专利名称：用于晶片或衬底的uv处理的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于晶片或衬底的紫外(UV)处理的装置。 UV光指紫外光。
术语晶片最初指由半导体材料制成的薄圆盘，但是现在一般还包括 由例如玻璃的其它材料制成的薄圆盘。晶片的形状是圆的。与此对比， 矩形的类似物体称为衬底。术语衬底还包括印刷电路板。
背景技术：
用于uv处理的这种装置例如在半导体工业中使用以便使粘结剂减 活，即部分地或全部地降低它们的粘结能力.气体放电灯或uv灯管用
作UV光源。气体放电灯需要很长的预热时间直到它们准备好用于操作，
因此产生很高量的废热。uv灯管效率低。
实用新型内容
本实用新型基于研发具有改进性能的这种装置的目的。
本实用新型提出使用用于物体的uv处理的装置，所述物体例如特 别是晶片或衬底，即本实用新型提供一种用于晶片或衬底的uv处理的
装置，所述装置包括UV光源，所述UV光源包括多个发光二极管(LED ) 和热沉，其中所述LED是发射UV光或者含有UV光的光的LED,并 且其中热沉是用于将由LED产生的废热散发到周围环境中的热沉。优 选地，热沉由陶资构成。在优选实施方式中，该装置还包括用于接收物 体即晶片或衬底的玻璃板，并且UV光源以固定方式布置在玻璃板下方 并照亮玻璃板的预定表面区域。
根据本实用新型的装置具有几个优点
—热扩散很低，这意味着金属薄片只经受适当的温度。
—UV光源的使用寿命非常长，这意味着维护成本因此很低。—uv光均勻分布在整个表面区域上。
—装置直接准备好用于操作。避免了预热时间。
包含在本说明书中并且构成本说明书一部分的附图图示了本实用 新型的一个或多个实施方式，并且与详细描述一起用于说明本实用新型
的原理和实施。附图不是按比例绘制的。在附图中
图1和2示出了根据本实用新型的用于物体特别是晶片或衬底的 UV处理的装置的第一实施方式，；
图3和4示出了这种装置的第二实施方式；
图5示出了这种装置的第三实施方式；以及
图6示出了这种装置的第四实施方式。
具体实施方式
下面进行的陈述类似地应用于晶片以及衬底。为了简4更的原因，下 面将只使用术语晶片。图l和图2分别示意性地示出了用于晶片或衬底 的UV处理的装置的第一实施方式的俯视图和侧视图。该装置包括底板 1，在底板l中布置有运输系统2和UV光源3，其中UV光源3向上照 射UV光。运输系统2包括马达4、滚子5和传送带6。马达4驱动至 少一条传送带6。 UV光源3布置在运输系统2的中间。在示例中，运 输系统2的左半部分用作装载表面7，右半部分用作卸载表面8。在操 作过程中一个接一个的晶片被放在装载表面7上，由运输系统2在运输 平面9中沿箭头所指示的运输方向10上被传送到卸载表面8，并被从卸 载表面8取下。这种装载和卸载能够用手进行或者通过全自动装载站和 卸载站进行。
UV光源3包括多个LED 11， LED 11在预定角度区域中发射紫外光， 所述预定角度在本示例中为大约120。。根据需要和应用，能够使用不同 类型的LEDll。紫外发光二极管(UVLED)是特别合适的，其主要或者 几乎专门地发射在UV范围中的光。能够从Nichia公司获得一种UV LED,该UV LED发射波长为大约365nm的光并且获得310mW的光输出功率。 该UV LED可以与包装在外壳中的集成透镜系统一起使用。该集成透镜系 统用于在预定角度区域中发射UV光。在特定应用中，能够使用白光LED 作为LEDll，该白光LED发射包含相当大量的UV射线的白光。
LED11不仅产生UV光，还产生废热。为了实现LEDll的最长可 能寿命，必需将LEDll的操作温度保持为尽可能低。因此，UV光源3 包括热沉12形式的被动冷却部分或者热沉12和风扇13形式的主动冷 却部分，其中风扇13允许空气流经热沉12。因此由LED ll产生的废 热能够有效地传递到周围环境中。LED 11例如安装在印刷电路板14上， 并且印刷电路板14紧固到热沉12。印刷电路板14选择为使得印刷电路 板14将以最佳可能方式将由LED 11产生的废热引导到热沉12。
当使用陶瓷作为用于热沉12的材料时，能够实现特别高的冷却性能。 热沉12能够由单片陶瓷材料制成或者能够由布置在两个导轨之间的几个 陶瓷块制成，并且能够单独安装。
LED 11以一行或者如图所示地以多行布置在运输平面9下方并且 是横向偏移的，在本示例中所述多行是三行。在相对于运输方向10的 横向上测量的相邻LED 11的距离A的尺寸确定为，使得所述LED的 锥形光束至少在边缘处重叠，从而能够照亮装置的整个有用宽度B。在 本示例中，距离A为A-lcm。从恒流电源给LED ll供应电流，其中 优选地每八个LEDll (或者任意其它数量)串联地连接。
下面的实施方式基于相同的技术，但是在实施形式上不同。因此， 上面所说的也类似地适用于下面的实施方式。
图3和图4示意性地示出了才艮据本实用新型的装置的第二实施方式 的俯视图和侧视图，其中，UV光源3布置在运输平面9上方并且向下 照射。UV光源3紧固到底板l或者能翻开的盖子上。传送带6连续地 延伸。UVLED11在本示例中以一行布置。
图5示意性地示出了根据本实用新型的装置的第三实施方式的俯视 图，其中晶片安置在玻璃板15上，并且UV光源3布置在支架16上， 所述支架16能够在布置在玻璃板15下方的引导装置17上来回运动。 另一方面，在横向于支架的驱动方向19的行中布置的LED ll向上照射。图6示意性地示出了根据本实用新型的装置的第四实施方式的俯视 图，其中既没有晶片的运输也没有UV光源3的任何移动。UV光源3 包括按行按列布置的并且照亮预定区域的LED 11。相邻LED 11的锥形 光束在边缘处在由表面区域形成的平面中重叠。与前面的示例中一样， LED 11布置在热沉上。
所描述的装置适合用于任意期望物体特别是晶片或衬底的UV处 理。在半导体行业中，当期望降低半导体芯片在金属薄片上的粘结能力 时，应用该装置。半导体芯片生产为彼此相邻地布置在晶片上的多个集 成电路。晶片在端部胶合到夹在框架上的带粘性的金属薄片上，然后被 锯成各个半导体芯片。之后，对具有各个半导体芯片的金属薄片进行 UV处理，以破坏金属薄片的粘结能力或者以将所述粘结能力降低到期 望的程度。这样做时，金属薄片对着UV光源，并且半导体芯片位于金 属薄片的背离UV光源的一侧。
根据本实用新型的装置还适合用于涂覆有光刻胶的晶片、衬底等的 处理，并且其中光刻胶必须用UV光处理。
当需要使用UV光来固化粘结剂时，也能够使用所述装置.
虽然已经示出和描述了本实用新型的实施方式和应用，但是了解本 公开的益处的本领域的技术人员将很清楚，在不脱离本文的实用新型概 念的情况下可以作出不同于前面所述的许多修改。因此，本实用新型仅 受所附权利要求及其等同描述的精神的限制。
权利要求1. 一种用于晶片或衬底的UV处理的装置，包括UV光源(3)，其特征是，所述UV光源包括多个LED(11)和热沉(12)，其中，所述LED是能够发射UV光或者含有UV光的光的LED，并且所述热沉是用于将由所述LED产生的废热散发到周围环境中的热沉。
2. 根据权利要求1所述的用于晶片或衬底的UV处理的装置，其特 征是，所述热沉由陶瓷构成。
3. 根据权利要求1或2所述的用于晶片或衬底的UV处理的装置， 其特征是，所述装置还包括用于接收所述晶片或衬底的玻璃板(15)， 其中，所述UV光源以固定方式布置在所述玻璃板下方并照亮所述玻璃 板的预定表面区域。
专利摘要本实用新型涉及一种使用UV光对物体即晶片或衬底进行UV处理的装置，其包括UV光源(3)，所述UV光源包括多个LED(11)和热沉(12)。所述LED发射UV光或者含有UV光的光。所述热沉用于将由所述LED产生的废热散发到周围环境中。
文档编号H01L21/00GK201298538SQ20082011509
公开日2009年8月26日 申请日期2008年5月15日 优先权日2007年5月15日
发明者鲁迪·波特曼 申请人:波瓦泰克有限公司