激光束。在激光束照射装置12的聚光器124的照射位置到达如图5(b)所示的分割线101的另一端后，脉冲激光束的照射中止，且装卡台11即半导体晶片10的移动停止。在这个变质层形成步骤中，脉冲激光束的焦点P被设置在一个靠近半导体晶片10的前表面10a(下侧表面)的区域中。结果，变质层110暴露在半导体晶片10的前表面10a(下侧表面)，并且被从前表面10a(下侧表面)向内侧形成。该变质层110被形成为一个熔融再固化层，即晶片中的先被熔化然后再次固化的一层。
作为示例，上述变质层形成步骤中的加工条件设置为光源LD激励的Q开关NdYVO4激光器；波长1064nm波长的脉冲激光束；脉冲输出10μJ；
焦斑直径1μm；脉冲宽度100ns；焦点的峰值功率密度1.3×1010W/cm2；重复频率100kHz；加工进给速度100mm/s；当半导体晶片10较厚时，如图6所示，通过步进式改变焦点P而多次实施上述变质层形成步骤，以形成多个变质层110。例如，在上述加工条件下一次形成的变质层的厚度为大约50μm，则上述变质层形成步骤被执行三次，以形成总厚度为150μm的变质层。在半导体晶片10具有300μm厚度的情况下，可以沿着分割线101在半导体晶片10内部形成从前表面10a向后表面10b分布的六个变质层。变质层110也可以只形成在半导体晶片10内部，而不暴露在前表面10a和后表面10b。
在通过所述变质层形成步骤而在半导体晶片10内部沿所有切割线101形成变质层110后，执行一个带贴附步骤，用于将晶片的一个表面侧贴着在装于环形框架上的保护带的表面上。也就是说，如图7所示，半导体晶片10的后表面10b被贴着在以外周部装于环形框架15上的保护带16的表面上，以覆盖其内侧开口。在图示的实施例中，所述保护带16以下述方式制备出来，即向一个由聚氯乙烯(PVC)制成的厚度为70μm的板状基材上涂布厚度为大约5μm的丙烯酸树脂基粘结剂。这个带贴附步骤可以在上述变质层形成步骤之前进行。也就是说，以后表面10b向上的方式，半导体晶片10将其前表面10a贴着在保护带16上，从而在半导体晶片10被支撑在环形框架15上的状态下执行上述变质层形成步骤。
在上述带贴附步骤之后，进行分割步骤，以便沿着已经形成了变质层111后的分割线101分割半导体晶片10。这一分割步骤是利用图8至10所示的分割装置2实施的。
图8是晶片分割装置的透视图。图9是图8中的分割装置的主要部分的分解透视图。图示的实施例中的晶片分割装置2包括基座3和安装在基座3上的可移动台4，可移动台可以沿箭头Y所示的方向移动。基座3是矩形的，并且设有两个导轨31和32，所述导轨安装在基座3的两个侧部的顶部并且沿箭头Y所示的方向相互平行。具有V形横截面的导槽311形成在导轨31的顶表面上。
所述可移动台4是矩形的，并且在其中央具有圆孔41，如图9所示。可移动台4的一个侧部的底表面上形成有被引导的导轨42，其用于可滑动地装配在形成于基座3的导轨31中的导槽311中。如此构成的可移动台4被以下述方式安装，即如图8所示，被引导的导轨42被装配在形成于基座3的导轨31中的导槽311中，并且可移动台的另一个侧部被放置在基座3的导轨32上。
图示的实施例中的晶片分割装置2包括移动装置5，用于沿着基座3上的导轨31和32在箭头Y所示的方向上移动可移动台4。该移动装置5包括阳螺纹杆51，其平行于基座3上的导轨32布置，轴承52，其安装在基座3上并且可旋转地支撑着阳螺纹杆51的一端，脉冲电机53，其连接着阳螺纹杆51的另一端并且驱动阳螺纹杆51，阴螺纹块54，其设在前述可移动台4的下表面上并且装配在阳螺纹杆51上。如此构成的移动装置5通过沿一个方向或另一方向旋转驱动脉冲电机53而沿一个方向或另一方向转动阳螺纹杆51，从而沿箭头Y所示的方向移动可移动台4。
图示的实施例中的晶片分割装置2具有框架保持装置6，用于保持图7所示的环形框架15。如图8和10所示，框架保持装置6包括圆筒状本体61、设在本体61上端的环形框架保持件62、作为固定装置布置在环形框架保持件62外周的多个夹具63。圆筒状本体61具有位于其下端的安装部分611，其用于可转动地装配在形成于前述可移动台4中的孔41的内壁上，以及环形支撑凸缘612，其从前述安装部分611的外壁沿径向突出。环形框架保持件62安装在如此构成的圆筒状本体61的上端。框架保持件62的顶表面形成一个用于安放环形框架15的载置表面621，而环形框架15被载置于该载置表面621上。载置于该载置表面621上的环形框架15通过夹具63固定在框架保持件62上。因此，框架保持装置6用作带保持装置，以保持通过环形框架15贴附在前述半导体晶片10上的保护带16。
图示的实施例中的晶片分割装置2包括用于转动框架保持装置6的转动装置7，如图8所示。该转动装置7包括安装在可移动台4上的脉冲电机71、连接着脉冲电机71的旋转轴的带轮72、缠绕在带轮72和圆筒形本体61的支撑凸缘612上的无端皮带73。如此构成的转动装置7通过驱动脉冲电机71而由带轮72和无端皮带73转动框架保持装置6.
图示的实施例中的晶片分割装置2具有张力施加装置8，用于沿着垂直于半导体晶片10上的分割线101的方向施加张力，所述半导体晶片通过保护带16而被支撑在保持于环形框架保持件62上的环形框架15上面。张力施加装置8安装在基座3上面并且布置在圆筒形本体61内。张力施加装置8具有第一吸附保持件81和第二吸附保持件82。如图9所示，第一吸附保持件81和第二吸附保持件82还被安置成沿着一对导轨83和84移动，所述导轨沿着箭头Y所示的方向彼此平行地布置在所述基座3上。也就是说，两个被引导的槽811和811以及两个被引导的槽821和821以一定间隔分别布置在第一吸附保持件81和第二吸附保持件82的下表面上，该间隔等于所述一对导轨83和84之间的间隔。通过将被引导的槽811和811以及被引导的槽821和821分别装配在所述一对导轨83和84上，第一吸附保持件81和第二吸附保持件82可以沿着所述一对导轨83和84移动。
图示的实施例中的张力施加装置8具有移动装置85，用于在箭头Y所示的方向上沿着装于基座3上的导轨83和84移动第一吸附保持件81和第二吸附保持件82。该移动装置85包括阳螺纹杆851，其平行于导轨83和84布置，轴承852，其用于可旋转地支撑着阳螺纹杆851的一端，脉冲电机853，其连接着阳螺纹杆851的另一端并且驱动阳螺纹杆851。阳螺纹杆851螺合在形成于第一吸附保持件81和第二吸附保持件82中的螺纹孔812和822中。形成于第一吸附保持件81中的螺纹孔812的螺纹与形成于第二吸附保持件82中的螺纹孔822的螺纹是沿相反的方向形成的。因此，在阳螺纹杆851上，在形成于第一吸附保持件81中的螺纹孔812中螺合的区域内的阳螺纹与在形成于第二吸附保持件82中的螺纹孔822中螺合的区域内的阳螺纹沿相反的方向形成的。通过沿一个方向旋转驱动脉冲电机853以便沿一个方向转动阳螺纹杆851，如此形成的移动装置85沿着将第一吸附保持件81和第二吸附保持件82彼此分开的方向移动它们，而通过沿另一个方向旋转驱动脉冲电机853以便沿另一个方向转动阳螺纹杆851，可沿着将第一吸附保持件81和第二吸附保持件82彼此接近的方向移动它们。气动活塞也可以被用作该移动装置。也就是说，气动活塞连接着第一吸附保持件81和第二吸附保持件82，以便通过启动活塞的动作而将第一吸附保持件81和第二吸附保持件82以彼此分开或彼此接近的方向移动。
所述第一吸附保持件81和第二吸附保持件82分别在上端具有沿着垂直于箭头Y所示方向的方向彼此平行延伸的细长矩形第一保持面813和细长矩形第二保持面823。第一保持面813和第二保持面823具有与所述半导体晶片的直径大致相等的长度，并且被布置在与所述框架保持件62的载置表面621基本相等的高度上。吸附孔814和824分别形成在第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823中。所述吸附孔814和824与未示出的吸附装置连通。因此，在吸附装置(未示出)启动后，负压作用在吸附孔814和824中，从而可以通过所述保护带16而将半导体晶片10保持在第一保持面813和第二保持面823上。
参看图8，图示的实施例中的晶片分割装置2具有检测装置9，用于检测半导体晶片10上的分割线101，所述半导体晶片通过保护带16支撑在保持于环形框架保持件62上的图7所示的环形框架15上。检测装置9安装在一个装于基座3上的L形支柱上。该检测装置9包括光学系统和图像拾取器件(CCD)，并且位于张力施加装置8的上方。如此构成的检测装置9拾取通过保护带16支撑在保持于环形框架保持件62上的环形框架15上的半导体晶片10上的分割线101的图像，将图像信号转化为电信号并将其发送到未示出的控制装置。
图示的实施例中的晶片分割装置2被如前所述构造出来，下面主要参照图8、图11、图12(a)和12(b)描述其操作。
通过图7所示通过保护带16支撑着已经沿分割线101降低了强度的半导体晶片10的环形框架15被安放在构成图11所示框架保持装置6的框架保持件62的载置表面621上，并且通过夹具63固定在框架保持件62上。
在通过保护带16支撑着半导体晶片10的环形框架15被保持在框架保持件62上后，移动装置5启动而沿着箭头Y所示的方向(见图8)移动可移动台4，以将半导体基片10上的沿预定方向形成的一条分割线101(图示的实施例中的最左侧的分割线)带到位于构成张力施加装置8的第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823之间的位置处，如图12(a)所示。在这一点上，该分割线101的图像被检测装置9拾取，以将第一保持面813和第二保持面823对正。在一条分割线101被如此地定位在第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823之间后，吸附装置(未示出)启动，以将负压作用在吸附孔814和824中，从而通过所述保护带16而将半导体晶片10保持在第一保持面813和第二保持面823上(保持步骤)。
在上述保持步骤之后，构成张力施加装置8中的移动装置的脉冲电机853被沿一个方向旋转驱动，以便沿一个方向转动阳螺纹杆851，从而沿着将第一吸附保持件81和第二吸附保持件82彼此分开的方向移动它们。结果，如图12(b)所示，张力沿着与位于第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823之间的半导体晶片10上的分割线101相垂直的方向施加在该分割线101上，从而沿着该分割线101分割半导体晶片10(分割步骤)。在这个分割步骤中，由于通过沿切割线形成变质层110而导致半导体晶片10的强度降低，因此通过将第一吸附保持件81和第二吸附保持件82沿着彼此分开的方向移动大约0.5mm，半导体晶片10会沿着分割线101断裂。
在图示的实施例中，半导体晶片10通过保护带16被吸附保持在位于分割线101两侧的第一吸附保持件81和第二吸附保持件82上，并且第一吸附保持件81和第二吸附保持件82被沿着彼此分开的方向移动，以将张力沿垂直于分割线101的方向施加。这样，半导体晶片10可以沿着形成有变质层110的分割线101精确且可靠地分割。结果，即使半导体晶片10具有用于测试分割线上每个电路功能的被称作“试验元件组(TEG)”的试验用金属布线图形，该金属布线图形也会被沿着分割线精确地切割。
在将半导体晶片10沿着如前所述形成于预定方向上的分割线101进行分割的分割步骤后，解除半导体晶片10在第一吸附保持件81和第二吸附保持件82上的吸附保持。然后，移动装置5启动，以将可移动台4移动一段距离，该距离等于分割线之间在箭头Y所示方向(见图8)上的间隔，以将与所述经历了分割步骤后的分割线101相邻的一条分割线101带到位于构成张力施加装置8的第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823之间的位置处。然后，执行前述保持步骤和分割步骤。
在如前所述对沿预定方向形成的所有分割线101执行了前述保持步骤和分割步骤后，转动装置7启动，以将框架保持装置6转动90°。结果，保持在框架保持装置6的框架保持件62上的半导体晶片10也被转动90°，以使得与前述沿预定方向形成并且经受了分割处理的分割线101相垂直地形成的分割线101平行于第一吸附保持件81的第一保持面813和第二吸附保持件82的第二保持面823。接下来，对与前述经受了分割处理的分割线101相垂直地形成的所有分割线101执行前述保持步骤和分割步骤，以将半导体晶片10沿着分割线101分割成单个半导体芯片。
权利要求
1.一种晶片分割方法，用于沿着以格子模式形成在晶片前表面上的多条分割线分割晶片，所述晶片已经沿所述分割线降低了强度，所述方法包括带贴附步骤，其中将保护带贴着在晶片的一个表面侧；保持步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被定位于一条分割线的两侧，并且通过所述保护带将晶片吸附保持在第一吸附保持件和第二吸附保持件上；分割步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动，以便沿着与分割线垂直的方向施加张力。
2.一种晶片分割装置，用于沿着以格子模式形成在晶片前表面上的多条分割线分割晶片，所述晶片已经沿所述分割线降低了强度，所述装置包括带保持装置，其保持一个贴着在晶片的一个表面侧的保护带；张力施加装置，其通过所述保护带在一条分割线的两侧吸附保持支撑在带保持装置上的晶片，并且沿着与分割线垂直的方向向晶片施加张力。
3.如权利要求2所述的晶片分割装置，其特征在于，张力施加装置包括通过保护带在一条分割线的两侧吸附保持晶片的第一吸附保持件和第二吸附保持件，以及将第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动的移动装置。
4.如权利要求2所述的晶片分割装置，其特征在于，保护带安装在环形框架上，带保持装置包括保持所述环形框架的框架保持装置。
5.如权利要求4所述的晶片分割装置，其特征在于，所述框架保持装置包括圆筒形本体和安装在该本体的上端的环形框架保持件，所述第一吸附保持件、第二吸附保持件和移动装置安装在所述圆筒形本体中。
6.如权利要求5所述的晶片分割装置，其特征在于，所述第一吸附保持件、第二吸附保持件和移动装置安装在基座上，所述框架保持装置安装在可移动台上，该可移动台以可沿预定方向移动的方式安装在所述基座上。
7.如权利要求6所述的晶片分割装置，其特征在于，所述框架保持装置可转动地支撑在所述可移动台上，并且分割装置中设有转动所述框架保持装置的转动装置。
全文摘要
公开了一种晶片分割方法，用于沿着以格子模式形成在晶片前表面上的多条分割线分割晶片，所述晶片已经沿所述分割线降低了强度，所述方法包括带贴附步骤，其中将保护带贴着在晶片的一个表面侧；保持步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被定位于一条分割线的两侧，并且通过所述保护带将晶片吸附保持在第一吸附保持件和第二吸附保持件上；分割步骤，其中第一吸附保持件和第二吸附保持件被沿着彼此分开的方向移动，以便沿着与分割线垂直的方向施加张力。还公开了相应的晶片分割装置。
文档编号H01L21/78GK1734723SQ200510084968
公开日2006年2月15日 申请日期2005年7月22日 优先权日2004年7月23日
发明者大宫直树, 永井祐介, 中村胜 申请人:株式会社迪斯科