专利名称：焊接垫结构的制作方法
技术领域：
本发明关于封装基板技术领域，提供一种位于封装基板芯片端面上的一种 特殊焊接垫结构及其制作方法，可提高锡球接合的可靠度。
背景技术：
在电子产品不断往轻、薄、短、小发展的趋势下，市场对于覆晶封装技术 的重视程度逐步提高。覆晶技术较传统封装方式具备多重优势，使其成为近年封测产业发展的重点。在球栅阵列封装(BGA，也称球格数组)、反转芯(晶) 片或倒焊芯(晶)片(flip-chip，也称覆晶)等这一类植球式高阶封装渐成为主流 封装技术的趋势下，市场对于芯片封装时所需要的封装基板制造工艺技术也日 益增加。由于封装基板上的布线越趋致密化，如何提高封装基板的布线密度，同时 兼顾制造工艺的稳定可靠度、低成本以及产品的良率，即为当前封装基板制作 方面的重要课题。如本领域技术人员所知，封装基板的后段制造工艺包括在开环焊接垫上进 行锡膏印刷(solderprinting),继而进行回焊(re-flow)制造工艺，以形成锡球(solder ball)。前述的开环焊接垫是由形成在表面绝缘层(通常为防焊阻剂)中的相对应开 孔暴露出来，这种形成在表面绝缘层中的开孔又称为「阻剂开孔(solder resist opening或S/R opening)」。然而，随着封装基板的布线密度增加，阻剂开孔的孔径也越来越小，这使得目前锡膏印刷制造工艺的能力受到极大的考验，这是因为阻剂开孔的孔径越 小，锡膏将越是无法充分地被挤压到开孔内，无法有效地接触到阻剂开孔底部 的开环焊接垫，导致后续进行回焊制造工艺时，有掉球现象或者产生锡球接触 不良的缺陷。根据实际经验，前述这种掉球或锡球导通异常的情形通常发生在阻剂开孔 的孔径小于85微米以下，而目前有些较先进的产品，其阻剂开孔孔径的规格甚至已縮小至60微米以下，由此可知，解决封装基板后段制造工艺中的锡球掉球或导通异常问题已是当务之急。 发明内容本发明的主要目的在提供一种改良的焊接垫结构，以解决前述现有技术中 存在的问题与缺点。根据本发明的优选实施例，本发明的目的在于提供一种焊接垫结构，该结 构包含有第一金属层，设于绝缘层上，该第一金属层通过其下方的导通孔，与形成在该绝缘层内的下层电路构成电连接；防焊阻剂层，具有阻剂开孔，暴露 出该第一金属层中央部位；第二金属层，于该阻剂开孔内，叠设在该第一金属 层上，并构成中央凸出柱状结构；以及锡球，填入该阻剂开孔，并至少与该第 二金属层接触。该焊接垫结构应该可以达到解决封装基板后段制造工艺中的锡 球掉球或导通异常问题的效果。为达到上述目的，本发明提供了一种焊接垫结构，其包含有(1) 封装基板，该封装基板包含基材，该基材以传统的线路增层法形成 多层金属导线层以及绝缘层；(2) 所述绝缘层为一层或多层，该绝缘层可形成至少一个或多个导通孔；(3) 焊接垫本体，包括第一金属层，其形成于该绝缘层上，并覆盖住该导通孔；以及第二金属层，其与该第一金属层相叠以形成至少一凸出结构；(4)防焊阻剂层，其覆盖于绝缘层上，并具有一个或复数个阻剂开孔， 其中该阻剂开孔可显露出所需的焊接垫。上述焊接垫结构能够较好地解决封装基板后段制造工艺中的锡球掉球或导 通异常问题。本发明所述的多层也可为复数层，其含义为两层或者两层以上。上述的焊接垫结构优选还可包含锡球，该锡球填入该阻剂开孔中，并至少 与该焊接垫中的该第二金属层相接触，其中主要是利用提高该锡球与该焊接垫 的接触面积，以达到减少锡球掉球或导通异常现象的目的。上述的焊接垫结构，其中所述的阻剂开孔的截面积优选被该锡球所填满； 该阻剂开孔的孔径优选为10微米至85微米；更优选为20微米至70微米。该 阻剂开孔的深度一般为15微米至35微米，优选为20微米至30微米。上述的焊接垫结构，其中该第二金属层的孔径宽度为该阻剂开孔的孔径的 1/3倍至1/4倍。该第二金属层的厚度一般为10微米至30微米；优选为15微 米至2Q微米。本发明的焊接垫结构，其中所述的第一金属层为具有导电性质的金属或其 合金；该第一金属层的具有导电性质的金属或其合金优选为铜、锡、银、铅、 金、镍、铬或其合金。上述的焊接垫结构，其中所述的第二金属层为具有导电性质的金属或其合 金；该第二金属层的具有导电性质的金属或其合金优选为铜、锡、银、铅、金、 镍、铬或其合金。本发明所述的焊接垫结构，其中该绝缘层为一种热塑性树脂；该热塑性树 脂为环氧树脂或聚亚酰胺树脂，优选为环氧树脂，更优选为ABF(Ajinomoto Build-up Film)树脂或BT (bismaleimide triazine)树脂，最优选为ABF树脂。本发明的上述焊接垫结构，其中该焊接垫的表面可形成化镍金、镍银、化 锡、化银或有机保焊剂材料层。本发明的焊接垫结构在解决了封装基板后段制造工艺中的锡球掉球或导通 异常问题的同时，也提升产品的良率。为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施方 式，并配合附图，作详细说明如下。然而以下的优选实施方式与附图仅供参考 与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图l一图10:为本发明的第一优选实施例的封装基板后段的制造工艺的剖 面示意图；图11:为图10中焊接垫的放大剖面结构示意图；图12 —图19:为本发明的第二优选实施例的封装基板制造工艺的剖面示意图；图20—图26:为本发明的第三优选实施例的封装基板制造工艺的剖面示意图。附图标号1——-封装基板la——一第一面lb——一第二:面10—一基材12a、12b—一金属导线层13a、13b——-金属导线层14a、14b—一绝缘层15a、15b——导通孔16a、16b—一导通孔18a、18b——-光刻胶干膜20a、20b——开口22a、22b——-第一金属层23a、23b—一导通孔28a、28b——-光刻胶干膜30a——开口
32a、 32b——第二金属层
50a、 50b_ 62a、 62b— 122a——上表面 130a"——开口
防焊阻剂层 表面材料层
42a、 42b — 60a、 60b -
65——锡球
-焊接垫(也称焊接垫本体) -阻剂开孔
142a、 142b 330a—
122b-132—
则壁
-凹陷区域
一焊接垫(也称焊接垫本体) 230a、 230b-开口 430a——导线
-开口
具体实施例方式
以下结合附图详细说明本发明，但不限定本发明的实施范围。
本发明是有关于一种经过改良的封装基板后段的制造工艺及其得到的焊接 垫，包括在开环焊接垫上进行锡膏印刷，继而进行回焊的制造工艺，于开环焊 接垫上形成稳定并且牢固接触的锡球。
本发明可以有效解决现有技术因阻剂开孔孔径过小，造成锡膏将无法充分 地被挤压到开孔内，使后续进行回焊制造工艺时，发生锡球掉球现象或者产生 锡球接触不良等缺陷，因此本发明能够提升产品的良率。
此外，本发明还提供一种创新的焊接垫结构，其能与后续形成的锡球紧密 连结，避免锡球掉球现象或者锡球接触不良问题发生。
请参阅图1至图10，其绘示的是本发明第一优选实施例封装基板后段制造 工艺的示意图。如图1所示，首先提供一个封装基板1，其包含有基材10，其 第一面la以及第二面lb，分别先以传统的线路增层方法(包括显影、电镀、覆 膜、钻孔等等步骤)，形成多层金属导线层12a、 12b、 13a、 13b以及绝缘层14a、 14b。金属导线层12a、 13a之间通过导通孔15a电连接，而金属导线层12b、 13b之间通过导通孔15b电连接。
根据本发明的优选实施例，封装基板l的第一面la其与芯片连接，又可称 为「芯片端面(ChipSide)」，而封装基板l的第二面lb与印刷电路板或外部电路 连接。本发明主要在于改善封装基板1的第一面la上的锡球掉球现象或者锡球 接触不良问题。
需注意的是，附图中的封装基板l仅为示意，本发明并不限于基材10的双 面均布设线路，亦可应用于仅在基材10单面布设线路的情况。此外，本发明也 不限于封装基板1上具有复数层(多层，或为二层以上)导线层，其也可以应 用在仅有单层导线层的情形。
绝缘层14a、 14b可以是由至少一层或多层的ABF(Ajinomoto Build-up Film)、 BT(bismaleimidetriazine)树脂等环氧树脂、聚亚酰胺树脂或其它适合的热塑性 树脂绝缘材所构成。在绝缘层14a、 14b的预定位置上己先利用钻孔技术，例如 激光(雷射)钻孔，形成有导通孔16a、 16b，其分别暴露出部分下方的金属导 线层13a、 13b。在导通孔16a、 16b的正上方，后续将形成相对应的焊接垫。
接着，进行第一次的贴干膜的制造工艺，在封装基板l的第一面la及第二 面lb上分别覆盖一层光刻胶干膜18a、 18b，其中，光刻胶干膜18a、 18b覆盖 在绝缘层14a、 14b上。另外，在覆盖光刻胶干膜18a、 18b之前，可先在绝缘层 14a、 14b上全面沉积一导通金属层(图未示)，优选的导通金属为化学铜层。
如图2所示，进行曝光显影的制造工艺，分别在光刻胶干膜18a、 18b中形 成开口20a、 20b，其中，开口 20a暴露出导通孔16a，而开口20b暴露出导通孔 16b。
需注意的是，附图中的导通孔位置仅为例示，导通孔的位置有时不见得正 好在焊接垫的正下方，g卩，在焊接垫的正下方无导通孔的情形。
如图3所示，进行电镀制造工艺，将开口20a、 20b以及其所暴露出来的导通孔16a、 16b填满第一金属层22a、 22b，例如，铜、锡、银、铅、金、镍等， 优选为铜。随后，再进行前处理洁净的制造工艺，将完成电镀后的封装基板1 表面水洗清洁，并在干燥后，送入无尘室，准备进行第二次的贴干膜的制造工 艺。值得注意的是，此时，光刻胶干膜18a、 18b仍然留在封装基板l上，并未 被去除。
如图4所示，接下来，进行第二次的贴干膜的制造工艺，在封装基板1的 第一面la及第二面lb上分别再覆盖一层光刻胶干膜28a、 28b，其中，光刻胶 干膜28a、 28b直接覆盖在光刻胶干膜18a、 18b以及第一铜金属层22a、 22b上。
然后，如图5所示，仅针对光刻胶千膜28a进行第二次的曝光显影制造工 艺，以在光刻胶干膜28a中形成开口 30a，其中，开口 30a位于第一金属层22a 上方，并且暴露出部分第一金属层22a的表面。
值得注意的是，位于封装基板1的第二面lb上的光刻胶干膜28b经曝光显 影后无形成开孔。
如图6所示，另进行电镀制造工艺，将开口30a填满第二金属层32a，例如 具有导电性质的金属或其合金，优选为铜、锡、银、铅、金、镍、铬等材质或 其合金，优选为铜。第二金属层32a直接接触第一金属层22a，构成在第一金属 层22a表面上的凸出结构。根据本发明的优选实施例，第二金属层32a的厚度介 于15微米至20微米之间。
如图7所示，在完成第二金属层32a的电镀之后，接着将光刻胶干膜28a、 28b以及光刻胶干膜18a、 18b蚀除，此时，在封装基板l的第一面la上即形成 由第一金属层22a以及第二金属层32a共同构成的焊接垫42a。位于封装基板1 的第二面lb上的焊接垫42b则仅由第一金属层22b所构成。完成干膜剥除之后， 随即进行后处理步骤，如表面粗化等制造工艺。
如图8所示，接下来进行防焊阻剂(solderresist)涂布制造工艺，在封装基板1的第一面la及第二面lb上分别覆盖一防焊阻剂层50a、 50b，其中，该防焊阻 剂层50a覆盖住焊接垫42a的第一金属层22a及第二金属层32a，而防焊阻剂层 50b则是完全覆盖住焊接垫42b。防焊阻剂层50a、 50b是由光感应材料所组成 的。所述焊接垫42a和42b也称焊接垫本体42a和42b。如图9所示，对防焊阻剂层50a、 50b进行曝光显影的制造工艺，分别在防 焊阻剂层50a、 50b中形成阻剂开孔60a、 60b，其中，阻剂开孔60a位于焊接垫 42a的正上方，并且暴露出第二金属层32a及部分第一金属层22a的表面，阻剂 开孔60b则暴露出部分焊接垫42b的表面。后续处理步骤包括去胶渣，以及最 终表面处理，如表面镀金属制造工艺等。前述的最终表面处理包括在焊接垫42a或焊接垫42b的表面上形成化镍金、 镍银、化锡、化银或者有机保焊剂(Organic Solder Preservative, OSP)等材料 层表面材料层62a和62b)，该有机保焊剂也可称为有机保焊膜、护铜剂。如图IO所示，最后进行锡膏印刷(solder printing)的制造工艺以及回焊的制 造工艺，以在封装基板1第一面la上的焊接垫42a上形成锡球65。本发明的技术特点在于锡球65与其下方的焊接垫42a能够紧密牢固的接合 在一起，而不会轻易掉落或脱离，这是因为本发明焊接垫42a的第二金属层32a 所形成的凸出结构，能够在锡膏印刷时有效增加焊接垫42a与被挤压下来的锡 膏之间的接触面积，并抓咬住锡球65。请参阅图11，其绘示的是图10中焊接垫42a(如方框虚线100所示范围)的 放大剖面结构示意图。结构上，如图11所示，焊接垫42a包括第一金属层22a， 其与下方的导通孔23a为同时电镀完成，而第一金属层22a即通过导通孔23a 与下方的金属导线层13a电连接。此外，依客户设计需要，有些焊接垫正下方 不一定有导通孔。第一金属层22a的周围部分被防焊阻剂层50a所覆盖，而经由形成在防焊阻剂层50a中的阻剂开孔60a将第二金属层32a以及部分的第一金属层22a暴露出 来。阻剂开孔60a则是被锡球65所填满，且优选，凹陷区域132也被锡球65 所填满。根据本发明的优选实施例，第二金属层32a的宽度约为阻剂开孔60a 孔径的1/3至1/4左右，以避免防焊阻剂层50a进行曝光时的对位异常以及后续 阻剂残留的问题。根据本发明的优选实施例，阻剂开孔60a的深度d约为15至 35微米之间，优选为20至30微米之间，而孔径w约为10至85微米之间，优 选为20至70微米。第二金属层32a的厚度为10至30微米之间，优选为15至 20微米。请参阅图12至图19，其绘示的是本发明的第二优选实施例的封装基板制造 工艺的剖面示意图。如图12所示，同样提供一个封装基板1，其包含有基材10， 其第一面la及第二面lb，分别先以传统的线路增层方法(包括显影、电镀、覆 膜、钻孔等等步骤)，形成多层金属导线层12a、 12b、 13a、 13b以及绝缘层14a、 14b。金属导线层12a、 13a之间通过导通孔15a电连接，而金属导线层12b、 13b 之间通过导通孔15b电连接。绝缘层14a、 14b可以是由至少一层或多层的ABF、 BT树脂或其它适合的 绝缘材所构成。在绝缘层14a、 14b的预定位置上已先利用钻孔技术，例如激光 钻孔，形成有导通孔16a、 16b，其分别暴露出部分下方的金属导线层13a、 13b。 在导通孔16a、 16b的正上方，后续将形成相对应的焊接垫。接着，进行第一次的贴干膜的制造工艺，在封装基板l的第一面la和第二 面lb上分别覆盖一层光刻胶干膜18a、 18b，其中，光刻胶干膜18a、 18b覆盖 在绝缘层14a、 14b上。另外，在覆盖光刻胶干膜18a、 18b之前，可先在绝缘层 14a、 14b上全面沉积一导通金属层(图未示)，优选的导通金属为化学铜层。接着，' 进行曝光显影的制造工艺，分别在光刻胶干膜18a、 18b中形成开口20a、 20b， 其中，开口 20a暴露出导通孔16a，而开口 20b暴露出导通孔16b。如图13所示，进行电镀制造工艺，将开口 20a、 20b以及其所暴露出来的 导通孔16a、 16b填满第一金属层22a、 22b，例如具有导电性质的金属或其合金， 优选为铜、锡、银、铅、金、镍、铬等材质或其合金，优选为铜。
如图14所示，接下来，进行第二次的贴干膜的制造工艺，在封装基板l的 第一面la和第二面lb上分别再覆盖一层光刻胶干膜28a、 28b，其中，光刻胶 干膜28a、 28b直接覆盖在光刻胶干膜18a、 18b以及第一铜金属层22a、 22b上。
如图15所示，仅针对光刻胶干膜28a进行激光去膜制造工艺，利用特定能 量及波长的激光，在光刻胶干膜18a、 28a中烧蚀出开口 130a，其中，开口 130a 位于第一金属层22a上方，且完全暴露出第一金属层22a的上表面122a及侧壁 122b。
同样的，位于封装基板1的第二面lb上的光刻胶干膜28b并未被激光去膜。 根据本发明的第二优选实施例，开口 130a的大小和位置即为后续欲形成焊接垫 的位置，亦即，开口 130a定义出焊接垫的图案。以激光去膜制造工艺的好处是 可以节省一道曝光光罩以及显影等黄光步骤。
如图16所示，进行电镀制造工艺，在开口 130a内电镀第二金属层32a，例 如，铜、锡、银、铅、金、镍等，优选为铜。第二金属层32a直接接触第一金 属层22a，并完整覆盖住第一金属层22a的上表面122a及侧壁122b，如此构成 表面隆起的焊接垫142a结构。
如图17所示，在完成第二金属层32a的电镀之后，接着将光刻胶干膜28a、 28b以及光刻胶干膜18a、 18b全部蚀除，此时，在封装基板l的第一面la上即 形成由第一金属层22a以及第二金属层32a共同构成的焊接垫142a。位于封装 基板1的第二面lb上的焊接垫142b则仅由第一金属层22b所构成。完成干膜 剥除之后，随即进行后处理步骤，如表面粗化等制造工艺。
如图18所示，接下来进行防焊阻剂涂布的制造工艺，在封装基板l的第一面la和第二面lb上分别覆盖防焊阻剂层50a、 50b，其中，防焊阻剂层50a、 50b 由光感应材料所组成。
接着，对防焊阻剂层50a、 50b进行曝光显影的制造工艺，分别在防焊阻剂 层50a、 50b中形成阻剂开孔60a、 60b，其中，阻剂开孔60a位于焊接垫142a 的上方，并且暴露出部分的第二金属层32a，阻剂开孔60b则暴露出部分焊接垫 142b的表面。
后续处理步骤包括去胶渣以及最终表面处理，如表面镀金属制造工艺等。 前述的最终表面处理包括在焊接垫142a或焊接垫142b的表面上形成化镍金、 镍银、化锡、化银或者有机保焊剂等材料层62。
如图19所示，最后进行锡膏印刷制造工艺和回焊的制造工艺，在封装基板 1第一面la上的焊接垫42a上形成锡球65。
请参阅图20至图26，其绘示的是本发明第三优选实施例封装基板制造工艺 的剖面示意图。如图20所示，同样提供一个封装基板l，其包含有基材IO，其 第一面la和第二面lb，分别先以传统的线路增层方法(包括显影、电镀、覆膜、 钻孔等等步骤)，形成多层金属导线层12a、 12b、 13a、 13b以及绝缘层14a、 14b。 金属导线层12a、 13a之间通过导通孔15a电连接，而金属导线层12b、 13b之间 通过导通孔15b电连接。
绝缘层14a、14b可以是由至少一层或多层的ABF或其它适合的绝缘材所构 成。在绝缘层14a、 14b的预定位置上已先利用钻孔技术，例如激光钻孔，形成 有导通孔16a、 16b，其分别暴露出部分下方的金属导线层13a、 13b。在导通孔 16a、 16b的上方，后续将形成相对应的焊接垫。
接着，再进行第一次的贴干膜的制造工艺，在封装基板l的第一面la和第 二面lb上分别覆盖一层光刻胶干膜18a和光刻胶干膜18b，其中，该光刻胶干 膜18a、 18b覆盖在绝缘层14a、 14b上。另外，在覆盖光刻胶干膜18a、 18b之前，可先在绝缘层14a、 14b上全面沉积一层导通金属层(图中未示)，优选的 导通金属层为化学铜层。
接着，仅针对光刻胶干膜18a进行一曝光显影制造工艺，在光刻胶干膜18a 中形成幵口20a，其中，开口 20a暴露出导通孔16a。需注意的是，光刻胶干膜 18b曝光显影后无形成开孔，因此，光刻胶干膜18b中并无开口形成。
如图21所示，对基材10的第一面la进行电镀的制造工艺，将开口20a以 及其所暴露出来的导通孔16a填满第一金属层22a，例如，具有导电性质的金属 或其合金，优选为铜、锡、银、铅、金、镍、铬等材质或其合金，最优选为铜。 此时，由于基材10的第二面lb完全被光刻胶干膜18b覆盖，因此不会有金属 被电镀上去。
如图22所示，分别对光刻胶干膜18a、 18b进行激光去膜制造工艺，利用 特定能量及波长的激光，在光刻胶干膜18a中烧蚀出开口 230a、 330a，并在光 刻胶干膜18b中烧蚀出开口 230b，其中，开口 230a位于第一金属层22a的正上 方，且完全暴露出第一金属层22a的上表面122a和侧壁122b。开口 230a、 230b 的大小和位置即为后续欲形成焊接垫的位置，亦即，开口 230a、 230b定义出焊 接垫的图案。
光刻胶干膜18a中的开口 330a则是定义欲形成在基材10的第一面la上的 第三层线路图案。本发明的第三优选实施例仅使用单一层干膜来定义焊接垫， 与第二优选实施例比较，又更节省了一层干膜。
如图23所示，进行电镀的制造工艺，同时在开口 230a、 230b和330a内电 镀金属，例如具有导电性质的金属或其合金，优选为铜、锡、银、铅、金、镍、 铬等材质或其合金，最优选为铜，以分别形成表面隆起的焊接垫结构142a、焊 接垫142b和导线430a。
如图24所示，接着将光刻胶干膜18a、 18b全部蚀除，完成干膜剥除之后，随即进行后处理步骤，如表面粗化等制造工艺。
如图25所示，接下来进行防焊阻剂涂布的制造工艺，在封装基板l的第一
面la和第二面lb上分别覆盖防焊阻剂层50a、 50b，其中，防焊阻剂层50a、 50b 由光感应材料所组成。接着，对防焊阻剂层50a、 50b进行曝光显影制造工艺， 分别在防焊阻剂层50a、 50b中形成阻剂开孔60a、 60b。
阻剂开孔60a位于焊接垫142a的正上方，并且暴露出部分的焊接垫142a， 阻剂开孔60b则暴露出部分焊接垫142b的表面。导线430a则完全被防焊阻剂 层50a覆盖住。
后续处理步骤包括去胶渣以及最终表面处理。前述的最终表面处理包括在 焊接垫142a或焊接垫142b的表面上形成化镍金、镍银、化锡、化银或者有机 保焊剂等材料层。
最后，如图26所示，进行锡膏印刷制造工艺和回焊的制造工艺，在封装基 板1第一面la上的焊接垫142a上形成锡球65。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡本领域技术人员依本发明的权利要 求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明所涵盖的保护范围。
权利要求
1.一种焊接垫结构，包含有(1)封装基板，该封装基板包含基材，该基材以传统的线路增层法形成多层金属导线层以及绝缘层；(2)一层或多层的绝缘层，其形成至少一个或复数个导通孔；(3)焊接垫本体，包括第一金属层，其形成于该绝缘层上，并覆盖住该导通孔；以及第二金属层，其与该第一金属层相叠以形成至少一凸出结构；(4)防焊阻剂层，其覆盖于绝缘层上，并具有一个或多个阻剂开孔，其中该阻剂开孔显露出所需的焊接垫。
2. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其还包含锡球，该锡球填入该阻剂 开孔中，并至少与该焊接垫中的该第二金属层相接触，其中利用提高该锡球与 该焊接垫的接触面积，以减少锡球掉球或导通异常现象。
3. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述阻剂开孔的截面积被该锡球 所填满。
4. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述阻剂开孔的孔径为10微米至 85微米。
5. 如权利要求4所述的焊接垫结构，其中所述阻剂开孔的孔径为20微米至 70微米。
6. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述第二金属层的孔径宽度为该 阻剂开孔的孔径的1/3倍至1/4倍。
7. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述阻剂开孔的深度为15微米至 35微米。
8. 如权利要求7所述的焊接垫结构，其中所述阻剂开孔的深度为20微米至 30微米。
9. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述第一金属层为具有导电性质的金属或其合金。
10. 如权利要求9所述的焊接垫结构，其中所述第一金属层为铜、锡、银、 铅、金、镍、铬或其合金。
11. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述第二金属层为具有导电性质 的金属或其合金。
12. 如权利要求11所述的焊接垫结构，其中所述第二金属层为铜、锡、银、 铅、金、镍、铬或其合金。
13. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述第二金属层的厚度为10微 米至30微米。
14. 如权利要求13所述的焊接垫结构，其中所述第二金属层的厚度为15微 米至20微米。
15. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述绝缘层为热塑性树脂。
16. 如权利要求15所述的焊接垫结构，其中所述热塑性树脂为环氧树脂或 聚亚酰胺树脂。
17. 如权利要求16所述的焊接垫结构，其中所述热塑性树脂为环氧树脂。
18. 如权利要求17所述的焊接垫结构，其中所述环氧树脂为ABF树脂或BT
19. 如权利要求18所述的焊接垫结构，其中所述环氧树脂为ABF树脂。
20. 如权利要求1所述的焊接垫结构，其中所述焊接垫的表面可形成化镍金、 镍银、化锡、化银或有机保焊剂材料层。
全文摘要
本发明提供了一种焊接垫结构，包含有第一金属层，设于绝缘层上，该第一金属层通过其下方的导通孔，与形成在该绝缘层内的下层电路构成电连接；防焊阻剂层，具有阻剂开孔，暴露出该第一金属层中央部位；第二金属层，于该阻剂开孔内，叠设在该第一金属层上，并构成中央凸出柱状结构；以及锡球，填入该阻剂开孔，并至少与该第二金属层接触。
文档编号H01L23/488GK101290917SQ20071009639
公开日2008年10月22日 申请日期2007年4月17日 优先权日2007年4月17日
发明者朱志忠, 林世宗, 林贤杰 申请人:南亚电路板股份有限公司