专利名称：切割晶圆的方法
切割品圆的方法
技术领域：
本发明有关 一 种半导体封装制程，特别是有关 一 种切割晶圆的方法。
背景技术：
现有的半导体封装制程中，是先将晶圆切割成一颗颗的晶粒(die),再将 这些晶粒做成各具功能的半导体封装结构。图1A至1B显示现有切割晶圓的 方法。首先，将研磨(grinding)及抛光(polishing)后的晶圆110的背面黏贴于胶 带120上(见图1A),并将该胶带120固定于一个晶圓架(图未示)上，再 将该晶圆架固接于分割机器上，以切刀130切割晶圆110 (见图1B)。切割 完毕后所得到的晶粒附着在胶带120上，要进行下一道制程时再行取下。
然而，上述切割晶圓的方法往往会造成晶粒侧面或背面产生20至30微 米(Hm)不等的崩裂(chipping)，这对于厚度为10至12mil ( lmil=l/1000寸) 的晶粒而言，十分之一的侧背崩尚在容忍的范围内。但是，在电子产品愈趋 轻、薄的发展趋势下，晶圓的厚度已降至2至3mil，同样20至30微米的侧 背崩，已占晶粒厚度的三分之一或甚至是二分之一，相比之下，这样的侧背 崩是无法接受的。
为解决上述问题，日本专利公开第63-37612号揭露以印刷或贴覆环氧树 脂于晶圆背面的方式，以防止晶圆于切割时崩裂的方法，该方法为将贴覆 有环氧树脂的晶圓进行第一次烘烤，接着切割晶圆以得到各个晶粒，然后再 加热使晶粒上的环氧树脂再度软化而具翻性，以使晶粒能藉由该环氧树脂而 能黏合至导线架或基板上。然而，为使晶粒上的环氧树脂具有足够的黏性而 能贴附于导线架或基板上，在进行第一次烘烤时一定不可将其完全烤干，即 不可使胶到达全部聚合(C-stage)状态，只能使胶到达半聚合(B-stage)状 态。如此，胶层实际上并未与晶圓的表面接合，进行切割时，仍会产生晶粒 边缘崩裂的问题。
因此，需要提出一种切割晶圓的方法，以解决晶粒侧崩及背崩等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种切割晶圆的方法，能够解决晶粒侧崩及背崩 等问题。为达上述目的，本发明的切割晶圓的方法是在晶圆的背面涂布一层胶材， 再将晶圓烘烤使胶材硬化以形成胶层，最后切割晶圓以形成各个晶粒。在使该胶材硬化的该步骤后，将该晶圓黏贴于一胶带上，其中该晶圓是 以该背面与该胶带相对，进行贴合。该胶材是以烘烤加热方式造成硬化。该胶材是以紫外光照射方式造成硬化。在该晶圓的背面涂布胶材的步骤包含将该晶圓的主动表面固定于转盘 上；转动该转盘；及将该胶材涂布于该晶圓的背面上，利用转盘转动所产生 的离心力使该胶材均匀分布于该晶圆的背面上。该胶材是由电绝缘材料所构成。该晶圆的切割是以切刀由该晶圓主动表面的上方切割。 在烘烤该胶材前，该胶材具有黏性。 在烘烤后该胶层不具黏性。 该胶材为热固性胶材。根据本发明的切割晶圓的方法，在晶圓背面形成的胶层可在切割期间提 供足够的机械强度，使切割后所得到的晶粒不会有侧崩与背崩过大的问题。
图1A及1B是现有切割晶圓的方法的示意图。 图2A至2C为根据本发明的切割晶圓方法的步骤。 图3为根据本发明的切割晶圓方法在晶圓背面形成均匀胶层的方法。 图4A及4B为以现有切割晶圆方法切割后所得到晶粒的侧面放大图，以 清楚显示该晶粒的结构。图4C为以本发明切割晶圓方法切割后所得到晶粒的侧面放大图，以清 楚显示该晶粒的结构。
具体实施方式图2A至2C是根据本发明的切割晶圆方法的步骤。现请参考图2A,晶 圓210在研磨及抛光至所需的厚度后，在其背面214涂布一层具黏性的胶材， 再以加热或紫外光照射等方式，使其硬化以成为不具黏性的胶层240 (见图 2A)。伞交佳，该月交层是由电绝乡彖材并牛或热固性月交材所构成。4妻着，将具有该胶层240的晶圓背面214黏贴于胶带220上，并将该胶带220固定于晶圆架 上(图未示)使晶圆210的主动表面212朝上，再将该晶圆架固接于一个分 割机器上，以切刀230由该晶圓主动表面的上方切割晶圓210,即得到一颗 颗的晶粒250 (见图2C)。根据本发明的切割晶圆的方法，在晶圆背面214形成的胶层240可在切 割期间提供足够的机械强度，使切割后所得到的晶粒250不会有侧崩与背崩 过大的问题。再者，切割后的晶粒250的背面214的胶层240在切割后不须 去除，可直接进行晶粒上板的制程。因此，当该胶层240由电绝缘的材料所 构成时，可提供晶粒250的绝缘保护。根据本发明的切割晶圓的方法，在晶圓背面214涂布胶材时，可将该晶 圆210的主动表面212固定于转盘310上(见图3)，将胶材260由该晶圆背 面214中心的上方注入该晶圓背面214上，利用转盘310转动所产生的离心 力使该胶材260均匀分布于该晶圆210的背面214上，以形成均匀的胶层240。参考图4A、 4B及4C，其分别显示以现有切割晶圓方法以及以本发明的 切割晶圓的方法切割后所得到晶粒的侧面放大图以清楚显示现有技术和本发 明的方法所形成的晶粒的结构。由图可知，晶圆直接黏贴于胶带切割后所得 到的晶粒(见图4A)，以及晶圓贴附于B-stage的胶层再贴附于胶带接着再进 行切割后所得到的晶粒(见图4B),均显示出明显的侧崩，而以本发明的切 割晶圓的方法所得到的晶粒(见图4C)则未有側崩的情形。
权利要求
1. 一种切割晶圆的方法，其包舍 提供具有一主动表面及一背面的一晶圆； 在该晶圆的该背面涂布一胶材； 使该胶材硬化；及切割该晶圆以形成各个晶粒。
2. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，更包含在使该胶材硬化的该 步骤后，将该晶圓翁贴于一胶带上，其中该晶圓是以该背面与该胶带相对， 进行贴合。
3. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于使该胶材是以 烘烤加热方式造成硬化。
4. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于使该胶材是以 紫外光照射方式造成硬化。
5. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于在该晶圆的背 面涂布胶材的步骤包含将该晶圆的主动表面固定于转盘上；转动该转盘； 及将该胶材涂布于该晶圓的背面上，利用转盘转动所产生的离心力使该胶 材均匀分布于该晶圆的背面上。
6. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于该胶材是由电 绝缘材料所构成。
7. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于该晶圓的切割 是以切刀由该晶圓主动表面的上方切割。
8. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于在烘烤该胶材 前，该胶材具有黏性。
9. 如权利要求6所述的切割晶圓的方法，其特征在于在烘烤后该胶 材不具黏性。
10. 如权利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于该胶材为热固 性胶材。
全文摘要
本发明提供一种切割晶圆的方法，其在晶圆的背面形成一胶层，可在晶圆切割期间提供足够的机械强度，使切割后所得到的晶粒不会有侧崩与背崩过大的问题。
文档编号H01L21/02GK101123217SQ20061011102
公开日2008年2月13日 申请日期2006年8月9日 优先权日2006年8月9日
发明者褚福堂, 钟启源 申请人:日月光半导体制造股份有限公司