专利名称：半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及不改变外部形状就可以降低噪声指数并增加增益的半 导体装置。
将形成有GaAs FET等高频元件的半导体芯片安装在源极框架 (source frame )上并且进行树脂密封的半导体装置被利用(例如，参考 专利文献1 )。
专利文献1 特开昭61 - 16554号公报
图20是示出现有的半导体装置的平面图，图21是示出现有的半导 体装置的立体图。源极框架1在中央部具有下垫板(die pad) 2。在该 下垫板2上安装有半导体芯片3。此外，直线形的栅极框架4以及漏极 框架5与源极框架1分离地设置。该栅极框架4以及漏极5分别具有焊 盘(bonding pad) 6、 7。以与源极框架1的下垫板2成同 一平面的方式 使焊盘6、 7翻转(upset)。
此外，通过多个导线8将半导体芯片3的源极端子9和下垫板2电 连接，将半导体芯片3的漏极端子IO和焊盘7电连接，将半导体芯片3 的栅极端子11和焊盘6电连接。并且，下垫板2、焊盘6、 7、半导体 芯片3和多个导线8由模型树脂(moldresin) 12密封。
在现有的半导体装置中，下垫板2被切割成矩形，焊盘6沿着下垫 板2的形状被切割。由此，源极框架1和栅极框架4的间隔较窄，并且 两者的对置面积变大。其结果是，源极框架1和栅极框架4之间的电容 变大。并且，从下面的数学式(l)、 (2)可知，存在源极框架l和栅 极框架4之间的电容Cgs增加时噪声指数NF会增加的问题。
<formula>formula see original document page 7</formula>
(式2)<formula>formula see original document page 8</formula>
其中，NF是噪声指数，(o是角频率，fr是电流增益遮断频率，A是常数， Cgs是源才及栅极间电容。
为了使半导体装置的噪声指数降低，改变半导体装置的外部形状， 使源极框架1和栅极框架4的间隔变大，并且减小两者的对置面积即可。 但是，从半导体装置的尺寸标准化或制造成本的方面来看，改变外部形 状是困难的。
此外，根据下面的数学式(3)可知，为了使半导体装置的增益(最 大有效增益)增加，减小源极框架1和栅极框架4之间的电容Cdg即可。 (式3)
<formula>formula see original document page 8</formula> (3)
此处，MAG是最大有效增益，k是稳定系数，B是常数，Cdg是漏极栅 才及间电容。
为了减小Cdg,需要使栅极漏极间的电耦合变弱。这需要使栅极源 极间电容Cgs以及漏极源极间电容Cds增加。由(1 )式，当Cgs增加 时，噪声指数增加。因此，如果使Cds增加，能够不增加噪声指数且可 增力口增益。
为了使Cds增加，改变半导体装置的外部形状，使源极框架l和漏 极框架5的对置面积增加即可。但是，从半导体装置的尺寸标准化或制 造成本的方面来看，改变外部形状是困难的。
发明内容
本发明是为了解决如上所述的课题而进行的，其第一目的是提供一 种不改变外部形状就能够降低噪声指数的半导体装置。
本发明的第二目的是提供一种不改变外部形状就能够增加增益的 半导体装置。
第一发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架；
直线形的栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板 上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫 板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂， 将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中 所述下垫板在所述焊盘的附近在相对于所述栅极框架的延伸方向倾斜 的方向上^皮切割。
第二发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 直线形的漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板 上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫 板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂， 将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中 所述漏极框架的宽度在所述焊盘处变宽。
第三发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘将电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述下垫板"〕"形地包围所述焊盘的外周部。
第四发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导 体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、 并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下 垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述焊盘 "L"形地包围所述下垫板的外周部。
第五发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导 体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、 并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下 垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述下垫 板和所述焊盘对置的部分是交叉指型结构。
第六发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导
体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、 并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下 垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述焊盘 配置在所述下垫板的上方。
第七发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，与所述下垫板分离；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多 个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、并且将所 述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所 述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述漏极框架配置 在所述下垫板的下方。
第八发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导 体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、 并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下 垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述下垫 板在所述焊盘的下方延伸。
第九发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导 体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、 并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下 垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述下垫 板和所述焊盘对置的部分向下方延伸。
第十发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框架； 直线形的栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板 上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫 板电连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂， 将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中 所述栅极框架的宽度在所述焊盘处变宽。
第十一发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将
所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述下垫板"^"形地包围所述焊盘的外周部。
第十二发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述焊盘"L"形地包围所述下垫板的外周部。
第十三发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述下垫板和所述焊盘对置的部分是交叉指型结构。
第十四发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框
架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述焊盘配置在所述下垫板的上方。
第十五发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，与所述下垫板分离；安装在所述下塾板上的半导体芯片； 多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接、并且将 所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、 所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所述栅极框架配 置在所述下垫板的下方。
第十六发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述下垫板在所述焊盘的的下方延伸。 第十七发明的半导体装置的特征在于，具有具有下垫板的源极框 架；栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的 半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电 连接、并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将 所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，其中所 述下垫板和所述焊盘对置的部分向下方延伸。
根据笫 一发明，不改变外部形状就能够降低半导体装置的噪声指 数。根据第二-第十七发明，不改变外部形状就能够增加增益。
图1是示出本发明实施方式1的半导体装置的平面图。 图2是示出本发明实施方式2的半导体装置的平面图。 图3是示出本发明实施方式3的半导体装置的平面图。 图4是示出本发明实施方式4的半导体装置的平面图。 图5是示出本发明实施方式5的半导体装置的平面图。 图6是示出本发明实施方式6的半导体装置的平面图。 图7是示出本发明实施方式7的半导体装置的立体图。 图8是示出本发明实施方式8的半导体装置的立体图。 图9是示出本发明实施方式9的半导体装置的立体图。 图IO是示出本发明实施方式10的半导体装置的立体图。 图11是示出本发明实施方式11的半导体装置的平面图。 图12是示出本发明实施方式12的半导体装置的平面图。 图13是示出本发明实施方式13的半导体装置的平面图。 图14是示出本发明实施方式14的半导体装置的平面图。 图15是示出本发明实施方式15的半导体装置的平面图。 图16是示出本发明实施方式16的半导体装置的立体图。 图17是示出本发明实施方式17的半导体装置的立体图。 图18是示出本发明实施方式18的半导体装置的立体图。 图19是示出本发明实施方式19的半导体装置的立体图。 图20是示出现有的半导体装置的平面图。 图21是示出现有的半导体装置的立体图。
具体实施例方式
实施方式1
图1是示出本发明实施方式1的半导体装置的平面图。源极框架1
在中央部具有下垫板2。在该下垫板2上安装有半导体芯片3。在半导 体芯片3上形成GaAs FET等高频元件。此外，直线形的栅极框架4以 及漏极框架5与源极框架1分离地设置。该4册极框架4和漏才及框架5分 别具有焊盘6、 7。
此外，由多个导线8将半导体芯片3的源极端子9和下垫板2电连 接，将半导体芯片3的漏极端子10和焊盘7电连接，将半导体芯片3 的栅极端子11和焊盘6电连接。并且，下垫板2、焊盘6、 7、半导体 芯片3和多个导线8由模型树脂12 (树脂)密封。
在本实施方式中，对于下垫板2来说，在焊盘6的附近，在相对于 栅极框架4的延伸方向倾斜的方向上^皮切割。即，对于下垫板2来说， 在焊盘6的附近，向远离栅极框架4的方向被切割。并且，对于焊盘6 来说，在下垫板2的附近，与下垫板2的沿倾斜方向切割的部分平行地 -故切割。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的间隔变大，使两 者的对置面积减小。因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的 电容减小，所以不改变外部形状就能够使半导体装置的噪声指数降低。
实施方式2
图2是示出本发明实施方式2的半导体装置的平面图。漏极框架5 的宽度在焊盘7处变大。并且，下垫板2和焊盘7对置的部分分别在相 对于漏极框架5延伸方向的倾斜方向上^皮切割。其他结构与实施方式1 相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就能够使半导体装置的噪声指数降低。其他效果与实施方式 1相同。
实施方式3
图3是示出本发明实施方式3的半导体装置的平面图。漏极框架5
的宽度在焊盘7处变大。并且，下垫板2和焊盘7对置的部分被阶梯状 地切割。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积比实施 方式2进一步增大。因此，能够使增益进一步增加。其他效果与实施方 式1相同。
实施方式4
图4是示出本发明实施方式4的半导体装置的平面图。下垫板2成 "〕"形包围焊盘7的外周部。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式5
图5是示出本发明实施方式5的半导体装置的平面图。焊盘7成"L" 形包围下垫板2的外周部。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式6
图6是示出本发明实施方式6的半导体装置的平面图。下垫板2和 焊盘7对置的部分是交叉指型(inter-digital)结构。其他结构与实施方 式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式7
图7是示出本发明实施方式7的半导体装置的立体图。焊盘7配置 在下垫板2的上方。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。
因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式8
图8是示出本发明实施方式8的半导体装置的立体图。漏极框架5 配置在下垫板2的下方。并且，不设置漏极框架5的焊盘7,漏极框架 5和半导体芯片3的漏极端子IO被引线接合。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式9
图9是示出本发明实施方式9的半导体装置的立体图。下垫板2在 焊盘7的下方延伸。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式10
图IO是示出本发明实施方式10的半导体装置的立体图。下垫板2 和焊盘7对置的部分向下方延伸。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和漏极框架5的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和漏极框架5之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。其他效果与实施方式l相同。
实施方式ll
图11是示出本发明实施方式11的半导体装置的平面图。栅极框架 4的宽度在焊盘6处变宽。并且，下垫板2和焊盘6对置的部分分别在 相对于栅极框架4的延伸方向倾斜方向上被切割。其他结构与实施方式 1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。
因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改
变外部形状就可以增加增益。
实施方式12
图12是示出本发明实施方式12的半导体装置的平面图。栅极框架 4的宽度在焊盘6处变大。并且，下垫板2和焊盘6对置的部分被阶梯 状地切割。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积比实施 方式2进一步增大。因此，能够使增益进一步增加。
实施方式13
图13是示出本发明实施方式13的半导体装置的平面图。下垫板2 成"^"形包围焊盘6的外周部。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改变外部形状就可以增加增益。
实施方式14
图14是示出本发明实施方式14的半导体装置的平面图。焊盘6成 "L"形包围下垫板2的外周部。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
实施方式15
图15是示出本发明实施方式15的半导体装置的平面图。下垫板2 和焊盘6对置的部分是交叉指型结构。其他结构与实施方式l相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
实施方式16
图16是示出本发明实施方式16的半导体装置的立体图。焊盘6配 置在下垫板2的上方。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
实施方式17
图17是示出本发明实施方式17的半导体装置的立体图。栅极框架 4配置在下垫板2的下方。并且，不设置栅极框架4的焊盘6,栅极框 架4和半导体芯片3的栅极端子11被引线接合。其他结构与实施方式1 相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
实力在方式18
图18是示出本发明实施方式18的半导体装置的立体图。下垫板2 在焊盘6的下方延伸。其他结构与实施方式1相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
实施方式19
图19是示出本发明实施方式19的半导体装置的立体图。下垫板2 和焊盘6对置的部分延伸到下方。其他结构与实施方式l相同。
根据上述结构，能够使源极框架1和栅极框架4的对置面积增大。 因此，由于能够使源极框架1和栅极框架4之间的电容增大，所以不改 变外部形状就可以增加增益。
权利要求
1.一种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；直线形的栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，所述下垫板在所述焊盘的附近在相对于所述栅极框架的延伸方向倾斜的方向上被切割。
2. 根据权利要求1的半导体装置，其特征在于， 所述焊盘在所述下垫板的附近与所述下垫板的在倾斜方向切割的部分平行地一皮切割。
3. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；直线形的漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所 述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述 半导体芯片和所述多个导线密封，所述漏极框架的宽度在所述焊盘处变宽。
4. 根据权利要求3的半导体装置，其特征在于， 所述下垫板和所述焊盘对置的部分分别在相对于所述漏极框架的延伸方向倾杀牛的方向上纟皮切割。
5. 根据权利要求3的半导体装置，其特征在于， 所述下垫板和所述焊盘对置的部分被阶梯状地切割。
6. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且所述半导体芯片的漏极端子 和所述焊盘将电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板形地包围所述焊盘的外周部。
7. —种半导体装置，其特征在于， 具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述焊盘"L"形地包围所述下垫板的外周部。
8. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板和所述焊盘对置的部分是交叉指型结构。
9. 一种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下塾板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述焊盘配置在所述下垫板的上方。
10. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，与所述下垫板分离；安 装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极 端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊 盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多 个导线密封，所述漏极框架配置在所述下垫板的下方。
11. 一种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板在所述焊盘的下方延伸。
12. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板和所述焊盘对置的部分向下方延伸。
13. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；直线形的栅极框架，具有与所述下 垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所 述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述 半导体芯片和所述多个导线密封，所述栅极框架的宽度在所述焊盘处变宽。
14. 根据权利要求13的半导体装置，其特征在于， 所述下垫板和所述焊盘对置的部分分别在相对于所述栅极框架的延伸方向倾在牛的方向上祐:切割。
15. 根据权利要求13的半导体装置，其特征在于， 所述下垫板和所述焊盘对置的部分被阶梯状地切割。
16. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板"3"形地包围所述焊盘的外周部。
17. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述焊盘"L"形地包围所述下垫板的外周部。
18. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板和所述焊盘对置的部分是交叉指型结构。
19. 一种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述焊盘配置在所述下垫板的上方。
20. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，与所述下垫板分离；安 装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极 端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊 盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多 个导线密封，所述栅极框架配置在所述下垫板的下方。
21. —种半导体装置，其特征在于，具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板在所述焊盘的的下方延伸。
22. —种半导体装置，其特征在于， 具有具有下垫板的源极框架；栅极框架，具有与所述下垫板分离 的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体 芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端 子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯 片和所述多个导线密封，所述下垫板和所述焊盘对置的部分向下方延伸。
全文摘要
本发明涉及一种不改变外部形状就可以降低噪声指数的半导体装置。源极框架(1)具有下垫板(2)。直线形的栅极框架(4)具有与下垫板(2)分离的焊盘(6)。在下垫板(2)上安装半导体芯片(3)。通过多个导线(8)电连接半导体芯片(3)的源极端子(9)和下垫板，并且电连接半导体芯片(3)的栅极端子(11)和焊盘(6)。由树脂(12)密封下垫板(2)、焊盘(6)、半导体芯片(3)和多个导线(8)。下垫板(2)在焊盘(6)附近相对于栅极框架(4)的延伸方向倾斜的方向上被切割。
文档编号H01L23/488GK101364584SQ200810129848
公开日2009年2月11日 申请日期2008年8月7日 优先权日2007年8月10日
发明者吉田直人, 川岛庆一, 细见刚 申请人:三菱电机株式会社