专利名称：：Ptc热敏电阻制造方法及其ptc热敏电阻的制作方法
技术领域：
：本发明涉及的是热敏电阻及其制造方法。
背景技术：
：PTC热敏电阻作为温度感应变送器件，所需要的最关键特性是响应速度、控温点和敏感性，即温控点准确、电阻率低、a系数高并具有良好的体积特性。目前国内外生产企业制造的PTC热敏电阻，其电阻陶瓷片的制造原料按重量百分比包括58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸钙CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02，其中引入1.236%的碳酸锶SrCOs和6.3961%的碳酸铅PbC03，用于调整配方的居里点温度，并施加半导化施主材料0.2410%的三氧化二钇Y203，浓度为50%的受主材料硝酸锰溶液Mn(N03)2及用于吸附有害杂质、细化晶粒的0.1960%二氧化硅Si02，在1170°C温度条件下烧结成陶瓷电阻片。这一技术制造的PTC热敏电阻普遍存在电阻尺寸偏大、电阻率较高、a系数偏低的问题。
发明内容本发明专利申请的发明目的在于提供一种改善热敏电阻陶瓷片的技术参数、提高热敏电阻控温点准确性以及降低电阻率、提高a系数等相应技术性能的PTC热敏电阻制造方法及其PTC热敏电阻。本发明专利申请的PTC热敏电阻制造方法，以组成原料的总重量的百分比计，包括主料58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸韩CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02、0.1960%的二氧化硅Si02、1.236。/。的碳酸锶SrC03和6.3961%的碳酸铅PbC03，加入0.035%的五氧化二铌Nb205，半导化施主三氧化二钇丫203的用量为0.2060%，其受主为固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液，其用量为以上原料总重量的0.316%-0.589%,经预烧、细磨、烧结固相、镀层和印刷电极制造而成o本发明专利申请提供的PTG'热敏电J且技术方案，其主要技术内容是其PTC热敏电阻是以上述的PTC热敏电阻制造方法所制造的PTC热敏电阻。本发明专利申请公开的PTC热敏电阻制造方法及其PTC热敏电阻技术方案，其原料组成中增加了以抑制铅挥发、改变晶粒细化和提高晶界玻璃相功能的五氧化二铌Nb205，同时调整三氧化二钇含量，并由氯化锰MnCl2取代50%硝酸锰溶液，锰离子和氯离子的存在，能够有效的降低PTC热敏电阻的电阻、提高a系数，经实验表明，其抑制铅挥发的效果更为明显，由此制造的PTC热敏电阻的控温点更准确，还会有效的改善本PTC热敏电阻的电阻率和a系数等技术参数，其体积小，提高PTC热敏电阻的技术指标，具有感应灵敏、响应时间短的技术特点。具体实施例方式以下将结合实施例详细说明本发明的技术内容。本发明申请的PTC热敏电阻制造方法，其组成原料以及按总重量的百分比计，包括有主料58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸转CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02,辅料加入0.1960%的二氧化硅Si02和1.236%的碳酸锶SrC03、6.3961%的碳酸铅PbC03,还要加入0.035%的五氧化二铌Nb205，半导化施主三氧化二钇丫203的用量为0.2060%，其受主为固体氯化锰MnCl2，稀释溶解为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液，其用量为以上原料总重量的0.316%-0.589%，经烧结固相、镀层和印刷电极制造而成。其中的碳酸钡BaC03和二氧化钛TiCh是形成BaTi03系PTC热敏电阻材料的主晶相物质；碳酸钙CaC03能够改善BaTi03陶瓷晶粒，提高耐电压特性；二氧化硅Si02作为PTC热敏电阻材料的液相添加剂，捕捉有害物质，细化晶粒；碳酸锶SrC03为BaTi03陶瓷材料居里点温度120°C以下居里点移动剂，碳酸铅PbC03为BaTi03陶瓷材料居里点温度120°C以上居里点移动剂；五氧化二铌Nb205用于抑制铅挥发，使晶粒细化和提高晶界玻璃相。实施例1:其原料组成包括主料58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸钙CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02，0.1960%的二氧化硅Si02和1.236%的碳酸锶SrC03、6.3961%的碳酸铅PbC03，加入0.035%的五氧化二铌Nb205，半导化施主三氧化二钇Y203的用量为0.2060%，另夕卜，其受主为固体氯化锰MnCl2稀释溶解为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液，其用量为原料总重量的0.543%。上述原料充分混合后，经110(TC预烧后，二次球磨，成型烧结而成热敏电阻陶瓷材料，其控温点更为准确，经镀镍、印刷表面银作为电极制成PTC热敏电阻。实施例2:其原料组成包括主料58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸钙CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02，0.1960%的二氧化硅Si02和1.236%的碳酸锶SrC03、6.3961%的碳酸铅PbC03，加入0.035%的五氧化二铌Nb205，半导化施主三氧化二钇Y203的用量为0.2060%，另夕卜，其受主为固体氯化锰MnCl2:稀释溶解为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液，其用量为原料总重量的0.316%。上述原料充分混合后，经1100。C预烧后，二次球磨，成型烧结而成热敏电阻陶瓷材料，经镀镍、印刷表面银作为电极制成PTC热敏电阻。具有更优越的控温点准确性，实施例3:其原料组成包括主料58.6271%的碳酸钡BaC03、2.0412%的碳酸铐CaC03、31.2626%的二氧化钛Ti02，0.1960%的二氧化硅SiCh和1.236%的碳酸锶SrC03、6.3961%的碳酸铅PbC03，加入0.035%的五氧化二铌Nb205,半导化施主三氧化二钇Y;;03的用量为0.2060%，另夕卜，其受主为固体氯化锰MnCh稀释溶解为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液，其用量为原料总重量的0.589%。上述原料充分浪合后，经110(TC预烧后，二次球磨，成型烧结而成热敏电阻陶瓷材料，经镀镍、印刷表面银作为电极制成PTC热敏电阻。实施例2和实施例3较实施例1，其电阻率和(x系数指标更为优越。其实施结果如下-<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>权利要求1、一种PTC热敏电阻制造方法，以组成原料的总重量的百分比计，包括主料58.6271％的碳酸钡BaCO3、2.0412％的碳酸钙CaCO3、31.2626％的二氧化钛TiO2、0.1960％的二氧化硅SiO2、1.236％的碳酸锶SrCO3和6.3961％的碳酸铅PbCO3，加入0.035％的五氧化二铌Nb2O5，其特征在于半导化施主三氧化二钇Y2O3的用量为0.2060％，其受主为固体氯化锰MnCl2，加水成为浓度为5.5％氯化锰MnCl2溶液，其用量为以上原料总重量的0.316％-0.589％，经预烧、细磨、烧结固相、镀层和印刷电极制造而成。2、根据权利要求1所述的PTC热敏电阻制造方法，其特征在于其氯化锰MnCl2溶液用量为其它原料总重量的0.543%。3、根据权利要求1所述的PTC热敏电阻制造方法，其特征在于其氯化锰MnCl2溶液用量为其它原料总重量的0.316%。4、根据权利要求1所述的PTC热敏电阻制造方法，其特征在于其氯化锰MnCl2溶液用量为其它原料总重量的0.589%。5、一种如权利要求1的PTC热敏电阻制造方法制造的PTC热敏电阻。全文摘要本发明涉及的是热敏电阻及其制造方法。为改善热敏电阻陶瓷片的技术参数、提高热敏电阻控温点准确性以及降低电阻率、提高α系数等相应技术性能，本发明申请的PTC热敏电阻制造方法，其原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和碳酸铅，加入五氧化二铌，半导化施主三氧化二钇，其受主为固体氯化锰MnCl<sub>2</sub>，加水成为浓度为5.5％氯化锰MnCl<sub>2</sub>溶液，经预烧、细磨、烧结固相、镀层和印刷电极制造而成。本技术方案经实验表明，其抑制铅挥发的效果更为明显，由此制造的PTC热敏电阻的控温点更准确，还会有效的改善本PTC热敏电阻的电阻率和α系数等技术参数，提高PTC热敏电阻的技术指标。文档编号H01C7/02GK101447264SQ20081024694公开日2009年6月3日申请日期2008年12月24日优先权日2008年12月24日发明者张淑荣,王丽娜,王继勋申请人:丹东科亮电子有限公司