专利名称：介电层与薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种介电层与薄膜晶体管，且特别是涉及一种高质量的介电层以及具有此介电层的薄膜晶体管。
背景技术：
在众多平面显示器中，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT LCD)，已成为显示器领域中的主流。特别是，在薄膜晶体管液晶显示器的制作时，高质量的栅绝缘膜成膜技术是影响薄膜晶体管的组件特性。
在公知的一种多晶硅薄膜晶体管的工艺中，非晶硅层在经过激光结晶工艺后，再重新结晶成为多晶硅层。之后，形成一栅绝缘膜覆盖于多晶硅层上。接着，再形成一栅极于多晶硅层上方的栅绝缘膜上。在上述多晶硅薄膜晶体管中，作为组件信道层的多晶硅层以与门绝缘膜为影响组件特性的重要因素。尤其在经后续的离子注入(Ion Implant)工艺后，多晶硅层中的晶粒边界缺陷(grain boundary traps)与氧化层接口缺陷以及多晶硅层和栅极绝缘层的界面缺陷(interface trap states)变多，且栅绝缘膜产生许多悬键(dangling bond)，增加带电粒子被局限的机会，进而影响组件特性。
承上述，在原有的多晶硅薄膜晶体管工艺下，要更进一步提升多晶硅薄膜晶体管工艺的组件特性，变得十分困难。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种介电层，其可使薄膜晶体管具有较佳的组件特性。
本发明另提供一种薄膜晶体管，其具有上述的介电层。
本发明涉及一种显示面板，其具有本发明所述的薄膜晶体管。
本发明涉及一种光电装置，其具有本发明所述的显示面板。
为具体描述本发明的内容，在此提出一种介电层包括含氧的硅合物膜与含氮的硅合物膜。其中，含氮的硅合物膜配置于含氧的硅合物膜上，且含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱(Fourier transformationinfrared spectrum，FTIR)中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
本发明另提出一种薄膜晶体管包括一基板、一主动层、一第一介电层、一栅极、一第二介电层、一源极/漏极、一第三介电层以及一像素电极。主动层配置于基板上，且主动层中具有一源极区、一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的一通道区。第一介电层配置于基板上，以覆盖主动层。栅极配置于部份第一介电层上。第二介电层配置在基板上，且覆盖栅极。源极/漏极配置于部份第二介电层上，且电性连接于主动层的源极区/漏极区。第三介电层配置于基板上，且覆盖源极/漏极。像素电极配置于部份第三介电层上，且电性连接于源极/漏极。其中，第一介电层、第二介电层及第三介电层其中至少一者具有一含氧的硅合物膜与一含氮的硅合物膜其中至少一者，且含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
本发明另提出一种显示面板包括含一讯号线电性连接于上述的一种薄膜晶体管。
本发明再提出一种光电装置包含上述的显示面板。
本发明利用现有工艺参数加以调整介电层中的含氮的硅合物膜，使得含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱的膜层分析中，符合一定关系。当上述的介电层应用于薄膜晶体管时，可以使薄膜晶体管的组件特性变佳。因此本发明所提出的介电层除了可以提高薄膜晶体管的组件特性外，并无需额外的制作成本。
图1为本发明提出的一种栅极绝缘膜应用于多晶硅薄膜晶体管的示意图。
图1A为N型薄膜晶体管与P型薄膜晶体管随其含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值变化而改变的阈值电压(threshold voltage)曲线图。
图1B为N型薄膜晶体管与P型薄膜晶体管随其含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值变化而改变的迁移率(mobility)的曲线图。
图2为本发明提出的一种薄膜晶体管示意图。
图3为本发明提出的另一种薄膜晶体管示意图。
图4为本发明的薄膜晶体管所驱动的像素构成的光电装置示意图。其中，主要组件符号说明如下100、220介电层110、230、330含氧的硅合物膜120、240、340含氮的硅合物膜130硅层150导电层200、300薄膜晶体管202、302基板210、310主动层212、312源极区214、314漏极区216、316通道区220、320第一介电层250、350栅极260、360第二介电层270、370源极280、380漏极290第三介电层292、392像素电极294、394缓冲层
362蚀刻缓冲层400像素500显示面板600电子组件700光电装置具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
本发明提出一种栅极绝缘膜为范例，当其应用于开关组件时，例如多晶硅薄膜晶体管，可以改善薄膜晶体管的组件特性，但不限于此，也可选择性地运用于薄膜晶体管中的蚀刻缓冲层、缓冲层、内层介电层、保护层其中至少一者。一般而言，栅极绝缘膜的质量对于薄膜晶体管的电性表现有一定的影响程度，尤其是工艺中所造成的硅层晶粒边界缺陷、氧化硅层界面缺陷、硅层和栅极绝缘层的界面缺陷以与门极绝缘膜的悬键等。针对上述问题，本发明提出一种介电层有助于修补上述层和介电层在工艺中所造成的缺陷。
实施例1图1为本发明提出的一种介电层应用于薄膜晶体管的示意图。请参照图1，本实施例的介电层100包括含氧的硅合物膜120与含氮的硅合物膜110为实施范例。在本实施例中，含氮的硅合物膜110例如是以氮源，如笑气(N2O)与硅源，如硅甲烷(SiH4)为反应气体，并通过化学气相沉积工艺所形成，但不限定于这些反应气体，也可选择性地使用其它反应气体，例如氮源(如氮气、氨气、氮气/氨气混合物、氮气/笑气混合物、笑气、或其它气体、或上述的混合)与硅源(如二硅甲烷、四甲基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、或其它气体、或上述的组合)。利用调整含氮的硅合物膜110在成膜时的工艺参数，改变含氮的硅合物膜110的内部结构，以使得含氮的硅合物膜110的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜110的膜厚比值，较佳地，实质上大于0.67/um，但不限于此。此时，含氮的硅合物膜110中各种硅、氮与氢元素的键结比例，有利于修补原有工艺上所造成的膜层缺陷，增进组件特性。
另外，在本实施例中，含氮的硅合物膜110配置于含氧的硅合物膜120上。在其它实施例中，含氧的硅合物膜120也可以配置于含氮的硅合物膜110上。又，为了能够增加量产动能在其它实施例中，也可选择性仅使用本发明所述的含氮的硅合物膜110。换句话说，本发明的介电层，至少包含本发明实施例所述的含氮的硅合物膜，并依可靠度、电性上等需求来决定是否要使用二层以上的膜别，以二层为例，则二层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜；若以三层为例，则三层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜，又另一层为含氮或含氧的硅合物，以形成类似ONO，OON，NNO，ONN的架构，并依此类推多层膜或其它混合方式。
详言之，利用傅立叶转换红外线光谱可以得知含氮的硅合物膜110中的化学键结与组成，例如Si-N基、Si-H基、Ni-H基与H-H基，藉此可得知膜内元素的含量，包括氢原子等。如图1所示，其中当含氮的硅合物膜110符合上述关系式时，膜中的氢原子含量占有一定的比例，且因这些氢原子大小比这些氮原子较小，因此，这些氢原子在后续的工艺中较易释出，一部分会先往硅层130扩散，进而修补晶粒边界间缺陷及/或少部分的氢原子仍会留在介电层100内部，并与介电层100中的悬键产生键结，以减少带电粒子被局限的机会，因此薄膜晶体管的组件特性得以提升。然而，若这些氢原子不足以修补这些缺陷及/或悬键时，则由后来的氮原子来修补所剩余的这些缺陷及/或悬键。举例而言，图1A与图1B分别为N型薄膜晶体管(又称N-TFT)与P型薄膜晶体管(又称P-TFT)随其含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值变化而改变的阈值电压(threshold voltage，又称Vt)以及迁移率(mobility)的曲线图。再者，图1A与图1B的薄膜晶体管是以多晶硅薄膜晶体管为实施范例，但不限于此。一般而言，薄膜晶体管的电性会依照所设计的要求而有所变动，而对于阈值电压的需求为趋近于零为最理想的状况，也即较易开启薄膜晶体管。因此，请参照图1A所示的N型薄膜晶体管(又称N-TFT)与P型薄膜晶体管(又称P-TFT)随其含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值变化而改变的阈值电压(threshold voltage)得知，当含氮的硅合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um时(如图1A及图1B所示)，薄膜晶体管的阈值电压随之下降，也即逐渐趋近于零，且薄膜晶体管的迁移率随之大幅增加，进而提升薄膜晶体管的组件特性。
在本实施例所调整的含氮的硅合物膜120中，其折射系数，于预定量测波长，例如但不限于633纳米(nm)时，实质上大于1.8，而较佳的折射系数例如是介于约1.84至约2之间，但不限于此数值。另外，含氮的硅合物膜120的压缩应力，较佳地，例如是介于约115MPa至约-425MPa的间，但不限于此数值。
最后，一导电层150形成于介电层之上。其中，因导电层150及介电层100运用于薄膜晶体管中，其也称之为栅极；介电层100也称之栅绝缘膜。
实施例2本发明另提出一种薄膜晶体管200包括一基板202、一主动层210、一第一介电层220、一栅极250、一第二介电层260、一源极区212/漏极区214、一第三介电层290以及一像素电极292。主动层210配置于基板202上，且主动层210中具有一源极区212、一漏极区214以及位于源极区212与漏极区214之间的一通道区216。第一介电层220配置于基板202上，以覆盖主动层210。栅极250配置于部份第一介电层220上。第二介电层260配置在基板202上，且覆盖栅极250。源极270/漏极280，配置于部份第二介电层260上，且电性连接于主动层210的源极区212/漏极区214。第三介电层290配置于基板202上，且覆盖源极270/漏极280。像素电极292配置于部份第三介电层290上，且电性连接于源极270/漏极280。由于，第一介电层220、第二介电层260及第三介电层290运用于薄膜晶体管中，其也可被分别称为栅极绝缘膜、内层介电层及保护层。
请继续参照图2，第一介电层220、第二介电层260及第三介电层290的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜230与一含氮的硅合物膜240其中至少一者，且含氮的硅合物膜240的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜240的膜厚比值，较佳地，实质上大于或实质上等于0.67/um，但不限于此数值。在本实施例中，是以第一介电层220中具有一含氧的硅合物膜230与一含氮的硅合物膜240为实施范例，但并不限于此，也可选择性地仅使用一含氮的硅合物膜240。换句话说，本发明的第一介电层220、第二介电层260第三介电层290其中至少一者，至少包含本发明实施例所述的含氮的硅合物膜，并依可靠度、电性上等需求来决定是否要使用二层以上的膜别，以二层为例，则二层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜；若以三层为例，则三层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜，又另一层为含氮或含氧的硅合物，以形成类似ONO，OON，NNO，ONN的架构，并依此类推多层膜或是其它混合方式。另外，如图2所示，含氧的硅合物膜230配置于含氮的硅合物膜240上。在其它实施例中，也可以是含氮的硅合物膜240配置于含氧的硅合物膜230上。
又，当薄膜晶体管200运用于面板上时，讯号线(未图标)会电性连接于薄膜晶体管200的源极270时，输入一数据电压(未标示)于源极270，则载流子会经过通道区216传输至漏极280，以使得薄膜晶体管为开启状态，而载流子的迁移率(cm2/V-s)与此主动层210的膜内结构息息相关。在本实施例中，符合上述条件的含氮的硅合物膜240中具有一定比例的氢原子含量，且因这些氢原子大小比这些氮原子较大，因此，这些氢原子在后续的工艺中较易释出，一部份会先向下往通道区216扩散，修补晶粒边界间缺陷，进而提升薄膜晶体管200的载流子传输效率及/或少部分的氢原子仍会留在介电层220内部，并与膜中悬键产生键结修补其缺陷，降低薄膜晶体管200的漏电流，进而提升薄膜晶体管200的组件特性。然而，若这些氢原子不足以修补这些缺陷及/或悬键时，则由后来的氮原子来修补所剩余的这些缺陷及/或悬键。
另外，本实施例的氮的硅合物膜240的折射系数，于预定量测波长，例如但不限于633纳米(nm)时，实质上大于1.8，而较佳的折射系数例如是介于约1.84至约2之间，但不限于此数值。而氮的硅合物膜240的压缩应力，较佳地，例如是介于约115MPa至约-425MPa之间，但不限于此数值。
在本实施例中，薄膜晶体管200更包含一缓冲层294配置于基板202上。另外，在一实施例中，缓冲层294具有含氧的硅合物膜230与含氮的硅合物膜240其中至少一者，且含氮的硅合物膜240的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜240的膜厚比值，较佳地，实质上大于或实质上等于0.67/um，但不限于此数值。
再者，本实施例的薄膜晶体管是以顶栅型为实施范例，也可使用其它类型的顶栅型的薄膜晶体管。
实施例3图3为本发明提出的另一种薄膜晶体管示意图。请参照图3，薄膜晶体管300包括一基板302、一栅极350、一第一介电层320、一主动层310、一源极370/漏极380、一第二介电层360以及一像素电极392。栅极350配置于基板302上。第一介电层320配置于基板302上，以覆盖栅极350。主动层310配置于部份第一介电层320上，且主动层310中具有一源极区312、一漏极区314以及位于源极区312与漏极区314之间的一通道区316。源极370/漏极380连接于主动层310的源极区312/漏极区314。第二介电层360配置在基板302上，且覆盖源极370/漏极380、主动层310及第一介电层320。像素电极392配置于部份第二介电层360上，且电性连接于源极370/漏极380。
请继续参照图3，第一介电层320及第二介电层360的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜330与一含氮的硅合物膜340其中至少一者，且含氮的硅合物膜340的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值，较佳地，实质上大于或实质上等于0.67/um。在本实施例中，是以第一介电层320中具有一含氧的硅合物膜330与一含氮的硅合物膜340为实施范例，但并不限于此，也可选择性地仅使用一含氮的硅合物膜240。换句话说，本发明的第一介电层320及第二介电层360其中至少一者，至少包含本发明实施例所述的含氮的硅合物膜，并依可靠度、电性上等需求来决定是否要使用二层以上的膜别，以二层为例，则二层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜；若以三层为例，则三层都是含氮的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜，又另一层为含氮或含氧的硅合物，以形成类似ONO，OON，NNO，ONN的架构，并依此类推至多层膜。另外，如图3所示，含氧的硅合物膜330配置于含氮的硅合物膜340上。在其它实施例中，也可以是含氮的硅合物膜340配置于含氧的硅合物膜330上。
同于第二实施例的薄膜晶体管200所述，在本实施例中，符合上述条件的第一介电层320可以提升薄膜晶体管300的组件特性，在此不加累述。
另外，本实施例的含氮的硅合物膜340的折射系数，于预定量测波长，例如但不限于633纳米(nm)时，实质上大于1.8，而较佳的折射系数例如是介于约1.84至约2之间，但不限于此数值。而含氮的硅合物膜340的压缩应力，较佳地，例如是介于约115MPa至约-425MPa之间，但不限于此数值。
另外，在本实施例中，薄膜晶体管300更包含一蚀刻缓冲层362，配置于部份源极370/漏极380之下，且实质上对应于栅极350。在一实施例中，蚀刻缓冲层362具有含氧的硅合物膜330与含氮的硅合物膜340为实施范例，但并不限于此，也可选择性地仅使用一含氮的硅合物膜。换句话说，本发明的蚀刻缓冲层362，依可靠度、电性上等需求来决定是否要使用二层以上的膜别，以二层为例，则二层都是含氮的硅合物膜、二层都是含氧的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜；若以三层为例，则三层都是含氮的硅合物膜、三层都是含氧的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜，又另一层为含氮或含氧的硅合物，以形成类似ONO，OON，NNO，ONN的架构，并依此类推至多层膜或是其它混合方式。其中含氮的硅合物膜340的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜340的膜厚比值，较佳地，实质上大于或实质上等于0.67/um，但不限于此。此外，若使用含氮的硅合物膜及含氧的硅合物膜为蚀刻缓冲层时，则含氮的硅合物膜340配置于含氧的硅合物膜330上。另一实施例中，含氧的硅合物膜330也可配置于含氮的硅合物膜340上。
在本发明的一实施例中，薄膜晶体管300更包含一缓冲层394配置于基板302上，而缓冲层394具有含氧的硅合物膜330与含氮的硅合物膜340为实施范例，但并不限于此，也可选择性地仅使用一含氮的硅合物膜340及/或含氧化合物膜330。换句话说，本发明的缓冲层394，依可靠度、电性上等需求来决定是否要使用二层以上的膜别，以二层为例，则二层都是含氮的硅合物膜、二层都是含氧的硅合物膜、或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜；若以三层为例，则三层都是含氮的硅合物膜、三层都是含氧的硅合物膜或一层为含氧的硅合物膜，另一层为含氮的硅合物膜，又另一层为含氮或含氧的硅合物，以形成类似ONO，OON，NNO，ONN的架构，并依此类推至多层膜。其中含氮的硅合物膜340的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与含氮的硅合物膜340的膜厚比值，较佳地，实质上大于或实质上等于0.67/um，但不限于此。此外，若使用含氮的硅合物膜及含氧的硅合物膜为蚀刻缓冲层时，则含氮的硅合物膜340配置于含氧的硅合物膜330上。另一实施例中，含氧的硅合物膜330可配置于含氮的硅合物膜340上。又，当薄膜晶体管300运于面板上时，讯号线(未图标)会电性连接于薄膜晶体管300的源极370时，输入一数据电压(未标示)于源极370，则载流子会经过通道区316传输至漏极380，以使得薄膜晶体管为开启状态。
再者，本实施例的薄膜晶体管是以底栅型为实施范例，也可使用其它类型的底栅型的薄膜晶体管。
综上所述，本发明利用现有的工艺参数来调整介电层中的含氮的硅合物膜，因此无需额外的制作成本。另外，当含氮的硅合物膜于傅立叶转换红外线光谱分析中，符合一定关系式时，膜内的氢原子含量占有一定的比例，且因这些氢原子大小比这些氮原子较小，因此，氢原子可以在后续工艺中较易释出。而释出的氢原子，一部份会先往主动层扩散并修补晶粒边界间的缺陷，进而提升组件的载流子迁移率并降低组件的阈值电压(threshold voltage，Vth)及/或少部份的氢原子会留在介电层内部，并与膜中的悬键产生键结，以降低带电粒子被局限的机会。然而，若这些氢原子不足以修补这些缺陷及/或悬键时，则由后来的氮原子来修补所剩余的这些缺陷及/或悬键。
此外，上述实施例所述的主动层及硅层的材质包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、或上述的组合。又，上述实施例所述的导电层、栅极、源极、漏极、像素电极其中至少一者的材质，包含透明材质(如铟锡氧化物、铟锌氧化物、镉 氧化物、铝锌氧化物、氧化铪、或其它材质、或上述的组合)、反射材质(如金、银、铜、铁、锡、铅、铝、钼、钕、镉、钛、钽、铬、或其它材质、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的组合)、或上述的组合。又上述实施例所述的薄膜晶体管皆以单栅型态为实施范例为实施方式，但不限于此，也可为双栅型、三栅型、四栅型、或其它栅型。
再者，如图4所示，由上述实施例所述的薄膜晶体管200、300所驱动的像素400而数组排列所构成的显示面板500，可以跟电子组件600组合成一光电装置700。电子组件600包括如控制组件、操作组件、处理组件、输入组件、存储元件、驱动组件、发光组件、保护组件、感测组件、侦测组件、或其它功能组件、或上述的组合。而光电装置700的类型包括可携式产品(如手机、摄影机、照相机、电子相框、笔记型计算机、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器或类似的产品)、影音产品(如影音放映器或类似的产品)、屏幕、电视、广告牌、投影机内的面板等。另外，显示面板500包含液晶显示面板、有机电激发光显示面板，视其面板中的像素电极及漏极的至少一者所电性接触的材质，如液晶层、有机发光层(如小分子、高分子或上述的组合)、或上述的组合。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种介电层，包括一含氧的硅合物膜；以及一含氮的硅合物膜，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物膜的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
2.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的折射系数实质上大于1.8。
3.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的折射系数介于约1.84至约2之间。
4.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。
5.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
6.如权利要求1所述的介电层，其中该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
7.一种薄膜晶体管，包括一基板；一主动层，配置于该基板上，且该主动层中具有一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区；一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该主动层；一栅极，配置于部份该第一介电层上；一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该栅极；一源极/漏极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该主动层的该源极区/该漏极区；一第三介电层，配置于该基板上，且覆盖该源极/漏极；以及一像素电极，配置于部份该第三介电层上，且电性连接于该源极/漏极；其中，该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜与一含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数实质上大于1.8。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数介于约1.84至约2之间。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，该含氮的硅合物膜的压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。
11.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
12.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
13.如权利要求7所述的薄膜晶体管，更包含一缓冲层，配置于该基板上。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其中该缓冲层具有该含氧的硅合物膜与该含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其中，该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
16.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其中，该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
17.一种薄膜晶体管，包括一基板；一栅极，配置于该基板上；一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该栅极；一主动层，配置于部份该第一介电层上，且该主动层中具有一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区；一源极/漏极，连接于该主动层的该源极区/该漏极区；一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该源极/该漏极、该主动层及该第一介电层；以及一像素电极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该源极/漏极；其中，该第一介电层及该第二介电层的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜与一含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数实质上大于1.8。
19.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数介于约1.84至约2之间。
20.如权利要求17所述的薄膜晶体管，该含氮的硅合物膜的压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。
21.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层及该第二介电层的其中至少一者具有该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
22.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层及该第二介电层的其中至少一者具有该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
23.如权利要求17所述的薄膜晶体管，更包含一蚀刻缓冲层，配置于部份该源极/漏极之下，且实质上对应于该栅极。
24.如权利要求23所述的薄膜晶体管，其中该蚀刻缓冲层具有该含氧的硅合物膜与该含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
25.如权利要求24所述的薄膜晶体管，其中，该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
26.如权利要求24所述的薄膜晶体管，其中，该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
27.如权利要求17所述的薄膜晶体管，更包含一缓冲层，配置于该基板上。
28.如权利要求27所述的薄膜晶体管，其中该缓冲层具有该含氧的硅合物膜与该含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
29.如权利要求28所述的薄膜晶体管，其中，该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。
30.如权利要求28所述的薄膜晶体管，其中，该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。
31.一种显示面板，包含一讯号线电性连接于如权利要求7、17或23所述的薄膜晶体管。
32.一种光电装置，包含如权利要求31所述的显示面板。
全文摘要
一种介电层包括含氧的硅合物膜与含氮的硅合物膜。其中含氮的硅合物的傅立叶转换红外线光谱中，Si－N基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。上述的介电层可应用于开关组件中。
文档编号H01L23/52GK101079440SQ20071010941
公开日2007年11月28日 申请日期2007年6月18日 优先权日2007年6月18日
发明者许建宙 申请人:友达光电股份有限公司