专利名称：：多层电子组件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及单片电子组件，尤其涉及形成于具有单片结构的组件体的外表面上以便电连接到内电极的端子电极结构。
背景技术：
：一般而言，IC电源线的噪声通过在电源线和接地之间连接旁路电容器来消除。当采用几乎完全被电源导体图案或接地导体图案覆盖的印刷电路板以便实现高密度安装时，通常在电源和接地之间发生共振。因为共振的发生导致辐射噪声的发生，所以需要抑制共振。然而，如果将一般具有几毫欧姆大小的等效串联电阻及约1至100MHz自共振频率的单片陶瓷电容器用作旁路电容器以控制这种共振，则该频带中的阻抗变得很小。从而，不能抑制上述发生在1至100MHz频带内的共振。一般而言，已知共振可通过将电阻器与单片陶瓷电容器串联连接来抑制。为了以这一方式实现共振抑制，例如，专利文献1和专利文献2公开了一种单片陶瓷电容器，它具有通过将电阻器结合到单片陶瓷电容器自身的端子电极来串联连接电阻器而不是通过将电阻器作为分立组件连接到单片陶瓷电容器的结构。具体地，专利文献2公开了通过使用含有导电粒子和可固化树脂的电阻膏来形成电阻膜作为端子电极的基础，并在其上形成镀膜。然而，当如专利文献2所公开的在电阻膜上进行电镀时，如果电阻膜的体积电阻率高，则电流在电镀期间不易于流动，这使得难以进行电镀。此外，即使镀膜可形成于电阻膜上，也难以形成具有均匀厚度的镀膜。结果，镀膜的较薄区域易于让湿气进入，从而耐湿性劣化。此外，因为当镀膜的厚度不均匀时电阻膜和镀膜之间的接合强度相对弱，所以在安装步骤等期间加热时通常发生镀膜与电阻膜分离，由此导致电阻值的变化。尽管以上的描述涉及单片陶瓷电容器，但其它具有带电阻膜的端子电极的单片电子组件也可遇到相同的问题。专利文献1:日本未审査实用新型登记申请公开No.62-184728专利文献2:日本未审查专利申请公开No.11-283866
发明内容本发明要解决的问题本发明的目的在于提供一种能够解决以上问题的单片电子组件。解决问题的手段本发明涉及包括片状组件体和形成于该组件体外表面上的多个端子电极的单片电子组件。组件体具有通过层叠多个绝缘层形成的分层结构和沿绝缘层之间的某一界面形成并延伸到组件体外表面以便电连接到端子电极中的某一个的内电极。在本发明中，为了解决以上的技术问题，单片电子组件的特征在于端子电极中的至少一个是电阻性端子电极，它包括具有相对高的体积电阻率的电阻膜和覆盖电阻膜并具有比电阻膜低的体积电阻率的导电树脂膜。较佳的是电阻性端子电极还包括借助于电镀形成于导电树脂膜上的镀膜。当组件体具有两个相对主面及连接主面的侧面时，较佳的是电阻膜仅在侧面的区域上形成以免延伸到主面上，并形成导电树脂膜以便覆盖侧面上的电阻膜，使得导电树脂膜的一部分覆盖主面的一部分。在本发明的第一实施例中，电阻膜直接形成于组件体的表面上并与内电极接触。在这种情况下，较佳的是与电阻膜接触的内电极的端部从组件体的表面凸出。当电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分时，较佳的是与电阻膜接触的内电极包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。在本发明的第二实施例中，电阻性端子电极还包括形成于电阻膜之下的基膜，而基膜包含金属烧结体作为导电成分并与内电极接触。当第二实施例中电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分时，较佳的是基膜包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。同样较佳的是，内电极的导电成分包含的金属类型与基膜的导电成分中包含的金属类型相同。在根据本发明的单片电子组件中，较佳的是电阻膜的电阻率是lxl0—4^m或更大。同样较佳的是导电树脂膜的电阻率小于lxl0—4^m。在本发明中，内电极可包括彼此相对的至少一对第一内电极和第二内电极，并且其间具有绝缘层之一，以便形成静电容，并且端子电极可包括电连接到第一内电极的第一端子电极及电连接到第二内电极的第二端子电极。在这种情况下，根据本发明的单片电子组件形成了CR复合组件。发明效果根据本发明，因为包含在单片电子组件中的电阻性端子电极的电阻膜用具有相对低的体积电阻率的导电树脂膜来覆盖，所以可向电阻性端子电极提供能实现良好电镀的结构。因此，当在电阻性端子电极中借助于电镀在导电树脂膜上形成镀膜时，可使镀膜的厚度均匀。因此，可保证单片电子组件的耐湿性，并可抑制例如在安装步骤期间由于热引起的电阻值的变化。当镀膜具有双层结构时，该双层结构包括诸如Ni之类的在焊料熔化温度下不熔化的金属层及形成于其上由诸如Sn之类的具有良好焊料润湿性的金属形成的层，可确保电阻性端子电极对湿气的密封性能，并可确保焊接步骤期间的耐热性。此外，可赋予良好的焊接特性。在组件体具有两个相对的主面和连接主面的侧面的情况下，通过仅在侧面区域上形成电阻膜以免延伸过主面并形成导电树脂膜以便覆盖侧面上的电阻膜，并使得导电树脂膜的一部分覆盖主面的一部分，可将电阻膜与外部环境进一步隔离并可进一步提高耐湿性。因为在本发明的第一实施例中，电阻膜直接形成于组件体的表面上并与内电极接触，所以第一实施例优于其中基膜形成于电阻膜之下的第二实施例的优点在于以下的方面。当如第二实施例形成基膜时，采用导电膏的涂布和烘焙。然而，在导电膏的涂布中，膏涂布条件难以控制，尤其是在角落处，导致涂布厚度的变化。在形成电阻膜时的膏涂布条件在角落处同样难以控制，导致涂布厚度的变化。电阻值主要由设置在形成于电阻膜上的导电树脂膜和基膜之间电阻膜的最薄区域确定。当涂布导电膏或电阻膏时，一般在角落处膏的厚度变为最小并且膏涂布条件的控制很难。因此，电阻值受到角落处电阻膜厚度变化的极大影响。然而，在第一实施例中，电阻膜直接形成于侧面上，内电极在侧面上延伸，这使得侧面上膏涂布条件的控制变得容易，并且电阻值受到电阻膜厚度变化的影响很小。因此，可抑制电阻变化。电阻值还受到内电极延伸部分区域的影响。然而，在该方面中，因为内电极延伸部分的区域变化较小，所以可减小电阻值变化。此外，形成基础层的成本是不需要的在本发明的第一实施例中，当与电阻膜接触的内电极的端部从组件体的表面凸出时，实现了内电极与电阻膜从而与电阻性端子电极的高度可靠的电连接，并可抑制作为产品的单片电子组件中的电阻变化。在本发明的第一实施例中，当电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分并且内电极包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金为导电成分时，电阻膜和内电极之间不会发生电池反应，并且不会出现界面上接触电阻增加的问题。同样，在本发明的第二实施例中，当电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分并且基膜包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分时，电阻膜和基膜之间不会发生电池反应，并且不会出现界面上接触电阻增加的问题。此外，通过利用诸如Ni、Ag、Pd或Au之类的金属作为如上所述的内电极或基膜的导电成分，可抑制在形成电阻膜和导电树脂膜时由于固化各树脂成分所施加的热引起的特性变化。在本发明的第二实施例中，当内电极的导电成分包含的金属类型与基膜的导电成分中包含的金属相同时，可防止在形成基膜的烘焙步骤期间不同金属可能发生的金属扩散，因此可稳定电阻。在本发明中，当电阻膜的电阻率是lxlO—4Q>m或更大时，可将足以预防共振的电阻值确切地赋予电阻性端子电极。在本发明中，当导电树脂膜的电阻率小于lxl(T4Q*m时，可将较佳的电镀特性确切地赋予导电树脂膜。在根据本发明的单片电子组件形成CR复合组件的情况下，当采用CR复合组件以便将其设置在电源线和接地之间时，CR复合组件的电容组件抑制电压变化而电阻组件抑制共振。因此，可使电源电压稳定。附图简述图1示出作为应用本发明的单片电子组件的一个例子的三端子CR复合组件1的典型结构，并且图1是示出三端子CR复合组件1的外部立体图。图2包括示出图1所示的三端子CR复合组件1的内部结构的截面平面图部分(a)示出沿第一内电极14所处的平面的横截面，而部分(b)示出沿第二内电极15所处平面的横截面。图3示出本发明的第一实施例，并且是图1和图2所示的三端子CR复合组件1的主要部分的截面正视图。图4是示出图3的部件的放大正视图。图5是用于示出本发明的第二实施例的对应于图3的图。图6是用于示出本发明的第三实施例的对应于图1的图。图7是关于图6所示的三端子CR复合组件lb的对应于图2的图。图8是示出在实验例2中获得的关于电镀附着性的数据的图。图9是示出在实验例4中获得的关于耐湿性的数据的图。图10是示出在实验例5中获得的关于在焊接熔化温度下的热阻数据的图。附图标记I、la、lb三端子CR复合组件(单片电子组件)2组件体3,4主面5to8侧面9,10第一端子电极II,12第二端子电极13绝缘层14,15内电极21电阻膜22导电树脂膜23镀膜28基膜本发明的最佳实施方式图1和2示出作为根据本发明的单片电子组件的一个例子的三端子CR复合组件1的典型结构。图1是示出三端子CR复合组件1的外部立体图，而图2包括示出三端子CR复合组件1的内部结构的截面平面图。图2(a)和图2(b)示出不同的横截面。三端子CR复合组件1包括片状组件体2。组件体2是具有两相对主面3和4以及连接主面3和4的四个侧面5至8的矩形平行六面体。在组件体2的外表面上，形成两个第一端子电极9和10以及两个第二端子电极11和12更具体地，一个第一端子电极9作为带在组件体2的较短侧上沿一个侧面5的中心延伸，使得第一端子电极9的部分覆盖邻接的主面3和4的部分。另一个第一端子电极10作为带沿与侧面5相对的侧面6的中心延伸，使得第一端子电极10的部分覆盖邻接的主面3和4的部分。一个第二端子电极11作为带在组件体2的较长侧上沿一个侧面7的中心延伸，使得第二端子电极ll的部分覆盖邻接的主面3和4的部分。另一个第二端子电极12作为带沿与侧面7相对的侧面8的中心延伸，使得第二端子电极12的部分覆盖邻接的主面3和4的部分。如图2所示，组件体2具有分层结构，其中由例如基于BaTi03的介电陶瓷之类的陶瓷形成的多个绝缘体层13层叠。在组件体2内，沿绝缘层13之间的某些界面设置至少一对第一内电极14和第二内电极15。第一内电极14和第二内电极15交替层叠并且彼此相对，从而形成静电容。如上所述，图2(a)和图2(b)示出不同的横截面。图2(a)示出沿第一内电极14所处平面的横截面，而图2(b)示出沿第二内电极15所处平面的横截面。第一内电极14包括延伸到组件体2的相应的短侧面5和6的相对窄的延伸部分16和17，以便电连接到第一端子电极9和10。第二内电极15包括延伸到组件体2的相应的长侧面7和8的相对窄的延伸部分18和19，以便电连接到第二端子电极11和12。在本发明的第一实施例中，包含在三端子CR复合组件1中的第二端子电极11和12是电阻性端子电极，并且第二端子电极11和12中的每一个都具有图3所示的结构。图3示出本发明的第一实施例，并且是参考图1和图2所述的三端子CR复合组件1的主要部分的截面正视图。图4是示出图3所示三端子CR复合组件1的主要部分的部件的放大图。在图3和4中，与图l和图2所示的部件中相同的元件由相似的附图标记来指示，并省略了多余的描述。图3和4示出一个第二端子电极11。尽管未示出另一个第二端子电极12，但第二端子电极12及其相关联的结构分别与端子电极11及其相关联的结构基本相同。因此，下文的描述仅针对所示的第二端子电极ll进行。在此实施例中，第二端子电极11和12用作接地端子电极，而第一端子电极9和IO用作信号端子电极。参考图3和图4，第二端子电极11包括电阻膜21、形成于电阻膜21上的导电树脂膜22以及形成于导电树脂膜22上的镀膜23。具有相对高的体积电阻率的电阻膜21具有例如碳粒子分散在热固树脂中的复合成分。电阻膜21的电阻率较佳的是lxl(^Q，m或更大。因此，可确切地给予端子电极ll足以预防共振的电阻值。如果电阻膜21的电阻率小于lxlO'4Q，m，则其上导电树脂膜22的形成变得没有意义。在该实施例中，电阻膜21直接形成于组件体2的侧面7上，并直接与内电极15接触。当电阻膜21包含如上所述的碳粒子时，与电阻膜21接触的内电极15较佳地包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。Cu是不适合的。如果内电极15包含Cu，则Cu和碳之间发生电池反应的问题出现并且界面的接触电阻增加。相反，诸如Ni、Ag、Pd或Au之类的金属不会导致这种电池反应。此外，包含在内电极15中的诸如Ni、Ag、Pd或Au之类的金属具有的优点是，其特性不易因在形成电阻膜20和导电树脂膜22期间固化树脂成分所施加的热而改变。如图4所示，与电阻膜21接触的内电极15的延伸部分18的端部较佳地从组件体2的侧面7凸出。如此，实现了内电极15与电阻膜21从而与端子电极11的高度可靠的电连接。内电极15的端部如何从组件体2的侧面7凸出将在以下提供的制造方法的描述中阐明。如图3所示，电阻膜21较佳地仅在侧面7的区域上形成以免延伸到主面3和4。然后形成导电树脂膜22以便覆盖侧面7上的电阻膜21，并使得导电树脂膜22的部分覆盖主面3和4的部分。如此，电阻膜21可与外部环境进一步隔离，可进一步提高不仅端子电极11而且三端子CR复合组件1的耐湿性。导电树脂膜22的体积电阻率低于电阻膜21的体积电阻率。较佳的是，导电树脂膜22的电阻率小于lxl(^Q，m。因此，当镀膜23借助于电镀形成于导电树脂膜22的表面上时，可获得较佳的电镀特性。导电树脂膜22由导电树脂组成，它包括例如诸如环氧树脂之类的热固树脂并具有分散于其中的诸如Ag粉末之类的导电金属粉末。镀膜23借助于电镀形成于导电树脂膜22上。因为电阻膜21被具有如上所述的相对低的体积电阻率的导电树脂膜22覆盖，所以形成镀膜23的电镀步骤可在较佳的条件下进行。更具体地，可有效地形成厚度均匀的镀膜23。在该实施例中，如图4所示，镀膜23具有包括Ni层24和形成于其上的Sn层25的双层结构。提供Ni层24用于防止在焊料熔化温度下的熔化，提供Sn层25用于赋予较佳的焊接润湿性。通过使镀膜23具有包括Ni层24和Sn层25的双层结构，可将对于湿气的密封性质和焊接期间的耐热性以及良好的焊接特性赋予端子电极11。或者，构成Ni层24的Ni和构成Sn层25的Sn可由类似特性的其它金属代替。现在描述三端子CR复合组件1的制造方法。首先，准备将成为绝缘层13的陶瓷生片。然后利用导电膏在某些陶瓷生片上形成内电极14和15。随后，将一个陶瓷生片层叠在另一个上，并彼此压力接合，并根据需要切割。然后进行烘焙步骤，从而获得烧结的组件体2。接着，将含有例如Cu作为导电成分的导电膏涂布到组件体2的短侧面5和6并烘焙所涂布的膏，形成第一端子电极9和10。然后，在组件体2的长侧面7和8上进行喷砂。例如，喷出的粒子以0.3Mpa压力对侧面7和8喷射。在这种情况下，不可能不期望地磨损之前形成的第一端子电极9和10，因为用于固定组件体2的固定器覆盖了侧面5和6。在该喷砂过程中，因为构成绝缘层13的陶瓷比内电极15更易磨损，所以如图4所示，内电极15的端部从组件体2的相应侧面7和8凸出。尽管图4不示出组件体2的侧面8，但在侧面8上获得与所示的侧面7相同的状态。接着，为了在组件体2的相应侧面7和8上形成第二端子电极ll和12，形成电阻膜21。通过涂布含有分散在诸如苯酚树脂或环氧树脂之类的热固树脂中的碳粒子的膏并在24(TC至31(TC的温度下加热该膏5至20分钟，使该膏固化形成电阻膜21。随后，形成导电树脂膜22以便覆盖电阻膜21。通过在电阻膜21上涂布导电膏并在18(TC至31(TC的温度下加热该导电膏5至20分钟，固化该导电膏而形成导电树脂膜，该导电膏含有例如分散在诸如环氧树脂之类的热固树脂中的Ag粉末。注意，调节导电树脂膜22的厚度，使得烘干后的厚度是10至60pm。接着，进行电镀，以便在导电树脂膜22上形成镀膜23。更具体的，例如，将厚度为0.7至8.0pm的Ni层24形成于导电树脂膜22上，然后在其上形成厚度为1.5至8.(Him的Sn层25。这一镀膜同样形成于第一端子电极9和10上。图5是示出本发明的第二实施例并对应于图3的图。在图5中，与图3所示的元件相同的元件由相似的附图标记来指示，并省略多余的描述。根据第二实施例的三端子CR复合组件la的特征在于作为电阻性端子电极的第二端子电极11和12还包括在电阻膜21之下形成的基膜28。与图3相同，图5仅示出一个第二端子电极11的构造，而未示出另一个第二端子电极12的构造。然而，因为第二端子电极11的构造与第二端子电极12的构造基本相同，所以下文的描述仅针对所示的第二端子电极11。基膜28包含金属烧结体作为导电成分并与第二内电极15接触。类似于第一实施例，第二实施例中的第二内电极15的一端较佳地从侧面7凸出。当电阻膜21包括如上所述的碳粒子时，基膜28较佳地包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。这是因为这一构造不会导致电阻膜21和基膜28之间的电池反应，并可防止界面的接触电阻增加。这些金属的优点还在于，即使在例如形成电阻膜21和导电树脂膜22的步骤中施加热时，特性也不会发生显著变化。此外，较佳地包含与包含在基膜28的导电成分中的金属相同类型的金属作为内电极15的导电成分。这可防止在形成基膜28的烘焙步骤期间不同金属可能发生的金属扩散，因此可稳定电阻。通过例如在组件体2的侧面7和8上涂布含有上述金属的导电膏，并在烧结组件体2的烘焙步骤中同时烧结导电膏，形成基膜28。。如果在这种情况下基膜28的表面被氧化，则可借助于喷砂等来去除氧化膜。作为以上方法的替代，基膜28还可通过例如涂布含Cu的导电膏、烘焙该膏、进行电镀，然后在其上形成Ni膜来形成。图6和图7是示出本发明的第三实施例并分别对应于图1和图2的图。在图6和图7中，基本上与图1和图2中所示的元件相同的元件由相似的附图标记指示，并省略了多余的描述。根据第三实施例的三端子CR复合组件lb与根据第一实施例的三端子CR复合组件1的不同在于第一端子电极9和10的结构。更具体地，形成一个第一端子电极9，以便在组件体2的一个短侧面5的整个表面上延伸，并使得一个第一端子电极9的部分覆盖与侧面5邻接的主面3和4以及侧面7和8的部分。形成另一个第一端子电极10，以便在组件体2的另一个短侧面6的整个表面上延伸，并使得另一个第一端子电极10的部分覆盖与侧面6邻接的主面3和4以及侧面7和8的部分。根据第三实施例的三端子CR复合组件lb与根据第一实施例的三端子CR复合组件1的不同还在于第一内电极14的图案。S卩，如图7(a)所示，包括延伸部分16和17的第一内电极14具有均匀的宽度，并延伸到组件体2的侧面5和6以便电连接到第一端子电极9和10。尽管在第一和第二实施例中将第二端子电极11和12用作具有电阻膜21的电阻性端子电极，但在第三实施例中较佳的是第一端子电极9和IO作为电阻性端子电极。这是因为形成内电极端部的喷砂在侧面5和6上进行时更加简单，设置了内电极端部以便电耦合到电阻性端子电极并从组件体的表面凸出。首先形成第二端子电极11和12然后在侧面5和6上进行喷砂较简单。然而，为了在以图6和图7所示的方式形成第一端子电极9和10后在侧面7和8上进行喷砂，形成于侧面7和8上的第一端子电极9和10的部分被不期望地磨损，除非采用专用掩模等。在第一至第三实施例中，不考虑以上的事实，电阻性端子电极可用作第一端子电极9和10或第二端子电极11和12。还可采用另一种构造，其中第一端子电极9和10中的任一个或第二端子电极11和12中的任一个用作电阻性端子电极。尽管以上的描述涉及将本发明应用到图1至图7所示的三端子CR复合组件1、la和lb的情况，但还可将本发明应用到正常的二端子单片陶瓷电容器，以及应用到具有除电容器以外的功能的单片电子组件。此外，不仅可将本发明应用到陶瓷电子组件，还可将其应用于非陶瓷单片电子组件。现在描述用于验证本发明的优点或导出本发明的更佳条件实施的实验例。1.实验例l在实验例1中，通过在陶瓷元件上形成具有表l所示的电阻率的30pm厚的电阻性基膜并借助于滚镀在电流Dk值为0.20A/dii^下进行60分钟的Ni电镀，来评价Ni镀膜的附着特性。可将完全覆盖电阻性基膜而不暴露电阻性基膜任何部分的镀膜确定为具有良好的电镀附着性。表1示出总计100个试样中被确定为具有不良电镀附着性的试样的数量。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表示中看到的，不良的电镀附着性发生在试样1至3中，其中电阻性基膜的电阻率是lxl(T^Im或更大。因此，应理解导电树脂膜的电阻率较佳的是小于lxi(TQ.m。2.实验例2在实验例2中，在镀膜附着性方面比较了具有导电树脂膜的实施例和不具有导电树脂膜的比较例。在实施例和比较例两者中，将具有图6和图7所示结构的三端子CR复合组件lb用作试样。组件体1的尺寸是2.0mmxl.25mmx0.85mm。第一端子电极9和10用作电阻性端子电极，其上形成电阻率为5"0-3&111、厚度为30nm的电阻膜。在实施例中使用的三端子CR复合组件lb具有形成于电阻膜上电阻率为3xlO'SQTn的导电树脂膜。将实验例和比较例中使用的试样经历借助于滚镀在电流Dk值为0.19A/dm2、0.31A/dm2、0.43A/dm2、0.55A/dm2和0.63A/dm2的Ni电镀70分钟。此外，根据与实验例1中相同的标准评价用作电阻性端子电极的第一端子电极9和IO上的电镀附着特性，并计算总计30个样品中具有良好电镀附着性的试样的比例作为电镀良品率。图8中示出了结果。如图8所示，在实施例中，在所有的电流Dk值下电镀良品率均为100%。相反，在比较例中，电镀良品率从未超过50%，尽管电镀良品率随增加的电流Dk值而增加。3.实验例3在实验例3中，在镀膜厚度均匀性方面比较了具有导电树脂膜的实施例和不具有导电树脂膜的比较例。在实验例3中，将与实验例1和2相同的试样用作实施例和比较例的试样，并且除了实施例中的电流Dk值设置为0.28A/dn^而比较例中的电流Dk值设置为0.43A/drr^外电镀的条件与实验例2相同。然后，将所得的Ni镀膜的横截面抛光，并用数字显微镜(放大lOOO倍)测量Ni镀膜的厚度。在比较例中，某些试样上没有形成Ni镀膜，并对其上形成了Ni镀膜的18个试样计算了Ni镀膜厚度的平均厚度和标准偏差。表2中示出了结果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表2所示，实施例中Ni镀层的变化显著小于比较例。注意，比较例中的Ni镀膜的平均厚度大于实施例。这是因为仅对具有镀膜的试样以及已形成镀膜的区域进行厚度测量。4.实验例4在实验例4中，在耐湿性方面比较了具有导电树脂膜的实施例和不具有导电树脂膜的比较例。在实验例4中，除电阻膜的电阻率为3xl0'3Q，m夕卜，所使用的试样的条件与实验例3中的实施例和比较例使用的试样的条件相同。在耐湿性测试中，进行了蒸汽老化，其中将试样放在相对湿度为100%的气氛中四小时，并计算蒸汽老化之前和之后的电阻值的变化。在测量中，在lMHz和lVrms条件下测量每一试样的三端子CR复合组件的ESR。在这种情况下，对具有电阻膜的两个端子电极中的每一个测量ESR。针对实施例和比较例测量的试样的数量分别是10。图9(a)示出蒸汽老化之前和之后的实施例试样的电阻值，而图9(b)示出蒸汽老化之前和之后的比较例试样的电阻值。如图9(b)所示，比较例示出从蒸汽老化之前到之后电阻值有相对大的变化，而如图9(a)所示，实施例示出从蒸汽老化之前到之后电阻值仅有微小的变化。这表明实施例中使用的三端子CR复合组件具有极好的耐湿性。5.实验例5在实验例5中，在焊接熔化温度下的耐热性方面比较了具有导电膜的实施例和不具有导电膜的比较例。在实验例5中，所使用的试样与实验例4中的实施例和比较例使用的相同。为了评价耐热性，将实施例和比较例的试样浸入27(TC温度的熔化焊料槽中10秒，并测量浸入之前和之后的电阻值。电阻测量的条件与实验例4中的相同。在实施例和比较例两者中所测量的试样的数量为18。图10(a)示出浸入熔化的焊料之前和之后实施例中的电阻值，而图10(b)示出浸入熔化的焊料之前和之后的比较例的电阻。如图10(b)所示，比较例示出了从浸入熔化焊料之前到之后电阻值有相对大的变化，而如图10(a)所示，实施例示出了从浸入熔化焊料之前到之后电阻值几乎没有变化。这表明实施例中使用的三端子CR复合组件具有极好的耐热性。6.实验例6实施实验例6，以便验证喷砂对内电极端部凸出的效果。尽管喷砂试样已用于实验例3中的实施例，但准备了除喷砂外在相同的条件下制造的相同的喷砂试样和非喷砂试样。对喷砂试样和非喷砂试样中的每一个测量静电容和ESR。在lKHz和1Vrms的条件下测量静电容，并在lMHz和1Vrms的条件下测量ESR。对静电容和ESR计算总计30个试样的平均和标准偏差。表3中示出了结果。表3静电容[nF]ESR向平均标准偏差平均标准偏差喷砂96.22，19，90.4非喷砂7，48.8500.5418，1表3清楚地示出喷砂的效果。gp,集中在静电容上，非喷砂试样示出不足的静电容和大的偏差。然后集中在ESR上，非喷砂试样示出极高的ESR和极大的偏差。相反，喷砂试样示出足够的静电容和低的ESR，其偏差也较小。权利要求1.一种单片电子组件，包括片状组件体；以及形成于所述组件体外表面上的多个端子电极，其中所述组件体具有通过层叠多个绝缘层形成的分层结构和沿所述绝缘层之间的某一界面设置并延伸到所述组件体的外表面以便电连接到所述端子电极中的某一个的内电极，以及所述端子电极中的至少一个是电阻性端子电极，包括具有相对高的体积电阻率的电阻膜和覆盖所述电阻膜并具有比所述电阻膜低的体积电阻率的导电树脂膜。2.如权利要求l所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻性端子电极还包括借助于电镀形成于所述导电树脂膜上的镀膜。3.如权利要求l所述的单片电子组件，其特征在于，所述组件体具有两个相对主面及连接所述主面的侧面，所述电阻膜仅在所述侧面的区域上形成以免延伸到所述主面上，并且形成所述导电树脂膜以便覆盖所述侧面上的电阻膜，使得所述导电树脂膜的一部分覆盖所述主面的一部分。4.如权利要求l所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻膜直接形成于所述组件体的表面上并与所述内电极接触。5.如权利要求4所述的单片电子组件，其特征在于，所述内电极与所述电阻膜接触的一端从所述组件体的表面凸出。6.如权利要求4所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分，并且与所述电阻膜接触的所述内电极包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。7.如权利要求l所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻性端子电极还包括形成于所述电阻膜之下的基膜，而所述基膜包含金属烧结体作为导电成分并与所述内电极接触。8.如权利要求7所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻膜具有碳粒子分散在热固树脂中的组分，而所述基膜包含Ni、Ag、Pd或Au或Ni、Ag、Pd和Au中至少两种的合金作为导电成分。9.如权利要求7所述的单片电子组件，其特征在于，所述内电极的导电成分包含的金属类型与所述基膜的导电成分中包含的金属类型相同。10.如权利要求1所述的单片电子组件，其特征在于，所述电阻膜的电阻率是lxl0'4^m或更大。11.如权利要求1所述的单片电子组件，其特征在于，所述导电树脂膜的电阻率小于lxl(T4Q-m。12.如权利要求1所述的单片电子组件，其特征在于，所述内电极包括彼此相对的至少一对第一内电极和第二内电极，其间具有所述绝缘层之一，以便形成静电容，并且所述端子电极包括电连接到所述第一内电极的第一端子电极及电连接到所述第二内电极的第二端子电极，以便形成CR复合组件。全文摘要本发明公开了一种多层电子组件，其中通过在端子电极上形成电阻性膜来结合电阻性元件。在该多层电子组件中，可通过在具有电阻性膜的端子电极上电镀来有效地形成厚度均匀的镀膜。为了形成端子电极(11)，将电阻膜(21)直接形成于组件主体(2)的表面上，然后形成体积电阻率相对低的导电树脂膜(22)以覆盖电阻膜(21)。导电树脂膜(22)较佳地具有小于1×10<sup>-4</sup>Ω·m的电阻率，而厚度均匀的镀膜(23)可通过电镀有效地形成于这一导电树脂膜上。文档编号H01G4/40GK101228601SQ20068002713公开日2008年7月23日申请日期2006年8月8日优先权日2005年9月30日发明者泽田隆司,羽田野研次郎申请人:株式会社村田制作所