专利名称：涂敷、显影装置及涂敷、显影装置的控制方法与存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及对例如半导体晶片及LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行基板的清洗处理、抗蚀剂液的涂敷处理、及曝光后的显影处理的涂敷、显影装置及涂敷、显影方法。
背景技术：
对半导体设备及LCD基板等基板进行抗蚀剂液的涂敷，使用光掩模曝光其抗蚀剂膜，通过进行显影而在基板上制作所希望的抗蚀剂图形的一系列的处理，是使用将曝光装置连接于进行抗蚀剂液的涂敷及显影的涂敷、显影装置上的系统而进行的。
涂敷、显影装置构成为将以下的部件配置为一列载置晶片盒、具有在该晶片盒之间进行半导体晶片(以下称为晶片)交接的交接臂的盒站；对于晶片进行抗蚀剂的涂敷及显影处理的处理站；以及与曝光装置相连接的接口站。
而且，对于形成了抗蚀剂图形的基板，进行规定的检测，例如抗蚀剂图形的线宽、抗蚀剂图形与基底图形的重合情况、以及显影缺陷等的检测，仅将判定为合格的基板送到下一个工序。这样的检测大多是由与涂敷、显影装置分别设置的独立型的检测装置而进行，但是，采用在涂敷、显影装置内设置检测装置的成簇数据处理系统(in linesystem)则更为便利。
因此，在专利文献1中给出了以下的结构，在盒站与处理站之间，设置有具备多个检测装置与搬送臂的检测站。这里所记述的系统，将基板从盒站经由检测站而搬送到处理站，将结束处理后的基板暂时返回盒站的盒内，之后再将基板搬送到检测站，进行检测。
图9是表示实际构筑了这样系统的情况下的结构例。图9是平面地观察涂敷、显影装置的概略图，11是盒站，12是检测站，13是处理站，14是连接于曝光装置的接口站。另外，C是晶片盒，15是盒站11内的交接臂，16是检测站内的搬送臂。TRSa、TRSb、TRSc、及TRSd是交接模块，E1、E2、及E3是检测模块，为了方便，这里将它们在平面上展开，但实际上，例如交接模块是四层结构，检测模块是三层结构。
在图9的涂敷、显影装置中，按照交接臂15→交接模块TRSa→搬送臂16→处理站13的路径搬送晶片盒C内的晶片。而且，晶片在处理站13中由各模块进行抗蚀剂涂敷所必要的各种处理，从接口站14搬送到曝光装置，再次回到处理站13，在模块中进行显影处理所必要的各种处理。其后，按照搬送臂16→交接模块TRSb→交接臂15→晶片盒C的顺序将晶片返回晶片盒C。
在这种情况下，对于晶片盒C内的晶片，决定处理的顺序，例如，如果是13枚收纳用的晶片，则分别被分配为1号到13号。然后，从第一号开始将其顺次地搬送到处理站13，顺次移动到预先决定的模块中。处理站13内的搬送臂(主臂)，进行顺序循环地移动于预先设定的一系列模块之间的循环搬送，由此晶片顺次地移动。还有，主臂进行由两个臂交换模块内的晶片的动作。如果主臂的搬送路径称为循环路径，则预先决定搬送臂绕循环路径一周的周期时间(cycle time)，而且不进行退回的动作、以及编号大的晶片(后来从晶片盒C取出的晶片)跳过编号小的晶片(首先从晶片盒C取出的晶片)进行搬送的动作。禁止这样的动作，是因为搬送程序变得极为繁杂，是不现实的。
另一方面，回到晶片盒C的晶片，由交接臂15将全数或经选择的晶片送到交接模块TRSc中，由搬送臂16搬送到检测模块。而且，在晶片中，例如有仅进行了检测模块E1的检测的晶片，有仅进行了检测模块E2的检测的晶片，有仅进行了检测模块E3的检测的晶片，有在检测模块E2的检测之后又进行了检测模块E3的检测的晶片等。在检测站12内的晶片搬送中，也采用与处理站13内的循环搬送同样的方法，与所述循环搬送同步进行。
然而，有必要将交接模块TRSa的晶片放置到处理站13内的主臂进行接收的未图示的交接模块中，直到该主臂来接收为止。因为如果不这样，主臂就会取空而向前进，该晶片的搬送会晚一个循环。
所以，在检测站12内的搬送臂16中，必须使交接模块TRSa及TRSb与处理站12之间的晶片的搬送最优先，这样，在搬送臂16中，在进行循环搬送的情况下，由于是在结束对于交接模块TRSa或TRSb的晶片搬送后，顺序地进行交接模块TRSc、检测模块E1、E2、E3及TRSd的搬送，所以，例如在检测模块E1、E2中同时结束检测时，其中一方的晶片会在检测模块E1(E2)中待机一个循环的时间。
这样，检测流程的生产率会下降，所以本发明者研究了使搬送臂16相对于主臂非同步动作的情形。在这种情况下，在从交接模块TRSa输出准备完毕信号时，或将结束处理的晶片放置到处理站13的交接模块中，随之输出准备完毕信号时，搬送臂16优先地进行向处理站的输出搬送或从处理站的取入搬送，在除此之外的情况下，能够只进行对于检测模块E1(E2、E3)的交接，是有利的。
但是，在这种情况下会产生以下的问题。现在，要求在涂敷、显影装置中1小时处理150枚。然而，交接臂15的一次搬送动作，例如为8秒，而搬送臂16的一次搬送动作的时间为5秒。为了1小时内能够进行150枚的处理，上述循环搬送中的周期时间，就不能超过3600秒/150枚＝24秒。这样，对于交接臂15来说，一个循环期间仅能够进行三次搬送动作(8秒×3＝24秒)，而对于搬送臂16来说，一个循环期间仅能够进行四次搬送动作(5秒×4＝20秒)。
这里，如已经叙述的那样，由于必须优先地进行对于交接模块TRSa及TRSb的晶片的交接，所以在一个循环中，交接臂15对于交接模块TRSc及TRSd所能够进行的搬送动作为一次，另外，在一个循环中搬送臂16对于检测模块E1(E2、E3)所能够进行的搬送动作为两次。检测模块E1、E2、及E3是进行相互不同的检测，各检测时间也不同。例如，在检测模块E1、E2、及E3的检测时间分别为30秒、100秒、及140秒的情况下，例如11号晶片进入检测模块E1，10号晶片进入检测模块E2，9号晶片进入检测模块E3，则在11号晶片的检测结束的时刻，9号晶片的检测尚未结束，就不能将11号晶片从检测模块E1中取出。
其理由在于，如果在检测站中允许晶片的跳过，则会发生如下情况，例如，后一批次的起始晶片进入检测模块E3中，接着，之前批次的最后收尾晶片进入。这样，就引起不得不变更检测模块E3的方案的问题，结果搬送延迟。
但是，如果产生在晶片的检测结束后，不能从其检测模块搬出的情况，会产生检测工序时间长的问题，这一点在后面实施方式中的比较例中有所说明。
专利文献1日本特开2005-175052(第0042段、图4)发明内容本发明是鉴于上述问题而提出，其目的在于提供能够减少基板在检测模块中无用的滞留时间，由此提高涂敷、显影装置的生产率的技术。
本发明提供一种涂敷、显影装置，其特征在于，包括盒站，载置收纳有多枚基板的盒，具备在与盒之间进行基板交接的交接单元；处理站，具备对从盒中取出的基板进行抗蚀剂的涂敷、对涂敷有抗蚀剂且曝光后的基板进行显影、或进行其前后处理的多个处理模块；和相对于这些处理模块沿着循环路径顺次搬送基板并且预先决定绕循环路径一周的周期时间的第一基板搬送单元；检测站，具备对结束处理的基板进行检测、并且检测所需要的时间相互不同的多个检测模块；和在上述盒站与处理站之间交接基板、以及相对于检测模块进行基板的交接的第二基板搬送单元；和控制上述第二基板搬送单元的控制部，其中，上述控制部具有对第二基板搬送单元进行如下控制的功能a)使从上述盒站向处理站之间交接基板及从处理站接收基板优先；b)从分配给基板的处理顺序号小的基板开始相对于检测模块进行搬入；c)不受分配给基板的处理顺序号的影响，从检测模块搬出检测结束的基板。
作为本发明的具体的形式，可以列举出，包括为了进行盒站内的交接单元与第二基板搬送单元之间的基板的交接而设置的一方的交接模块与另一方的交接模块，
上述控制部控制盒站内的交接单元，使得将在处理站中结束处理的基板交接到盒中，从盒中取出基板，交接到上述一方的交接模块中，并且将检测结束的基板从另一方的交接模块交接到盒中。
作为更具体的形式，可以列举出，上述控制部控制交接单元，使得从盒中取出在处理站中结束处理的基板，交接给上述一方的交接模块的形式；和上述控制部控制盒站内的交接单元，使得从为了进行检测从涂敷、显影装置的外部放入的盒中取出基板，交接给上述一方的交接模块中的形式。
上述盒站内的交接单元，例如能够在上述周期时间内，对上述一方或另一方的交接模块中的任意一个进行仅一次的基板交接。
而且，在从盒站向处理站中交接基板时的交接目的地是处理模块的情况下，例如是冷却模块的情况下，优选上述控制部控制第二基板搬送单元，使得在从上述周期时间减去将基板从盒站搬送到处理站的搬送时间及从处理站取出基板进行搬送的搬送时间后所残留的时间中，对于检测站进行基板的交接。在这种情况下，假设从盒站将基板搬入到处理模块的时刻开始经过周期时间的时刻为T0，则即使是在第二搬送装置可能对于检测模块进行交接的情况下，在判断通过该交接，从盒站将下一个基板搬入处理模块的时刻超过T0的情况下，能够暂停该交接。
本发明的另一内容是一种控制涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于上述涂敷、显影装置包括盒站，载置收纳有多枚基板的盒，具备在与盒之间进行基板交接的交接单元；处理站，具备对从盒中取出的基板进行抗蚀剂的涂敷、显影、或其前后处理的多个处理模块；和相对这些处理模块沿着循环路径顺次搬送基板并且预先决定绕循环路径一周的周期时间的第一基板搬送单元；和检测站，具备对在该处理站中结束处理的基板进行检测、并且检测所需要的时间相互不同的多个检测模块；和在上述盒站与处理站之间交接基板、以及相对于检测模块进行基板的交接的第二基板搬送单元，
所述方法包括在输出通知准备从上述盒站向上述处理站搬送基板的准备就绪信号时，或者在输出通知准备从处理站向搬送目的地搬送基板的准备就绪信号时，第二基板搬送装置优先进行该基板的搬送的工序；从分配给基板的处理顺序号小的基板开始相对于检测模块进行搬入的工序；以及不受分配给基板的处理顺序号的影响，从检测模块搬出检测结束的基板的工序。
进而，本发明的另一内容涉及一种存储介质，其特征在于存储有用于实施本发明的方法的计算机程序。
在本发明中，由于相比于分配给基板的处理序号大的基板，能够先从检测模块中搬出处理编号小的基板，就是说，关于从检测模块的基板搬出，可以发生基板的跳过，所以能够缩短处理结束的基板在检测模块中的等待时间，能够提高生产率(生产性)。而且，关于向检测模块的基板搬入，由于禁止了基板的跳过，所以不会发生由于在某个检测模块中随后批次的前头基板进入、接着前面批次的最后尾基板进入而引起的方案变更问题。
图1是表示本发明的涂敷、显影装置的一个实施方式的平面图。
图2是表示上述涂敷、显影装置的外观立体图。
图3是表示上述涂敷、显影装置的布局概略的侧面图。
图4是表示上述涂敷、显影装置的基板的流动情况的说明图。
图5是表示本发明中检测站内的基板动作用的搬送进程(schedule)模拟的说明图。
图6是表示比较例中检测站内的基板动作用的搬送进程模拟的说明图。
图7是表示在所述搬送进程的一个周期中，使检测模块及交接模块的准备完毕信号与基板的动作相对应的说明图。
图8是表示在所述搬送进程的一个周期中，使检测模块及交接模块的准备完毕信号与基板的动作相对应的说明图。
图9是表示现有技术的涂敷、显影装置中基板的流动情况的平面图。
符号说明W晶片C盒21盒站24交接臂26A、26B主臂40检测站4搬送臂TRSa～TRSd交接模块TRS1～TRS4交接模块E1～E3检测模块200控制部S1处理站具体实施方式
首先，参照图1的平面图及图2的立体图，对本发明涂敷、显影装置的一个实施方式的例子的概略结构进行说明。在图1及图2中，21是盒站，用于搬出搬入密闭地收纳有例如13枚作为基板的例如12英寸的晶片W的盒C，在该盒站21中设置有载置所述盒C的载置部22，从该载置部22看设置于前方壁面上的开闭部23，以及作为经由开闭部23而从盒C取出晶片W用的交接单元的交接臂24。该交接臂24构成为，臂能够升降自由，前后、左右自由移动且围绕铅直的轴自由旋转，基于来自后述控制部200的指令而被控制。
在所述盒站21的深处侧顺次连接有由各框体围绕周围的检测站40及处理站S1。
检测站40具有四个交接模块TRSa～TRSd，检测模块E1～E3，成为在这些交接模块TRSa～TRSd、检测模块E1～E3与后述的交接模块TRS1、TRS4之间进行晶片的交接的第二基板搬送单元的搬送臂4。如图3所示，交接模块TRSa～TRSd是上下层积，而且，检测模块E1～E3也是上下层积。关于检测站40，后面会进行详细的说明，这里先对处理站S1进行说明。
处理站S1中，从面前侧起顺序、交互排列设置有将加热、冷却系统的模块多层化的三个架式模块25(25A、25B、25C)；与作为进行后述的液处理模块之间的晶片W的交接用的两个第一基板搬送单元的主臂26A、26B。所述主臂26(26A、26B)，都设置有两个臂，所述臂27，是能够自由升降、前后、左右自由移动且围绕铅直的轴自由转动的结构，基于后述的控制部200的指令而被控制。
所述架式模块25(25A、25B、25C)及主臂26A、26B，从盒站21一侧看是配置为前后一列，由于在各个连接部位G处形成了未图示的晶片搬送用开口部，所以在该处理站S1内，晶片W能够从一端侧的架式模块25A到另一端侧的架式模块25C自由地移动。而且，主臂26A、26B被置于由间隔壁所包围的空间内，该间隔壁由从盒站21看配置在前后方向上的架式模块25(25A、25B、25C)侧的一个面部；例如右侧的液处理装置侧的一个面部；以及成为左侧的一个面的背面部所构成。
在由主臂26(26A、26B)进行基板的交接的位置上，进而设置有使涂敷装置及显影装置等液处理装置多层化的液体处理模块28(28A、28B)。该液体处理模块28(28A、28B)，如图2所示，是层积多层、例如5层收存有涂敷装置等的处理容器29的结构。
而且，对于架式模块25(25A、25B、25C)，例如如图3所示，成为进行晶片交接用的交接部的交接模块(TRS1～TRS4)，成为抗蚀剂液的涂敷后及显影液的涂敷后对晶片进行加热处理用的加热装置的加热模块(LHP1、LHP2)，成为在抗蚀剂液的涂敷前后及显影处理前对晶片进行冷却处理用的冷却装置的冷却模块(CPL1、CPL2、CPL3)，此外还有成为对曝光处理后的晶片进行加热处理的加热装置的加热模块(PEB)等，例如分配为上下10层。这里，所述TRS1、TRS4在盒站21与处理站S1之间，TRS2、TRS3在两个主臂26A、26B之间，分别是用于进行晶片的交接。
在该例中，加热模块(LHP1、LHP2)，冷却模块(CPL1、CPL2、CPL3)，加热模块(PEB)相当于处理模块。
在这样的处理站S1中的架式模块25C的深处侧，经由第一接口部S2及第二接口部S3连接有曝光装置S4。第一接口部S2包括构成为可以自由升降及围绕垂直的轴自由转动，如后面所述，对于处理站S1的架式模块25C的CPL2及PEB进行晶片交接的交接臂31；将用于临时收存搬入周边曝光装置与曝光装置S4的晶片的进入用缓冲盒与用于临时收存从曝光装置S4搬出的晶片的外出用缓冲盒配置在多层的架式模块32A；与将晶片的交接模块与高精度温度调节模块配置在多层的架式模块32B。
在所述第二接口部S3中，设置有交接臂33，由此，对于第一接口部S2的交接模块与高精度温度调节模块、曝光装置S4的进入台及外出台进行晶片的交接。
对该处理站S1内部的主臂26A、26B的动作加以说明，则两个主臂26A、26B，例如如图4所示移动，按照TRS1→CPL1→涂敷装置(COT)→TRS2→LHP1→CPL2的路径顺序，从盒站21向第一接口部S2搬送晶片，其后按照PEB→CPL3→显影装置(DEV)→LHP2→TRS3→TRS4的路径顺序，从第一接口部S2向盒站21搬送晶片。还有，在处理站S1与第一接口部S2之间，经由CPL2与PEB进行晶片的交接。
在此时的实施方式中，在图4中，由虚线表示主臂26A、26B各自的路径，例如主臂26A按照TRS1→CPL1→COT→TRS2→TRS3→TRS4→TRS1的循环路径循环搬送晶片；主臂26B按照TRS2→LHP1→CPL2→PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS2的路径搬送晶片。因此，如图3所示架式模块25A～25C的布局的一个例子，TRS1、TRS4配置于架式模块25A，TRS2、TRS3配置于架式模块25B，CPL2及PEB配置于架式模块25C，CPL1配置于架式模块25A或架式模块25B，LHP1、LHP2配置于架式模块25B或架式模块25C。而且，主臂26A、26B各自具有两个臂体，将交接对象的处理模块中放置的晶片W取出，接着将保持着的下一个晶片W交接到该模块中。于是，主臂26A、26B按照预先制作的搬送进程(搬送晶片W的模块的顺序)，每次1枚地将各模块中放置的晶片W交替移动到下一个模块，但是在此时的搬送路径中，不会发生所分配的处理序号小的晶片W超越序号大的晶片W的现象。例如在按照加热模块→冷却模块的顺序搬送晶片W时，处理序号大的晶片W不会比处理序号小的晶片W先进入加热模块。
接着，对于在处理站S1中处理基板的情况下基板的流动加以说明。首先，如果从外部将收存有晶片W的盒C搬入上述盒站21，则与开闭部23一起打开盒C的盖子，由交接臂24将晶片W取出。然后，将晶片W从交接臂24交接到交接模块TRSa中，如图3及图4所示，由检测模块40的搬送臂4从这里开始将晶片搬送到交接模块TRS1。接着主臂26A接受晶片W，其后由主臂26A、26B，按照已经叙述的TRS1→CPL1→COT→TRS2→LHP1→CPL2的路径进行搬送，经由CPL2将进行过抗蚀剂液涂敷的晶片送到第一接口部S2。
在第一接口部S2内，由交接臂31按照进入用缓冲盒→周边曝光装置→高精度温度调节模块的顺序进行搬送，经由架式模块32B的交接模块，搬送到第二接口部S3，第二接口部S3的晶片由搬送装置33经由曝光装置S4的进入台而搬送到曝光装置S4，进行曝光。
曝光后的晶片通过第二接口部S3→第一接口部S2，经由处理站S1的PEB搬送到处理站S1，按照已经叙述的PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS4的路径进行搬送，这样在显影装置中进行规定的显影处理，形成规定的抗蚀剂图形。
此时主臂26A将批次中第n个晶片Wn经由TRS1搬送到下一工序的CPL1，接着按照COT→TRS2→TRS3→TRS4→TRS1的路径进行一个循环再次回到TRS1，将下一个(第n+1个)晶片Wn+1经由TRS1搬送到CPL1。另外，主臂26B将TRS2的晶片搬送到下一工序的LHP1，接着按照CPL2→PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS2的路径，经一个循环，再次回到TRS2，通过TRS2将下一个晶片搬送到LHP1。在背景技术的项目中已经叙述，如果由本装置在1小时内处理150枚晶片W，则一个循环的时间设定为24秒。
接着参照图4对检测站40进行详细说明。交接模块TRSa用于载置从盒C取出，并送到处理站S1中的晶片W，交接模块TRSb用于载置从处理站S1返回的已经结束处理的晶片W。而且，在该例子中，交接模块TRSc是从自处理站S1返回的结束处理后的晶片W所进入的盒C中接受处理过的晶片W，待机至输送到检测模块E1(E2、E3)用的载置台，交接模块TRSd是搬入由检测模块E1(E2、E3)所检测过的晶片W用的载置台。还有，交接模块TRSa～TRSd及检测模块E1、E2、E3分别层积，但在图4中为了方便进行了平面排列表示。
所述搬送臂4被控制为，(a)使所述盒站21与处理站S1之间的晶片W的交接优先。
所以，在已述的周期时间(cycle time)为24秒的情况下，如果搬送臂4的一次的搬送动作需要5秒，则由于从交接模块TRSa向TRS1的搬送，及从交接模块TRS4向TRSb的搬送必须优先，所以交接模块TRSc、TRSd及检测模块E1(E2、E3)之间的搬送，在计算上，一个周期中(一个周期时间内)仅能够进行两次。但是，交接模块TRSc、TRSd及检测模块E1(E2、E3)之间的搬送，实际上在各循环中也有能够进行两次以上的情况。例如，现在由主臂26A取出交接模块TRS1上的晶片W，接着由搬送臂4将后续的晶片W从交接模块TRSa搬送到TRS1。在经过周期时间后，主臂26A从交接模块TRS1取出后续的晶片W，但是再次将后续的晶片W搬入该空闲了的交接模块TRS1中的时刻，也可以是随后的周期时间经过的时刻，或者说是至随后主臂26A探访交接模块TRS1为止的时刻。因此，在某个循环中，也有能够进行三次交接模块TRSc、TRSd与检测模块E1(E2、E3)之间的搬送的情况。作为该例，可以列举出如下的情况，一个周期时间将要结束之前开始对于检测模块的基板的交接，进而在其后能够从交接模块TRSa向TRS1搬送基板。
还有，在交接模块TRS1兼作处理模块用的情况下，由于处理模块内晶片W的滞留时间已经决定，所以不允许这样的搬送，所述搬送在一个循环中必须是两次。关于这一点后面叙述。
进而，搬送臂4被控制为，(b)从分配给晶片W的处理顺序号小的晶片W开始相对于检测模块E1(E2、E3)进行搬入，(c)不受分配给晶片W的处理顺序的影响，将结束检测的晶片W从检测模块E1(E2、E3)搬出。
所以，例如按照顺序从交接模块TRSc向检测模块E1(E2、E3)搬送从1号到13号的晶片W，但是，在某一周期时间中，例如在虽然第11号晶片W的处理结束，而第9号晶片W的处理未结束的情况下，会跳过第9号晶片W，从检测模块E1(E2、E3)搬出第11号晶片W。
这里，关于检测模块进行叙述，在该例中，检测模块E1是检测晶片W上的宏观缺陷的宏观检测模块，检测模块E2是测定晶片W上形成的膜的厚度及图形的线宽的厚度、线宽检测模块，检测模块E3是检测曝光的重合偏差、即本次形成的图形与基底图形的位置偏差的重合检测模块。在这种情况下，检测模块E1、E2、E3的检测所需要的时间，例如分别是30秒、100秒及140秒。这样，由于检测模块E1、E2、E3的检测时间不同，所以会产生后搬入的顺序号大的(晚)晶片W的检测比先搬入的顺序号小的(早)晶片W早结束的情况。
而且，盒站21的交接臂24具有以下作用，(a)从盒C取出处理前的晶片W，交接到交接模块TRSa，(b)从交接模块TRSb取出处理过后的晶片W，送回至盒C，(c)从盒C取出处理结束的晶片W，交接到交接模块TRSc，(d)交接检测后的晶片W，从交接模块TRSd送回至盒C。
另外，由于在所述周期时间中必须进行(a)、(b)的搬送，所以在周期时间为24秒的情况下，如果一次搬送的时间是8秒，则在一个循环中只能进行(c)与(d)的搬送中的任何一个。
本装置设置有包括计算机的控制部200，也包括交接臂24、搬送臂4的搬送动作的一系列的工序，是由该控制部200的存储部中所存储的计算机程序控制的。而且，对于交接模块来说，在载置有或输出晶片W的时候，输出有关该模块的准备完毕信号，另外，对于检测模块来说，在晶片W的检测结束时或输出晶片时，输出有关该模块的准备完毕的信号。更具体，例如在交接模块TRSa上载置有晶片W的时候输出的信号，从搬送臂4看是交接准备就绪信号，已从交接模块TRSa输出晶片W的时候输出的信号，从交接臂24看是交接准备就绪信号。所以，两臂24、4能够基于这些准备就绪信号判断现在可以从哪个模块向哪个模块进行搬送，基于该判断与之前的规则决定搬送动作。
接着对本实施方式中关于检测站40的作用加以说明。图5表示每个循环中，放置于交接模块TRSc、TRSd及检测模块E1、E2、E3各自中的晶片W，数字是在处理的管理中所分配给晶片的顺序号。就是说，盒C内的晶片W，按照该顺序从处理站S1返回，按照该顺序被送到检测站40。即，最上层的编号的排列，意味着与排列在这里的编号相当的晶片W位于盒C内。或者是，换言之，纵向看该表，则是所谓的搬送进程表，最上层的编号可读作循环的编号。
在以后的说明中，如果将最上层的编号作为循环的编号，则在循环1中，在各模块TRSc、TRSd、E1、E2及E3中都没有放入晶片W。
接着在循环2中，在TRSc上载置晶片“1”。这是如已述的那样，依靠交接臂24在一个循环中进行的检测相关的一次搬送动作。
在循环3中，由搬送臂4将TRSc的晶片“1”搬送到检测模块E1，其后由交接臂24将晶片“2”放置于TRSc。
在循环4中，由搬送臂4将TRSc的晶片“2”搬送到检测模块E2，接着由交接臂24将晶片“3”放置于TRSc。此时检测模块E1中晶片“1”的检测尚未结束，所以维持原来的状态。
在循环5中，搬送臂4将晶片“3”从TRSc搬送到检测模块E3，接着将在检测模块E1中结束检测的晶片“1”搬送到TRSd。而且，由交接臂24将下一个晶片“4”放置于TRSc。
这样，进行循环，当到了循环27时，虽然前面的晶片“9”与晶片“10”分别在检测模块E3、E2中为检测中，但是后面的晶片“11”在检测模块E1中的处理已经结束。因此，在这种情况下，不用等待前面的晶片“9”与晶片“10”的检测结束，就能够首先将后面的晶片“11”从检测模块E1中搬出，交接到TRSd。接着，将晶片“12”从TRSc交接到检测模块E1，并且将晶片“13”放置在TRSc中。
图7(a)、(b)分别表示在该循环27中准备完毕信号的输出与搬送路径，搬送臂4的控制动作变得十分清楚。首先从检测模块E1输出检测结束的信号(作为搬出准备就绪信号的准备完毕信号)，则搬送臂4将晶片“11”搬送到TRSd。然后如果在该搬送的中途从TRSc输出表示准备就绪的准备完毕信号，接着从TRS1输出表示准备就绪的准备完毕信号，则由于从盒站21向处理站S1的搬送优先进行，所以，晶片“n”从TRSa向TRS1的搬送优先进行，其后将晶片“12”从TRSc搬送到检测模块E1。
另一方面，如本发明，在没有晶片的跳过搬送，对于检测模块E1、E2、E3的搬入与搬出都是按照晶片的编号顺序而进行的情况下，搬送的进度表如图6所示。例如，如果关注循环31，则尽管晶片“11”的检测已经结束，但是要在检测模块E1中等待至循环39，浪费的时间多。所以，到晶片“22”回到盒C为止所必要的循环数，在本发明中为46循环，与此相比，在没有跳过搬送的情况下为61循环。
根据上述的实施方式，由于与分配给晶片的处理顺序号大的晶片相比，能够先从检测模块E1(E2、E3)搬出处理顺序号小的晶片，即对于从检测模块E1(E2、E3)的晶片的搬出，可以进行晶片的跳过，所以能够减少处理结束的晶片在检测模块E1(E2、E3)中等待所浪费的时间，能够提高生产能力(生产性)。而且，对于晶片向检测模块E1(E2、E3)的搬入来说，由于禁止了晶片的跳过，所以不会发生在某一检测模块中，随后批次的前头的晶片进入，接着前面批次的最后尾的晶片进入而引起的方案变更的问题。
而且，根据晶片的搬送路径来说，除了仅进行基板交接的交接模块之外，还是进行基板冷却的冷却模块及进行基板加热的加热模块，在从基板盒向处理站进行的晶片交接中，也可以使用能够对进行基板冷却或加热及基板交接的双方的模块，在这种情况下，该处理模块兼用作交接模块TRS1。这种情况下，在关于搬送臂4的控制的说明中已经做了叙述，由于晶片W的处理时间，即TRS1中的滞留时间已经决定，所以在从所述周期时间减去从盒站21将晶片W搬送到处理站S1的时间、和从处理站S1接受晶片W的搬送时间所得到的残留时间中，必须对于检测模块E1(E2、E3)进行晶片W的交接。
就是说，即使可能对于检测模块E1(E2、E3)进行晶片W的交接，在实施其动作之前，也必须判断通过实施该动作，随后从交接模块TRSa向TRS1交接晶片W的结束时刻，是否超过周期时间的结束时刻。在超过了周期时间的结束时刻的情况下，必须进行控制，不对检测模块E1(E2、E3)实行晶片W的交接。这是由于若实行这样的交接，则下一个晶片W在交接模块TRS1内的滞留时间(处理时间)会变短。
图8是表示这种状态的说明图。T0是一个循环中周期时间结束时刻，控制部200在可能从检测模块E1搬出晶片“11”的情况下，判断从该时刻到T0为止的时间是否为搬送臂4的搬送动作时间5秒的两倍以上，如果是两倍以上，则将晶片W从检测模块E1搬送到交接模块TRSd，如果不到两倍，就保留该搬送。因此，其后当由主臂26A从交接模块(例如冷却模块)TRS1将前面的晶片搬出时，就会立刻将后续的晶片“n”从交接模块TRSa搬入TRS1。之后，搬送臂4将晶片“11”从检测模块E1搬送到交接模块TRSd。
而且，在本发明中，对于盒C内的晶片，可以进行全数检测，或者也可以对所选择的晶片进行检测。而且，取代检测在处理站S1中进行处理、返回盒C中的晶片，也可以对为了进行检测从涂敷、显影装置的外部放入载置部22的盒内的晶片，使用交接臂24及搬送臂4，同样地由检测模块E1(E2、E3)进行检测。
权利要求
1.一种涂敷、显影装置，其特征在于，包括盒站，载置收纳有多枚基板的盒，具备在与盒之间进行基板交接的交接单元；处理站，具备对从盒中取出的基板进行抗蚀剂的涂敷、对涂敷有抗蚀剂且曝光后的基板进行显影、或进行其前后处理的多个处理模块；和相对于这些处理模块沿着循环路径顺次搬送基板并且预先决定绕循环路径一周的周期时间的第一基板搬送单元；检测站，具备对结束处理的基板进行检测、并且检测所需要的时间相互不同的多个检测模块；和在所述盒站与处理站之间交接基板、以及相对于检测模块进行基板的交接的第二基板搬送单元；和控制所述第二基板搬送单元的控制部，其中，所述控制部具有对第二基板搬送单元进行如下控制的功能a)使从所述盒站向处理站之间交接基板及从处理站接收基板优先；b)从分配给基板的处理顺序号小的基板开始相对于检测模块进行搬入；c)不受分配给基板的处理顺序号的影响，从检测模块搬出检测结束的基板。
2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于包括为了进行盒站内的交接单元与第二基板搬送单元之间的基板的交接而设置的一方的交接模块与另一方的交接模块，所述控制部控制盒站内的交接单元，使得将在处理站中结束处理的基板交接到盒中，从盒中取出基板，交接到所述一方的交接模块中，并且将检测结束的基板从另一方的交接模块交接到盒中。
3.根据权利要求2所述的涂敷、显影装置，其特征在于所述控制部控制交接单元，使得从盒中取出在处理站中结束处理的基板，并交接给所述一方的交接模块。
4.根据权利要求2所述的涂敷、显影装置，其特征在于所述控制部控制盒站内的交接单元，使得从为了进行检测而从涂敷、显影装置的外部放入的盒中取出基板，并交接给所述一方的交接模块中。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的涂敷、显影装置，其特征在于所述盒站内的交接单元，能够在所述周期时间内，对所述一方或另一方的交接模块中的任意一个进行仅一次的基板交接。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的涂敷、显影装置，其特征在于由第二基板搬送单元将来自盒站的基板交接到处理站的处理模块中，所述控制部控制第二基板搬送单元，使得在从所述周期时间减去将基板从盒站搬送到处理站的搬送时间及从处理站取出基板进行搬送的搬送时间后所残留的时间中，相对于检测站进行基板的交接。
7.一种涂敷、显影装置的控制方法，控制所述涂敷、显影装置，其特征在于所述涂敷、显影装置包括盒站，载置收纳有多枚基板的盒，具备在与盒之间进行基板交接的交接单元；处理站，具备对从盒中取出的基板进行抗蚀剂的涂敷、显影、或其前后处理的多个处理模块；和相对这些处理模块沿着循环路径顺次搬送基板并且预先决定绕循环路径一周的周期时间的第一基板搬送单元；和检测站，具备对在该处理站中结束处理的基板进行检测、并且检测所需要的时间相互不同的多个检测模块；和在所述盒站与处理站之间交接基板、以及相对于检测模块进行基板的交接的第二基板搬送单元，所述方法包括在输出通知准备从所述盒站向所述处理站搬送基板的准备就绪信号时，或者在输出通知准备从处理站向搬送目的地搬送基板的准备就绪信号时，第二基板搬送装置优先进行该基板的搬送的工序；从分配给基板的处理顺序号小的基板开始相对于检测模块进行搬入的工序；以及不受分配给基板的处理顺序号的影响，从检测模块搬出检测结束的基板的工序。
8.根据权利要求7所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于设置为了进行盒站内的交接单元与第二基板搬送单元之间的基板的交接而设置的一方的交接模块与另一方的交接模块，包括由交接单元将在处理站中结束处理的基板交接到盒中的交接工序；从盒中取出基板，交接到所述一方的交接模块中的工序；和由交接单元将结束检测的基板从另一方的交接模块交接到盒中的工序。
9.根据权利要求8所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于交接到所述一方的交接模块中的基板，是从为了进行检测而从涂敷、显影装置的外部放入的盒中取出的基板。
10.根据权利要求8所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于交接到所述一方的交接模块中的基板，是在处理站中处理过的基板。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于所述盒站内的交接单元，能够在所述周期时间内，对所述一方或另一方的交接模块中的任意一个进行仅一次的基板交接。
12.根据权利要求7～10中任一项所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于由第二基板搬送单元将来自盒站的基板交接到处理站的处理模块中，对于检测模块进行基板交接的工序，是在从所述周期时间减去将基板从盒站搬送到处理站的搬送时间及从处理站取出基板进行搬送的搬送时间后所残留的时间中进行的。
13.一种存储介质，其特征在于存储有在对基板进行抗蚀剂的涂敷、对涂敷有抗蚀剂且曝光后的基板进行显影的涂敷、显影装置中使用的计算机程序，所述计算机程序用于实施权利要求8～10中任一项所述的涂敷、显影装置的控制方法。
全文摘要
在本发明的涂敷、显影装置中，将检测站设置在盒站与处理站之间，减少基板在检测模块中浪费的滞留时间。检测站内的基板搬送单元，使盒站与处理站之间的基板交接优先，在处理站内的基板搬送装置的周期时间内的残留时间内，对于检测模块进行基板的交接，对于从检测模块的基板搬出，可以进行基板的跳过(与处理顺序号大的基板相比，能够搬出处理顺序号小的基板)，对于向检测模块的基板搬入，禁止基板的跳过。
文档编号H01L21/027GK101060072SQ20071009644
公开日2007年10月24日 申请日期2007年4月17日 优先权日2006年4月17日
发明者金子知广, 宫田亮 申请人:东京毅力科创株式会社