专利名称：采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性扩 散工艺的晶体硅太阳能电池。
背景技术：
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产 生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来 发展最快，最具活力的研究领域。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基 础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换。
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90%以上的份额，如何进一步提高
其光电转换效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提供一种具有较高的光电转换效率的采用选择性 扩散工艺的晶体硅太阳能电池。
本实用新型所采用的技术方案为 一种采用选择性扩散工艺的晶体硅太 阳能电池，包括硅片和硅片正面的电极，在正面电极的印刷区下设置通过磷 浆扩散工艺形成的高掺杂区，在正面电极的非印刷区下设置形成高掺杂区后 再次通过扩散工艺而形成的低掺杂区。
本实用新型的有益效果是本结构的太阳能电池的加工方法简单，易 实现，污染小，适于产业化生产，具有较高的光电转换效率。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的扩散工艺流程图。 图中l.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷浆。
具体实施方式
如图l所示的一种采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池，包括硅片 1和硅片1正面的电极，在正面电极的印刷区下设置通过磷浆扩散工艺形成 的高掺杂区2，在正面电极的非印刷区下设置形成高掺杂区2后再次通过扩 散工艺而形成的低掺杂区3。
本采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池的加工工艺流程图如图2所
示，具体步骤如下所述
正面电极的印刷位置与磷浆4按照一定间隔选择印刷位置相同，即将高
浓度磷浆4如正面电极栅线状印刷到硅片1表面。然后将此硅片1放入扩散
炉中进行扩散，用于在印刷区形成高掺杂区2。在这一步扩散中，印刷磷浆4
的区域会形成硅磷玻璃，硅磷玻璃会对磷原子往硅片1深处的扩散有消弱的
作用，不利于下一步的扩散工艺。所以在一次扩散后，需要去除硅片l表面
形成的硅磷玻璃。去除硅磷玻璃可以使用化学腐蚀如使用氢氟酸。在去硅磷
玻璃后进行二次扩散，这次扩散为三氯氧磷扩散，在非印刷形成低掺杂区3。
硅片1完成选择性扩散后再次进行去硅磷玻璃,然后进行刻边，镀氮化硅、 减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结成为电池成品。
权利要求1、一种采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池，包括硅片(1)和硅片(1)正面的电极，其特征是在所述的正面电极的印刷区下设置通过磷浆扩散工艺形成的高掺杂区(2)，在正面电极的非印刷区下设置形成高掺杂区(2)后再次通过扩散工艺而形成的低掺杂区(3)。
专利摘要本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池。它包括硅片和硅片正面的电极，在正面电极的印刷区下设置通过磷浆扩散工艺形成的高掺杂区，在正面电极的非印刷区下设置形成高掺杂区后再次通过扩散工艺而形成的低掺杂区。本电池易加工和实现，适于产业化生产，具有较高的光电转换效率。
文档编号H01L31/042GK201233895SQ20082003890
公开日2009年5月6日 申请日期2008年7月31日 优先权日2008年7月31日
发明者汪钉崇, 焦云峰 申请人:常州天合光能有限公司