专利名称：发光二极管的结构改良的制作方法
技术领域：
本实用新型有关一种发光二极管，尤针对发光二极管的封装体构造 加以改良，进而提升整体发光二极管的亮度表现效果。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode ， LED )是一种利用电子电洞的相 互结合将能量以光形式释发的半导体组件，由于属冷光发光，具有体积 小、寿命长、耗电量低、反应速率快、耐震性特佳等优点，故广泛做为 各种电器、信息看板、通讯产品等的发光组件。又， 一般发光二极管的基本构造，是利用金线构成发光芯片(亦即半 导体芯片)与相关电路的连结，再由相关的封装材将发光芯片包覆使成为具有机械结构强度的封装体，以在发光芯片通电作用下，令发光芯片产 生光源并且经由所包覆的封装体向外照射，或是由发光芯片的光源与封 装材当中的效果材(例如萤光材)的波长结合，以形成预期的光色。因此，包覆在发光芯片外部的封装体对光源的散发特性(光使用率) 将足以影响整体发光二极管的亮度表现效果；换言之，若能够改善封装 体的光使用率，亦可达到提升发光二极管亮度表现效果的目的。实用新型内容本实用新型的主要目的即在提供一种有效降低光源朝向左右方向扩 散乱窜的现象，进而大幅提升整体亮度表现效果的发光二极管结构。本实用新型所釆用的技术方案为 一种发光二极管的结构改良，在 发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学 机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间 形成两个非等角度的平面出光面。一种发光二极管的结构改良，在发光二极管的封装体顶面建构有用
以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干弧形沟槽所构成，使切 割成若干曲面状的出光面。一种发光二极管的结构改良，在发光二极管的封装体顶面建构有用 以产生聚光作用的光学机制；该光学机制为若干建构在封装体表面的浮 凸网点。其中，该封装体顶面为平板状。 其中，该封装体顶面为球面状。 其中，该封装体中设有若干扩散粒子。一种发光二极管的结构改良，发光二极管的发光芯片与封装体间具 有空气层，而封装体靠近空气层处设有用以产生聚光效果的光学机制。其中，该光学机制为若干两侧角度不对等的V型沟槽。其中，该光学机制为若干弧形沟槽。其中，该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。本实用新型的有益效果为主要在发光二极管的封装体的顶面设有 由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果 提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光 学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象， 而可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。
图1为本实用新型第一实施例的发光二极管外观立体图； 图2为本实用新型第一实施例的发光二极管结构剖视图； 图3为本实用新型中V型沟槽的放大示意图； 图4为本实用新型第二实施例的发光二极管结构剖视图； 图5为本实用新型第三实施例的发光二极管结构剖视图； 图6为本实用新型第四实施例的发光二极管结构剖祸L图； 图7为本实用新型第五实施例的发光二极管结构剖视图； 图8为本实用新型第四实施例的发光二极管结构立体图； 图9为本实用新型第六实施例的发光二极管结构剖视图；图10为本实用新型第七实施例的发光二极管结构剖视图图号"i兌明IO发光二极管 ll封装体 lll光学机制 112扩散粒子 12发光芯片 13金线 14电路接脚 15空气层具体实施方式
如图1本实用新型第一实施例的发光二极管外观立体图、图2本实 用新型第一实施例的发光二极管结构剖视图所示，整个发光二极管10基 本上利用金线13构成发光芯片12与相关电路接脚14的连结，再由封装 材将发光芯片12包覆使成为具有机械结构强度的封装体11,令发光芯 片12产生光源经由所包覆的封装体11向外照射。重点在于封装体11的顶面设有用以产生聚光效果的光学机制111， 透过光学机制111所产生的聚光效果提高封装体11的光使用效率，使发 光二极管10内部的光源集中经由该光学机制111朝特定方向发射，有效 降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，大幅提升整体发光二极管的亮 度表现效果。在具体实施时，设在封装体11顶面的光学机制111可以由如图1及 图2所示的若干V型沟槽所构成，请同时配合参照图3本实用新型中V 型沟槽的放大示意图所示，各V型沟槽为两侧角度不对等的沟槽，使相 邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面；或是如图4本实用 新型第二实施例的发光二极管结构剖视图所示，由若干弧形沟槽构成封 装体11顶面的光学机制111，利用弧形沟槽所切割成的曲面做为发光二 极管的出光面。当然，其光学机制ill亦可以由若干建构在封装体11表面的浮凸网 点所构成，如图5所示，同样可以产生聚光效果，使发光二极管内部的 光源集中经由该光学机制111朝特定方向发射，改善光源朝向左右方向 扩散乱窜的现象。 在上述的实施例当中，发光二极管10的封装体11顶面为平板状，其光学机制111以建构在整个封装体11顶面区域为佳，不但可以提升发 光二极管的亮度表现效果，更可使整个发光二极管的发光区域呈现均匀的亮度；再者，发光二极管10的封装体11顶面为如图6至图8所示的 球面状时，其光学机制ill以建构在封装体11顶面的整个球体区域为佳， 使整个发光二极管的发光区域呈现均匀的亮度。藉由上述在封装体顶面建构光学机制的改良，确实可使发光二极管 内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左 右方向扩散乱窜的现象，进而大幅提升整体发光二极管的亮度，以及使 发光二极管的发光区域呈现均匀的亮度表现效果。再者，该封装体11中亦可设有若干扩散粒子112,如图4及图5所 示，使发光芯片12所发出的光线经由各扩散粒子112可增加折射角度。另外，如图9所示如本实用新型的第六实施例，其发光芯片12与封 装体11间具有空气层15，而封装体11靠近空气层15处设有用以产生聚 光效果的光学机制111,亦可如图IO所示，同时于封装体ll的顶面设有 光学机制111，其光学机制111可如图所示的若干两侧角度不对等的V 型沟槽所构成，亦可由若干弧形沟槽构成，或者由浮凸网点所构成，同 样可以改善光源朝向左右方向扩散乱窜的现象。本实用新型的技术内容及技术特点巳揭示如上，然而熟悉本项技术 的人士仍可能基于本实用新型的揭示而作各种不背离本案实用新型精神 的替换及修饰。因此，本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示者， 而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰，并为以下的申请专利范 围所涵盖。
权利要求1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。
2、 一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装 体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干弧形沟槽所构成，使切割成若干曲面状的出光面。
3、 一种发光二极管的结构改良，其特征在于在发光二极管的封装 体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。
4、 如权利要求l、 2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于， 该封装体顶面为平板状。
5、 如权利要求l、 2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于， 该封装体顶面为球面状。
6、 如权利要求l、 2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于， 该封装体中设有若干扩散粒子。
7、 一种发光二极管的结构改良，其特征在于，发光二极管的发光芯 片与封装体间具有空气层，而封装体靠近空气层处设有用以产生聚光效 果的光学机制。
8、 如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光学 机制为若干两侧角度不对等的V型沟槽。
9、 如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光学 机制为若干弧形沟槽。
10、 如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光 学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。
专利摘要本实用新型发光二极管的结构改良在封装体的顶面设有由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，俾可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。
文档编号H01L33/00GK201044244SQ20072014138
公开日2008年4月2日 申请日期2007年4月2日 优先权日2007年4月2日
发明者曾文保, 江新鉴, 郑廷栋 申请人:亚帝欧光电股份有限公司