专利名称：具有微穴的封装构造及其制造方法
具有微穴的封装构造及其制造方法术领域本发明是有关于一种具有微穴的封装构造，更特别有关于一种具有微 穴的封装构造，当进行其环形支撑墙的模造制程时，模造材料所产生的气 泡空隙可疏导至沟槽。
背景技术：
参考图1，其显示一种习知堆栈式半导体封装构造10。该堆栈式半导 体封装构造10包含一第一封装构造20(亦即上封装构造)及一第二封装构 造30(亦即下封装构造)。该第一封装构造20包含一第一基板22、一第一芯片24及一第一封胶 体26。该第一芯片24是固定于该第一基板22上，且该第一芯片24的主 动表面是借助焊线28电性连接于该第一基板22的上表面21的接垫(图未 示)。第一封胶体26是用以包覆该第一芯片24及悍线28。该第二封装构造30包含一第二基板32、一第二芯片34及一第二封胶 体36。该第二芯片34是固定于该第二基板32上，且该第二芯片34的主 动表面是借助焊线38电性连接于该第二基板32的上表面31的接垫(图未 示)。该第二封胶体36是用以包覆该第二芯片34及焊线38。该第二基板32的上表面31的焊垫35是借助锡球12电性连接于该第 一基板22的下表面23的焊垫25，用以在该第一及第二封装构造20、 30 之间传送信号。参考图2a及2b,当进行该第二封胶体36的模造制程(molding process) 时，为了避免该封胶体36的溢胶污染该焊垫35，该第二基板32设有沟槽 37紧邻于该第二封胶体36。详细而言，将一模具40放置于该第二基板32 的上表面31上，用以模造该第二封胶体36。该模具40具有一封胶入口 42 、 一方形空穴44及一封胶出口 46。当封胶体材料由该封胶入口 42灌 入，封胶体材料会依模流方向48前进，然后充满整个方形空穴44，最后4由该封胶出口 46离开。若模流的速度大致上相同，则该封胶体材料不易在 该方形空穴44中产生气泡。因此，该第二基板32的沟槽37仅仅用以避 免溢胶污染该焊垫35,而非用以减少该封胶体36内形成气泡。然而，针对具有微穴的封装构造50而言，其环形支撑墙54内较易产 生气泡空隙。参考图3,该封装构造50包含一基板52、 一环形支撑墙54、 一芯片56及一外盖58。该环形支撑墙54是配置于该基板52上，并与该 基板52形成了一空穴51。该芯片56是固定于该基板52上，并位于该空 穴内51。该外盖58是固定于该些环形支撑墙54上。参考图4a及4b，当 进行该环形支撑墙54的模造制程(molding process)时，该模造材料会产生 气泡空隙(void)而使该环形支撑墙54内形成气泡空隙。详细而言，将一模 具60放置于该基板52上，用以模造该环形支撑墙54。该模具60具有一 封胶入口 62、 一环形空穴64及一封胶出口 66。当模造材料由该封胶入口 62灌入，模造材料会依模流方向前进，然后充满整个环形空穴64,最后 由该封胶出口66离开。若第一模流72与第二模流74的速度不同时，则 该模造材料容易在该环形空穴64中产生气泡76。因此，便有需要提供一种具有微穴的封装构造，能够解决前述的缺点。发明内容本发明的一目的在于提供一种具有微穴的封装构造，当进行其环形支 撑墙的模造制程时，模造材料所产生的气泡空隙可疏导至沟槽，以减少该 环形支撑墙内形成气泡空隙。为达上述目的，本发明提供一种具有微穴的封装构造，包含一基板单 元、 一环形支撑墙、 一组件及一外盖。该基板单元的表面上定义有一模造 区及一非模造区，并包含至少一沟槽及一组件区域，该沟槽及组件区域皆 位于该非模造区，且该沟槽环绕该组件区域。环形支撑墙是配置于该模造 区上，并与该基板单元形成了一空穴，其中该沟槽是位于该空穴内，并与 该环形支撑墙之间具有一预定距离。该组件是固定于该组件区域上。该外 盖是固定于该些环形支撑墙上。当进行该环形支撑墙的模造制程时，模造材料所产生的气泡空隙可疏导至该沟槽，以减少该环形支撑墙内形成气泡空隙。同时，该模造材料所 产生的溢胶亦可疏导至该沟槽，以防止溢胶污染该组件。为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配 合所附图示，作详细说明如下。
图1为先前技术的堆栈式半导体封装构造的剖面示意图。图2a及2b为先前技术的堆栈式半导体封装构造的下封装构造的剖面及平面示意图，其显示第二封胶体的模造制程。图3为先前技术的具有微穴的封装构造的剖面示意图。图4a及4b为先前技术的具有微穴的封装构造的剖面及平面示意图，其显示环形支撑墙的模造制程。图5为本发明的一实施例的具有微穴的封装构造的剖面示意图。图6a至6e为本发明的该实施例的具有微穴的封装构造的平面示意图，其显示外盖暂时被移除。图7为本发明的另一实施例的具有微穴的封装构造的剖面示意图。 图8为本发明的一实施例的具有微穴的封装构造的制造方法的流程图。图9a、 9b及图10至图12为本发明的该实施例的微穴的封装构造的 制造方法的平面及剖面示意图。
具体实施方式
参考图5,其显示本发明的一实施例的具有微穴的封装构造100。该 封装构造100包含一基板单元110、 一环形支撑墙120、 一组件126及一 外盖130。该基板单元110的表面112上定义有一模造区114及一非模造 区116,并包含至少一沟槽118及一组件区域122,该沟槽118及组件区 域122皆位于该非模造区116，且该沟槽118环绕该组件区域122。该环 形支撑墙120是配置于该模造区114上，并与该基板单元110形成了一空 穴124,其中该沟槽118是位于该空穴124内，并与该环形支撑墙120之6间具有一预定距离D。该组件126,诸如微机电组件、芯片或被动组件(电 容等)，是固设于该组件区域122上，亦即位于该空穴124内。举例而言， 该组件126是可借助打线接合或覆晶接合技术而电性连接于该组件区域 122上。由于该沟槽118环绕该组件区域122，因此该组件126亦被该沟 槽118所围绕。该沟槽118是可为封闭式单道(single section)外形(如图6a所示)、开 放式单道外形(如图6b所示)、串联式多道(multiple section)外形(如图6c 所示)、或并联式多道外形(如图6d、 6e所示)。该环形支撑墙120是可为 模造材料，诸如树脂化合物(compound resin)所制。当进行该环形支撑墙 120的模造制程(molding process)时，该模造材料所产生的气泡空隙(void) 可疏导至该沟槽118，以减少该环形支撑墙120内形成气泡空隙。同时， 该模造材料所产生的溢胶亦可疏导至该沟槽118，以防止溢胶污染该组件 区域122。再参考图5，该外盖130是固定于该些环形支撑墙120上。该外盖130、 该环形支撑墙120及该基板单元110形成了 一封闭空间，用以保护该组件 区域122上的组件126。该具有微穴的封装构造为微机电系统 (Micro-electro-mechanical System; MEMS)的去于装构造。参考图7，其显示本发明的另一实施例的具有微穴的封装构造100'。 该实施例的封装构造100'大体上类似于封装构造100，其中类似的组件标 示类似的符号。该封装构造100'为麦克风的封装构造，其外盖130'包含一 贯穿孔132,其对应于该空穴124,用以将外界的声音传入该麦克风的封 装构造100'内。该麦克风的封装构造100'亦为微机电系统 (Micro-electro-mechanical System; MEMS)的封装构造。该组件126为微 机电组件，其可被声音所驱动而接收一振动信号，用以将声音的非电信号 转换成电信号。另外，参考图8，其显示本发明的具有微穴的封装构造100的制造方 法。在步骤300中，参考图9a及9b,提供一基板条210，其包含数个以 数组式排列的基板单元110,其中该基板条210的表面212上定义有数个 模造区114及非模造区116,且该基板单元110包含至少一沟槽118、 一基准记号(fiducial mark)121、数个焊垫123及一组件区域122，其皆位于 该非模造区116。该沟槽118环绕该基准记号121、该些焊垫123及该组 件区域122，并与该模造区114之间具有一预定距离D。再者，在A部分 放大图中，该基板单元110是可为具有线路层的电路板，亦即该基板单元 110可包含一界电层240、 一线路层242及一防焊层244。该线路层242 与该防焊层244依序配置于该界电层240上。该沟槽118是可设置于该防 焊层244上，诸如先形成该防焊层244后，再借助激光切割或微影蚀刻制 程而将该沟槽118形成在该防焊层244上。该沟槽118的深度是可不大于 该防焊层244的厚度T。较佳地，该沟槽118的深度是等于该防焊层244 的厚度T，如此使该沟槽118得到最大尺寸的加工值，亦即可使该沟槽118 得到一预定容积量。在步骤302中，参考图10,提供一模具220，用以模造一封胶体222 在该基板条210的模造区114上。该封胶体222是可为模造材料，诸如树 脂化合物(compound resin)所制。当进行该封胶体222的模造制程(molding process)时，由于该沟槽118环绕该基准记号121 、该些焊垫123及该组 件区域122，并与该模造区114之间具有该预定距离D,因此该模造材料 所产生的气泡空隙(void)可疏导至该沟槽118，以减少该封胶体222内形成 气泡空隙。同时，该模造材料所产生的溢胶亦可疏导至该沟槽118,以防 止溢胶污染该基准记号121、该些焊垫123及该组件区域122。应注意的 是，该沟槽118不可以紧邻于该模造区114，而是须与该模造区114之间 具有该预定距离D，以避免溢胶太快而使充满于该沟槽118内。在步骤303中，参考图11，自该基板条210上移除该模具220，其中 该封胶体222包含数条切割线224,该些切割线224定义出数个环形支撑 墙120,其位于该模造区114上，每一环形支撑墙120是与每一基板单元 110形成了一空穴124,其中该沟槽118是位于该空穴124内，并与该环 形支撑墙120之间具有该预定距离D。在步骤304中，参考图12，将数个组件126分别固设于该些组件区 域122上与该空穴124内。举例而言，该组件126是可借助打线接合或覆 晶接合技术而电性连接于该组件区域122上。在步骤306中，提供一盖板230，其包含数个外盖130分别固定于该些环形支撑墙120上，以形成数 个具有微穴的封装构造100。在步骤308中，以一切割工具(图未示)沿该 些切割线224将该盖板230、封胶体222及基板210条切割而使该些封装 构造100单一化，如图5所示。虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本 发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内， 当可作各种的更动与修改。因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所 界定者为准。
权利要求
1.一种具有微穴的封装构造，包含基板单元，其表面上定义有一模造区及一非模造区，并包含至少一沟槽及一组件区域，该沟槽及组件区域皆位于该非模造区，且该沟槽环绕该组件区域；环形支撑墙，配置于该模造区上，并与该基板单元形成了一空穴，其中该沟槽是位于该空穴内，并与该环形支撑墙之间具有一预定距离；组件，固定于该组件区域上；以及外盖，固定于该些环形支撑墙上。
2. 如权利要求1所述的封装构造，其中该基板单元包含一防焊层及一 线路层，该防焊层是配置于该线路层上，且该沟槽是设置于该防焊层上。
3. 如权利要求2所述的封装构造，其中该沟槽的深度是不大于该防焊 层的厚度。
4. 如权利要求1所述的封装构造，其中该外盖包含一贯穿孔，其对应 于该空穴。
5. —种具有微穴的封装构造，包含基板条，包含数个以数组式排列的基板单元，其中该基板条的表面上 定义有数个模造区及非模造区，每一基板单元包含至少一沟槽及一组件区 域，该沟槽及组件区域皆位于该非模造区，该沟槽环绕该组件区域，且该 沟槽是与该模造区之间具有一预定距离；以及封胶体，配置于该基板条的模造区上，其中该封胶体包含数条切割线， 该些切割线定义出数个环形支撑墙位于该模造区上，每一环形支撑墙是与 每一基板单元形成了一空穴，且该沟槽是位于该空穴内，并与该环形支撑 墙之间具有该预定距离。
6. 如权利要求16所述的封装构造，其中该沟槽的深度是不大于该防 焊层的厚度。
7. 如权利要求15所述的封装构造，另包含盖板，包含数个外盖，分别固定于该些环形支撑墙上。
8. 如权利要求15所述的封装构造，其中该沟槽为封闭式单道外形。
9. 如权利要求15所述的封装构造，其中该沟槽为开放式单道外形。
10. —种具有微穴的封装构造的制造方法，包含下列步骤 提供一基板条，其包含数个以数组式排列的基板单元，其中该基板条的表面上定义有数个模造区及非模造区，每一基板单元包含至少一沟槽及 一组件区域，该沟槽及组件区域皆位于该非模造区，该沟槽环绕该组件区 域，且该沟槽是与该模造区之间具有一预定距离；模造一封胶体于该基板条的模造区上，其中该封胶体包含数条切割线， 该些切割线定义出数个环形支撑墙位于该模造区上，每一环形支撑墙是与 每一基板单元的表面形成了一空穴，且该沟槽是位于该空穴内，并与该环 形支撑墙之间具有该预定距离；将数个组件分别固设于该些组件区域上；提供一盖板，其包含数个外盖分别固设于该些环形支撑墙上，以形成 数个具有微穴的封装构造；以及沿该些切割线将该盖板、封胶体及基板条切割而使该些封装构造单一化。
11. 如权利要求29所述的制造方法，其中该基板单元包含一界电层 及一线路层，该防焊层是配置于该线路层上；以及该制造方法，另包含下 列步骤先形成该防焊层后，再形成该沟槽在该防焊层上。
全文摘要
一种具有微穴的封装构造包含一基板单元、一环形支撑墙、一组件及一外盖。该基板单元的表面上定义有一模造区及一非模造区，并包含至少一沟槽及一组件区域，该沟槽及组件区域皆位于该非模造区，且该沟槽环绕该组件区域。环形支撑墙是配置于该模造区上，并与该基板单元形成了一空穴，其中该沟槽是位于该空穴内，并与该环形支撑墙之间具有一预定距离。该组件是固定于该组件区域上。该外盖是固定于该些环形支撑墙上。
文档编号H01L23/13GK101261965SQ20081009319
公开日2008年9月10日 申请日期2008年4月21日 优先权日2008年4月21日
发明者彭胜扬 申请人:日月光半导体制造股份有限公司