专利名称：基板热处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃基板(以下简称为基板)等基板进行热处理的基板热处理装置，特别涉及使基板不紧贴于烘焙板而隔着微小空间进行热处理的技术。
背景技术：
一直以来，作为这种装置，可以列举出具有进行升温降温的烘焙板和在烘焙板上以在俯视下位于正三角的各个顶点的方式埋设的3个球体的装置(例如日本国特开2000-193376号公报)。在该装置中，当将基板装载于烘焙板上时，基板下表面由3个球体支撑，从而基板的整个下表面没紧贴于烘焙板，整个基板处于隔着微小空间而被隔开的状态。这样，通过隔着微小空间来装载基板，从而即使在烘焙板存在温度不均，其影响也尽可能不波及到基板。
但是，在半导体制造工艺中，基板的加热处理是不可缺少的，即使在光致抗蚀剂的掩模生成工艺中，在显影处理前进行的加热处理是与蚀刻掩膜尺寸精度非常相关的重要问题。近年来，随着工艺的微细化，基板热处理装置所要求的温度均衡性越来越高，并进行了满足这些要求的各种各样的改良。
但是，在实际的半导体制造工艺中，因为组合多层物性不同的各种膜，所以通常由于这些膜的热收缩率和膨胀率的不同，随着工序进展，基板自身发生翘曲(沿厚度方向弯曲)。因此，无论使烘焙板的面内温度分布精度多高的均衡，在对半导体制造工序中的实际的基板进行加热处理时，烘焙板和基板之间的微小空间在整个基板面上并不相同，成为不均衡的间隔。因此，存在这样的问题在基板的热处理中无法完全发挥烘焙板本来具有的高精度的温度均衡性。
另外，为了解决前述问题，提出了这样的方案将烘焙板的温度控制分割为多个区域，根据基板和烘焙板的距离对每个区域进行不同的加热控制。但是，由于基板的翘曲量和翘曲方向并不一样，所以必须对每一张基板都实施最适合的温度控制，在实际中并不是容易实施的，即使实施了，也不能因复杂的控制而相应提高基板温度处理的均衡性。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种基板热处理装置，其通过利用吸引来矫正基板的翘曲，从而可以在基板面内进行均衡的热处理。
本发明是一种对基板进行热处理的基板热处理装置，前述装置包含以下要素烘焙板，其在上表面具有凸部；封闭部，其被设置在前述烘焙板的上表面周边部，在将基板装载到前述烘焙板上时，将在基板下表面和烘焙板上表面之间形成的微小空间的侧方封闭；排出孔，其用于排出前述微小空间的气体；在通过前述排出孔排出了前述微小空间的气体的状态下，对装载到前述烘焙板上的基板进行热处理。
根据本发明，由于基板下表面和烘焙板上表面之间的微小空间的侧方(外周部)由封闭部封住，所以当通过排出孔排出微小空间的气体时，在微小空间内产生负压，通过该负压，基板面被吸引向烘焙板侧。因此，由于即使在基板存在翘曲也得到矫正，基板的下表面和凸部相接触且适当维持与烘焙板的上表面的距离，所以在基板的面内可以进行均衡的热处理。
另外，在本发明中，优选排出孔在前述烘焙板的上表面开口。
当排出孔在烘焙板的上表面开口时，能容易使向烘焙板的吸引力作用于基板面，从而有效地进行吸引。
另外，在本发明中，优选前述排出孔相比于前述烘焙板的中心部形成在靠近前述封闭部侧。
由于基板的中央部因吸引而容易弯曲的关系，当中央部首先被吸引而形成封闭空间时，处在基板周边部的微小空间的负压会持续保持较小，有可能对基板周边部的吸引不充分。因此，通过将排出孔形成在烘焙板的相比于中心部的靠外侧，从而能大致均等地吸引基板的整个面，可以进行更加均衡的热处理。
另外，在本发明中，优选前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
当装载基板时，由于封闭部的支撑部将基板周边的下表面支撑在凸部的高度，同时，由限制部限制基板向侧面移动，所以可以防止基板的位置偏移。而且，在各种工序中的处理液等有可能蔓延在基板下表面周边部，当在其紧贴在支撑部的状态下吸引基板时，即使解除吸引，基板的周边部也很难离开支撑部。因此，由于直径小于基板外径的接触部接触并支撑基板的下表面的同时，槽部不和可能蔓延了处理液等的基板的下表面周边部相接触，因此，即使基板下表面的周边部附着有处理液等，基板也可以容易地离开封闭部。
另外，在本发明中，优选具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
当为了解除吸引、开放基板，而从排出了微小空间的气体的排出孔供给气体时，颗粒等吹向基板的下表面，有可能污染基板。因此，设置和排出孔不同的供给孔，在解除吸引时，首先从供给孔供给气体来解消负压，之后，停止从排出孔排气，从而可以防止吹上颗粒等，可以清洁度较高地处理基板。另外，由于蔓延在基板下表面的处理液等的影响，即使解消负压，基板也粘贴，使基板难以脱离，但通过积极地供给气体，以举起基板的方式施加压力，所以基板可以容易脱离。
另外，在本发明中，优选还具有排出压检测机构，其检测出前述排出孔的排出压；判断机构，其基于从前述排出压检测机构获取的排出压，判断在排出系统是否有异常；报告机构，其在前述判断机构判断有异常时，报告异常。
用排出压检测机构检测出排出压，判断机构基于排出压，判断在排出系统有异常时，报告机构报告异常。由此，预先报告这样的情况排出系统有异常发生，不能将微小空间充分地保持在负压，对基板热处理不均衡。因此，可以防止继续对基板进行不适当的处理。
另外，在本发明中，优选还具有切换机构，该切换机构能够切换来自前述排出孔的排出压，将前述微小空间内的排出初期的排出压切换为大于其后稳定时的排出压的压力。
排出压越大作用到基板上的吸引力越大，但由于气体的流动，有可能使烘焙板的热分布不均衡。另一方面，在基板的周边部比基板的中央部更向上翘曲时，因为封闭部和基板周边部的间隙较大，所以当不加大排出压时，有可能不能充分地吸附周边部。因此，通过使排出初期的排出压大于之后的稳定时的排出压，从而可以确实地吸附有翘曲的基板，同时不会对烘焙板的热分布产生不良影响。
另外，本发明是对基板进行热处理的基板热处理装置，前述装置包含以下要素烘焙板，其在上表面具有凸部；封闭部，其被设置在前述烘焙板的上表面外周部，在将基板装载到前述烘焙板上时，将在基板下表面形成的微小空间的侧方封闭；多孔质构件，其被配置在上述烘焙板的上表面中从上述封闭部起的中心侧；排出孔，其为了排出前述微小空间的气体而与上述多孔质构件连通并连接；在通过前述排出孔排出了前述微小空间的气体的状态下，对装载到前述烘焙板上的基板进行热处理。
根据本发明，由于基板下表面和烘焙板上表面之间的微小空间的侧方由封闭部封住，所以当通过排出孔排出微小空间的气体时，通过多孔质构件，从微小空间的下方全方位地进行排气而产生负压，通过该负压，基板面被吸引向烘焙板侧。因此，由于即使基板存在翘曲也可以矫正，基板的下表面和凸部接触，并适当维持和烘焙板的上表面的距离，所以在基板面内可以进行均衡的热处理。而且，因为通过多孔质构件全方位地进行排气，可以全面地、均等地排出微小空间内的气体。其结果，烘焙板的热分布难以产生偏颇，更加均衡地进行热处理。
为了说明本发明，现在图示几个适宜的形式，但是，希望理解，本发明并非限定于如图所示的结构和方案策略。
图1是表示实施例1涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图2是图1的俯视图。
图3是放大了烘焙板的纵剖视图。
图4是处理基板的过程的动作说明图。
图5是处理基板的过程的动作说明图。
图6是表示中央部向上方突出而翘曲的基板的处理的说明图。
图7是表示中央部向下方突出而翘曲的基板的处理的说明图。
图8是表示实施例2涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图9是放大表示实施例3涉及的基板热处理装置一部分的纵剖视图。
图10是表示实施例4涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图11是表示实施例5涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图12是表示实施例6涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图13是表示实施例6的动作说明的流程图。
图14是表示实施例7涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图15是表示实施例7的动作说明中的一部分的流程图。
图16是放大表示实施例8涉及的基板热处理装置的一部分的纵剖视图。
具体实施例方式
实施例1下面，参照附图来说明本发明的实施例1。
图1是表示实施例1涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图，图2是图1的俯视图，图3是放大了烘焙板的纵剖视图。
在上表面装载着基板W的烘焙板1，下部附设有云母加热元件等的发热体3。在处于发热体3和烘焙板1的上表面之间的传热部5中埋设有多根没有图示的导热管。另外，在没有图示的多根导热管之间，形成着没有图示的冷却槽，冷却用的流体流通着。
在烘焙板1上形成有3个从上表面贯通到下表面的贯通孔7。这些贯通孔7形成于在俯视下处于正三角形的各顶点的位置，分别插通有支承销9。各支承销9的下部配设在支撑构件11上，同时，从周围封闭各支承销9的下部侧的波纹构件13固定在支撑构件11的上表面和烘焙板1的下表面之间。支撑构件11安装在升降臂17上，该升降臂17和气缸15的动作轴相连接。因此，当使气缸15工作时，升降臂17上升，各支承销9从烘焙板1的上表面向上方突出(图1中以双点划线表示)，当气缸15不工作时，动作轴收缩，升降臂17下降，各支承销9从烘焙板1的上面向下方退出(图1中以实线表示)。由此，和没有图示的搬送机构之间进行基板W的交接。
在烘焙板1的上表面，在避开各贯通孔7的位置，在中心位置、相当于正三角形的各个顶点的位置、中心位置和各顶点相当位置的延长线的位置上开凿7个凹部，在各个凹部分别嵌入直径比凹部的深度大一些的球体19。另外，在中心位置和各贯通孔7的延长线上的位置同样开凿3个凹部，在各凹部嵌入球体19。基板W若装载在烘焙板1上，则通过这10个球体19而在从烘焙板的上表面形成被称为贴近间隙(proximitygap)的微小空间ms的状态下被支撑着(参照图3)，能够通过来自烘焙板1的上表面的热辐射均衡地进行加热。另外，可以根据基板W的直径等适当地设定本发明中的相当于凸部的球体19的个数和位置。
另外，在烘焙板1的上表面周边部配设俯视呈圆环状的支撑部21，该支撑部21具有与球体19从烘焙板1上表面突出的微小高度大致相等的厚度。在该支撑部21的上表面竖立设置着俯视呈环状、且纵剖面形状呈梯形的限制部23。支撑部21和基板W的下表面周边部相接触且使基板W的下表面保持微小空间ms的高度而被支撑着。另外，限制部23限制基板W向侧面移动。这些支撑部21和限制部23构成封闭微小空间ms的侧方的封闭部25。
另外，作为前述的封闭部25，优选例如具有耐热性和弹性的聚酰亚胺树脂。还有，除此之外，可以利用例如聚四氟乙烯树脂。
另外，在烘焙板1上，在位于最外周侧的球体19和封闭部25之间的6个地方，形成有在上表面开口的排出孔27。排出管道29的一端侧与该排出孔27相连通并连接，在另一端侧连通并连接着真空吸引源31。该真空吸引源31例如是设置在清洁室中的真空设备。在排出管道29上，从排气时的上游侧朝向真空吸引源31依次安装着具有真空破坏阀的开闭阀33、流量调节阀35、压力计37。另外，流量调节阀35用于预先设定在开闭阀33开放时所排出的气体的流量。
由CPU39控制前述发热体3、气缸15和开闭阀33等。其控制根据预先存储在存储器41中的程序来进行。特别是前述开闭阀33由CPU39控制开放前述开闭阀33来进行经由排出管道29的吸引的动作、和真空破坏阀的动作，该真空破坏阀的动作是关闭开闭阀33而停止吸引的同时，从开闭阀33将排出孔27侧向大气压开放。
其次，参照图4到图7，说明如前所述构成的基板热处理装置的动作。另外，图4和图5是处理基板的过程的动作说明图，图6是表示中央部向上方突出而翘曲的基板的处理的说明图，图7是表示中央部向下方突出而翘曲的基板的处理的说明图。并且，发热体3的温度控制等根据程序已经进行，在以下说明中省略。
首先，CPU39使气缸15动作，使动作轴向上方突出(图4)。由此，成为三个支承销9从烘焙板1的上表面向上方突出的状态。这时，成为波纹构件13在支撑构件11和烘焙板1的下表面被压缩而收缩的状态。在此状态，从没有图示的搬送机构接收(例如将形成有电路等的外延层朝向上方的状态的)基板W，用突出的支承销9以水平姿势支撑基板W。
接着，CPU39停止气缸15的动作，使动作轴收缩(图5)。由此，成为基板W的下表面与10个球体19接触、下表面的周边部与支撑部21接触的状态。进而，CPU39使开闭阀33进行开放动作，将微小空间ms内的气体(空气或氮气)通过排出孔27及排出管道29以一定的流量排出。由此，在微小空间ms内产生负压，基板W面由球体19和支撑部21支撑，并向烘焙板1侧吸引。因此，即使在基板W有翘曲的情况下也通过负压得以矫正，基板W的下表面与球体19及支撑部21相接触，适当地维持和烘焙板1的上表面的距离，所以可以在基板W的面内进行均衡的热处理。
但是，基板W的翘曲有如下2种情况如图6所示那样，以基板W的中央部向上方突出的方式而翘曲(山型翘曲)；如图7所示那样，以基板W的中央部向下方突出的方式而翘曲(谷型翘曲)。中央部向上方突出的基板W，由于吸引，气体从微小空间ms排出而产生负压，基板W的中央部被向烘焙板的上表面侧吸引，从而整个基板W隔着微小空间ms而装载到烘焙板1的上表面侧。另一方面，中央部向下方突出的基板W，处于周边部向上方翘曲的状态，但由于吸引，气体从周边部的外侧流入，产生伯努利效应，基板W的周边部被向下方吸引。因此，同样，整个基板W隔着微小空间ms而被装载到烘焙板1的上表面侧。这样，与基板W翘曲的方向无关，可以将基板W适宜地装载到烘焙板1的上表面侧。
另外，由于基板W的中央部因吸引而容易弯曲的关系，当中央部首先被吸引而形成封闭空间时，处在基板W周边部的微小空间ms的负压会持续保持较小，有可能对基板周边部的吸引不充分。但是，由于与烘焙板1的中心部相比，排气孔27形成在靠外侧，因此，不会发生这样的问题，能大致均匀地吸引基板W的整个面，可以进行更加均衡的热处理。
如前所述那样装载基板W后，将这种状态保持预先确定的时间，来对基板W实施规定的热处理。
当结束规定时间的热处理时，CPU39关闭开闭阀33，停止微小空间ms内气体排出的同时，使开闭阀33的真空破坏阀动作。由此，气体流入微小空间ms内，解除基板W向烘焙板1侧的吸引。接着，使气缸15动作，伸长动作轴，向上方举起基板W。在该状态下，由没有图示的搬送机构搬出基板W。
这样，根据本基板热处理装置，通过经由排出孔27排出微小空间ms内的气体，从而在微小空间ms内产生负压，基板W面被向烘焙板1侧吸引。因此，即使在基板W有翘曲的情况下，也由负压矫正，基板W的下表面与球体19相接触，适当地维持和烘焙板1上表面的距离，所以可以在基板W的面内进行均衡的热处理。
实施例2接着，参照
本发明的实施例2。另外，图8是表示实施例2涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。在以下的说明中，对与前述实施例1相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。
此实施例2是对烘焙板1A的上表面进一步加以设计。
即，在烘焙板1A的上表面，详细地说，在传热部5A的上表面中，封闭部25的内侧以呈向中心部凹下的凹部形状或浅研钵状的方式而构成。在具有基板W的中央部向周边部的下方突出的翘曲(谷型翘曲)时，存在中央部先被吸引而周边部的吸引不充分的情况，但通过将烘焙板1A的上表面做成凹部形状，从而可以充分地吸引基板W的周边部。因此，不论基板W是否翘曲都可以在基板W的面内实施均衡的热处理。另外，即使采用这样的烘焙板1A，也可以对具有中心部向上方突出的翘曲(山型翘曲)的基板W进行处理。
实施例3下面，参照附图来说明本发明的实施例3。另外，图9是放大表示实施例3涉及的基板热处理装置的一部分的纵剖视图。并且，通过对与前述实施例1相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。
此实施例3的封闭部25A的结构和前述实施例1、2不同。
即，封闭部25A具有支撑部21A和限制部23，支撑部21A由接触部43和槽部45构成。接触部43具有比基板W的外径稍小的内径，接触部43的上表面和基板W的外周偏内侧的下表面接触。槽部45在接触部43的外侧，不接触基板W的下表面。
当将基板W装载于这种结构的基板热处理装置上时，由封闭部25A的支撑部21A将基板W的周边下表面支撑在球体19的高度并由限制部23限制其向侧方的移动，因此可以防止基板W的位置偏移。而且，各种工序中的处理液有可能蔓延到基板W下表面的周边部，如果在其紧密附着于支撑部21A的状态下吸引基板W，那么即使解除吸引，基板W周边部也有可能较难从支撑部21A离开。但是，用直径比基板W外径小的接触部43接触并支撑基板W的下表面，同时，槽部45不接触有可能蔓延处理液等的基板W的下表面周边部，所以，即使处理液等附在基板W的下表面周缘部，基板W也可以容易地从封闭部25A离开。
另外，接触部43可以以在上部为一个顶点的纵剖面三角形状构成，也可以将其做成配置成多个同心圆形状的结构。由此，可以提高气密性。
实施例4下面，参照附图来说明本发明的实施例4。另外，对与前述实施例1相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。图10是表示实施例4涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
在烘焙板1B的传热部5B中，在封闭部25的内侧形成有较浅的凹部47。在该凹部47中配设具有连续气泡的多孔质构件49。另外，在凹部47形成有与烘焙板1B的上表面和下表面连通的排出孔27A。
在这种结构中，由于由封闭部25封闭基板W的下表面和烘焙板1B的上表面之间的微小空间ms的侧面，所以当通过排出孔27A排出微小空间ms的气体时，经由多孔质构件49，从微小空间ms的下方全面进行排出而产生负压，因该负压，基板W被向烘焙板1B侧吸引。因此，即使基板W有翘曲也得以矫正，基板W的下表面和球体19接触，适当维持和烘焙板1B上表面的距离，所以在基板W的面内可以实施均衡的热处理。而且，由于经由多孔质构件49全面地进行排出，所以，可以是整体的、均匀的进行微小空间ms的气体的排出。其结果，在烘焙板1B的热分布中难以产生偏颇，更加均衡进行热处理。
另外，本实施例装置可以同前述的实施例1～3或下面所述的各实施例5～8等的任意一个相组合。
实施例5下面，参照附图来说明本发明的实施例5。另外，对与前述实施例1相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。图11是表示实施例5涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
在本实施例，烘焙板1C上具有多个供给孔51。这些供给孔51用供给管道55和氮气供给源53连通并连接。在供给管道55上配设有开闭阀57、流量调节阀59和压力计61。另外，也可以采用净化空气供给源代替氮气供给源53。由CPU39控制开闭阀57的开放·关闭动作。而且，在排出管道29上配设不具有真空破坏阀的一般开闭阀63，以代替前述实施例1的开闭阀33。
在本实施例装置中，由CPU39开放开闭阀63，通过排出孔27，以一定流量排出微小空间ms内的气体。于是，在微小空间ms内产生负压，基板W由球体19和支撑部21支撑，并被吸引向烘焙板1C(传热部5C)侧。将此状态按照程序仅保持所规定的时间，并实施热处理。经过规定时间后，CPU39首先开放开闭阀57，通过供出孔51，而以一定流量向微小空间ms送入氮气，同时，关闭开闭阀63，停止吸引。
如上所述，当为了解除微小空间ms的吸引、开放基板W，而从排出了微小空间ms的气体的排出孔27供给气体或与大气连通时，颗粒等被吹向基板W的下表面，有可能污染基板W。但是，由于具有与排出孔27不同的供给孔51，在解除吸引时，首先从供给孔51供给气体，积极地解消微小空间ms内的负压，然后停止从排出孔27的排气，从而可以防止吹上颗粒等，可以清洁度较高地处理基板W。
另外，因蔓延到基板W下表面的处理液等的影响，即使解消负压，基板W依然贴附在封闭部25上，用支承销9也较难举起，但由于积极地供给气体，从而在举起基板W的方向施加压力，所以能用支承销9容易地举起基板W。
实施例6下面，参照附图来说明本发明的实施例6。另外，对与前述实施例5相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。图12是表示实施例6涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
在本实施例，排出管道29中，在开闭阀63的上游侧(接近排出孔27一侧)配设压力计65，由CPU39监视其压力值。另外，压力计65相当于本发明中的排出压检测机构，CPU39相当于本发明中的判断机构及报告机构。
参照图13来说明本实施例装置的动作。另外，图13是表示实施例6的动作说明的流程图。
步骤S1搬入基板W。使气缸15动作，使支承销9上升，接受基板W。
步骤S2～S4停止空气缸15动作，收缩动作轴，使支承销9下降。由此，基板W装载到烘焙板1C上。这时，CPU39通过没有图示的传感器等判断支承销9是否正常下降(步骤3)，监视到其正常下降为止(步骤4)。
步骤S5～S7确认装载了基板W后，开放开闭阀63(第一阀)，在一定时间内，CPU39监视压力计65的压力是否达到设定压，而分别处理。也就是，在以下两种情况下分别处理由于发生基板W破损、或封闭部25破损等障碍，微小空间ms没有减压到设定压；没有发生障碍，能减压到设定压。
步骤S8
在减压到规定压力时，基于程序只待机经过处理时间，对基板W实施热处理。
步骤S9～S11当达到处理时间时，开放开闭阀57(第二阀)。由此，向微小空间ms和与其连通的排出管道29供给氮气。在一定的时间内，CPU39监视压力计65的压力，判断是否达到设定压，并分别处理。也就是，在以下两种情况下进行分别处理由于氮气供给系统等发生问题，没能充分地供给氮气，没能解消负压；没有发生障碍，能解消负压。
步骤S12～S14在达到设定压力，负压解消了的情况下，关闭开闭阀63(第一阀)，停止排气动作。然后，在一定时间内，CPU39监视压力计65的压力，判断是否达到设定压，而进行分别处理。也就是，由于关闭了排气系统的开闭阀63，所以在一定时间内，监视在微小空间ms及与其连通的部分的压力是否由于氮气的供给而变高，根据结果，进行分别处理。这样，为了解消负压而供给氮气，所以即使例如基板W的下表面周边部贴附在支撑部21的情况下，用支承销9也可以容易举起基板W。
步骤S15～S17达到设定压力后，CPU39关闭开闭阀57，停止氮气的供给，同时，使气缸15动作，使支承销9上升。在一定时间内，CPU39通过没有图示的传感器等，监视支承销9是否正常上升，根据结果进行分别处理。
通过如前述一系列的处理，进行对一张基板W的处理，在各步骤S4、S7、S11、S14、S17，在时间已到时，在步骤S 18进行分别处理。在步骤S18，CPU39中断处理的同时，将装置发生了问题的情况报告给操作员。对于报告方式，例如，报警灯的闪亮、蜂鸣器发出响声。这样，由于检知故障，停止处理并进行报告，所以能预先报告处于如下状况排出系有异常，没将微小空间ms充分保持在负压，对基板W的热处理不均衡。因此，可以防止继续进行不适宜的处理。另外，不只是排出系统，也可以检测并报告在供给系统发生的问题。进一步，由于也监视支承销9的升降，因此不只是排出·供给系统，也可检测出在升降系统发生的问题。
实施例7
下面，参照附图来说明本发明的实施例7。另外，对与前述实施例6相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。图14是表示实施例7涉及的基板热处理装置的概略结构的纵剖视图。
本实施例装置，其特征在于在排出系统，分两步骤改变排气压力。
即，在排出管道29上，在压力计65和开闭阀63之间分支设置排出管道67。在排出管道67配设开闭阀69、流量调节阀71和压力计73。流量调节阀71以大于流量调节阀35的流量(排气压力高)的方式进行预先设定。如下述说明，CPU39根据时间切换开闭阀63、69，从而可以分两步骤地切换排出压。
另外，前述的开闭阀63、69和流量调节阀71、73相当于本发明中的切换机构。
参照图15来说明这样构成的实施例装置的动作。另外，图15是表示实施例7的动作说明中一部分的流程图。这个流程图是代替前述实施例6的流程图(图13)中的微小空间ms的气体排出动作(步骤S5、S6)。因此，在下面说明中，说明确认了支承销9下降之后的处理过程。
步骤S51、S52开放开闭阀69(第零阀)，用较高的压力排出微小空间ms内的气体。然后，判断压力计65的压力是否达到了设定压，在达到时，转移到步骤S53，在没有达到时，分支到步骤S7以后。
步骤S53关闭开闭阀69(第零阀)的同时，开放开闭阀63(第一阀)。由此，以低于开放开闭阀69时的排气压力开始排气。这之后的处理和前述实施例6中的动作说明相同。
这样在本实施例装置中，要分两步骤地切换排气压，排出微小空间ms内的气体，这样构成的优点如下所述。
即，排出压越大则作用在基板W上的吸引力越大，但是，由于大流量的气体的流过而有可能带来烘焙板1的热分布的不均衡。另一方面，由于在基板W的周边部向中央部的上方翘曲时，封闭部25和基板W的周边部之间的缝隙就比较大，所以如果排出压不够大，可能不能充分地吸引周边部。这样，通过使排出初期的排出压大于其后稳定时的排出压，从而即使是基板W的中央部向下方突出那样的翘曲的基板W，也可以确切地被吸引，不会给烘焙板1的热分布带来不良影响。
实施例8下面，参照
本发明的实施例8。另外，对与前述各实施例1～7相同的结构标有相同的附图标记，从而省略详细的说明。图16是放大表示实施例8涉及的基板热处理装置的一部分的纵剖视图。
如前述实施例1那样，当排出孔27开口在烘焙板1的上表面时，能使在基板W的下表面容易作用向着烘焙板1方向的吸引力，有效地进行吸引。但是，在本发明只要可以排出微小空间ms内的气体，则怎样构成排出孔都可以，例如，如下说明那样构成也可以。
在本实施例8中，烘焙板1D的传热部5D不具有排出孔27，在封闭部25的支撑部21B的下部，形成有多个流路纵剖面形状呈半圆形状的排出孔27B。但是，由于微小空间ms为负压的关系，用基板W的下表面周边部，将支撑部21B从上方向烘焙板1D侧按压，因此，优选以具有不因该压力而变形的强度的方式来设定孔的形状及个数。另外，并非全用于排出，一部分也可以用于氮气的供给。
这样，由于传热部5D不具有排出孔27，所以可以使烘焙板1D的热分布更均衡，而且，可以矫正基板W的翘曲来实施均衡的热处理。
本发明不只限于前述实施方式，可以实施下述变形。
(1)在前述各实施例中，具有球体19而并构成微小空间ms，但是，也可以取而代之，例如通过对烘焙板1的传热部5的上表面进行蚀刻、部分电镀、部分涂层，从而将凹凸形成为同心圆形状或网眼状。另外，也可以做成这样的结构，由其他部件构成这些部分，并和传热部5的上表面相连接。
(2)在前述各实施例中，以在传热部5中埋设导热管的结构为例进行了说明，但也可以适用于不使用导热管的基板热处理装置。
(3)在前述各实施例中，以在俯视下为圆形的基板为例进行了说明，但也可以适用于处理矩形的基板的基板热处理装置。
本发明可以在不脱离其思想、本质的范围内具体地实施其他形式，因此，作为表示发明范围，应该参照附加的权利要求书，而不是以上的说明。
权利要求
1.一种基板热处理装置，其对基板进行热处理，其特征在于，前述装置包含以下部分烘焙板，其在上表面具有凸部；封闭部，其被设置在前述烘焙板的上表面周边部，在将基板装载到前述烘焙板上时，将在基板下表面和烘焙板上表面之间形成的微小空间的侧方封闭；排出孔，其用于将前述微小空间的气体排出，在通过前述排出孔排出了前述微小空间的气体的状态下，对被装载到前述烘焙板上的基板进行热处理。
2.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，前述排出孔开口在前述烘焙板的上表面上。
3.如权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，前述排出孔相比于前述烘焙板的中心部形成在靠近前述封闭部侧。
4.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，前述烘焙板呈现其上表面向下方凹下的凹部形状。
5.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面的高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
6.如权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面的高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
7.如权利要求3所述的基板热处理装置，其特征在于，前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面的高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
8.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
9.如权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
10.如权利要求3所述的基板热处理装置，其特征在于，具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
11.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，还具有排出压检测机构，其检测出前述排出孔的排出压；判断机构，其基于从前述排出压检测机构获取的排出压，判断在排出系统是否有异常；报告机构，其在前述判断机构判断有异常时，报告异常。
12.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，还具有切换机构，该切换机构能够切换来自前述排出孔的排出压，将前述微小空间内的排出初期的排出压切换为大于其后稳定时的排出压的压力。
13.一种基板热处理装置，其对基板进行热处理，其特征在于，前述装置包含以下部分烘焙板，其在上表面具有凸部；封闭部，其被设置在前述烘焙板的上表面外周部，在将基板装载到前述烘焙板上时，将在基板下表面形成的微小空间的侧方封闭；多孔质构件，其被配置在上述烘焙板的上表面中从上述封闭部起的中心侧；排出孔，其为了将前述微小空间的气体排出而与上述多孔质构件连通并连接，在通过前述排出孔排出了前述微小空间的气体的状态下，对装载到前述烘焙板上的基板进行热处理。
14.如权利要求13所述的基板热处理装置，其特征在于，前述烘焙板呈现其上表面向下方凹下的凹部形状。
15.如权利要求13所述的基板热处理装置，其特征在于，前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面的高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
16.如权利要求14所述的基板热处理装置，其特征在于，前述封闭部具有支撑部，其和基板的下表面相接触，并使基板下表面的高度和前述凸部一致；限制部，其位于该支撑部的上部，限制基板向侧方移动，前述支撑部具有接触部，其和基板的下表面相接触，直径小于基板外径；槽部，其位于该接触部的外侧，和基板的下表面不接触。
17.如权利要求13所述的基板热处理装置，其特征在于，具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
18.如权利要求14所述的基板热处理装置，其特征在于，具有供给孔，该供给孔用于向前述微小空间供给气体，对基板的热处理结束后，从前述供给孔供给气体，同时，停止前述排出孔的排气。
19.如权利要求13所述的基板热处理装置，其特征在于，还具有排出压检测机构，其检测出前述排出孔的排出压；判断机构，其基于从前述排出压检测机构获取的排出压，判断在排出系统是否有异常；报告机构，其在前述判断机构判断有异常时，报告异常。
20.如权利要求13所述的基板热处理装置，其特征在于，具有切换机构，该切换机构能够切换来自前述排出孔的排出压，将前述微小空间内的排出初期的排出压切换为大于其后稳定时的排出压的压力。
全文摘要
一种基板热处理装置，其对基板进行热处理，前述装置包含以下要素烘焙板，其在上表面具有凸部；封闭部，其被设置在前述烘焙板的上表面周边部，在将基板装载到前述烘焙板上时，将在基板下表面和烘焙板上表面之间形成的微小空间的侧方封闭；排出孔，其用于排出前述微小空间内的气体；在通过前述排出孔排出了前述微小空间的气体的状态下，对装载到前述烘焙板上的基板进行热处理。
文档编号H01L21/02GK1862204SQ20061008184
公开日2006年11月15日 申请日期2006年5月12日 优先权日2005年5月12日
发明者森田彰彦, 后藤茂宏, 松近启司 申请人:大日本网目版制造株式会社