专利名称：发光二极管组件及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管(LED)组件，且特别是有关于一种垂直结 构发光二极管组件及其制造方法。
背景技术：
一般而言，发光二极管组件的结构通常依n型与p型电极的相对位置，而 分成垂直与横向结构二类型。垂直结构的发光二极管组件具有降低接合垫的遮 光面积、较佳的电流散布能力、与降低封装打线的复杂度等优势。
氮化镓系列(GaN based)的发光二极管组件一般是以蓝宝石来作为外延成 长基板。然而，由于蓝宝石基板不导电，因此一般氮化镓系列的发光二极管组 件大都以n型与p型电极位于同一侧的横向结构为主流。此外，蓝宝石基板的 热传导系数不佳，发光二极管组件的操作效率会因热效应而大幅下降。
目前，为制作垂直型氮化镓发光二极管组件，并提高组件的散热能力，一 般利用芯片接合或电镀的方式来设置高散热的另一基板，再以激光剥除或湿蚀 刻方式移除蓝宝石成长基板。然而，利用激光剥除或湿蚀刻方式来移除蓝宝石 基板时，激光剥除所使用的激光能量易对氮化镓外延结构造成损伤，而湿蚀刻 方式则有蚀刻终点控制不易的问题，同样容易损及氮化镓外延结构。
发明内容
因此，本发明的一目的就是在提供一种发光二极管组件，其具有高散热特 性、高反射特性与高质量的外延结构特性，故可大幅提升发光二极管组件的发 光效率，并可有效延长组件的操作寿命。
本发明的另一目的是在提供一种发光二极管组件的制造方法，其可利用第 一电性接触层来作为以雷射、蚀刻或研磨方式移除成长基板时的终止层，而可 避免伤害在成长基板表面的发光外延结构，进而可提高发光外延结构的质量。
本发明的又一 目的是在提供一种发光二极管组件的制造方法，其n型与p型接触层均是在反射层的形成、与散热基板的粘合或电镀前完成，因此可避免
n型与p型接触层在高温回火影响反射层的反射率与散热基板的粘合能力。
本发明的再一目的是在提供一种发光二极管组件的制造方法，其可仅移除 部分的成长蓝宝石基板，因此可利用剩余的蓝宝石基板来作为侧光取出的窗户 层(WindowLayer)。此外，本发明的另一实施例更可在蓝宝石基板本身、或蓝 宝石基板上额外设置图案层以制作规则或不规则性图形，进一歩增加光取出 率。
为了实现上述目的，本发明提出一种发光二极管组件，至少包括 一发光 外延结构(illuminant epitaxial structure)至少包括依序堆叠的一第一电性半导 体层、 一有源层(active layer)以及一第二电性半导体层，其中发光外延结构 具有至少一开口贯穿发光外延结构，且开口暴露出第一电性半导体层的一侧 面，其中第一电性不同于第二电性； 一第一电性接触层至少填设于开口中且与 第一电性半导体层的侧面接触； 一第二电性接触层覆盖第二电性半导体层；一 保护层覆盖第一电性接触层，以电性隔离第一电性接触层与第二电性接触层； 一反射层覆盖保护层与第二电性接触层；以及一第一基板具有相对的第一表面 与第二表面，且反射层设于第一基板的第一表面。
为了实现上述目的，本发明还提出一种发光二极管组件的制造方法，至少 包括形成一发光外延结构于一第一基板的第一表面上，其中发光外延结构至 少包括依序堆叠在第一基板的第一表面上的一第一电性半导体层、一有源层与 一第二电性半导体层，且发光外延结构具有一开口穿设于发光外延结构中并暴 露出第一电性半导体层的一侧面，其中第一电性不同于第二电性；形成一第一 电性接触层至少填设于开口中且与第一电性半导体层的侧面接触；形成一第二 电性接触层覆盖第二电性半导体层；形成一保护层覆盖第一电性接触层，以电 性隔离第一电性接触层与第二电性接触层；形成一反射层覆盖保护层与第二电 性接触层；以及设置一第二基板于反射层上，其中第二基板具有相对的第一表 面与第二表面，且反射层与第二基板的第一表面接合。
本发明的一优点就是因为本发明的发光二极管组件具有高散热特性、高反 射特性与高质量的外延表面，因此可大幅提升发光二极管组件的发光质量，并 可有效延长组件的操作寿命。
本发明的另一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法可利用第一电性接触层来作为成长基板的激光、蚀刻或研磨移除时的终止层，而可避 免伤害到成长在成长基板表面的发光外延结构，进而可提高发光外延结构的质
本发明的又一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法的n型
与p型接触层均是在反射层的形成、与散热基板的粘合或电镀前完成，因此可
避免n型与p型接触层的高温回火影响反射层的反射率与散热基板的粘合能 力。
本发明的再一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法可仅局 部移除成长蓝宝石基板，因此可利用剩余的蓝宝石基板来作为侧光取出的窗户 层。此外，本发明的发光二极管组件的制造方法还可在成长基板本身、或成长 基板上额外设置图案层来制作规则或不规则性图形，进一步增加光取出率。
图1A至图IE是依照本发明的第一较佳实施例的一种发光二极管组件的 制造过程剖面图2A至图2E是依照本发明的第二较佳实施例的一种发光二极管组件的 制造过程剖面图3A至图3E是依照本发明的第三较佳实施例的一种发光二极管组件的 制造过程剖面图。
主要组件符号说明
100:成长基板 104:未掺杂半导体层 108:有源层 112:发光外延结构 114b:开口 116:表面 120:侧面
122b:第一电性接触层 124:第二电性接触层
102:缓冲层
106:第一电性半导体层
110:第二电性半导体层
114a:开口
114c:开口 118:表面
122a:第一电性接触层 122c:第一电性接触层 126a:保护层126b:保护层126c:保护层
128:反射层130:接合层
132:基板134:表面
136:表面138:共金金属层
140:接触孔142a:第一电性接合垫
142b:第一电性接合垫142c:第一电性接合垫
144a:图案结构144b:图案结构
144c:图案结构146:表面
148:表面150:表面
152a:发光二极管组件152b:发光二极管组件
152c:发光二极管组件154:隔离层
具体实施例方式
请参照图1A至图IE，其是依照本发明的第一较佳实施例的一种发光二极 管组件的制造过程剖面图。在一示范实施例中，先提供成长基板IOO，以供材 料层后续外延成长于其上，其中成长基板IOO可具有相对的表面116与118。 在一实施例中，成长基板100的材料可例如为蓝宝石。接着，利用例如外延成 长方式，在该成长基板100的表面118上形成发光外延结构112。在一实施例 中，发光外延结构112可包括依序堆叠在成长基板100的表面118上的第一电 性半导体层106、有源层108与第二电性半导体层110，其中第一电性半导体 层106与第二电性半导体层110具有不同电性。例如，第一电性半导体层106 为n型而第二电性半导体层110为p型；或者第一电性半导体层106为p型而 第二电性半导体层110为n型。有源层108可例如为多重量子井(MQW)结构。 在本示范实施例中，发光外延结构112还选择性地包括有依序堆叠在成长基板 100的表面118上的缓冲层102与未掺杂半导体层104，以提升后续成长的第 一电性半导体层106的外延质量，其中缓冲层102与未掺杂半导体层104位于 成长基板100的表面118与第一电性半导体层106之间。发光外延结构112 的材料可例如为氮化铟铝镓(InAlGaN)系列。
而后，利用例如光刻与蚀刻等图案定义技术，对发光外延结构112进行图 案化，而移除部分的发光外延结构112，以在发光外延结构112中形成开口114a，其中开口 U4a贯穿发光外延结构112，而暴露出下方的成长基板100 的表面118的一部分，如图1A所示。在本发明中，开口 114a亦暴露出部分 第一电性半导体层106及其侧面120。
接下来，制作第一电性接触层122a与第二电性接触层124。其中，可先 制作第一电性接触层122a，再制作第二电性接触层124;或者，可先制作第二 电性接触层124，再制作第一电性接触层122a。在本示范实施例中，先形成第 二电性接触层124覆盖在发光外延结构112的第二电性半导体层110上。在一 实施例中，第二电性接触层124可为p型接触层，其中第二电性接触层124 可为金属层或透明金属氧化层。第二电性接触层124的材料为镍/金(Ni/Au)、 镍/银(Ni/Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺杂镓之氧化锌(GZO)、氧化锌 铝(AZO)或氧化铟(In203)。在一实施例中，第二电性接触层124可为单层结构。 在另一实施例中，第二电性接触层124可为多层结构。完成第二电性接触层 124的设置后，可进行高温回火程序，以使第二电性接触层124与第二电性半
导体层iio之间形成欧姆接触。
然后再形成第一电性接触层122a至少填设于开口 114a中，并覆盖成长基 板100所暴露出的表面118，且第一电性接触层122a与暴露的部分第一电性 半导体层106及其侧面120接触，以使第-电性接触层122a与第一电性半导 体层106电性连接。其中，第二电性接触层124与第一电性接触层122a分开， 如图1B所示。在本发明中，第一电性接触层122a不与有源层108及第二电性 半导体层110接触。如图1B所示，在一实施例中，第一电性接触层122a具有 类U字型结构，第一电性接触层122a可例如为n型金属层。完成第一电性接 触层122a的设置后，可进行高温回火程序，以使第一电性接触层122a与第一 电性半导体层106之间形成欧姆接触。
接着，形成保护层126a覆盖第一电性接触层122a，以电性隔离第一电性 接触层122a与第二电性接触层124，其中此保护层126a的材料可为透明绝缘 材料，例如二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、旋涂玻璃(SOG)、 二氧化钛(Ti02) 或氧化铝(八1203)。在一实施例中，保护层126a较佳是填满开口 114a，如图1C 所示，以确保第一电性接触层122a与第二电性接触层124之间的电性隔离， 避免短路。
接着，如图1D所示，利用例如蒸镀方式沉积反射层128覆盖保护层126a与第二电性接触层124，以反射有源层108射向第二电性接触层124的光。反射层128的材料较佳是采用高反射的金属材料，例如铝、银或铂。然后，利用粘合法、芯片接合法(wafer bonding)或电镀法来设置基板132于反射层128之上，以使基板132的表面134与反射层128接合，其中基板132具有相对的表面134与136。此基板132较佳是由低热阻的材料所组成，以提供高散热特性。在一些实施例中，基板132的材料较佳是具高导电与高导热特性的材料。基板132可例如为金属基板、硅基板或金属复合基板。在一实施例中，基板132的材料可为硅、铝、铜、钼或铜钨合金。利用粘合方式来设置基板132时，可先在反射层128的表面或基板132的表面134上形成接合层130，再利用接合层130将基板132的表面134与反射层128接合。在另一些实施例中，可分别在基板132的表面134与反射层128上设置接合薄膜(仅绘示组合而成的接合层130)，再将基板132的表面134与反射层128上的接合薄膜互相接合成接合层130，而使反射层128与基板132的表面134接合。在另一实施例中，利用电镀方式形成基板132时，接合层130可为基板132电镀时的晶种层(Seed Layer),其中接合层130先形成在反射层128的表面上，再以接合层130为电镀晶种层来电镀沉积基板132。接合层130较佳可为金属层。
接下来，可先选择性地对成长基板100与基板132进行研磨，以縮减成长基板100与基板132的厚度。然后，如图1E所示，可利用例如蚀刻法或激光划线法，并以第一电性接触层122a作为终止层，来形成接触孔140贯穿成长基板100，并暴露出第一电性接触层122a的表面146的一部分。在一示范实施例中，发光外延结构112具有相对的表面148与150，而第一电性接触层122a的表面146可与发光外延结构112的表面148共面。在一实施例中，接触孔140的直径可例如实质小于200 u m，而接触孔140的深度可例如小于300 u m。完成接触孔140后，形成第一电性接合垫142a延伸覆盖在成长基板100的116表面的一部分、接触洞140的表面与第一电性接触层122a的表面146的暴露部分上，其中第一电性接合垫142a与第一电性接触层122a接触而形成电性连接。第一电性接合垫142a的材料可采用金属材料，更佳地第一电性接合垫142a的底层采用具有高反射特性的金属材料。
在本示范实施例中，发光二极管组件152a的成长基板100并未移除，因此成长基板IOO可作为侧光取出时的窗户层。如图1E所示，在一些实施例中，还可选择性地在成长基板100的表面116进行图案化步骤，以使成长基板100的表面116具有图案结构144a，其中此图案结构144a可具有规则图形或不规则图形。通过此图案结构144a的设置，可增加发光二极管组件152a的光取出率。在另一实施例中，可在成长基板100的表面116的图案结构144a设置额外的透明图案层(未绘示)，其中由于此透明图案层是设置在图案结构144a上，因此此透明图案层的图形是取决于图案结构144a的图形；或者，在未经图案化的成长基板100的表面116上直接设置具有规则图形或不规则图形的透明图案层。此透明图案层的材料可例如为透明氧化物。在另一些实施例中，亦可选择性地形成共金金属层138于基板132的表面136，以使所制作而成的发光二极管组件152a在后续封装制程中，可与封装金属支架在适当温度下直接接合，进而可避免外加封胶材料增加热阻。共金金属层138的材料可例如为银锡合金、银锡铜合金或金锡铜合金。
请参照图2A至图2E，其是依照本发明的第二较佳实施例的一种发光二极管组件的制造过程剖面图。在本示范实施例中，如同上述第一实施例所述，先提供成长基板100，再利用例如外延成长方式，在该成长基板100的表面118上形成发光外延结构112。然后，利用例如光刻与蚀刻等图案定义技术，对发光外延结构112进行图案化，而移除发光外延结构112的第二电性半导体层110的一部分、有源层108的一部分以及部分的第一电性半导体层106，以在发光外延结构112中形成开口 114b，其中开口 114b并未贯穿发光外延结构112而在第一电性半导体层106中形成阶梯状的开口，如图2A所示。值得注意的是，在另一示范实施例中，在进行蚀刻工艺时，亦可以更进一步移除部分的未掺杂半导体层104，而使得阶梯状的开口 U4b底层位于暴露的未掺杂半导体层104上。在本发明中，开口 114b亦暴露出部分的第一电性半导体层106及其侧面120。
接着，制作第一电性接触层122b与第二电性接触层124，其中第一电性接触层122b与第二电性接触层124的制作顺序可依实际工艺来调整。在本示范实施例中，先形成如上述第一实施例所述的第二电性接触层124覆盖在发光外延结构112的第二电性半导体层110上。同样地，完成第二电性接触层124的设置后，可进行高温回火程序，以使第二电性接触层124与第二电性半导体层IIO之间形成欧姆接触。然后再形成第一电性接触层122b至少填设于开口114b中，并覆盖第一电性半导体层106所暴露出的部分表面及其侧面120，且第一电性接触层122b与第一电性半导体层106所暴露出的部分表面与侧面120接触，以使第一电性接触层122b与第一电性半导体层106电性连接。于另一示范实施例中，第一电性接触层122b还可与暴露的未掺杂半导体层104接触。在本实施例中，第一电性接触层122b不与有源层108及第二电性半导体层IIO接触。如图2B所示，在一实施例中，第一电性接触层122b具有类U字型结构，第一电性接触层122b可例如为n型金属层。完成第一电性接触层122b的设置后，可进行高温回火程序，以使第一电性接触层122b与第一电性半导体层106之间形成欧姆接触。其中，第二电性接触层124与第一电性接触层122b分开。
接下来，形成保护层126b覆盖第一电性接触层122b，以电性隔离第一电性接触层122b与第二电性接触层124，其中此保护层126b的材料可为透明绝缘材料，例如二氧化硅、氮化硅、旋涂玻璃、二氧化钛或氧化铝。在一实施例中，保护层126b较佳是填满开口 114b，如图2C所示，以确保第一电性接触层122b与第二电性接触层124之间的电性隔离，避免短路。
接着，如图2D所示，利用蒸镀方式形成如同第一实施例所述的反射层128覆盖保护层126b与第二电性接触层124，以反射有源层108射向第二电性接触层124的光。然后，如同第一实施例，以粘合、芯片接合、或电镀方式设置基板132于反射层128之上。
接下来，可先选择性地对基板132进行研磨，以縮减基板132的厚度。同时，利用例如激光法、蚀刻法或研磨法，并以第一电性接触层122b为停止层，来移除成长基板100，直至暴露出第一电性接触层122b的表面146与发光外延结构112的表面148。在本示范实施例中，第一电性接触层122b的表面146可与发光外延结构112的表面148共面。接着，形成隔离层154于发光外延结构112之表面148的一部分，其中发光外延结构112的表面148受到隔离层154所覆盖的部分邻近于第一电性接触层122b。接下来，形成第一电性接合垫142b于第一电性接触层122b的表面146与发光外延结构122的表面148上方的隔离层154上，其中第一电性接合垫142b与第一电性接触层122b接触而呈电性连接，且隔离层154夹设在发光外延结构112的表面148与第一电性接合垫142b之间，以隔离第一电性接合垫142b与发光外延结构112，如图2E所示。第一电性接合垫142b的材料可采用金属材料，更佳地第一电性接合垫142b的底层采用具有高反射特性的金属材料。
如图2E所示，在一些实施例中，还可选择性地在发光外延结构U2的表面148进行图案化步骤，以使发光外延结构112的表面148具有图案结构144b,其中此图案结构144b可具有规则图形或不规则图形，以增加发光二极管组件152b的光取出率。依据本发明的一些实施例，图案结构144b可以形成在第一电性半导体层106上或者是未惨杂半导体层104上。在另一实施例中，可在发光外延结构112的表面148的图案结构144b设置额外的透明图案层(未绘示)，其中由于此透明图案层系设置在图案结构144b上，因此此透明图案层的图形是取决于图案结构144b的图形；或者，在未经图案化的发光外延结构112的表面148上直接设置具有规则图形或不规则图形的透明图案层。此透明图案层的材料可例如为透明氧化物。在另一些实施例中，亦可选择性地形成如同第一实施例的共金金属层138于基板132的表面136，以利发光二极管组件152b与封装金属支架在适当温度下直接接合，进而可避免外加封胶材料增加热阻。
请参照图3A至图3E，其是依照本发明的第三较佳实施例的一种发光二极管组件的制造过程剖面图。在本示范实施例中，如同上述第一实施例所述，先提供成长基板100，再利用例如外延成长方式，在该成长基板100的表面118上形成发光外延结构112。然后，利用例如光刻与蚀刻等图案定义技术，对发光外延结构112进行图案化，而移除部分的发光外延结构112与部分的成长基板100，以在发光外延结构112与成长基板100中形成开口 114c。其中，开口114c自发光外延结构112的表面150延伸至成长基板100的一部分深度中，如图3A所示。在本发明中，开口 114c亦暴露出第一电性半导体层106的侧面120。
接着，制作第一电性接触层122c与第二电性接触层124，其中第一电性接触层122c与第二电性接触层124的制作顺序可依实际工艺来调整。在本示范实施例中，先形成如上述第一实施例所述的第二电性接触层124覆盖发光外延结构112的第二电性半导体层110上。同样地，完成第二电性接触层124的设置后，可进行高温回火程序，以使第二电性接触层124与第二电性半导体层110之间形成欧姆接触。然后形成第一 电性接触层122c至少填设于开口 114c中，并覆盖开口 114c的内侧面与底面，且第一电性接触层122c与第一电性半导体层106所暴露出的侧面120接触，以使第一电性接触层122c与第一电性半导体层106电性连接。在本实施例中，第一电性接触层122c不与有源层108及第二电性半导体层110接触。如图3B所示，在一实施例中，第一电性接触层122c具有类U字型结构，第一电性接触层122c可例如为n型金属层。完成第一电性接触层122c的设置后，可进行高温回火程序，以使第-一电性接触层122c与第一电性半导体层106之间形成欧姆接触。其中，第二电性接触层124与第一电性接触层122c分开。
接下来，形成保护层126c覆盖第一电性接触层122c，以电性隔离第一电性接触层122c与第二电性接触层124，其中此保护层126c的材料可为透明绝缘材料，例如二氧化硅、氮化硅、旋涂玻璃、二氧化钛或氧化铝。在一实施例中，保护层126c较佳是填满开口 114c，如图3C所示，以确保第一电性接触层122c与第二电性接触层124之间的电性隔离，避免短路。
接着，如图3D所示，利用蒸镀方式形成如同第一实施例所述的反射层128覆盖保护层126c与第二电性接触层124，以反射有源层108射向第二电性接触层124的光。然后，如同第一实施例，以粘合、芯片接合、或电镀设置基板132于反射层128之上。
接着，可先选择性地对基板132进行研磨，以縮减基板132的厚度。同时，利用例如激光法、蚀刻法或研磨法，并以第一电性接触层122c为停止层，来局部移除成长基板100而縮减成长基板100的厚度，直至暴露出第一电性接触层122c的表面146。在一实施例中，厚度经縮减后的成长基板100的厚度可实质小于300um。在本示范实施例中，第一电性接触层122c的表面146可与成长基板100的表面116共面。接下来，形成第一电性接合垫142c于第一电性接触层122c的表面146与成长基板100的表面116的一部分上，其中第一电性接合垫142c与第一电性接触层122c接触而呈电性连接，如图3E所示。第一电性接合垫142c的材料可采用金属材料，更佳地第一电性接合垫142c的底层采用具有高反射特性的金属材料。
如图3E所示，在一些实施例中，还可选择性地在成长基板100的表面116进行图案化步骤，以使成长基板100的表面116具有图案结构144c，其中此图案结构144c可具有规则图形或不规则图形，以增加发光二极管组件152c的光取出率。在另一实施例中，可在成长基板100的表面116的图案结构144c设置额外的透明图案层(未绘示)，其中由于此透明图案层是设置在图案结构
144c上，因此此透明图案层的图形是取决于图案结构144c的图形；或者，在未经图案化的成长基板100的表面116上直接设置具有规则图形或不规则图形的透明图案层。此透明图案层的材料可例如为透明氧化物。在另一些实施例中，亦可选择性地形成如同第一实施例的共金金属层138于基板132的表面136，以利发光二极管组件152c与封装金属支架在适当温度下直接接合，进而可避免外加封胶材料增加热阻。
由上述之实施例可知，本发明的一优点就是因为本发明的发光二极管组件具有高散热特性、高反射特性与高质量的外延表面，因此可大幅提升发光二极管组件的发光质量，并可有效延长组件的操作寿命。
由上述实施例可知，本发明的另一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法可利用第 一电性接触层来作为成长基板的激光、蚀刻或研磨移除时的终止层，而可避免伤害到成长在成长基板表面的发光外延结构，进而可提高发光外延结构的质量。
由上述实施例可知，本发明的又一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法的n型与p型接触层均是在反射层的形成、与散热基板的粘合或电镀前完成，因此可避免n型与p型接触层的高温回火影响反射层的反射率与散热基板的粘合能力。
由上述实施例可知，本发明的再一优点就是因为本发明的发光二极管组件的制造方法可仅局部移除成长蓝宝石基板，因此可利用剩余的蓝宝石基板来作为侧光取出的窗户层。此外，本发明的发光二极管组件的制造方法更可在成长基板本身、或成长基板上额外设置图案层来制作规则或不规则性图形，进一步增加光取出率。
虽然本发明已以多个实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1、一种发光二极管组件，其特征在于，至少包括一发光外延结构，至少包括依序堆叠的一第一电性半导体层、一有源层以及一第二电性半导体层，其中该发光外延结构具有至少一开口贯穿该发光外延结构，且该开口暴露出该第一电性半导体层的一侧面，其中第一电性不同于第二电性；一第一电性接触层，至少填设于该开口中且与该第一电性半导体层的该侧面接触；一第二电性接触层，覆盖该第二电性半导体层；一保护层，覆盖该第一电性接触层，以电性隔离该第一电性接触层与该第二电性接触层；一反射层，覆盖该保护层与该第二电性接触层；以及一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面，且该反射层设于该第一基板的该第一表面。
2、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，该第一电性接 触层是一n型金属层，该第二电性接触层是一p型接触层，且该第二电性接 触层为金属层或透明金属氧化层。
3、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，该保护层填满 该开口。
4、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还至少包括一 接合层，夹设在该第一基板的该第一表面与该反射层之间。
5、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还至少包括一 共金金属层设于该第一基板的该第二表面。
6、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，该发光外延结 构具有相对的一第一表面以及一第二表面，且该第一电性接触层的一表面与 该发光外延结构的该第一表面共面。
7、 根据权利要求6所述的发光二极管组件，其特征在于，还至少包括: 一第一电性接合垫，设于该第一电性接触层的该表面与该发光外延结构的该第一表面上，且与该第一电性接触层电性连接；以及一隔离层，夹设在该发光外延结构的该第一表面与该第一电性接合垫之间。
8、 根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还至少包括一第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，其中该第二基板的该第二表 面接合在该发光外延结构的一表面上。
9、 根据权利要求8所述的发光二极管组件，其特征在于，该第一电性接 触层的一表面与该发光外延结构的该表面共面。
10、 根据权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，该第二基板 还具有至少一接触孔穿设于该第二基板的该第一表面与该第二表面之间，并 暴露出部分的该第一电性接触层，且该发光二极管组件还至少包括一第一电 性接合垫延伸覆盖在该第二基板的该第一表面的一部分、该接触洞的表面与 该第一电性接触层的该暴露部分上。
11、 根据权利要求8所述的发光二极管组件，其特征在于，该开口延伸 至该第二基板中，且该第一电性接触层的一表面与该第二基板的该第一表面 共面，且该发光二极管组件还至少包括一第一电性接合垫设于该第一电性接 触层的该表面与该第二基板的该第一表面的一部分上，且与该第一电性接触 层电性连接。
12、 一种发光二极管组件的制造方法，其特征在于，至少包括 形成一发光外延结构于一第一基板的一第一表面上，其中该发光外延结构至少包括依序堆叠在该第一基板的该第一表面上的一第一电性半导体层、 一有源层与一第二电性半导体层，且该发光外延结构具有一开口穿设于该发 光外延结构中并暴露出该第一电性半导体层的一侧面，其中第一电性不同于 第二电性；形成一第一电性接触层至少填设于该开口中且与该第一电性半导体层的 该侧面接触；形成一第二电性接触层覆盖该第二电性半导体层；形成一保护层覆盖该第一电性接触层，以电性隔离该第一电性接触层与该第二电性接触层；形成一反射层覆盖该保护层与该第二电性接触层；以及 设置一第二基板于该反射层上，其中该第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，且该反射层与该第二基板的该第一表面接合。
13、 根据权利要求12所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于， 该第一电性接触层是一n型金属层，该第二电性接触层是一p型接触层，且 该第二电性接触层为金属层或透明金属氧化层。
14、 根据权利要求12所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于， 在设置该第二基板的步骤后，还至少包括移除该第一基板直至暴露出该第一 电性接触层的一表面与该发光外延结构的一表面。
15、 根据权利要求14所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于， 该第一电性接触层的该表面与该发光外延结构的该表面共面。
16、 根据权利要求14所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于， 在移除该第一基板的步骤后，还至少包括形成一隔离层于该发光外延结构的该表面的一部分，其中该发光外延结 构的该表面的该部分邻近于该第一电性接触层；以及形成一第一电性接合垫于该第一电性接触层的该表面与该发光外延结构 的该表面上，其中第一电性接合垫与该第一电性接触层电性连接，且隔离层 夹设在该发光外延结构的该表面与该第一电性接合垫之间。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管(LED)组件及其制造方法。此发光二极管组件至少包括一发光外延结构至少包括依序堆叠的第一电性半导体层、有源层以及第二电性半导体层，其中发光外延结构具有至少一开口贯穿发光外延结构，且开口暴露出第一电性半导体层的侧面，其中第一电性不同于第二电性；一第一电性接触层至少填设于开口中且与第一电性半导体层的侧面接触；一第二电性接触层覆盖第二电性半导体层；一保护层覆盖第一电性接触层；一反射层覆盖保护层与第二电性接触层；以及一第一基板具有相对的第一表面与第二表面，且反射层设于第一基板的第一表面。
文档编号H01L33/00GK101656283SQ20081021404
公开日2010年2月24日 申请日期2008年8月22日 优先权日2008年8月22日
发明者余国辉, 卢宗宏, 朱长信, 李孟信 申请人:奇力光电科技股份有限公司