制备薄膜晶体管基底的方法

专利名称：制备薄膜晶体管基底的方法
技术领域：
本发明涉及一种制备薄膜晶体管(TFT)基底的方法。更具体地说，本 发明涉及一种制备TFT基底的方法，该方法减少了制备过程中，在刻蚀金属 膜时出现的不良现象(例如形成条紋(stringer))。
背景技术：
一般来说，液晶显示(LCD)装置包括:TFT基底、滤色器基底以及夹在 两者之间的液晶层。TFT基底包括多个TFT和多个像素电极。滤色器基底包 括滤色器和共电极。
利用掩模，通过光刻工艺来制造TFT基底。为了降低生产时间与生产成 本，已开发了一种四掩模工艺。
通常，刻蚀数据金属膜的四掩模工艺包括形成数据线的第 一次刻蚀工艺 和刻蚀沟道形成区域的第二次刻蚀工艺。
在四掩^f莫工艺中，第一次和第二次刻蚀工艺由湿法刻蚀工艺来进行。然 而，湿法刻蚀工艺是各向同性的，其难以形成精细的图形(例如，湿法刻蚀 剂沿各个方向腐蚀TFT基底，从而导致偏差和底切(undercut))。而且，湿 法刻蚀工艺可能挤压有源层，而不是金属线，从而减小了孔径比(aperture ratio),产生残留图形。
为了解决上述问题，可在第一次刻蚀工艺中采用湿法刻蚀工艺，在第二 次刻蚀工艺中采用干法刻蚀工艺。然而，湿法刻蚀工艺产生和留下金属氧化 物，聚合物，和/或有机残留物，这些物质使第二次刻蚀工艺中形成条紋(例 如，金属膜没有刻蚀的部分)。

发明内容
本发明提供了一种制备薄膜晶体管(TFT)基底的方法，该方法有效地 消除或减少了在对数据金属膜进行干法刻蚀时产生的条紋。
在本发明的一个示例性实施例中，栅极绝缘层、有源层和数据金属膜依
次在其上形成有栅极线的基底上形成。第一光刻胶图形在数据金属膜上形成。 对应于沟道形成区的第一光刻胶图形与对应其他区域的第一光刻胶图形相 比，具有较小的厚度。利用第一光刻胶图形，对数据金属膜进行第一次刻蚀。
然后利用第一光刻胶图形对有源层进行刻蚀。P进后利用比例为1:4到1:20的 六氟化硫(SF6)气体和氧气(02)的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干 法刻蚀，以形成在沟道形成区内形成有开口的第二光刻胶图形。然后利用第 二光刻胶图形，对数据金属膜进行第二次刻蚀。
对数据金属膜第二次刻蚀后，去除第二光刻胶图形，并形成具有开口以 部分露出数据金属膜的钝化层，并在钝化层上形成像素电极。
对数据金属膜的第一次刻蚀可以用湿法刻蚀，对数据金属膜的第二次刻 蚀可以用干法刻蚀。
数据金属膜可以具有钼(Mo)层、铝(Al)层和钼(Mo)层依次堆叠 的三层结构。
在对数据金属膜进行第二次刻蚀前，由对数据金属膜的第 一次刻蚀而产 生的不需要的残留物，如金属氧化物、聚合物和/或有机物质被清除掉。干法 刻蚀工艺使用的气体可以是六氟化硫(SF6)气体、氩气(Ar)、三氯化硼(BC13) 气体、三氟化氮(NF3)气体、溴气(Br)、氧气(02)或其混合物。
在另一示例性实施例中，在对数据金属膜进行第二次刻蚀前，可以利用 湿法清洗去除残留物。湿法清洗工艺可以采用四曱基氢氧化铵(TMAH)清 洗工艺、异丙醇(IPA)清洗工艺或者去离子水(DI)清洗工艺来进行。
在又一示例性实施例中，在对数据金属膜进行第二次刻蚀前，利用酸清 洗去除残留物。酸清洗工艺可以从稀释的硼氟酸、稀释的硫酸、稀释的磷酸、 稀释的硝酸、稀释的乙酸或其混合物中所选择的任意一种。酸清洗工艺可以 采用酸与去离子水比例为1:100到1:3000的混合液进行。
上述干法、湿法清洗工艺和酸清洗工艺并不限于紧靠对数据金属膜进行 第二次刻蚀前进行(例如，清洗工艺可以在用第一光刻胶图形刻蚀有源层之 后进行)。而且，对数据金属膜第一次刻蚀可以是湿法刻蚀工艺，如在本发明 的另一示例性实施例中所述，其中，栅级绝缘层、有源层以及数据金属膜依 次在其上形成有栅级线的基底上形成。随后第一光刻胶图形在数据金属膜上 形成。对应于沟道形成区的第一光刻胶图形，与对应于其他区域的第一光刻 胶图形相比，具有较小的厚度。利用第一光刻胶图形，对数据金属膜进行第
一次干法刻蚀。然后，利用第一光刻胶图形，对有源层进行刻蚀。此时，利 用上述的干法、湿法或酸清洗工艺，去除残留物。接着，对第一光刻胶图形 进行干法刻蚀，以形成在沟道形成区具有开口的第二光刻图形。然后，利用 第二光刻胶图形对数据金属膜进行第二次干法刻蚀。
对数据金属膜第二次干法刻蚀之后，去除第二光刻胶图形，并形成具有 开口以部分露出数据金属膜的钝化层，并且在钝化层上形成像素电极。


通过参考附图对本发明示例性实施例进行更为详细的描述，本发明的上
述和其他方面、特征和优点将变得更加清楚，其中
图1是根据本发明示例性实施例制备的薄膜晶体管("TFT")基板的平 面视图2-6和图8- IO是沿着图1中的线I-I'截取的示出了图1中的TFT基 底的制造工艺的示例性实施例的局部剖视图7A是示出采用氧气作为刻蚀气体时，在样品基底上是否形成条紋的 显微照片；
图7B是示出采用六氟化硫(SF6)和氧的混合物作为刻蚀气体时，在样 品基底上是否形成条紋的显微照片。
具体实施例方式
在下文中，现在将参照附图对本发明进行更充分的描述，在附图中示出 了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以实现为^f艮多不同的形式，并且 不应被认为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得公开将 是充分和彻底的并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。全文相同的 标号标引相同的元件。
当某一元件被称为"在"另一元件"上"时，应理解为该元件可以直接 在另一元件之上，或是在两者之间会有插入元件存在。相反，当某一元件被 称为"直接在"另一元件之"上"时，则没有插入元件存在。在此所用的术 语"和/或"包括由一个或多个相关所列项的任意和全部组合。
虽然在此可能使用了 "第一"，"第二"，"第三"等术语来描述各种元件、 部件、区域、层和/或部分，但是应理解为这些元件、部件、区域、层和/或部
分并不应该受限于这些术语。这些术语只是用来将一个元件、部件、区域、 层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本 发明教导的情况下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可能被 命名为第二元件、部件、区域、层或部分。
在此所用的术语只是为了描述特定实施例，并不是意图限定本发明。除 非上下文中明确指出，否则单数形式也意在包括复数形式。在本说明书中所 使用的"包含"、"包括"等术语，应理解为特指存在所述的特征、区域、整 体、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除有其他的一个或多个特征、区 域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或由他们构成的组的存在或添加。
而且，关系术语如"下方"或"底部"以及"上方"或"顶部，，可能在 此用来描述如图所示的元件与元件间关系。除图中所描述的方位外，这些关 系术语应理解为还包含有装置的不同方位。例如，如果将一图中的装置倒过 来，则位于其它元件"下方"的元件，其方位将变成位于其它元件的"上方"。 因此根据图中的具体方位，示例性术语"下方"可能包含"下方"和"上方" 两个方位。类似地，如果将一图中的装置倒过来，原来描述为在其它元件"下 面"或"下方"的元件则随后将位于其它元件的上方。因此，示例性词"下 面"或"下方"可包含上下两个方位。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括科技术语)的意思与本 发明所属技术领域的普通技术人员按常规理解的意思是相同的。除非有明确 的定义，否则这些术语(例如通用的词典所定义的)的意思应与相关技术和 现有公开的上下文里的意思相 一致，而不应该按理想化的或过度正式的意思 来进行解释。
参照作为本发明的理想化了的实施例的示意图的剖#见图，在此对本发明 示例性的实施例进行了描述。如此，由于例如制造技术和/或容差所引起的图 形形状变化将是预见的。因此，本发明的实施例不应该认为局限于在此所示 区域的具体形状，而将包括例如由制造所导致的各种形状变化。例如，所示 或所描述的为平坦的区域，会典型地具有粗糙和/或非线性的特征。而且，所 示锐角有可能被倒圆。因此，图中所示区域实际上是示意性的，它们的形状 不意在示出区域的精确的形状，并且并不意在局限本发明的范围。
以下，将参照附图来更详细地描述根据本发明示例性实施例的制备薄膜
晶体管(TFT)基底的方法。
图1是根据本发明示例性实施例所制备的TFT基底的平面视图。图2-图6和图8-图IO是沿着图1中的线I-I'截取的示出了图1中的TFT基底的制 造工艺的局部剖视图。
参照图1和图2，在基底IIO形成栅极金属膜(没有示出)，利用曝光掩 模，通过光刻工艺将栅极金属膜形成图形，以形成栅极布线120，其中，栅 极布线120包括栅极线122和与栅极线122电连接的栅电极124。可通过使 用例如溅射工艺或化学气相沉积(CVD)工艺来在基底IIO上沉积栅极金属 膜，但也并不局限于这些沉积工艺。
基底IIO可以包括透明绝缘基底，例如玻璃基底或其他合适的材料。
栅极布线120可包含例如铬(Cr )、铝(Al )、钽(Ta )、钼(Mo )、钛(Ti )、 鴒(W)、铜(Cu)、银(Ag)或这些金属的合金的金属性材料，但不局限于 这些材料。栅极布线120可以具有至少物理特性不同的金属性材料的双层结 构。例如在一示例性实施例中，4册极布线120包括第一金属层和顺序形成在 第一金属层上的第二金属层。第一金属层包含铝(Al)和铝合金中的至少一 种。第二金属层包含钼(Mo)和钼(Mo)合金中的至少一种。
如图1所示，栅极线122可以沿基本水平方向延长，以限定每个像素P 的上侧和下侧。栅电极124与栅极线122电连接，从而栅电极124限定了在 每个像素P中形成的TFTQS的栅极接线端。
参照图3，栅极绝缘层130、有源层140及数据金属膜150依次在形成有 栅极布线120的基底110上形成。
栅极绝缘层130和有源层140可以使用例如等离子增强化学气相沉积 (PECVD)工艺来形成，数据金属膜150可以釆用例如'减射工艺或CVD工 艺来形成。可选择地，栅极绝缘层130、有源层140及数据金属膜150可通 过其他在此没有具体指出的合适方法来形成。
栅极绝缘层130保护栅极布线120,并使栅极线与其他金属膜或其他金 属层进行电绝缘。栅极绝缘层130可包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或 其他合适材料。栅极绝缘层130的厚度可以是大约4500A。
有源层140可以包括沟道层142和欧姆接触层144。例如，沟道层142 包含非晶硅(a-Si)。欧姆接触层144包含高浓度n型掺杂的非晶硅(n+a-Si)。
数据金属膜150可以是低电阻值的三层结构。例如，在一个示例性实施 例中，数据金属膜150包括钼(Mo) 151;铝(Al) 152，顺序形成在钼(Mo)
上；钼(Mo) 153，顺序形成在铝(Al) 152上。可选择地，数据金属膜150 还可以包括金属性材料例如铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、 鴒(W)、铜(Cu)、银(Ag)或这些金属的合金，但不限于这此材料。
参照图4，在数据金属膜150上形成光刻胶膜，然后通过利用使用例如 狭缝掩模、半色调(halftone)掩模等的掩模的光刻工艺将光刻胶膜图形化， 以形成第一光刻胶图形160。光刻胶膜可包括正胶，使曝光区域可以通过显 影液去除。可选择地，光刻胶膜可包括负胶。
在沟道形成区154处的第一光刻胶图形160,与不在沟道形成区154处 的第一光刻胶图形160相比，具有相对小的厚度。例如，第一光刻胶图形160 中的沟道形成区域154处的厚度范围可以是大约5000A至大约8000A。
参照图1和图5，利用第一光刻胶图形160作为刻蚀阻挡层，将数据金 属膜150进行第一次刻蚀。根据本发明的一个示例性实施例，数据金属膜150 的第 一次刻蚀是利用湿法刻蚀工艺进行的。
在利用第一光刻胶图形160对数据金属膜150进行湿法刻蚀时，形成了 数据线155和源/漏金属图形156。如图1所示，数据线155可以沿基本垂直 的方向延伸，^争越栅极线122，以确定像素P的左侧和右侧。
接着，利用第一光刻胶图形160作为刻蚀阻挡层，对有源层140进行刻 蚀。有源层140的刻蚀工艺可以是干法刻蚀工艺。利用第一光刻胶图形160 对有源层140进行刻蚀工艺后，数据线155和和源/漏图形156下方的有源层 140部分被保留下来。即数据金属膜150和有源层140是利用相同的第一光 刻胶图形160刻蚀的，使得保留下来的有源区140的边界部分与数据线155 的边界部分和源/漏金属图形156的边界部分相一致，如图5所示。
在对凄t据金属膜150第一次湿法刻蚀和对有源层140干法刻蚀之后，所 不期望的金属氧化物层，如氧化铝(AlxOy)等可能会在暴露于大气的数据金 属膜150表面上形成(例如，没有被第一光刻胶图形160覆盖的数据金属膜 150的刻蚀表面)。另外，来自第一次湿法刻蚀工艺的金属氧化物、聚合物和 /或有机残留物(以后统一称为"残留物")也有可能会留在数据金属膜150 的表面上。
数据金属膜150表面上的金属氧化物层或残留物降低随后进行的刻蚀中 的刻蚀速率，使得在随后进行的刻蚀工艺中， 一些表面没有被刻蚀(例如形 成条紋)。因此，在对数据金属膜150的第一次湿法刻蚀和对有源层140的干
法刻蚀之后，使数据金属膜150暴露大气的时间量最小是有益的。而且，利
用保持氮气(N2)气氛的容器装置(stacker)(没有示出)，进一步减少在暴 露出来的数据金属膜150表面上的金属氧化物层的生成。
参照图5和图6，第一光刻胶图形160经干法刻蚀后，形成第二光刻胶 图形162,其中，在沟道形成区154处，第二光刻胶图形162上形成有开口。 因此，对应于沟道形成区154的源/漏金属图形156被暴露出来。
为了对第一光刻胶图形160进行干法刻蚀，以形成第二光刻胶图形162, 可以采用六氟化硫(SF6)气体和氧气(02)的组合作为刻蚀气体。控制六氟 化硫(SF6)气体和氧气(02)的比例，使第一光刻胶图形160的干法刻蚀和 去除数据金属膜150表面上的任何残留物的清洗(cleaning)工艺同时完成。
根据一个示例性实施例，六氟化硫(SF6)气体和氧气(02)理想的比例 范围是大约l:4到大约1:20。可选择地，六氟化硫(SF6)气体和氧气(02) 的比例可以是大约1:30到大约1:40。
过量的六氟化硫(SF6)会损伤有源层140和栅极绝缘层130。相反，六 氟化硫(SF6)气体的量不足降低了六氟化硫(SF6)气体和氧气(02)的组 合的清洗效果。根据本发明的一个示例性实施例，对使用六氟化硫(SFJ气 体和氧气(02)的混合物的效果进行了两个验证实验来测试，如图7A和图 7B中所示。
图7A是示出使用氧气作为刻蚀气体时是否在样品基底上形成条紋的显 微照片，图7B是示出使用六氟化硫(SF6)和氧(02)的混合物作为刻蚀气 体时，是否在样品基底上形成条紋的显微照片。更具体地说，图7A示出了 在大约50mT压力下使用纯氧气(02)作为刻蚀气体大约30秒时，是否产生 条紋。图7B示出了在大约50mT压力下用比例大约为1:10的六氟化硫(SF6) 气体和氧气(02)的混合物作为刻蚀气体大约30秒时，是否形成条紋。当只 用氧气(02)作为刻独气体时，在有源层和栅极绝缘层的端部可以看到大量 的条紋，如图7A中画圈的区域内所示。另一方面，当使用六氟化硫(SFJ 气体和氧气(02)的混合物作为刻蚀气体时，在有源层和栅极绝缘层端部所 见的条紋的数量被有效地减少或消除，如图7B中画圏的区域内所示。
参照图1和图8，回到本发明的示例性实施例，在刻蚀第一光刻胶图形 160形成第二光刻胶图形162后，在数据金属膜150之上，靠近沟道形成区 154，利用第二光刻胶图形162作为刻蚀阻挡层，对数据金属膜150进行第二
次刻蚀。数据金属膜150的第二次刻蚀工艺可包括干法刻蚀工艺。
为了通过第二次干法刻蚀工艺形成数据金属膜150，上钼(Mo)层153、 铝(Al)层152及下钼(Mo)层151可以采用三种单独的干法刻蚀工艺进行干 法刻蚀。或者，可采用两种单独的干法刻蚀工艺，例如，对上钼(Mo)层153 进行干法刻蚀，然后同时对铝层152和下钼(Mo)层151进行干法刻蚀，但 并不局限于这一方法。
利用第二光刻胶图形162对数据金属膜150进行干法刻蚀的结果是，形 成了源电极157和漏电极158。源电极157与数据线155电连接(连接没有 示出)，以限定TFTQS的源极接线端。漏电极158与源电极157相隔离，以 限定TFTQS的漏极接线端(没有标出)。
利用第二光刻胶图形162作为刻蚀阻挡层，形成了沟道形成区154的欧 姆接触层144。因此，位于源电极157和漏电极158之间的一部分沟道层142 暴露出来，从而完成TFTQS的形成。
然后，去除掉保留在数据线155、源电极157和漏电极158上的第二光 刻胶图形162。通过使用剥离溶液的剥离工艺或其他合适的工艺，可以将第 二光刻胶图形162去除掉。
在对数据金属膜150第二次干法刻蚀前，先可以进行干法清洗工艺，以 在去除掉数据金属膜150表面上形成的任何残留物。进行干法清洗工艺可以 采用的气体如六氟化硫(SF6)气体，氩气(Ar)，三氯化硼(BC13)气体， 三氟化氮(NF3)气体，溴气(Br)，氧气(02)或其他适合的气体。当使用 六氟化硫(SFJ气体进行干法清洗工艺时，干法清洗工艺连同使用六氟化硫 (SF6)和氧(02)的气体混合物作为刻蚀气体对第一光刻胶图形160进行干 法刻蚀的工艺同时进行。
或者，在对数据金属膜150的第二次干法刻蚀前，可以先进行湿法清洗 工艺，以去除掉数据金属膜150表面上形成的任何残留物。湿法清洗工艺可 以包括例如四曱基氢氧化铵(TMAH)清洗工艺、异丙醇(IPA)清洗工艺或 去离子水(DI)清洗工艺，但并不局限于这几种。例如，TMAH的浓度可以 不超过大约0.4%。
又或者，在对数据金属膜150的第二次干法刻蚀前，可以先进行酸清洗 工艺，以去除掉数据金属膜150的表面上形成的任何残留物。可以通过混合 有硼氟酸、硫酸、磷酸、硝酸、乙酸或其混合物的DI水的溶液，来进行酸清
洗工艺。在一示例性实施例中，可以采用的酸与去离子水的比例范围是大约
1:100到大约1:3000。
如上所述，干法清洗工艺、湿法清洗工艺或酸清洗工艺均在对数据金属 膜150进行第二次干法刻蚀之前进行，使得可以去除掉在对数据金属膜150 进行第一次湿法刻蚀工艺后产生的任何残留物，从而防止或减少条紋的形成。
在对数据金属膜150进行第二次干法刻蚀工艺中，由于升高基底110的 温度增加了刻蚀气体与被刻蚀物之间反应的可能性，所以将支撑基底110的 台架(stage)温度^:定最少为大约50°C，将进一步减少或防止条紋的产生。
在对数据金属膜150进行第二次干法刻蚀工艺中，通过增加反应腔室内 的刻蚀气体流速，可以进一步有效地去除掉数据金属膜150表面上形成的任 何残留物。例如，可以设定刻蚀装备的自动压力控制(APC)功能来将刻蚀 气体速率增加至少大约15%。
参照图1和图9,在其上形成有TFTQS的基底110上形成钝化层170。 钝化层170是绝缘层，用以保护TFT QS和数据线155并将其绝缘。钝化层 170可以包含氮化硅(SiNx )和氧化硅(SiOx )。钝化层170可以通过CVD工 艺来形成，其厚度范围是大约500A到大约2000A。
然后，利用曝光掩模，通过光刻工艺，钝化层170形成图形，从而形成 接触孔172，露出一部分漏电极158。
参照图1和图10，透明导电层(没有全部示出)形成在钝化层170上。 利用曝光掩模，通过光刻工艺，透明导电层形成图形，从而形成像素P中的 像素电极180。
通过在钝化层170中形成的接触孔172，像素电极180与漏电极158电 连接。像素电极180可包含氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)，但并不局 限于此。
在像素电极180形成之前，可以在钝化层170上顺序地形成有机绝缘层 (没有示出)，或者在没有单独的钝化层170的情况下，单独形成有机绝缘层， 来将钝化层170的表面平面化。
在本发明的一个示例性实施例中，对数据金属膜150的第一次刻蚀为湿 法刻蚀；或者对凄t据金属膜层150的第一次刻蚀可以为干法刻蚀。在另一可 选的示例性实施例中，在刻蚀第二光刻胶图形162之前，可以进行湿法、干 法、或酸清洗(如前所述)。而且，在可选的示例性实施例中，对第二光刻胶
图形的刻蚀可以是湿法或干法刻蚀工艺。
虽然已在这里对本发明的示例性实施例进行了描述，但是应该理解本发 明并不应该局限于这些示例性实施例，而是在如本发明的权利要求的精神和 范围内，本领域的普通技术人员可以做出各种变化与修改。
权利要求
1、一种制备薄膜晶体管基底的方法，所述方法包括在其上形成有栅极线的基底上依次形成栅极绝缘层、有源层和数据金属膜；在数据金属膜上形成第一光刻胶图形，与对应于其他区域的第一光刻胶图形的厚度相比，对应于沟道形成区的第一光刻胶图形的厚度较小；利用第一光刻胶图形，对数据金属膜进行第一次刻蚀；利用第一光刻胶图形，对有源层进行刻蚀；利用包括比例范围为1∶4到1∶20的六氟化硫(SF6)气体和氧气(O2)的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干法刻蚀，以形成在沟道形成区形成有开口的第二光刻胶图形；利用第二光刻胶图形，对数据金属膜进行第二次刻蚀。
2、 如权利要求1所述的方法，其中，对数据金属膜进行的第一次刻蚀是 湿法刻蚀工艺。
3、 如权利要求l所述的方法，其中，对数据金属膜进行的第二次刻蚀是 干法刻蚀工艺。
4、 如权利要求l所述的方法，其中，数据金属膜具有三层结构，所述三 层结构包括依次堆叠的钼(Mo)层、铝(Al)层和钼(Mo)层。
5、 如权利要求l所述的方法，进一步包括在对数据金属膜进行第二次刻蚀前，将残留物从数据金属膜的表面清洗掉。
6、 如权利要求5所述的方法，其中，所述清洗工艺包括干法清洗工艺。
7、 如权利要求6所述的方法，其中，干法清洗工艺包括由六氟化硫(SF6) 气体、氩气(Ar)、三氯化硼(BC13)气体、三氟化氮(NF3)气体、溴(Br) 气、氧气(02)组成的组中选择的至少一种。
8、 如权利要求5所述的方法，其中，清洗工艺包括湿法清洗工艺。
9、 如权利要求8所述的方法，其中，湿法清洗工艺包括四甲基氢氧化铵 (TMAH)清洗工艺、异丙醇(IPA)清洗工艺或去离子水清洗工艺。
10、 如权利要求9所述的方法，其中，TMAH的浓度不超过0.4。/c。
11、 如权利要求5所述的方法，其中，清洗工艺包括酸清洗工艺。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，利用由稀释的硼氟酸、稀释的硫 酸、稀释的磷酸、稀释的硝酸和稀释的乙酸组成的组中选择的至少一种稀释 酸来进行酸清洗工艺。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，利用酸与去离子水的混合溶液进行酸清洗工艺，混合溶液中酸与去离子水的比例为1:100到1:3000。
14、 如权利要求l所述的方法，进一步包括 去除第二光刻胶图形；形成其上形成有开口的钝化层，以部分露出基底上的数据金属膜； 在钝化层上形成像素电极。
15、 一种制备薄膜晶体管基底的方法，所述方法包括 在其上形成有栅极线的基底上，依次形成栅极绝缘层、有源层和数据金属膜；在数据金属膜上形成第 一光刻胶图形，与对应于其他区域的第 一光刻胶 图形的厚度相比，对应于沟道形成区的第一光刻胶图形的厚度较小； 利用第一光刻胶图形，对数据金属薄膜进行第一次干法刻蚀； 利用第 一光刻胶图形，对有源层进行刻蚀； 从数据金属膜表面酸清洗残留物；对第一光刻胶图形进行干法刻蚀，以形成在沟道形成区形成有开口的第 二光刻胶图形，所述开口露出部分数据金属膜；利用第二光刻胶图形对数据金属膜进行第二次干法刻蚀。
16、 如权利要求15所述的方法，其中，数据金属膜包括钼(Mo)层、 铝(Al)层和钼层(Mo)依次堆叠的三层结构。
17、 如权利要求15所述的方法，其中，利用由稀释的硼氟酸、稀释的硫 酸、稀释的磷酸、稀释的硝酸和稀释的乙酸组成的组中选择的至少一种稀释 酸来进行酸清洗工艺。
18、 如权利要求17所述的方法，其中，利用酸与去离子水的混合溶液进 行酸清洗工艺，混合溶液中酸与去离子水的比例范围为1:100到1:3000。
19、 如权利要求15所述的方法，进一步包括在对数据金属膜进行第二次干法刻蚀前，干法清洗数据金属膜表面上产 生的残留物，干法清洗工艺包括由六氟化硫(SF6)气体、氩气(Ar)、三氯 化硼(BC13)气体、三氟化氮(NF3)气体、溴(Br)气和氧气(02)组成的 组中选择的至少一种气体。
20、 如权利要求15所述的方法，进一步包括在对数据金属膜进行第二次干法刻蚀前，湿法清洗数据金属膜表面上产 生的残留物，湿法清洗工艺包括四曱基氢氧化铵(TMAH)清洗工艺、异丙 醇(IPA)清洗工艺或去离子水清洗工艺。
21、 如权利要求15所述的方法，其中，利用六氟化硫(SF6)气体和氧 气(02)比例为l:4到l:20的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干法刻蚀。
22、 如权利要求15所述的方法，其中，利用六氟化硫(SF6)气体和氧 气(02)比例为l:30到l:40的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干法刻蚀。
23、 如权利要求15所述的方法，进一步包括 去除第二光刻胶图形；形成其上形成有开口的钝化层，以露出基底上的部分数据金属膜，所述 基底具有经干法刻蚀过的数据金属膜； 在钝化层上形成像素电极。
全文摘要
本发明提供了一种制备薄膜晶体管基底的方法，该方法包括在基底上依次形成栅极绝缘层、有源层和数据金属膜。第一光刻胶图形在数据金属膜上形成，在沟道形成区内的第一光刻胶图形与不在沟道形成区内的第一光刻胶图形相比，具有相对小的厚度。利用第一光刻胶图形，对有源层和数据金属膜顺序进行刻蚀。利用包括六氟化硫气体和氧气的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干法刻蚀，以形成在沟道形成区中形成有开口的第二光刻胶图形。然后利用第二光刻胶图形，对数据金属膜进行刻蚀。在此制备方法中，使用干法、湿法或酸清洗工序来减少基底中条纹(stringer)的形成。
文档编号H01L21/84GK101170086SQ200710108519
公开日2008年4月30日 申请日期2007年5月31日 优先权日2006年10月23日
发明者朴明一, 李东振, 李庸懿, 李德重, 金京燮 申请人:三星电子株式会社