专利名称：高光摘出效率的发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有高光摘出效率(light-extracting efficiency)的发光元件。
背景技术：
发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。目前技术人员重要课题之一为提高发光二极管的亮度。
一种先前技术发光二极管的表面利用一金属层(一般为Ti/Au，Cr/Au系列材料)作为电极。然而因金属多具有遮旋光性，会吸收发光二极管所产生的部分光线，故造成发光二极管的发光效率偏低。
美国专利公开第2005/0072968号揭露一种发光二极管结构，其表面与一金属电极之间有一反射层，用以避免发光二极管所发出的光线被金属电极吸收，因而能够提高发光二极管的发光效率。然而大部分反射率佳的金属材料与半导体材料层之间的附着皆不佳，因此金属反射层与半导体材料层的结合不牢固，造成二者的界面在后续工艺中容易产生剥离，而影响产品的可靠性。
本案发明人为解决金属反射层与发光二极管间的界面产生剥离的问题，以提高产品的可靠性时，乃提供一高光摘出效率的发光元件，包括一发光叠层，于该发光叠层表面形成一氧化物透明导电层，该氧化物透明导电层具有一第一主要表面与一第二主要表面，该第一主要表面朝向该发光叠层，该第二主要表面上形成一第一多孔穴结构；于该第一多孔穴结构上形成一第一金属反射层，该金属反射层与该氧化物透明导电层之间的附着力通过氧化物透明导电层的孔穴结构获得极佳的改善，如此即可克服传统金属反射层与发光二极管的结产生剥离的问题。再者，通过该孔穴结构，不仅可增加整体的出光面积，降低全反射效应所造成的出光损失，并且能减少发光叠层上侧的半导体叠层的吸光效应，大幅提高发光元件的整体光摘出效率。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种具有高光摘出效率的发光元件，包括一发光叠层，形成于该半导体发光叠层上的一第一氧化物透明导电层，其中，该第一氧化物透明导电层具有一第一主要表面与一第二主要表面，该第一主要表面朝向该发光叠层，该第二主要表面上形成一第一多孔穴结构；以及形成于该第一多孔穴结构上的一第一金属反射层。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层该发光叠层具有一第三主要表面，该第三主要表面邻接该第一氧化物透明导电层的该第一主要表面，且该第三主要表面上形成一第二多孔穴结构。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第二多孔穴结构基本上位于该第一氧化物透明导电层表面的第一多孔穴结构下方。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层表面的第一多孔穴结构向下延伸至第二多孔穴结构。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，于该第一金属反射层之上可形成一第一电极。
前述的发光叠层包括一第一半导体层、形成于该第一半导体层上的一发光层、以及形成于该发光层上的一第二半导体层。
所述的高光摘出效率的发光元件中，还包括一基板位于该发光叠层下方。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层表面的第一多孔穴结构以蚀刻的方式形成。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该半导体发光叠层表面的第二多孔穴结构以蚀刻的方式形成。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该半导体发光叠层表面的第二多孔穴结构以外延成长的方式形成。亦可以外延成长方式再配合蚀刻方式所形成。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第一金属反射层的面积基本上等于该第一电极的面积。当第一金属反射层的面积略大于第一电极的面积时，射向第一电极的光线可几乎完全被反射，避免第一电极的吸收，然而第一金属反射层的面积太大时，将造成出光面积减少，相对的影响光摘出效率。设计者可调整第一金属反射层面积及光摘出面积的间的比例，达到理想的光摘出效率。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第一半导体层包括一上表面，于该上表面上还包括一第二氧化物透明导电层，该第二氧化物透明导电层具有一第四主要表面与一第五主要表面，该第四主要表面朝向该第一半导体层，该第五主要表面上形成一第三多孔穴结构。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第一半导体层具有一第六主要表面，该第六主要表面邻接该第二氧化物透明导电层的该第四主要表面，且该第六主要表面上形成一第四多孔穴结构。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第四多孔穴结构位于该第三多孔穴结构下方。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层表面处的第三多孔穴结构向下延伸至第四多孔穴结构。
前述的高光摘出效率的发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层上还包括一第二金属反射层。于该第二金属反射层上还包括一第二电极。
前述的高光摘出效率的发光元件中，于该半导体发光叠层及该基板之间还包括一粘结层。该粘结层可为聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)或金属。该半导体发光叠层及该粘结层之间还可包括一第三氧化物透明导电层。
前述的高光摘出效率的发光元件中，该第一半导体层表面的第三多孔穴结构以蚀刻方式形成。
前述的高光摘出效率的发光元件中，该第二氧化物透明导电层表面第四多孔穴结构以蚀刻方式形成。
前述的高光摘出效率的发光元件中，第一氧化物透明导电层、第二氧化物透明导电层、及该第三氧化物透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
前述的高光摘出效率的发光元件中，该第一金属反射层及第二金属反射层包括选铝及银所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
前述的高光摘出效率的发光元件中，该第一多孔穴结构、第二多孔穴结构、第三多孔穴结构及第四多孔穴结构的形状为圆锥形或多角锥形。
前述的高光摘出效率的发光元件中，该第一氧化物透明导电层或第二氧化物透明导电层表面处的孔穴结构形状为圆锥形或多角锥形。
图1为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件；图2为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件；图3为一示意图，显示本发明中内六角形多孔穴结构的第二导电类型半导体层表层的示意图；图4A显示传统四元发光元件表面的氧化铟锡层的电子显微镜图；图4B显示传统四元发光元件表面的氧化铟锡层与金属反射层的结的电子显微镜图；图5A显示传统氮化物发光元件表面的氧化铟锡层的电子显微镜图；图5B显示氮化物发光元件表面的氧化铟锡层与金属反射层的结的电子显微镜图；图6A显示本发明发光元件表面的氧化铟锡层的电子显微镜图；图6B显示本发明发光元件表面的氧化铟锡层与金属反射层的结的电子显微镜图；图7A为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件；图7B显示本发明发光元件表面的第一导电类型半导体层的孔穴结构电子显微镜图；图7C显示本发明发光元件表面的第二氧化物透明导电层的电子显微镜图；图8为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件；图9为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件；图10为一示意图，显示依本发明优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件。
简单符号说明
10 基板11 第一导电类型半导体层12 发光层13 第二导电类型半导体层131 第二多孔穴结构14 第一氧化物透明导电层141 第一多孔穴结构15 第一金属反射16 第一电极17 第二电极111 第四多孔穴结构18 第二氧化物透明导电层181 第三多孔穴结构19 第二金属反射层30 导电基板31 布拉格反射层37 第三电极40 基板41 反射层42 介电粘结层43 第三氧化物导电层44 第一导电类型半导体层45 发光层46 第二导电类型半导体层461 第二多孔穴结构47 第一氧化物透明导电层471 第一多孔穴结构48 第一金属反射491 第一电极492 第二电极50 导电基板
51 金属粘结层52 反射层53 第三氧化物导电层54 第一导电类型半导体层55 发光层56 第二导电类型半导体层561 第二多孔穴结构57 第一氧化物透明导电层571 第一多孔穴结构58 第一金属反射层591 第一电极592 第二电极具体实施方式
请参阅图1，依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件1，包括一基板10、形成于基板10上的一第一导电类型半导体层11，其中第一导电类型半导体层11包括远离基板10的一第一表面及一第二表面、形成于该第一表面上的一发光层12、形成于发光层12上的一第二导电类型半导体层13、形成于第二导电类型半导体层13上的一第一氧化物透明导电层14，其中，第一氧化物透明导电层14的一第一主要表面与第二导电类型半导体层13相接，一第二主要表面则远离第二导电类型半导体层13、形成于该第二主要表面上的一第一多孔穴结构141、形成于第一多孔穴结构141上的一第一金属反射层15、形成于第一金属反射层15上的一第一电极16、以及形成于第一导电类型半导体层11的第二表面上的一第二电极17。
第一多孔穴结构141中各孔穴的形状可为圆锥形或多角锥形。第一多孔穴结构141例如可以蚀刻方式形成。
第一多孔穴结构141以自第一氧化物透明导电层14的上表面向下延伸为佳，且以在垂直于基板10上表面的方向中向下延伸为最佳。
第一氧化物透明导电层14的材料可为氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝或氧化锌锡。以氧化铟锡为例，其厚度例如介于50nm至1μm，并于波长范围300～700nm间具有50％以上的穿透率。氧化物透明导电层11可通过电子束蒸镀法(E-beam evaporation)、离子溅射法(Ion-sputtering)、热蒸镀法(Thermal evaporation)、或结合两种以上的方式而制成。
请参阅图2，所示为依本发明一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件2，其与前述具有高光摘出效率的发光元件1的差异在于发光元件2中第二导电类型半导体层13与第一氧化物透明导电层14的该第一主要表面邻接的一第三主要表面上形成向下延伸的第二多孔穴结构131。
第二多孔穴结构的形成方式可通过蒸镀方式达成，由于该第二导电类型半导体层13的上表面包括第二多孔穴结构131，使得蒸镀形成于第二导电类型半导体层13上方的第一氧化物透明导电层14表面上亦形成第一多孔穴结构14。该第二多孔穴结构131中的每一孔穴例如可为圆锥形或多角锥形。图3显示第二导电类型半导体层13表面上形成多个内六角锥形孔穴的实例。
第二多孔穴结构131以外延成长方式形成、或以蚀刻方式形成，亦可以外延成长加上蚀刻的组合方式形成。
为确认本发明与传统发光元件的差异，兹分别以四元(AlGaInP)材料的发光元件及氮化物材料的发光元件为例，说明该差异于后。图4A为一扫描电子显微镜(SEM)图，传统四元发光元件表面在镀上以氧化铟锡(ITO)材料形成的氧化物透明导电层后，其表面呈一平面。参考图4B，于该氧化物透明导电层上再镀上一层以铝为材料的第一金属反射层后，该氧化物透明导电层与该第一金属反射层的界面呈现明显的剥离现象。
再以氮化物材料的发光元件进行试验，图5A为一扫描电子显微镜图，传统氮化物材料的发光元件表面在镀上以氧化铟锡(ITO)材料所形成的氧化物透明导电层后，其表面呈一平面。参考图5B，于该氧化物透明导电层上再镀上一层以铝为材料的第一金属反射层后，该氧化物透明导电层与该第一金属反射层的接面亦呈现明显的剥离现象。
而依本发明一实施例的发光元件2中，由于第二导电类型半导体层13的上表面包括向下延伸的第二多孔穴结构131，使得第一氧化物透明导电层14的表面处也具有第一多孔穴结构141。通过第一多孔穴结构141，使蒸镀形成于第一氧化物透明导电层14上的第一金属反射层15能够与第一氧化物透明导电层14紧密附着。图6A显示第一氧化物透明导电层14呈现一多孔穴结构。再参考图6B，于第一氧化物透明导电层14表面镀上第一金属反射层15后，此第一金属反射层15的材料沿着第一氧化物透明导电层14的各孔穴向下延伸，使得两者之间的附着力能够增强。
第二导电类型半导体层13上表面的第二多孔穴结构131，以自第二导电类型半导体层13上表面向下延伸为佳，并以在垂直于基板10上表面的方向中向下延伸为最佳。如此在形成第一氧化物透明导电层14时，蒸镀的氧化物透明导电材料有较大的机会在各孔穴内堆积，使第一氧化物透明导电层14表面形成结构较完整的各孔穴。此等孔穴的形状亦可为圆锥形或多角锥形。在第一氧化物透明导电层14的表面上蒸镀金属反射材料时，金属反射材料可在第一氧化物透明导电层14表面的孔穴中堆积，使得第一氧化物透明导电层14与第一金属反射层15能通过孔穴结构131增强彼此间的附着力。
兹比较本发明发光元件2与一传统发光元件，其中的第一氧化物导电层无孔穴结构。针对第一金属反射层15与第一氧化物透明导电层14间的附着力进行拉力测试的结果为发光元件2在10组拉力测试中，皆通过测试，亦即第一金属反射层15与第一氧化物透明导电层14之间不会产生剥离现象。然而该传统发光元件经10组拉力测试的结果为80％以上的发光元件涉及在第一金属反射层与第一氧化物透明导电层之间产生剥离现象。由此测试可知，第一氧化物导电层中的孔穴结构能够增强第一金属反射层15与第一氧化物透明导电层14间的附着力，进而能够避免在其间产生剥离现象。
请参阅图7A，依本发明另一优选实施例的具有高光摘出效率的发光元件3，其与前述的具有高光摘出效率的发光元件2的差异在于发光元件3中的第一导电类型半导体层11的第二表面上形成向下延伸的一第四多孔穴结构111，一第二氧化物透明导电层18形成于该第一导电类型半导体层11的第二表面上，此第二氧化物透明导电层18的表面上形成第三多孔穴结构181，一第二金属反射层19形成于该第二氧化物透明导电层18之上及第二电极17之下，通过第二金属反射层19，能够进一步提高发光二极管的光摘出效率。
图7B所示为本发明实施例的发光元件3中第一导电类型半导体层11的第二表面上的第四孔穴结构111的扫描式电子显微镜图，图7C为形成于第一导电类型半导体层11的第二表面上的第二氧化物透明导电层18的电子显微镜图。由此图可知该第二氧化物透明导电层18的表面上形成孔穴结构，且由针对第二金属反射层19与第二氧化物透明导电层18间的附着力所进行的拉力测试可知，第二金属反射层19与第二氧化物透明导电层18之间不会产生剥离现象。
以本发明具有孔穴结构配合氧化物导电层及金属反射层的发光元件3与无金属反射层的传统发光元件间的发光亮度进行比较，在输入电流350mA下，发光元件3的发光亮度为10.68lm，传统发光元件的发光亮度为9.72lm；发光元件3的发光强度为154.87mW，传统发光元件的发光强度为137.25mW；发光元件3显然具有进步性。
于发光元件3中，亦可于第一导电类型半导体层11第二表面上略过形成第四多孔穴结构111的步骤，而直接形成第二氧化物透明导电层18，继而以蚀刻法将第二氧化物透明导电层18表面蚀刻成多孔穴结构。
图8所示为依本发明又一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件4，其与前述高光摘出效率发光元件1的差异在于发光元件4中以一导电基板30取代基板10，且于该导电基板30之上，第一导电类型半导体层11之下，形成一布拉格反射层31，并于该导电基板30的下表面形成一第三电极37。
图9所示为依本发明又一优选实施例的一种具有高光摘出效率发的光元件5，包括一基板40、形成于基板40上的一反射层41、形成于反射层41上的一介电粘结层42、形成于介电粘结层42上的一第三氧化物导电层43，其中该第三氧化物透明导电层43包括一第一表面及第二表面、形成于该第三氧化物透明导电层43的第一表面上的一第一导电类型半导体层44、形成于第一导电类型半导体层44上的一发光层45、形成于发光层45上的一第二导电类型半导体层46，其上表面上形成向下延伸的第二多孔穴结构461、形成于该第二导电类型半导体层46上的一第一氧化物透明导电层47，其上表面上形成一第一多孔穴结构471、形成于该第一氧化物透明导电层47上的一第一金属反射层48、形成于第一金属反射层48上的一第一电极491、以及形成于第三氧化物透明导电层43的第二表面上的一第二电极492。
图10所示为依本发明又一优选实施例的一种具有高光摘出效率的发光元件6，包括一导电基板50、形成于基板50上的一金属粘结层51、形成于金属粘结层51上的一反射层52、形成于反射层52上的第三氧化物导电层53、形成于第三氧化物透明导电层53上的一第一导电类型半导体层54、形成于第一导电类型半导体层54上的一发光层55、形成于发光层55上的一第二导电类型半导体层56，其上表面形成向下延伸的第二多孔穴结构561、形成于第二导电类型半导体层56上的一第一氧化物透明导电层57，其上表面上形成第一多孔穴结构571、形成于第一氧化物透明导电层57上的一第一金属反射58、形成于第一金属反射58上的一第一电极591、以及与导电基板50下表面相电连接的一第二电极592。
在上述各实施例中，基板10或40包括选自蓝宝石、SiC、GaAs、CaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MgO、及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
上述实施例中，导电基板30或50包括选自SiC、GaAs、CaN、AlN、GaP及Si所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料取代之。
上述各实施例中的各孔穴的形状为锥形，例如圆锥形或多角锥形。
上述各相关实施例中的第二导电类型半导体层13、46、或56的第二多孔穴结构131、461、或561以蚀刻或外延成长的方式形成。
上述各相关实施例中的第一导电类型半导体层11、44、或54的第四多孔穴结构111以蚀刻方式形成。
上述各相关实施例中的第一多孔穴结构141或471及第三多孔穴结构181以蚀刻方式形成。
上述各相关实施例中的第一导电类型半导体层11、44、或54可包括选自于AlGaInP、AlInP、InGaP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料或其替代性材料。发光层12、45、或55可包括选自于AlInGaP、InGaP、AlInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料或其替代性材料。第二导电类型半导体层13、46、或56可包括选自于AlGaInP、AlInP、InGaP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料或其替代性材料。第一氧化物透明导电层14、47、或57；第二氧化物透明导电层18；或第三氧化物透明导电层43、或53包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其替代性材料。介电粘结层42包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料或其替代性材料，金属粘结层51包括选自于铟(In)、锡(Sn)、及金锡(AuSn)合金所构成材料组群中的至少一种材料或其替代性材料。布拉格反射层31由数对半导体层堆栈所形成，反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。第一金属反射层15或48及第二金属反射层19包括选自Al及Ag所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种具有高光摘出效率的发光元件包括一发光叠层；形成于该发光叠层上的一第一氧化物透明导电层，具有一第一主要表面与一第二主要表面，该第一主要表面朝向该发光叠层，该第二主要表面上形成一第一多孔穴结构；以及形成于该第一多孔穴结构上的一第一金属反射层。
2.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中该发光叠层具有一第三主要表面，该第三主要表面邻接该第一氧化物透明导电层的该第一主要表面，且该第三主要表面上形成一第二多孔穴结构。
3.如权利要求2所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一多孔穴结构向下延伸至该第二多孔穴结构。
4.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层包括一第一半导体层；形成于该第一半导体叠层上的一半导体发光层；以及形成于该发光层上的一第二半导体层。
5.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，还包括一基板位于该发光叠层下方。
6.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
7.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中该第一氧化物透明导电层的厚度介于50nm至1μm。
8.如权利要求6所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该基板包括选自于蓝宝石、GaN、AlN、SiC、GaAs、GaP、Si、ZnO、MgO、MgAl2O4及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
9.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层包括选自于AlGaInP、AlInP、InGaP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN族材料所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
10.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一氧化物透明导电层表面处的第一多孔穴结构以蚀刻的方式形成。
11.如权利要求2所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层的第三主要表面上的第二多孔穴结构以外延成长的方式形成。
12.如权利要求2所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层的第三主要表面上的第二多孔穴结构以蚀刻方式形成。
13.如权利要求2所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该发光叠层的第三主要表面上的第二多孔穴结构以外延成长方式再配合蚀刻方式所形成。
14.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该第一金属反射层之上还包括一第一电极。
15.如权利要求4所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一半导体层包括一上表面，于该上表面上还包括一第二氧化物透明导电层，该第二氧化物透明导电层具有一第四主要表面与一第五主要表面，该第四主要表面朝向该第一半导体层，该第五主要表面上形成一第三多孔穴结构。
16.如权利要求15所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，其中该第一半导体层具有一第六主要表面，该第六主要表面邻接该第二氧化物透明导电层的该第四主要表面，且该第六主要表面上形成一向下延伸的第四多孔穴结构。
17.如权利要求15所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该第二氧化物透明导电层上还包括一第二金属反射层。
18.如权利要求17所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该第二金属反射层上还包括一第二电极。
19.如权利要求15所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层表面处的第三多孔穴结构以蚀刻的方式形成。
20.如权利要求16所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第四多孔穴结构以蚀刻方式形成。
21.如权利要求15所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二氧化物透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
22.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一金属反射层包括选铝及银所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
23.如权利要求17所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二金属反射层包括选铝及银所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
24.如权利要求5所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该发光叠层及该基板之间还包括一粘结层。
25.如权利要求24所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该粘结层为介电粘结层或金属粘结层。
26.如权利要求25所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该介电粘结层包括选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、及过氟环丁烷所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
27.如权利要求25所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该金属粘结层包括选自铟、锡、及金锡合金所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
28.如权利要求24所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，于该发光叠层及该粘结层之间还包括一第三氧化物透明导电层。
29.如权利要求28所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第三氧化物透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
30.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一多孔穴的形状为锥形，包括圆锥形及多角锥形。
31.如权利要求2所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二多孔穴结构形状为锥形，包括圆锥形及多角锥形。
32.如权利要求15所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第三多孔穴的形状为锥形，包括圆锥形及多角锥形。
33.如权利要求16所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第四多孔穴结构形状为锥形，包括圆锥形及多角锥形。
34.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一金属反射层的面积基本上等于该第一电极的面积。
35.如权利要求18所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二金属反射层的面积基本上等于该第二电极的面积。
36.如权利要求1所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第一金属反射层包括选自铝及银所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
37.如权利要求17所述的一种具有高光摘出效率的发光元件，其中，该第二金属反射层包括选自铝及银所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料。
全文摘要
一种具有高光摘出效率的发光元件，包括一基板、形成于该基板上的一第一半导体层、形成于该第一半导体层上的一发光层、形成于该发光层上的一第二半导体层、形成于该第二半导体层上的一氧化物透明导电层，其中，该氧化物透明导电层相对于该第二半导体层的表面处具有多孔穴结构、形成于该氧化物透明导电层上的一金属反射层，以及形成于该金属反射层上的一电极。该金属反射层与该氧化物透明导电层之间的附着力通过氧化物透明导电层的孔穴结构获得极佳的改善，如此即可克服传统金属反射层与发光二极管的结产生剥离的问题。
文档编号H01L33/00GK1971951SQ200510126748
公开日2007年5月30日 申请日期2005年11月21日 优先权日2005年11月21日
发明者徐子杰, 陶青山, 刘美君, 吴美兰, 欧震, 谢明勋 申请人:晶元光电股份有限公司