透射反射式液晶显示器件及其制造方法

专利名称：透射反射式液晶显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及显示器件，更具体地，涉及一种透射反射式液晶显示(LCD) 器件及其制造方法。尽管本发明的实施例适合于广范围的应用，但是它尤其适 合于通过减少掩模数目而简化制造工艺和提高产品产量，也适合于通过避免产 生波状噪声而实现高图像质量。
背景技术：
随着消费者在信息显示方面兴趣的增长和对便携式(移动)信息设备需求 的增加，轻薄平板显示("FPD")的研究和商业化正在增强。在所有FPD中，液晶显示器件("LCD")是一种利用液晶的光学各向异性 来显示图像的器件。LCD器件显示出良好的分辨率和颜色以及图像质量，从而 被广泛地用于笔记本式电脑或台式监视器等。LCD包括滤色片基板、阵列基板以及在滤色片基板与阵列基板之间形成的 液晶层。通常用于LCD的有源矩阵(AM)驱动法是一种通过使用非晶硅薄膜晶体 管U-SiTFT)作为开关元件，驱动像素区中的液晶分子的方法。在LCD的制造工艺中，实施多个掩模工艺(即摄影工艺)来制造包括TFT 在内的阵列基板，因而，减少掩模工艺的数目的方法将提高生产率。现在，参看图1详细描述LCD的一般结构。图1是示出一般LCD的分解透视图。如图1所示，LCD包括滤色片基板5、阵列基板10以及在滤色片基板5与阵 列基板10之间形成的液晶层30。滤色片基板5包括具有多个实现红色、绿色和蓝色的子滤色片7的滤色片 (C)，划分子滤色片7并阻断穿过液晶层30的光透射的黑矩阵6，以及向液晶 层30施加电压的透明公共电极8。阵列基板10包括垂直和水平排列以确定出多个像素区(P)的栅线16和数
据线17，在栅线16与数据线17的各个交叉点处形成的TFT和开关元件，以及在 像素区(P)上形成的像素电极18。滤色片基板5和阵列基板10用在图像显示区边缘处形成的密封剂(未示出) 以面对的方式粘结起来，形成液晶面板，滤色片基板5与阵列基板10之间用在 滤色片基板5或阵列基板10上形成的粘结标记形成粘结。通常的LCD都是利用从设在液晶面板下部的光源如背光发出的光来表现 图像。然而，从液晶面板透射的光的实际量仅为背光所产生光的大约7%，从 而导致光的大量损失，也因此背光的能耗很高。近年来，为了解决高能耗这个问题，已经研制出不采用这类背光的反射式 LCD。透射反射式LCD采用自然光作为表现图像的方式，从而没有因背光导致 这类能耗，因此可以在便携(carried-around)状态下长时间地使用。与现有的透射式LCD不同，反射式LCD在像素区采用的是具有反射性质的 不透明材料，以反射从外部光源入射的光，从而表现图像。然而，因为自然或人造光源并不经常存在，所以反射式LCD只能用在自然 光存在的白天时间内或用在设有外部人造光源的办公室或建筑物内。即，反射 式LCD不能用在自然光不存在的黑暗环境中。为了解决这个问题，人们正在积极地研制能将采用自然光的反射式LCD 的优点与采用背光的透射式LCD的优点结合起来的透射反射式LCD。透射反射 式LCD可以根据用户意愿转变为反射模式和透射模式，而且背光的光、外部自 然光源的光或人造光源的光都可以使用，因此能耗可以降低同时不会受限于周 围环境。图2A至2F是顺序示出通常的透射反射式LCD其阵列基板的制造过程的横 截面图。如图2A所示，采用光刻工艺(第一掩模工艺)在基板上形成由导电材料 制成的栅极21。接着，如图2B所示，第一绝缘膜15a、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜顺序沉 积在其上形成有栅极21的基板10的整个表面上方，采用光刻工艺(第二掩模工 艺)选择性构图非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，以在栅极21上形成由非晶硅薄膜 形成的有源图案24。在这种情形下，以与有源图案24相同的形状构图的n+非晶硅薄膜图案25
形成于有源图案24上。此后，如图2C所示，导电金属材料沉积在阵列基板10的整个表面上方，并随后用光刻工艺(第三掩模工艺)选择性地构图，以在有源图案24的上部形 成源极22和漏极23。此时，借助于第三掩模工艺去除在有源图案24上形成的!1+ 非晶硅薄膜图案的特定部分，从而在有源图案24与源极22和漏极23之间形成欧 姆接触层25'。随后，如图2D所示，第二绝缘膜15b，即将诸如丙烯的有机绝缘膜沉积在 其上形成有源极22和漏极23的阵列基板10的整个表面上，并借助于光刻工艺 (第四掩模工艺)去除第二绝缘膜15b的一部分，形成暴露出一部分漏极23的 接触孔40。在这种情形下，如图所示，将第二绝缘膜15b的表面形成为不规则形状(即， 不平坦状、粗糙状、锯齿状、崎岖不平状、波状、起伏状、波纹状、具沟状、 铍褶状、锯齿状、凿沟状等)，以增强反射模式下的反射效率。如图2E所示，具有良好反射率的导电金属材料沉积在其上形成有第二绝缘 膜15b的阵列基板10的整个表面上方，并随后用光刻工艺(第五掩模工艺)选 择性地构图，以形成经由接触孔40与漏极23电学连接的反射电极18b。如图2F所示，透明导电金属材料沉积在阵列基板10的整个表面上，然后， 采用光刻工艺(第六掩模工艺)将像素电极18a形成在包括有形成反射电极18b 的反射部分的整个像素区上。如上所述，在制造通常的透射反射式LCD的、带有TFT的阵列基板时，需 要实施总共六次光刻工艺。即，与透射式LCD相比，通常的透射反射式LCD 需要更多光刻工艺。光刻工艺是一种将形成在掩模上的图案转印到其上沉积有薄膜的基板上 形成期望图案的工艺，光刻工艺包括多种工艺，例如涂覆感光溶液工艺、曝光 工艺、以及显影工艺等。因此，降低了产品的产量。特别地，因为设计用来形成图案的掩模相当昂贵，所以随着这些工艺所用 的掩模数量的增加，制造LCD的成本随之成比例地增长。相应地，提出一种采用具有狭缝(衍射)掩模的单掩模工艺，通过形成有 源图案和源极及漏极，四次实施掩模工艺来制造阵列基板的技术。然而，因为有源图案、源极和漏极以及数据线通过用狭缝掩模两次实施蚀刻工艺同时进行构图，所以有源图案仍会凸出地残留在源极、漏极以及数据线 的下部附近。凸出残留的有源图案由本征非晶硅薄膜形成，它暴露在从下面的背光发出的光下，产生光电流。非晶硅薄膜会对从背光发出光的闪烁作出轻微反应(react to)，反复变得激活和失活(deactivated)，而这会导致光电流发生变化。变 化的光电流成份与相邻像素电极内流动的信号耦合，从而会扭曲位于像素电极 处的液晶分子的移动。结果，产生波状噪声，使得LCD屏幕上出现波状细线。 另外，因为在数据线下部设置的有源图案具有从数据线两侧凸出一定高度 的部分，所以像素部分的开口区会被侵占与该突出高度一样的高度，从而导致 LCD孔径比的降低。发明内容相应地，本发明的实施例涉及一种液晶显示器件(LCD)及其制造方法， 其能够基本上消除由现有技术的不足和缺陷所引起的一个或多个问题。本发明的实施例的一个目的在于提供一种能够通过五次实施掩模工艺来 制造阵列基板的透射反射液晶显示器件(LCD)及其制造方法。本发明的实施例的另一个目的在于提供一种能够实现高图像质量同时不 会产生波状噪声的透射反射式LCD及其制造方法。本发明的实施例的再一个目的在于提供一种通过扩展开口区并且解决由 透明导电膜形成的像素电极与有机膜之间的粘结问题，从而能够实现高亮度的 透射反射式LCD及其制造方法。本发明实施方式的其他的特征和优点将在下面的说明中得以阐述，而且从 下面的说明中部分地将变得明显，或者从本发明实施例的实施可以获知。借助 于尤其在书面说明及其权利要求以及附图中指明的结构，本发明实施方式的这 些目的以及其他的优点将可以实现和获得。为了实现这些目标和其他优点，依照本发明实施例的目的，如此处具体和 广泛描述地， 一种透射反射式液晶显示器件(LCD)，包括划分成像素部及 第一和第二焊盘部的第一基板；在第一基板的像素部上形成的栅极和栅线；在 第一基板上形成的第一绝缘膜；在栅极的顶部形成为岛状的、并具有比栅极宽 度小的有源图案；在第一基板上和在有源图案的源区和漏区上形成的欧姆接触
层和阻挡金属层；在第一基板的像素部上形成的、并经由欧姆接触层和阻挡金 属层与有源图案的源区和漏区电连接的源极和漏极；在第一基板的像素部上形 成的、并与栅线交叉以限定包含反射部分和透射部分的像素区的数据线；在像 素区的透射部分上形成的、并与漏极电连接的像素电极；在源极、漏极和数据 线的底部上形成的并由形成像素电极的导电膜形成的源极图案、漏极图案和数 据线图案；在像素区的反射部分形成的、并与漏极和像素电极电连接的反射电 极；暴露像素区的像素电极的第二绝缘膜；以及以面对的方式粘接在第一基板 上的第二基板。为了实现这些和其他优点，并依照本发明实施例的目的，如此处具体和广 泛描述地， 一种制造透射反射式液晶显示器件LCD的方法，包括提供划分 成像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；在第一基板的像素部上形成栅极和 栅线；在第一基板上形成第一绝缘膜；在栅极的顶部形成岛状的有源图案，并 在有源图案上形成n+非晶硅薄膜图案和导电膜图案；在第一基板的像素部上 形成源极和漏极，并形成与栅线交叉的数据线，以限定包含反射部分和透射部 分的像素区；在像素区的透射部分上形成由透明导电膜形成的像素电极；在第 一基板上形成第二绝缘膜；在像素区的反射部分上形成由不透明导电膜形成的 反射电极；以及粘接第一和第二基板。应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，其 旨在提供对在权利要求书所述的本发明的进一步说明。


所包括的附图提供对本发明的进一步理解，并结合构成本说明书的一部 分，其示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在 附图中图1是示出通常液晶显示器件(LCD)的分解透视图； 图2A至图2F是顺序示出通常透射反射式LCD的阵列基板的制造工艺的 横截面视图；图3是示出依照本发明实施例的透射反射式LCD的阵列基板的一部分的 平面图；图4A至4H是示出沿图3所示阵列基板的IHa-IIIa，、 IIIb-nib，禾B IIIc-IIIc'
线所取的制造工艺的横截面试图；图5A至5E是顺序示出图3所示阵列基板的制造工艺的平面图； 图6A至6F是示出图4B和5B的第二掩模工艺的横截面试图。
具体实施方式
现在，将参照附图详细描述这种透射反射式液晶显示器件(LCD)及其制 造方法。图3是示出依照本发明实施例的透射反射式LCD的阵列基板的一部分的 平面图，其中为了解释的目的，示出了包含栅焊盘部和数据焊盘部的单个像素。实际上，形成了相互交叉的N个栅线和M个数据线，以限定MxN个像 素。为了简化说明，仅示出单个像素。如图所示，形成垂直和水平排列的栅线116和数据线，以在阵列基板110 上限定像素区。薄膜晶体管(TFT)，作为开关元件，形成于栅线116与数据 线117的交叉处。像素电极118a和反射电极118b形成在像素区内，并与TFT 连接，与滤色片基板(未示出)的公共电极一起驱动液晶(未示出)。像素区指的是栅线116与数据线117交叉限定的图像显示区，它包括形成 有反射电极118b的反射部分(R)以实施反射模式，以及形成有像素电极118a 的透射部分(T)以实施透射模式。g卩，利用像素区内的反射部分(R)和透 射部分(T)，在反射模式下，从外部入射的光被反射电极118b反射，以发射 到外部显示图像，在透射模式下，从背光发出的光透射穿过像素电极118a以 显示图像。栅焊盘电极126p和数据焊盘电极127p形成在阵列基板110的边缘部分 处，并且与栅线116和数据线117电连接，并分别将从外部驱动电路单元(未 示出)提供的扫描信号和数据信号传送到栅线116和数据线117。艮卩，栅线116和数据线117延伸到驱动电路单元，以连接到相应的栅悍盘 线116p和数据焊盘线U7p上，栅焊盘线116p和数据焊盘线117p通过与栅焊 盘线116p和数据焊盘线117p电连接的栅焊盘电极126p和数据焊盘电极127p 接收来自于驱动电路单元的扫描信号和数据信号。这里，参考数字140表示栅焊盘部接触孔，而栅焊盘电极126p经由该栅 焊盘部接触孔140与栅焊盘线117p电连接。TFT包括与栅线116连接的栅极121，与数据线U7连接的源极122， 以及与像素电极118a和反射电极118b连接的漏极123。 TFT还包括有源图案 124，该有源图案124通过向栅极121提供的栅压，在源极122与漏极123之间形成导电沟道。在本发明的实施例中，有源图案124是由非晶硅薄膜形成，并且成岛状形 成于栅极121的顶部，从而减小TFT的截止电流。在由不透明导电材料制成的源极122、漏极123以及数据线117的底部， 形成有源极图案(未示出)、漏极图案(未示出)以及数据线图案(未示出)， 这些源极图案、漏极图案以及数据线图案以与源极122、漏极123以及数据线 117相同的形状构图并由透明导电材料制成。虽然没有详细示出，但是由不透明导电膜形成的反射电极118b形成于由 有机膜形成并具有崎岖不平表面的第二绝缘膜上。在本发明的实施例中，因为由透明导电膜形成的像素电极118a、源极图 案、漏极图案以及数据线图案形成于源极、漏极123和数据线117之下，而且 第二绝缘膜形成在源极122、漏极123和数据线117之上，所以在第二绝缘膜 与透明导电膜之间没有粘结问题。即，在由有机膜形成的第二绝缘膜与由ITO 或IZO形成的透明导电膜之间存在着粘结问题，因而在形成具有崎岖不平表 面的第二绝缘膜时，必需实施等离子处理。但是在本发明的实施例中，因为由 透明导电膜形成的像素电极118a、源极图案、漏极图案和数据线图案形成于 源极122、漏极123以及数据线117之下，所以可以基本上消除第二绝缘膜与 透明导电膜之间的粘结问题。源极122的一部分沿一个方向延伸以形成一部分数据线117，而漏极图案 的一部分向像素区延伸以形成像素电极118a。前一栅极线116'的一部分与像素电极118a的一部分交叠，第一绝缘膜(未 示出)夹在其间，形成存储电容Cst。存储电容Cst用来均匀地保持施加在液 晶电容上的电压，直至接收到下一个信号。即，阵列基板110的像素电极118a 与滤色片基板的公共电极一起形成液晶电容，并且通常，施加在液晶电容上的 电压不会被保持，直至下一个信号被接收到，但该下一个信号会泄漏。因此， 为了均匀地保持施加的电压，存储电容Cst应当与液晶电容相连接。除保持信号之外，存储电容还可以具有稳定灰度显示、降低闪烁效应、减
少残留图像形成等这些效果。在依照本发明实施例的LCD中，采用单个掩模，对源极122和漏极123、 像素电极118a以及焊盘部电极126p和127p进行构图，并同样应用单个掩模 像素区和焊盘部形成开口，从而阵列基板110可以通过使用四个掩模总共五次 地实施掩模工艺进行制造。现在，将在下面描述LCD的这种制造方法。图4A至图4H是示出沿图3所示阵列基板的ina-IIIa'、nib-IIIb'禾n IIIc-IIIc' 线所取的制造工艺的横截面图。左侧示出的是制造像素部分的阵列基板的工 艺，而右侧示出的是制造数据焊盘部和栅焊盘部的阵列基板的顺序制造工艺。图5A至图5E是顺序示出图3所示的阵列基板的制造工艺的平面图。如图4A和5A所示，位于由诸如玻璃的透明绝缘材料制成的阵列基板110 其像素部分上的栅极121和栅线116、 116，，并且栅焊盘线116p形成于阵列基 板110的栅焊盘部上。参考数字116'指的是相对于对应像素的前一个栅线，对应像素的栅线116 和前一个栅线116'以相同的方式形成。在这种情形中，栅极121、栅线116和116，以及栅焊盘线116p都是通过 沉积第一导电膜而形成在阵列基板110的整个表面上，并且借助于光刻工艺 (第一掩模工艺)选择性地进行构图。这里，第一导电膜可以由诸如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、 铬(Cr)以及钼(Mo)或类似物的低电阻的不透明导电材料制成。同样，第 一导电膜还可以通过堆叠两种或更多种低电阻导电材料形成为多层结构。接下来，如图4B和5B所示，第一绝缘膜115a、非晶硅薄膜、n+非晶硅 薄膜以及第二导电膜形成在其上形成有栅极121、栅线116和116，以及栅焊盘 线116p的阵列基板110的整个表面上，然后借助于光刻工艺(第二掩模工艺) 选择性地去除，从而在栅极121的顶部形成由非晶硅薄膜形成的有源图案124， 同时还形成暴露出一部分栅焊盘线116p的栅焊盘部接触孔140。由n+非晶硅薄膜和第二导电膜形成的，并具有与有源图案124相同图案 的n+非晶硅薄膜图案125，和导电膜图案130，保留在有源图案124上。在本发明的实施例中，栅焊盘部接触孔140沿着基本上平行于栅焊盘线 116p的方向形成。然而，不论栅焊盘部接触孔140的结构怎样，本发明都是 可以应用的。
这里，在本发明的实施例中，有源图案124成岛状物形成在栅极121上方，并且形成在栅极121周边限定的边界内，第一绝缘膜115a夹在栅极121与有 源图案124之间，有源图案124和栅焊盘部接触孔140使用单一掩模形成，例 如半色调掩模或衍射(狭缝)掩模(以下，假设提到半色调掩模表明还包括衍 射掩模)。现在，将在下面详细描述第二掩模工艺。图6A至图6F是详细示出图4B和5B的第二掩模工艺的横截面视图。如图6A所示，第一绝缘膜115a、非晶硅薄膜120、 n+非晶硅薄膜125以 及第二导电膜130形成在其上形成有栅极121、栅线116和116'以及栅焊盘线 116p的阵列基板110的整个表面上。在这种情形中，第二导电膜130被用作阻挡金属层，其降低了在n+非晶 硅薄膜上形成的欧姆接触层与由透明导电膜(将要说明)形成的源/漏极图案 之间的接触阻抗，该第二导电膜130可以通过应用诸如钼的导电材料形成为约 50埃 100埃的厚度。其后，如图6B所示，由诸如光刻胶的感光材料制成的第一感光膜170形 成在阵列基板110的整个表面上方，光穿过半色调掩模180选择性地辐射到该 第一感光膜170上。在本发明实施例中使用的半色调掩模180包括第一透射区(I)、第二透 射区(II)、以及第三透射区(III)，第-一透射区(I)允许辐射光完全地从其 中透过，第二透射区(II)只允许部分光从其中透过而阻挡剩余光，第三透射 区(III)完全阻挡辐射光。只有透射穿过半色调掩模180的光才能辐射到第一 感光膜170上。接着，如图6C所示，当对用半色调掩模180曝光过的第一感光膜170进 行显影时，第一和第二感光膜图案170a和170b保留在光被阻挡区(III)和第 二透射区(II)完全阻挡或部分阻挡的那些区域上，而位于光完全透射穿过的 透射区(I)上的第一感光膜被完全去除，从而暴露出第二导电膜130的表面。此时，在阻挡区III形成的第一感光膜图案170a厚于借助于第二透射区II 形成的第二感光膜图案170b。另外，在光完全透射穿过第一透射区I的区上的 感光膜已经被完全去除。这是因为使用的是正性光刻胶。但是，在本发明的实 施例中还可以使用负性光刻胶。其后，如图6D所示，第一绝缘膜115a、非晶硅薄膜120、 n+非晶硅薄膜
125以及第二导电膜130使用第一和第二感光膜图案170a和170b作为掩模选 择性地去除，以在阵列基板110的栅焊盘部形成暴露出栅焊盘线116p —部分 的栅焊盘部接触孔140。然后，实施灰化工艺，以去除一部分第一感光膜图案170a和全部第二感 光膜图案170b。随后，如图6E所示，完全地去除了第二透射区II的第二感光 膜图案。在这种情形下，通过只在对应于阻挡区III的有源图案区上去除该厚度的 第二感光膜图案，第一感光膜图案保留作为第三感光膜图案170，。其后，如图6F所示，非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜以及第二导电膜这些部 分使用剩余的第三感光膜图案170a，作为掩模加以去除，以在栅极121上方形 成岛状的有源图案124，该有源图案124形成在栅极121的周边限定的边界内， 因而降低了 TFT的截止电流。此时，由n+非晶硅薄膜和第二导电膜形成并以与有源图案124相同方式 构图的n+非晶硅薄膜图案125，和导电膜图案130，保留在有源图案124的顶部。在本发明的实施例中，有源图案124成岛状形成在栅极121之上，并形成 在由栅极121的周边限定的边界内，因而降低了 TFT的截止电流。接下来，如图4C和4D所示，第三和第四导电膜150和160沉积在其上 形成有有源图案124的阵列基板110的整个表面上方。已被构图成具有某种形状的第二感光膜270形成在阵列基板110上(第三 掩模工艺)。此后，如图4E和5C所示，第三和第四导电膜150和160这些部分使用 第二感光膜270作为掩模去除，以在阵列基板110的像素部分上形成由第三导 电膜形成的像素电极118a，同时阵列基板110的像素部分上形成由第四导电 膜形成的源极122、漏极123和数据线117。另外，借助于第三掩模工艺，由第三导电膜形成的数据焊盘电极127p和 栅焊盘电极126p形成在阵列基板110的数据焊盘部和栅焊盘部上。在这种情形下，在源极122、漏极123和数据线117的下部上，形成由第 三导电膜形成并依据源极122、漏极123和数据线117的形状构图的源极图案 122'、漏极图案123'和数据线图案(未示出)。另外，由第四导电膜形成并依据像素电极118a、数据焊盘电极127p和栅
焊盘电极126p的形状构图的像素电极图案160'、数据焊盘电极图案160"和栅 焊盘电极图案160'"仍保留在像素电极118a、数据焊盘电极127p和栅焊盘电 极126p的顶部。形成在有源图案124上的n+非晶硅薄膜图案125，的特定区通过第三掩模 工艺去除，以形成允许有源图案124和源极122、漏极123彼此欧姆接触的欧 姆接触层125"，而且由第二导电膜制成并以与欧姆接触层125"相同形状构图 的阻挡金属层130"形成在欧姆接触层125"的顶部。在这种情形下，栅焊盘电极126p经由栅焊盘部接触孔140与下部的栅焊 盘线116p电连接，而且像素电极118a与漏极图案123'连接，从而与漏极123 电连接。这里，第三导电膜由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的具有良 好透射率的透明导电材料制成，以形成像素电极118a、数据焊盘电极127p和 栅焊盘电极126p。第四导电膜由诸如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)以 及钼(Mo)或类似物的低电阻不透明材料制成，以形成源极122、漏极123 和数据线。在本发明的实施例中，由非晶硅薄膜形成的有源图案的尾部(tail)不会 在数据线117的底部形成，因此不会存在任何可能由该尾部对数据线117引起 的信号干扰和因有源图案尾部宽度的增加而引起的孔径比增大。另外，因为有 源图案没有任何尾部，所以不会产生任何波状噪声，从而LCD具有很高的图 像质量。例如，如上面提到地，在通过单个掩模工艺用狭缝掩模形成有源图案、 源极、漏极以及数据线的过程中，在数据线的底部会形成有源图案的尾部，并 且因为该有源图案的尾部比数据线的宽度宽，所以会引起数据线的信号干扰和 孔径比的恶化。如图4F、 4G和5D所示，己被构图成具有某种形状的第二绝缘膜115b 和第三感光膜370形成在阵列基板110的整个表面上，然后第二绝缘膜115b 用光刻工艺(第四掩模工艺)选择性地去除，以打开像素区和焊盘部。在这种 情形下，第二绝缘膜115b由诸如光亚克力(photoacryl)的有机膜形成为在反 射部分上具有崎岖不平的表面。该崎岖不平的表面用来提高反射部分的反射 率。
在这种情形下，如上面提到地，因为由透明导电膜形成的像素电极118a、 源极图案122'、漏极图案123'以及数据线图案117'形成在源极122、漏极123 以及数据线117的下面，并且第二绝缘膜115b形成在源极122和漏极123上， 所以可以避免第二绝缘膜115b与透明导电膜(即，像素电极118a、源极图案 122'、漏极图案123'以及数据线图案117')之间的粘结问题。像素电极图案160'、数据焊盘电极图案160"以及栅焊盘电极图案160"' 用第四掩模工艺去除，以暴露出像素电极118a、数据焊盘电极127p和栅焊盘 电极126p。对应像素电极118a的一部分与前一个栅线116'的一部分相交叠，从而与 前一个栅线116'—起形成存储电容Cst，第一绝缘膜115a夹在其间。其后，如图4H和5E所示，第五导电膜形成在阵列基板110的整个表面 上方，并使用光刻工艺(第五掩模工艺)选择性地去除，以在反射部分形成反 射电极U8b。第五导电膜可以由诸如铝的具有良好反射率的导电材料制成，以形成反射 电极118b。依照本发明实施例的阵列基板通过向图像显示部分的外周缘施加密封剂， 以面对的方式粘接在滤色片基板上。在这种情形下，滤色片基板包括用以避免 光泄漏给TFT的黑矩阵，栅线和数据线，以及用以实现红色、绿色和蓝色的 滤色片。滤色片基板与阵列基板借助于在滤色片基板或阵列基板上形成的粘接标 记进行粘接。在本发明的实施例中，尽管将采用非晶硅薄膜的有源图案和非晶硅TFT 用作一个例子，但是本发明不限于此，也是可以使用采用多晶硅薄膜的有源图 案和多晶硅TFT。本发明还可以应用于用TFT制造的其他不同显示器件，例如OLED (有 机发光二极管)显示器件，其中OLED与驱动晶体管相连接。由于本发明可以不同形式具体表达，而不偏离其精神或实质特征，因此还 应当理解以上所述的实施方式不限于前述描述的具体内容，除非特别说明，而 应当在所附的权利要求书中限定的精神和范围内宽泛地解释，并因此落入权利 要求书范围内的所有的变化和修改意欲由所附的权利要求书包含。
权利要求
1.一种制造透射反射式液晶显示器件的方法，其特征在于，包括提供划分成像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；在所述第一基板的所述像素部上形成栅极和栅线；在所述第一基板上形成第一绝缘膜；在所述栅极的顶部形成成岛状的有源图案，并在所述有源图案上形成n+非晶硅薄膜和导电膜图案；在所述第一基板的所述像素部上形成源极和漏极，并形成与所述栅线交叉的数据线，以限定包含反射部分和透射部分的像素区；在所述像素区的所述透射部分上形成由透明导电膜形成的像素电极；在所述第一基板上形成第二绝缘膜；在所述像素区的所述反射部分上形成由不透明导电膜形成的反射电极；以及粘接所述第一和第二基板。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第一焊盘部上形成栅焊盘线。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n+非晶硅薄膜和所述 导电膜图案形成为具有与所述有源图案相同的形状。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电膜图案由诸如钼 的低电阻导电材料制成。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电膜图案具有约50 埃至IOO埃的厚度。
6. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一歩包括 去除所述第一绝缘膜，以形成暴露出一部分所述栅焊盘线的接触孔。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一歩包括 去除所述n+非晶硅薄膜图案和所述导电膜图案这些部分，以形成欧姆接触层和阻挡金属层。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极经由所述 欧姆接触层和所述阻挡金属层与所述有源图案的所述源区和漏区电连接。
9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括 在所述源极、所述漏极以及所述数据线的底部上形成以与所述源极、所述漏极以及所述数据线相同的形状构图的源极图案、漏极图案以及数据线图案， 而且，所述源极图案、所述漏极图案以及所述数据线图案由所述透明导电膜形 成。
10. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第二焊盘部上形成数据焊盘线。
11. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括 形成经由所述接触孔与所述栅焊盘线电连接的栅焊盘电极。
12. 根据权利要求IO所述的方法，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第二焊盘部上形成与所述数据焊盘线电连接的数据焊盘电极。
13. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜的一部分 被去除，以暴露出所述像素部的所述像素电极。
14. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜形成为具 有崎岖不平的表面。
15. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜由诸如光亚克力的有机膜形成。
16. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射电极与所述漏极和所述像素电极电连接。
17. —种透射反射式液晶显示器件，其特征在于，包括划分成像素部及第一和第二焊盘部的第一基板，-在所述第一基板的所述像素部上形成的栅极和栅线； 在所述第一基板上形成的第一绝缘膜；在所述栅极的顶部形成为岛状的、并具有比所述栅极小的宽度的有源图案；在所述第一基板上和在所述有源图案的源区和漏区上形成的欧姆接触层 和阻挡金属层；在所述第一基板的所述像素部上形成的、并经由所述欧姆接触层和所述阻 挡金属层与所述有源图案的所述源区和漏区电连接的源极和漏极；在所述第一基板的所述像素部上形成的、并与所述栅线交叉以限定包含反 射部分和透射部分的像素区的数据线；在所述像素区的所述透射部分上形成的、并与所述漏极电连接的像素电极；在所述源极、所述漏极和所述数据线的底部上形成的并由形成所述像素电 极的导电膜形成的源极图案、漏极图案和数据线图案；在所述像素区的所述反射部分形成的、并与所述漏极和所述像素电极电连 接的反射电极；暴露出所述像素区的所述像素电极的第二绝缘膜；以及以面对的方式粘接在所述第一基板上的第二基板。
18. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第一焊盘部上形成的栅焊盘线。
19. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述导电膜图案是由诸 如钼的低电阻导电材料制成。
20. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述导电膜图案具有约 50埃至100埃的厚度。
21. 根据权利要求18所述的器件，其特征在于，进一步包括 通过去除一部分所述第一绝缘膜形成的，并暴露出一部分所述栅焊盘线的接触孔。
22. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述源极图案、所述漏 极图案以及所述数据线图案以与所述源极、所述漏极以及所述数据线相同的形 状进行构图。
23. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第二焊盘部上形成的数据焊盘线。
24. 根据权利要求21所述的器件，其特征在于，进一步包括 经由所述接触孔与所述栅焊盘线电连接的栅焊盘电极。
25. 根据权利要求23所述的器件，其特征在于，进一步包括 在所述第一基板的所述第二焊盘部上形成的并与所述数据焊盘线电连接的数据焊盘电极。
26. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述第二绝缘膜的一部分被去除，以暴露出所述像素区的所述像素电极。
27. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于具有崎岖不平的表面。
28. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于 光亚克力的有机膜形成。
29. 根据权利要求17所述的器件，其特征在于 极和所述像素电极电连接。所述第二绝缘膜形成为 所述第二绝缘膜由诸如 所述反射电极与所述漏
全文摘要
一种透射反射式液晶显示器件，包括划分成像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；在第一基板的像素部上形成的栅极和栅线；在第一基板上形成的第一绝缘膜；在栅极的顶部形成为岛状的、并具有比栅极小的宽度的有源图案；在第一基板上和在有源图案的源区和漏区上形成的欧姆接触层和阻挡金属层；在第一基板的像素部上形成的、并经由欧姆接触层和阻挡金属层与有源图案的源区和漏区电连接的源极和漏极；在第一基板的像素部上形成的、并与栅线交叉以限定包含反射部分和透射部分的像素区的数据线；在像素区的透射部分上形成的、并与漏极电连接的像素电极；在源极、漏极和数据线的底部上形成的并由形成像素电极的导电膜形成的源极图案、漏极图案和数据线图案；在像素区的反射部分形成的、并与漏极和像素电极电连接的反射电极；暴露出像素区的像素电极的第二绝缘膜；以及以面对的方式粘接在第一基板上的第二基板。
文档编号H01L21/84GK101211862SQ200710302369
公开日2008年7月2日 申请日期2007年12月25日 优先权日2006年12月26日
发明者林柄昊, 金东瑛 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社