专利名称：芯片级硅穿孔散热方法及其结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路或分立器件芯片。特别是涉及一种芯片级硅穿孔散热方法及其结构。适用于高集成度集成电路芯片及相关功率分立器件芯片的散热。属半导体技术领域。
背景技术：
在本发明作出以前，目前高集成度集成电路芯片及相关功率分立器件芯片的散热结构是采用传统封装工艺后在芯片外部加装散热片或导热胶方式，使芯片间接散热。该间接散热方式芯片热量散发慢，这将直接影响芯片的使用性能和寿命。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种芯片散热快的芯片级硅穿孔散热方法及其结构。
本发明的目的是这样实现的一种芯片级硅穿孔散热方法，该方法包括以下工艺步骤步骤一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔至焊垫金属区，步骤二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层，步骤三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层。
上述芯片级硅穿孔散热方法，还可再在导热金属层外制作单层或多层金属层或导热胶层。
本发明芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片，其特征在于a、于倒装裸芯片背面对芯片硅材料穿盲孔至焊垫金属区，b、盲孔表面及芯片背面覆有金属膜层，c、覆有金属膜层的倒装裸芯片背面复有导热金属层，该导热金属层充填至盲孔内。
上述芯片级硅穿孔散热结构，还可在导热金属层外复有单层或多层的金属层或导热胶层。
本发明改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。
图1为本发明芯片级硅穿孔散热结构示意图。
具体实施例方式参见图1，芯片级硅穿孔散热方法，包括以下工艺步骤步骤一、于倒装裸芯片1背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔5至焊垫金属区，步骤二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层2，步骤三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层3。
步骤四、于导热金属层外制作单层或多层金属层或导热胶层4。
权利要求
1.一种芯片级硅穿孔散热方法，其特征在于该方法包括以下工艺步骤步骤一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔至焊垫金属区，步骤二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层，步骤三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层。
2.根据权利要求1所述的一种芯片级硅穿孔散热方法，其特征在于该方法还包括以下工艺步骤步骤四、于导热金属层外制作单层或多层金属层或导热胶层。
3.一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于a、于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b、盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c、覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。
4.根据权利要求3所述的一种芯片级硅穿孔散热结构，其特征在于所述的导热金属层(3)外复有单层或多层的金属层或导热胶层(4)。
全文摘要
本发明涉及一种芯片级硅穿孔散热方法及其结构，适用于高集成度集成电路芯片及相关功率分立器件芯片的散热。该方法包括以下工艺步骤一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔至焊垫金属区，二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层，三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层。本发明改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。
文档编号H01L23/34GK1862765SQ200610040698
公开日2006年11月15日 申请日期2006年5月26日 优先权日2006年5月26日
发明者王新潮, 赖志明 申请人:江阴长电先进封装有限公司