布线板制造方法、半导体器件制造方法以及布线板的制作方法

专利名称：布线板制造方法、半导体器件制造方法以及布线板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制造布线板的方法、 一种制造半导体器件的方 法以及布线板，更具体地说，本发明涉及一种制造被构成能提高多层 基板的电极焊盘形成一部分的可靠性的布线板的方法、制造半导体器 件的方法、以及布线板。
背景技术：
例如，作为一种形成用于将裸片连接至基板或用于将封装基板 连接至母板的BGA (Ball Grid Array,球栅阵列封装)球的方法， 己知一种制造方法在基板上形成多个电极，然后形成具有与电极相 通的孔的阻焊膜，通过热处理(回流)使得置于每个孔的开口上的焊 球熔融，并且焊接焊球从而使得焊球被熔融至孔中的电极，并且在阻 焊膜的表面上以突出的状态形成焊料块。
另一方面，随着裸片尺寸的降低和集成的增加，使得裸片安装 在多层基板上的封装也跟着发展了 (例如，见专利文献l)。
图1示出传统布线板结构的示例。在图1所示的布线板的结构 中，层被布置成这样电极焊盘IO的外周被第一绝缘层12覆盖，电 极焊盘10的上表面被第二绝缘层13覆盖，从电极焊盘10的上表面 中心向上延伸的通孔14穿过第二绝缘层13，因此通孔14在上部与 布线部分16连接。电极焊盘10的结构中布置了 Au层17和Ni层18， 并且该结构被布置成Au层17的表面暴露给第一绝缘层12并且通孔 14与Ni层18连接。
而且，在某些情况下，半导体芯片通过焊料块安装在电极焊盘 10上，而在其它情况下，焊球或引脚被焊接至电极焊盘10上。因此， 在具有多层结构的布线板中，电极焊盘10被用作裸片装载焊盘或外
部连接焊盘。[专利文献1]
日本专利第3635219号(JP-A-2000-323613)
然而，在图l所示的布线板中，电极焊盘10的外周是比较平滑 的。因此，与第一绝缘层12的粘附力小。在通过回流处理进行加热 时，基于第一决绝缘层12和电极焊盘IO之间的热膨胀差异可能产生 热应力，这将导致与电极悍盘10的外周接触的分界部分产生分层， 并且第一绝缘层12的一部分会发生破裂。
而且，在由于通过回流处理的加热而使得与电极焊盘10的角部 分(B部分)的外周接触的第一绝缘层12的一部分破裂的情况下， 存在这样的问题，可能会产生从电极悍盘10的角部分(A部分)朝 向第二绝缘层13的裂缝20。
而且，在裂缝20变大的情况下，第二绝缘层13上的布线部分 16可能被截断。

发明内容
考虑到这些情况，因此，本发明的目的是提供能解决这些问题 的一种制造布线板的方法、 一种制造半导体器件的方法以及布线板。 为了解决这些问题，本发明具有以下方法。
根据本发明的第一方面，提供了一种制造布线板的方法，该方
法包括
第一步骤，在支撑基板上形成第一绝缘层； 第二步骤，在第一绝缘层上形成用于暴露支撑基板的开口； 第三步骤，在开口上形成具有突出部分的电极焊盘，该突出部 分在圆周方向上从布置在第一绝缘层上的开口突出；
第四步骤，在其上布置有电极焊盘的第一绝缘层上形成第二绝
缘层；
第五步骤，在第二绝缘层上形成与电极焊盘电连接的布线层；
以及
第六步骤，去除支撑基板以暴露电极焊盘。
根据本发明的第二方面，提供一种制造布线板的方法，该方法包括
第一步骤，在支撑基板上形成抗蚀膜； 第二步骤，在抗蚀膜上形成用于暴露支撑基板的开口； 第三步骤，在开口上形成具有突出部分的电极焊盘，该突出部 分在圆周方向上从布置在抗蚀膜上的开口突出； 第四步骤，去除抗蚀膜；
第五步骤，形成绝缘层以覆盖电极焊盘的表面； 第六步骤，在绝缘层的表面上形成将与电极焊盘电连接的布线 层；以及
第七步骤，去除支撑基板以暴露电极焊盘。
根据本发明的第三方面，提供了一种制造布线板的方法，该方 法还包括
在第一绝缘层的开口上进行粗糙化处理的步骤。 根据本发明的第四方面，提供了一种制造布线板的方法，该方 法进一步包括
去除抗蚀膜并随后在电极焊盘的表面上进行粗糙化处理的步骤。
根据本发明的第五方面，提供了根据第一方面的制造布线板的 方法，其中
支撑基板由金属形成；
第三步骤包括在支撑基板和电极焊盘之间形成与支撑基板类型 相同的金属层的步骤，以及
第六步骤用于去除支撑基板并且用于去除金属层以使得电极焊 盘的暴露表面形成凹进部分。
根据本发明的第六方面，提供了根据第二方面的制造布线板的 方法，其中
支撑基板由金属形成；
第三步骤包括步骤在支撑基板和电极焊盘之间形成与支撑基 板类型相同的金属层；并且
第七步骤用于去除支撑基板并且用于去除金属层以使得电极焊盘的暴露表面形成凹进部分。
根据本发明的第七方面，提供了一种制造半导体器件的方法， 该方法使用了根据第一至第六方面中的任何一个方面的制造布线板 的方法，该方法包括以下步骤
通过焊料块将半导体芯片安装在电极焊盘上；
根据本发明的第八方面，提供了一种布线板，该布线板包括
电极焊盘；以及
用于覆盖电极焊盘表面的绝缘层，其中
电极焊盘上形成了突出部分，该突出部分从被绝缘层包围的电 极焊盘的一个表面侧的外周沿圆周方向突出。
根据本发明的第九方面，提供了根据第八方面的布线板，其中
在从绝缘层的表面凹进的位置中形成了位于电极焊盘的另一个 表面侧的暴露表面；以及
在绝缘层的表面上形成凹进部分。
根据本发明的第十方面，提供了根据第八或第九方面的布线板，
其中
绝缘层包括
第一绝缘层，该绝缘层具有开口，在该开口上形成电极焊盘；
以及
第二绝缘层，该绝缘层被布置在电极焊盘的表面和第一绝缘层 的表面上，其中
电极焊盘的突出部分突出到了开口的外面，从而使得该突出部 分被布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间。
根据本发明，可以阻止绝缘层上产生的裂缝从电极焊盘的外周 的角部分经由突出部分推进，该突出部分在圆周方向上从被绝缘层包 围的电极焊盘的外周突出，因此阻止了由于裂缝而导致的布线板的断 开。


图1是示出传统布线板结构的示例的附图，图2是示出应用根据本发明的布线板的第一示例的半导体器件 的纵剖面图，
图3A是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第1)
附图，
图3B是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第2)
附图，
图3C是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第3)
附图，
图3D是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第4)
附图，
图3E是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第5)
附图，
图3F是用于说明制造根据第
附图，
图3G是用于说明制造根据第
附图，
图3H是用于说明制造根据第
附图，
图31是用于说明制造根据第
附图，
图3J是用于说明制造根据第
附图，
图3K是用于说明制造根据第
附图，
图3L是用于说明制造根据第
附图，
图3M是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第13)
附图，
图3N是用于说明制造根据第一示例的布线板的方法的(第14)
附图，
一示例的布线板的方法的(第6) 一示例的布线板的方法的(第7) 一示例的布线板的方法的(第8) 一示例的布线板的方法的(第9) 一示例的布线板的方法的(第IO) 一示例的布线板的方法的(第ll) 一示例的布线板的方法的(第12)图4是示出第一示例的变形的附图，
图5是示出应用布线板的第二示例的半导体器件的纵剖面图，
图6A是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第1)
附图，
图6B是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第2)
附图，
图6C是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第3)
附图，
图6D是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第4)
附图，
图6E是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第5)
附图，
图6F是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第6)
附图，
图6G是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第7)
附图，
图6H是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第8)
附图，
图61是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第9)
附图，
图6J是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第10)
附图，
图6K是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第11)
附图，
图6L是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第12)
附图，
图6M是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第13)
附图，
图6N是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第14)
附图，图60是用于说明制造根据第二示例的布线板的方法的(第15)
附图，
图7是示出第二示例的变形的附图，
图8是示出应用布线板的第三示例的半导体器件的纵剖面图， 图9A是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第1)
附图，
图9B是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第2)
附图，
图9C是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第3)
附图，
图9D是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第4)
附图，
图9E是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第5)
附图，
图9F是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第6)
附图，
图9G是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第7)
附图，
图9H是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第8)
附图，
图91是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第9)
附图，
图9J是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第10)
附图，
图9K是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第11)
附图，
图9L是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第12)
附图，
图9M是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第13)
附图，图9N是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第14)
附图，
图90是用于说明制造根据第三示例的布线板的方法的(第15)
附图，
图IO是示出第三示例的变形示例的附图，
图11是示出应用布线板的第四示例的半导体器件的纵剖面图，
以及
图12是示出第四示例的变形的附图。
具体实施例方式
参考附图，以下将描述用于实现本发明的最佳模式。 [第一示例]
图2是示出应用了根据本发明的布线板的第一示例的半导体器 件的纵剖面图。例如，如图2所示，半导体器件IOO具有这样的结构 半导体芯片110是被安装在布线板120上的倒装芯片。布线板120 具有多层结构，其中布置了多个布线层和多个绝缘层，并且具有这样 的结构，其中根据该示例，在垂直方向上布置着具有布线层的各个绝 缘层第一层122、第二层124、第三层126和第四层128。而且，第 一层122具有这样的结构，其中第一绝缘层121和第二绝缘层123 被布置在第一电极焊盘130上。例如，每个绝缘层都是由诸如以环氧 树脂或聚酰亚胺树脂为例之类的绝缘树脂形成的。
在其上要进行焊接的第一绝缘层121和绝缘层第四层128可以 由作为阻焊层(由丙烯酸树脂或环氧树脂形成)的绝缘树脂形成。而 且，在半导体器件100中，可以在半导体芯片110和布线板120之间 填充具有绝缘特性的底部填充树脂。
最上级中的第一层122具有第一电极焊盘130和通孔134，半导 体芯片110的终端将被倒装连接至该第一电极焊盘130和通孔134。 而且，布置在第一层122下面的第二层124具有布线层140和与通孔 134导通的通孔142。而且，布置在第二层124下面的第三层126具 有布线层150和与通孔142导通的通孔152。另外，布置在第三层126下面的第四层128具有与通孔152导通的第二电极焊盘160。
而且，第一层122具有被形成为包围第一电极焊盘130的外周 的第一绝缘层121，并且在第一绝缘层121和第二绝缘层123之间形 成突出部分132，该突出部分132在径向(圆周方向)上从在第一电 极焊盘130的一个表面侧的外周突出。突出部分132被形成为L形状， 从一侧看来，突出部分在直角处从第一电极焊盘130的外周弯曲(即， 突出部分132呈现出具有上表面弯曲的帽子的蘑菇形状)，L形状部 分可以阻止第一绝缘层121中的裂缝推进。而且，第一电极焊盘130 的另一表面侧是从第一绝缘层121暴露的暴露表面，并且焊料块180 被连接在这里。
第一电极焊盘130具有三层结构，其中布置了对焊料具有高焊 接性能的Au、 Ni和Cu层170、 172和174。因此，Au层170的表面 在第一电极焊盘130的另一表面侧暴露。
如下所述，突出部分132是由Cu层174形成的，在Cu层174 上进行电解电镀的步骤中，形成了与第一电极焊盘130集成一体的突 出部分132。而且，Au层170从布线板120的上表面侧(半导体芯片 安装侧)暴露，并且半导体芯片IIO的焊料块180与Au层170连接。
半导体芯片110的终端通过焊料块180焊接到Au层170，因此 与第一电极焊盘130导通。焊料块180是通过将焊球放在第一电极焊 盘130上并且进行回流(热处理)而形成的。
在第一绝缘层121和第二绝缘层123之间的分界面上的整个圆 周上形成从在第一电极焊盘130的一个表面侧的外周沿径向(圆周方 向)突出的突出部分132。突出部分132被形成为具有比第一电极焊 盘130外径大的直径。在这个示例中，例如，如果第一电极焊盘130 的通孔直径大约是70至100nm，厚度大约是5pm，那么突出部分132 被形成为与第一绝缘层121的重叠范围大约是2至10pm (适宜为5 ,)并且厚度大约是2至IO拜(适宜为5^)。
例如，突出部分132从在第一电极焊盘130的一个表面侧的外 周沿径向(圆周方向)突出，从而使得经过回流处理而产生的热应力 的推进方向被突出部分132阻止，并且热应力在沿着第一绝缘层121和第二绝缘层123之间的分界面的方向上被吸收。因此，即使产生分
层而使得覆盖第一电极焊盘130外周的第一绝缘层121的一部分折 断，还是可以阻止裂缝在第二绝缘层123上产生。
第一电极焊盘130可以具有这种结构，其中仅仅布置了 Au层170 和Ni层172，于是Au层170暴露于布线板120表面。而且，对于第 一电极焊盘130，也可以使用Au/Pd/Ni、 Sn/Ni、 Sn-Ag (锡和银的合 金)和Sn来代替Au层170和Ni层172。而且，第一电极焊盘130 可以仅由金属形成。另外，当然，可以无限制地使用这些金属中的每 种金属，并且各种金属的组合不限于这种组合。
参考图3A至3N，将描述用于半导体器件100的布线板120的制 造方法。图3A至3N是用于说明制造根据第一示例的布线板120的方 法的(第1至第14)附图。在图3A至3N中，以面朝下的方向布置 各个层，其中在布线板120的下表面侧提供了第一电极焊盘130 (与 图2所示的层叠结构垂直反向)。
在图3A中，首先，制备由具有预定厚度的平坦Cu板或Cu箔形 成的支撑基板200。在支撑基板200的上表面上层压诸如环氧树脂或 聚酰亚胺树脂之类的树脂薄膜来作为抗电镀膜(plating resist)， 从而形成第一绝缘层121。
在图3B中，提供了用于形成第一电极焊盘的开口 220，以便将 支撑基板200的一部分暴露给第一绝缘层121。开口 220的内径对应 于第一电极焊盘130的外径。在第一绝缘层121是由热固树脂形成的 情况下，通过激光束形成开口 220。在第一绝缘层121是由光敏树脂 形成的情况下，通过光刻形成开口 220。
在图3C中，进行粗糙化处理以使第一绝缘层121的表面和开口 220的内壁变粗糙。优选的是，由粗糙化处理获得的表面粗糙度应该 被设置为例如使得Ra^大约0. 25至0. 75,。
在图3D中，支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀，以使 得Au被沉积在开口 220内的支撑基板200上，从而形成Au层170， 而且，Ni被沉积在Au层170的表面上以布置Ni层172。
而且，在图3E中，支撑基板200被用作馈电层来进行电解Cu电镀，以使得Cu被沉积在开口 220内的Ni层172上，从而布置了 Cu层174。因此，形成了具有将Au层170、 Ni层172和Cu层174 包括在内的三层结构的第一电极焊盘130。
Cu层174具有通过电解Cu电镀布置在开口 220内的圆柱部分 174a、通过Cu生长从第一绝缘层121的上表面向上膨胀的膨胀部分 174b、和在径向(圆周方向)上从膨胀部分174b突出并且形成在第 一绝缘层121的上表面上的凸缘部分174c (形成了突出部分132)。 第一绝缘层121的表面和开口 220的内壁经过了粗糙化处理，因此， 可以提高圆柱部分174a和凸缘部分174c的粘附力，并且可以阻止由 热应力产生的分层。
在Cu层174中，膨胀部分174b的高度和凸缘部分174c沿水平 方向的突出长度可以被设置为取决于电解Cu电镀所需时间的可选尺 寸。而且，由于膨胀部分174b的上表面具有取决于Cu沉积程度的不 同形状，所以它可以是平面、具有凹凸部分的波纹表面的弯曲表面， 在该示例中，为了说明方便，它呈现弯曲形状。
在图3F中，在第一绝缘层121的表面和电极焊盘130的表面上 层压了诸如环氧树脂或聚酰亚胺树脂之类的树脂薄膜，因此形成了第 二绝缘层123。
在图3G中，例如，将激光束照射在第二绝缘层123上，以便形 成了通孔260，从而暴露第一电极焊盘130的一部分表面(Cu层174 的膨胀部分174b)。
在图3H中，在第二绝缘层123的表面、通孔260的内表面和通 过通孔260暴露的Cu层174的上表面上，通过非电解铜电镀形成种 子层2S2。对于形成种子层282的方法，可以使用另一个薄膜形成方 法(溅射方法或CVD方法)或除Cu之外还可以形成其他导电金属。 随后，在第二绝缘层123的表面(上表面)上层压干膜抗蚀膜270 作为抗电镀膜。然后，在干膜抗蚀膜270上进行图案形成(曝光和显 影)，以形成用于形成布线图形的开口 280，种子层282的一部分通 过开口 280而暴露。可以采用液体抗蚀膜来代替干膜抗蚀膜270。
在图31中，通过给种子层馈电来进行电解Cu电镀，于是使得Cu被沉积在通孔260和开口 280中的种子层282上，从而形成布线 图形进而形成通孔134和布线图形层140。
在图3J中，从第二绝缘层123去除干膜抗蚀膜270和除了布置 在布线图形层140之下的种子层282以外的种子层282。因此，在第 二绝缘层123上留下了布线图形层140。在图3J和后继附图中，未 示出种子层282。
在图3K中，在第二绝缘层123和布线图形层140的表面上进行 粗糙化处理，然后包含作为主要成分的环氧树脂(根据所需的硬度或 弹性，可以适当改变填料含量)的薄膜形状的所谓的积层树脂284 被层压以形成第二层124的绝缘层。然后，例如，照射激光束以形成 通孔290，从而暴露布线图形层140的一部分表面。
然后，重复图3G至3K的步骤以形成第二层124的通孔142和 第三层126的布线图形层150。而且，在将要布置至少四个绝缘层和 布线层的情况下，优选的是应该相应地重复图3G至3K的步骤。
在图3L中，在第三层126的绝缘层的表面(上表面)上通过Cu 非电解电镀来形成种子层314，然后，层压干膜抗蚀膜300作为抗电 镀膜。可以采用液体抗蚀膜来代替干膜抗蚀膜300。而且，对于形成 种子层314的方法，还可以使用非电解Cu电镀之外的其他薄膜形成 方法，或通过除了 Cu以外的其他导电金属来形成种子层314。
然后，在干膜抗蚀膜300上进行图案形成(瞎光和显影)，从 而形成用于形成第二电极焊盘的开口 310,于是暴露种子层314的一 部分。接下来，通过向种子层314馈电来进行电解Cu电镀以便在通 孔312和开口 310中沉积Cu，由此形成了通孔152和第二电极焊盘 160。
在图3M中，去除干膜抗蚀膜300和除了布置在第二电极悍盘160 之下的种子层314以外的种子层314。在图3M和后继附图中将要进 行的步骤中，布置在第二电极焊盘160下的种子层314中的Cu被集 成为一体。因此，省略了种子层314。
然后，将阻焊剂320涂敷到第三层126的绝缘层的表面(上表 面)上，由此形成了第四层128的绝缘层，然后形成开口 330，从而暴露第二电极焊盘160的一部分。
在图3N中，通过湿法蚀刻去除支撑基板200，因此获得了布线 板120。对于支撑基板200，还可以在垂直方向上粘贴两个支撑基板 200并且在支撑基板200的上表面侧和下表面侧的两个表面上布置布 线板120。在这种情况下，两个支撑基板200被分为两个部分，并且 通过湿法蚀刻被去除。
然后，如图2所示，将焊球置于布线板120的第一电极焊盘130 上并且进行回流工艺，以使得半导体芯片110的每个终端都通过焊料 块180与电极焊盘130连接，半导体芯片被安装在布线板120上。可 以适当选择将半导体芯片110安装在布线板120上的步骤。例如，可 以根据客户要求将半导体芯片110安装在布线板120上，以及可以将 布线板120送至客户手中并由客户将半导体芯片110安装在布线板 120上。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板120上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片110安装在布线板120上。
另外，由于焊料块180的形成而在回流中产生热应力的情况下， 因为突出部分132被形成为在径向(圆周方向)上从第一电极焊盘 130的一个表面侧的外周突出，所以热应力的推进方向被突出部分 132阻止并且热应力在沿第一绝缘层121和第二绝缘层123之间的分 界面的方向上被吸收。因此，在根据第一示例的布线板120中，可以 防止在第二绝缘层123上产生裂缝。
图4是示出第一示例的变形示例的附图。如图4所示，在变形 示例中，在与第一示例中的方向垂直反向的方向上使用布线板120。 更具体地说，将半导体芯片110通过焊料块180安装在第二电极焊盘 160上，并且通过焊球的回流，在第一电极焊盘130上形成焊料块340。
如图2和4所示，可以将半导体芯片110安装在布线板120的 第一电极焊盘130或第二电极焊盘160上。
在变形示例中，在第二电极焊盘160上可以布置具有被布置的 Au层和Ni层的电镀层(Au层暴露于表面)。而且，还可以使用Au/Pd/Ni、 Sn/Ni、 Sn-Ag (锡和银的合金)和Sn来代替Au层170 和Ni层172。而且，第一电极焊盘130可以仅由金属形成。另外， 当然可以无限制地使用每种金属并且各种金属的组合不限于这种组 合。
而且，在变形示例中，还可以通过将半导体芯片110装载到布 线板120上并随后在图3M的步骤中去除支撑基板200来完成半导体 器件。
还在变形示例中，在半导体芯片110和布线板120之间可以填 充具有绝缘特性的底部填充树脂。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板120上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片安装在布线板120上。 [第二示例]
图5是示出应用了布线板的第二示例的半导体器件的纵剖面图。 在图5中，与图1中相同的部分具有相同的标号，并将省略对它们的 描述。
如图5所示，在用于根据第二示例的半导体器件400的布线板 420中，形成了电极开口 (凹进部分)430，其中第一电极焊盘130 的表面(在Au层170侧的端面)从第一绝缘层121的表面凹进。因 此，通过对插入电极开口 430内的焊球进行回流(热处理)，在Au 层170侧上形成焊料块180。在根据第二示例的半导体器件400中， 在半导体芯片110和布线板420之间可以填充具有绝缘特性的底部填 充树脂。
参考图6A至60，将描述一种制造用于半导体器件400的布线板 420的方法。图6A至60是说明了根据制造第二示例的布线板420的 方法的(第1至第15)附图。在图6A至60中，以面朝下的方向布 置各个层，其中在布线板420的下表面侧上布置了第一电极焊盘130 (与图5所示的层叠结构垂直反向)。
图6A至图6C所示的步骤与根据第一示例的图3A至3C中的步 骤相同。在图6A中，制备由具有预定厚度的平坦的Cu板或Cu箔形成的支撑基板200，在支撑基板200的上表面上层压诸如环氧树脂或 聚酰亚胺树脂之类的树脂薄膜来作为抗电镀膜，从而形成第一绝缘层 121。
在图6B中，形成了用于形成第一电极焊盘的开口 220，以便将 支撑基板200的一部分(通过激光束或光刻)暴露给第一绝缘层121。 开口 220的内径对应于第一电极焊盘130的外径。
在图6C中，进行粗糙化处理以使第一绝缘层121的表面和开口 220的内壁变粗糙。优选的是，由粗糙化处理获得的表面粗糙度应该 被设置为例如使得Ra-大约0. 25至0. 75pm。
在图6D中，支撑基板200被用作开口 220内部的馈电层以进行 电解Cu电镀，以使得Cu被沉积在开口 220内的支撑基板200上，从 而形成Cu层440。
在图6E中，支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀，以便 使得Au被沉积在开口 220内的Cu层440上，从而形成了 Au层170， 而且，Ni被沉积在Au层170的表面上，从而布置了Ni层172。
而且，在图6F中，支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀， 以便使得Cu被沉积在用于形成第一电极焊盘的开口 220内的Ni层 172上，从而布置了 Cu层174。 Cu层174具有通过电解Cu电镀布置 在开口 220内的圆柱部分174a、通过Cu生长从第一绝缘层121的上 表面向上膨胀的膨胀部分174b、和在径向(圆周方向)上从膨胀部 分174b突出并且形成在第一绝缘层121的上表面上的凸缘部分174c (形成了突出部分132)。
在Cu层174中，膨胀部分174b的高度和凸缘部分174c沿水平 方向的突出长度可以被设置为取决于电解Cu电镀所需时间的可选尺 寸。
由于在图6G至6N中所示的步骤中，每一绝缘层和每一布线层 都被布置并且进行了与在根据第一示例的图3F至3M中所示步骤中的 处理相同的处理，所以将省略对其的描述。
在图60中，通过湿法蚀刻去除支撑基板200并且还去除Cu层 440，因此获得了布线板420。在根据第二示例的布线板420中，Cu层440被去除，以使得在下表面侧(芯片安装侧)上形成了从第一绝
缘层121的表面凹进的电极开口 430。
对于支撑基板200，还可以在垂直方向上粘贴两个支撑基板200 并且在支撑基板200的上表面侧和下表面侧的两个表面上布置布线 板420。在这种情况下，两个支撑基板200被分为两个部分，并通过 湿法蚀刻去除。
然后，如图5所示，将焊球置于电极开口 430的Au层上并且进 行回流工艺，以使得半导体芯片110的每个终端都通过焊料块180 与电极焊盘130连接，半导体芯片被安装在布线板420上。可以适当 选择将半导体芯片110安装在布线板420上的步骤。例如，可以根据 客户要求将半导体芯片110安装在布线板420上，并且可以将布线板 420送至客户并由客户将半导体芯片IIO安装在布线板420上。
因此，在根据第二示例的布线板420中，在下表面侧(芯片安 装侧)形成从第一绝缘层121的表面凹进的电极开口 430。因此，当 半导体芯片将被安装时，通过在电极开口 430上进行回流(热处理)， 将焊料块180焊接至第一电极焊盘130的Au层170侧。从而，焊料 块180被可靠地焊接至第一电极焊盘130，并且电极开口 430的周边 边缘部分还增加了沿径向的焊接强度。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板420上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片110安装在布线板420上。
同样，在第二示例中，在由于焊料块180的形成而在回流中产 生热应力的情况下，由于从第一电极焊盘130的外周突出的突出部分 132被形成为在径向(圆周方向)上的整个圆周突出，所以热应力的 推进方向被突出部分132阻止并且在沿第一绝缘层121和第二绝缘层 123之间的分界面的方向上被吸收。因此，在根据第二示例的布线板 420中，可以以与第一示例相同的方式防止在第二绝缘层123上产生 的裂缝。
图7是示出第二示例的变形示例的附图。如图7所示，在变形 示例中，以与第二示例中的方向反向垂直的方向来使用布线板420。更具体地说，通过焊料块180将半导体芯片IIO安装在第二电极焊盘
160上，并且通过焊球的回流在第一电极焊盘130上形成焊料块340。 在这种情况下，焊料块340具有沿径向被电极开口 430的周边边缘部 分增加的焊接强度。
如图5和7所示，可以将半导体芯片110安装在布线板420的 第一电极焊盘130或第二电极焊盘160上。
在变形示例中，在第二电极焊盘160上可以布置具有被布置的 Au层和Ni层的电镀层(Au层暴露于表面)。而且，还可以使用 Au/Pd/Ni、 Sn/Ni、 Sn-Ag (锡和银的合金)和Sn来代替Au层170 和Ni层172。而且，第一电极焊盘130可以仅由金属形成。另外， 当然，每种金属并不限于这些金属，其实只要是可用的金属就都可以 采用，并且各种金属的组合不限于这种组合。
而且，在变形示例中，还可以通过将半导体芯片110装载在布 线板420上并随后在图6N的步骤中去除支撑基板200来完成半导体 器件。
同样，在变形示例中，在半导体芯片110和布线板420之间可 以填充具有绝缘特性的底部填充树脂。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板420上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片安装在布线板420上。 [第三示例]
图8是示出应用了布线板的第三示例的半导体器件的纵剖面图。 在图8中，与图1中的部分相同的部分具有相同的标号，并将省略对 它们的描述。
如图8所示，在用于根据第三示例的半导体器件500的布线板 520中，第一层122的绝缘层由一层形成。在根据第二示例的半导体 器件400中，可以在半导体芯片110和布线板520之间填充具有绝缘 特性的底部填充树脂。
参考图9A至90，将描述一种制造用于半导体器件500的布线板 520的方法。图9A至90是用于说明制造根据第三示例的布线板520的方法的(第1至第15)附图。在图9A至90中，以面朝下的方向 布置各个层，其中在布线板520的下表面侧上布置了第一电极焊盘 130 (与图5所示的层叠结构垂直反向)。
在图9A中，制备由具有预定厚度的平坦的Cu板或Cu箔形成的 支撑基板200，在支撑基板200的上表面上层压诸如环氧树脂或聚酰 亚胺树脂之类的树脂薄膜(抗蚀膜)210来作为抗电镀膜。
在图9B中，形成了用于(通过光刻)将支撑基板200的一部分 暴露给树脂薄膜210的开口 220。开口 220的内径对应于第一电极焊 盘130的外径。
在图9C中，支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀，以便 使得Au被沉积在开口 220内的支撑基板200上，从而形成Au层170， 而且Ni被沉积在Au层170的表面上，从而布置了 Ni层172。
而且，在图9D中，支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀， 以便使得Cu沉积在开口 220内的Ni层172上，从而布置了 Cu层174， 因此形成了第一电极焊盘130。 Cu层174具有通过电解Cu电镀布置 在开口 220内的圆柱部分174a、通过Cu生长从第一绝缘层121的上 表面向上膨胀的膨胀部分174b、和在径向(圆周方向)上从膨胀部 分174b突出并且形成在树脂薄膜210的上表面(在开口 220的上端 上的周边边缘部分)上的凸缘部分174c。凸缘部分174c的直径大于 圆柱部分174a上端的外周的直径，并且凸缘部分174c形成了突出部 分132。
在Cu层174中，膨胀部分174b的高度和凸缘部分174c沿水平 方向的突出长度可以被设置为取决于电解Cu电镀所需时间的可选尺寸。
在图9E中，从支撑基板200去除树脂薄膜210，从而使得在支 撑基板200上留下第一电极焊盘130。
在图9F中，在支撑基板200的表面和沉积焊盘130上进行粗糙 化处理以使支撑基板200和电极焊盘130的的表面变粗糙。优选的是， 由粗糙化处理获得的表面粗糙度应该被设置为例如使得Ra二大约 0. 25至0. 75,
22在图9G中，在经过粗糙化处理的支撑基板200和电极焊盘130 的表面上层压诸如环氧树脂或聚酰亚胺树脂之类的树脂薄膜230，因 此形成了绝缘层第一层122。通过使用真空层压方法或真空型热应 力，在支撑基板200和电极焊盘130的表面上层压树脂薄膜230。为 此，通过真空来利用压力将树脂薄膜230焊接至支撑基板200和电极 焊盘130的上表面和外周表面。因此，树脂薄膜230以没有任何间隙 的附着状态被层压在第一电极焊盘130中的突出部分132的下侧上， 因此防止了空隙的产生。另外，支撑基板200和电极焊盘130的表面 被粗糙化。所以可以提高树脂薄膜230对电极焊盘130的粘附力，因 此防止了由热应力产生的分层。
例如，在图9H中，将激光束照射在第一层122的绝缘层(树脂 薄膜230)上，从而形成通孔260，于是暴露第一电极焊盘130的一 部分表面(Cu层174的膨胀部分174b)。
在图91中，在第一层122的绝缘层的表面、通孔260的内表面、 和通过通孔260而暴露的Cu层174的上表面上，通过非电解铜电镀 形成种子层282。对于形成种子层282的方法，可以使用另一种薄膜 形成方法(溅射方法或CVD方法)，或者可以形成除了 Cu以外的导 电金属。随后，在种子层282的表面(上表面)上层压干膜抗蚀膜 270作为抗电镀膜。然后，在干膜抗蚀膜270上进行图案形成(曝光 和显影)，以形成用于形成布线图形的开口 280，种子层282的一部 分通过开口 282而暴露。可以采用液体抗蚀膜来代替干膜抗蚀膜270。
在图9J中，通过给种子层282馈电来进行电解Cu电镀，从而 使得Cu被沉积在通孔260上和开口 280内的种子层282上，以形成 通孔134和布线图形层140。
在图9K中，去除干膜抗蚀膜270和除了布置在布线图形层140 之下的种子层282以外的种子层282。因此，在第一层122的绝缘层 上留下了布线图形层140。在图9K和后继附图中，未示出种子层282。
在图9L中，在第一层122的绝缘层和布线图形层140的表面上 进行粗糙化处理，然后层压包含作为主要成分的环氧树脂(根据所需 的硬度或弹性，可以适当改变填料含量)在内的薄膜形状的所谓的积层树脂284，以形成第二层124的绝缘层。然后，例如，照射激光束 以形成通孔290，于是暴露布线图形层140的一部分表面。
然后，重复图9H至9L的步骤以形成第二层124的通孔142和 第三层126的布线图形层150。而且，在将要布置至少四个绝缘层和 布线层的情况下，优选的是，应该相应地重复图9H至9L的步骤。
在图9M中，通过Cu非电解电镀在第三层126的绝缘层的表面 (上表面)上形成种子层314，然后，层压干膜抗蚀膜300作为抗电 镀膜。可以采用液体抗蚀膜来代替干膜抗蚀膜300。而且，对于形成 种子层314的方法，除了非电解Cu电镀以外还可以使用薄膜形成方 法，或通过除了 Cu以外的导电金属来形成种子层314。
然后，在干膜抗蚀膜300上进行图案形成(曝光和显影)，从 而形成用于形成第二电极焊盘的开口 310，于是暴露种子层314的一 部分。接下来，通过给种子层314馈电来进行电解Cu电镀以在通孔 312和开口 310中沉积Cu，由此形成了通孔152和第二电极焊盘160。
在图9N中，去除干膜抗蚀膜300和除了布置在第二电极焊盘160 之下的种子层314以外的种子层314。在图9N和后继附图中将要进 行的步骤中，布置在第二电极焊盘160之下的种子层314中的Cu被 集成为一体。因此，省略了种子层314。
然后，将阻焊剂320层压到第三层126的绝缘层的表面(上表 面)上，由此形成了第四层128的绝缘层，然后形成开口 330，于是 暴露第二电极焊盘160的一部分。
在图90中，通过湿法蚀刻去除支撑基板200，因此获得了布线 板520。对于支撑基板200，还可以在垂直方向上粘贴两个支撑基板 200，并且在支撑基板200的上表面侧和下表面侧的两个表面上布置 布线板520。在这种情况下，两个支撑基板200被分为两个部分，并 且通过湿法蚀刻被去除。
然后，如图8所示，将焊球置于布线板520的第一电极焊盘130 上并且进行回流工艺，以使得半导体芯片110的每个终端都通过焊料 块180与电极焊盘130连接，半导体芯片被安装在布线板520上。可 以适当选择将半导体芯片110安装在布线板520上的步骤。例如，根据客户要求将半导体芯片110安装在布线板520上，以及将布线板
120送到客户那里并由客户将半导体芯片110安装在布线板520上。 同样在第三示例中，在由于焊料块180的形成而在回流中产生 热应力的情况下，因为突出部分132被形成为在径向(圆周方向)上 从第一电极焊盘130的一个表面侧的外周突出，所以突出部分132 阻止了热应力的推进方向。因此，可以防止裂缝在第一层122的绝缘 层上产生。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板520上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片110安装在布线板520上。
图10是示出第三示例的变形示例的附图。如图IO所示，在变 形示例中，以反垂直于在第三示例中的方向来使用布线板520。更具 体地说，通过焊料块180将半导体芯片IIO安装在第二电极焊盘160 上，并且通过焊球的回流，在第一电极焊盘130上形成焊料块340。
如图8和10所示，可以将半导体芯片110安装在布线板520的 第一电极焊盘130或第二电极焊盘160上。
在变形示例中，在第二电极焊盘160上可以布置具有被布置的 Au层和Ni层的电镀层(Au层暴露于表面)。而且，还可以使用 Au/Pd/Ni、 Sn/Ni、 Sn-Ag (锡和银的合金)和Sn来代替Au层170 和Ni层172。而且，第一电极焊盘130可以仅由金属形成。另外， 每种金属当然不限于这些金属，只要是可用的金属就都可以采用，并 且各种金属的组合不限于这种组合。
而且，在变形示例中，还可以通过将半导体芯片110装载在布 线板520上并随后在图9N的步骤中去除支撑基板200来完成半导体 器件。
同样，在变形示例中，在半导体芯片110和布线板520之间可 以填充具有绝缘特性的底部填充树脂。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板520上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片安装在布线板520上。[第四示例]
图11是示出应用了布线板第四示例的半导体器件的纵剖面图。 在图11中，与各示例相同的部分具有相同的标号，并将省略对它们 的描述。
如图ll所示，在根据第四示例的半导体器件600中使用的布线
板620中，形成了电极开口 (凹进部分)430，其中第一电极焊盘130 的暴露表面(在Au层170侧上的端面)从第一层122的表面凹进。 因此，通过对插入电极开口 430内的焊球进行回流(热处理)，在 Au层170侧上形成了焊料块180。在根据第四示例的半导体器件600 中，在半导体芯片IIO和布线板620之间可以填充具有绝缘特性的底 部填充树脂。
虽然制造用于半导体器件600的布线板620的方法与根据第三 示例的图9A至90中所示的步骤相同，但是不同的是，Cu层在图9C 的步骤中被安装在支撑基板200上，并且Cu层在图90的步骤中与支 撑基板200 —起被去除。
相应地，在第四示例中，支撑基板200被用作用于开口 220内 部的馈电层以进行电解Cu电镀，从而使得在图9C的步骤中，在开口 220内的支撑基板200上沉积Cu，从而形成Cu层(见图6D)。然后， 支撑基板200被用作馈电层以进行电解电镀，从而使得Au被沉积在 开口 220内的Cu层440上，从而形成了 Au层170，而且，Ni被沉积 在Au层170的表面上从而布置了 Ni层172。而且，支撑基板200被 用作馈电层来进行电解电镀，从而使得Cu被沉积在用于形成第一电 极焊盘的开口 220内的Ni层172上，从而布置了 Cu层174。
而且，在图90中，通过湿法蚀刻去除支撑基板200并且还去除 Cu层440，因此获得了布线板420。在布线板620中，Cu层440被去 除，从而使得在下表面侧(芯片安装侧)上形成了从第一层122的表 面凹进的电极开口 430 (见图60)。
同样在第四示例中，对于支撑基板200，还可以在垂直方向上粘 贴两个支撑基板200并且在支撑基板200的上表面侧和下表面侧的两 个表面上布置布线板620。在这种情况下，两个支撑基板200被分为两个部分并且通过湿法蚀刻被去除。
然后，如图11所示，将焊球置于电极开口 430的Au层170上 并且进行回流工艺，从而使得半导体芯片110的每个终端都通过焊料 块180与第一电极焊盘130连接，并且半导体芯片IIO被安装在布线 板620上。可以适当选择将半导体芯片110安装在布线板620上的步 骤。例如，可以根据客户要求将半导体芯片110安装在布线板620 上，并且可以将布线板620送到客户那里并在客户处将半导体芯片 110安装在布线板420上。
因此，在根据第四示例的布线板620中，在下表面侧(芯片安 装侧)上形成从第一层122的表面凹进的电极开口 430。因此，当半 导体芯片将被安装时，通过在电极开口 430上进行回流(热处理)， 将焊料块180焊接至第一电极焊盘130的Au层170侧。从而，焊料 块180被可靠地焊接至第一电极焊盘130，电极开口 430的周边边缘 部分还增加了沿径向的焊接强度。
同样在第四示例中，由于焊料块180的形成而在回流中产生热 应力的情况下，因为从第一电极焊盘130的一个表面侧的外周突出的 突出部分132被形成为在全周上沿径向(圆周方向)突出，所以突出 部分132阻止了热应力的前进方向。因此，可以防止裂缝在第一层 122的绝缘层上产生。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板620上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片安装在布线板620上。
图12是示出第四示例的变形示例的附图。如图12所示，在变 形示例中，以反垂直于在第四示例中的方向来使用布线板620。更具 体地说，通过焊料块180将半导体芯片110安装在第二电极焊盘160 上，并通过焊球的回流在第一电极焊盘130上形成焊料块340。在这 种情况下，因为形成了电极开口 430，所以焊料块340具有沿径向被 从第一层122的表面凹进的电极开口 430的周边边缘部分(凹进部分)
增加的焊接强度。
如图11和12所示，可以将半导体芯片110安装在布线板620的第一电极焊盘130或第二电极焊盘160上。
在变形示例中，在第二电极焊盘160上可以布置具有被布置的 Au层和Ni层的电镀层(Au层暴露于表面)。而且，还可以使用 Au/Pd/Ni、 Sn/Ni、 Sn-Ag (锡和银的合金)禾卩Sn来代替Au层170 和Ni层172。而且，第一电极焊盘130可以仅由金属形成。另外， 当然，每种金属不限于这些金属，只要是可用的金属就都可以采用， 并且各种金属的组合不限于这种组合。
而且，在变形示例中，还可以这样完成半导体器件在去除支 撑基板200前，将半导体芯片110装到布线板620上，并随后在将进 行的步骤中去除支撑基板200。
同样在变形示例中，在半导体芯片110和布线板620之间可以 填充具有绝缘特性的底部填充树脂。
而且，可以通过引线接合代替焊料块180来将半导体芯片110 安装在布线板620上。而且，可以通过焊接引脚代替焊料块180来将 半导体芯片安装在布线板620上。
当然，除了用于半导体装载的电极焊盘之外，根据本发明的电 极焊盘还能够适用于诸如BGA (球栅阵列封装)、PGA (针脚栅格阵 列封装)或LGA (岸面栅格阵列封装)的外部连接。
而且，除了具有其中形成了焊料块180的结构的半导体器件外， 本发明还适用于具有以下结构的半导体器件，其中电子元件被装载在 基板上，或者其中在基板上形成了布线图形。因此，例如，本发明当 然还可以适用于通过悍料块将被焊接到基板上的倒装芯片或通过焊 料块焊接了电路板的多层基板或插入板。
权利要求
1. 一种制造布线板的方法，其包括第一步骤，在支撑基板上形成第一绝缘层；第二步骤，在所述第一绝缘层上形成用于暴露所述支撑基板的开口；第三步骤，在所述开口上形成具有突出部分的电极焊盘，所述突出部分在圆周方向上从布置在所述第一绝缘层上的所述开口突出；第四步骤，在其上布置有所述电极焊盘的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；第五步骤，在所述第二绝缘层上形成将与所述电极焊盘电连接的布线层；以及第六步骤，去除所述支撑基板以暴露所述电极焊盘。
2. —种制造布线板的方法，其包括 第一步骤，在支撑基板上形成抗蚀膜；第二步骤，在所述抗蚀膜上形成用于暴露所述支撑基板的开口； 第三步骤，在所述开口上形成具有突出部分的电极悍盘，所述 突出部分在圆周方向上从布置在所述抗蚀膜上的所述开口突出； 第四步骤，去除所述抗蚀膜；第五步骤，形成绝缘层以覆盖所述电极焊盘的表面； 第六步骤，在所述绝缘层的表面上形成将与所述电极焊盘电连 接的布线层；以及第七步骤，去除所述支撑基板以暴露所述电极焊盘。
3. 根据权利要求l所述的制造布线板的方法，还包括-在所述第一绝缘层的开口上进行粗糙化处理的步骤。
4. 根据权利要求2所述的制造布线板的方法，还包括 去除所述抗蚀膜并随后在所述电极焊盘的表面上进行粗糙化处理的步骤。
5. 根据权利要求l所述的制造布线板的方法，其中 所述支撑基板是由金属形成；所述第三步骤包括步骤在所述支撑基板和所述电极焊盘之间 形成与所述支撑基板类型相同的金属层；并且所述第六步骤用于去除所述支撑基板并且用于去除所述金属层 从而使得所述电极焊盘的暴露表面形成凹进部分。
6. 根据权利要求2所述的制造布线板的方法，其中 所述支撑基板由金属形成；所述第三步骤包括步骤在所述支撑基板和所述电极焊盘之间 形成与所述支撑基板类型相同的金属层；并且所述第七步骤用于去除所述支撑基板并且用于去除所述金属层 从而使得所述电极焊盘的暴露表面形成凹进部分。
7. —种制造半导体器件的方法，该方法使用了如权利要求1所 述的制造布线板的方法，该方法包括以下步骤通过焊料块将半导体芯片安装在所述电极焊盘上。
8. —种布线板，包括 电极焊盘；以及绝缘层，布置该绝缘层来覆盖所述电极焊盘的表面，其中 所述电极焊盘上形成了突出部分，该突出部分从被所述绝缘层 包围的电极焊盘的一个表面侧的外周沿圆周方向突出。
9. 根据权利要求8所述的布线板，其中在从所述绝缘层的表面凹进的位置中形成了位于所述电极焊盘 的另一个表面侧的暴露表面；以及在所述绝缘层的所述表面上形成了凹进部分。
10. 根据权利要求8所述的布线板，其中 所述绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层具有开口，其中在所述开口上形 成了所述电极焊盘；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述电极焊盘的表面和 所述第一绝缘层的表面上，并且其中所述电极焊盘的突出部分突出到了所述开口的外面，从而使得 所述突出部分被布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。
11. 一种制造半导体器件的方法，该方法使用了如权利要求2 所述的制造布线板的方法，所述制造半导体器件的方法包括以下步 骤通过焊料块将半导体芯片安装在所述电极焊盘上。
全文摘要
一种半导体器件100，其具有这样的结构，其中半导体芯片110被倒装安装在布线板120上。布线板120具有多层结构，其中布置了多个布线层和多个绝缘层，并且布线板120具有这样一种结构，其中布置了绝缘层第一层122、第二层124、第三层126和第四层128。第一层122具有第一绝缘层121和第二绝缘层123。在第一绝缘层121和第二绝缘层123之间的分界面上的整个圆周上形成了突出部分132，并且突出部分132在径向(圆周方向)上从第一电极焊盘130的一个表面侧的外周突出。
文档编号H01L21/60GK101286456SQ20081009019
公开日2008年10月15日 申请日期2008年4月14日 优先权日2007年4月13日
发明者中村顺一, 小林和弘, 金子健太郎 申请人:新光电气工业株式会社