半导体激光器驱动装置和具有相同装置的成像装置的制作方法

专利名称：半导体激光器驱动装置和具有相同装置的成像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及能够控制半导体激光器驱动装置的半导体激光器的发光量的半导体 激光器驱动装置。更具体地，本发明涉及半导体激光器驱动装置和具有进一步能够检测半 导体激光器的劣化(deterioration)的半导体激光器驱动装置的成像设备。
背景技术：
传统地，用于在成像设备中进行记录的通用半导体激光器具有所谓的APC(自动 功率控制)功能，用于控制半导体激光器的发光量。当执行APC功能时，通过放置在半导体 激光器附近的光敏(Photo)传感器周期性地检测发光量，并且从光敏传感器输出根据所检 测到的光量的检测信号，以反馈到用于驱动半导体激光器的驱动电路。通过具有该功能，控 制发光量，以产生希望的激光量。图15是示出了传统半导体激光器驱动装置的配置的框图。如图15中所示，当光敏二极管(photo diode) PD接收从诸如激光二极管LD之类 的半导体激光器发射的激光光线时，光敏二极管PD根据所接收的激光光线的光量输出监 控电流Im。然后，通过I/V转换电路101将监控电流Im转换为监控电压Vm。由比较电路102 比较监控电压Vm和预定参考电压。然后，比较电路102输出指示电压差的信号。以外部APC 信号的定时、在非成像区域中，采样保持电路103采样并保持从比较电路102发送的信号的 电压。然后，采样保持电路103将所保持的电压发送到驱动电流设置电路104来作为成像 区域中的驱动电压。驱动电流设置电路104根据所接收的驱动电压生成驱动电流，并将所 生成的驱动电流提供到激光二极管LD。在此配置中，比较电路102和采样保持电路103组 成APC电路。但是，已知半导体激光器LD的服务寿命通常比其他部分的服务寿命短。因此，通 过检测半导体激光器LD的依据时间的劣化并且发出指示检测到劣化的警报，半导体激光 器LD可能在出故障之前被更换。图16和图17示出其中半导体激光器LD的特性劣化的典型情况。如图16和图17中所示，当随时间流逝或由于其他原因导致半导体激光器LD劣化 时，可增加半导体激光器LD的阈值电压Ith，结果，对于正在恶化的半导体激光器LD，发光 量相对于驱动电流的斜率明显地比其劣化前的斜率更倾斜。由于该特征，为了在半导体激 光器LD已经变得劣化之后从半导体激光器LD获得相同的发光量，要求将比半导体激光器 LD劣化前更大的驱动电流Iop提供到半导体激光器LD。当半导体激光器LD进一步劣化 时，需要向半导体激光器LD提供的驱动电流可能大于绝对最大额定值Imax，并且随后半导 体激光器LD可能故障。在到半导体激光器LD变为不能发光为止都没有检测到半导体激光器LD的劣化 的情况下，在到半导体激光器LD变为不能发光为止时可能没有准备更换半导体激光器LD。 结果，在半导体激光器LD变为不能发光后，劣化的半导体激光器LD可能不被立即更换。此外，可能存在半导体激光器LD在其制造过程期间变为不能发光的另一情况。在任何情况 下，当可在任意较早阶段检测到半导体激光器LD的劣化时，可能可以更容易地以更低的花 费更换半导体激光器LD。最后，如图18所示，公开了一种方法，其中使用电阻器111和放大电路112来检测 流过半导体激光器LD的电流，其中电阻器111与半导体激光器LD串联。在比较电路113 中将所检测到的电流值与预定参考电流值比较。然后，当作为比较结果的所检测到的电流 值大于预定参考电流值时，比较电路113输出指示半导体激光器LD劣化的信号。(例如，见 专利文件1)[专利文件1]日本特开专利申请第2000-280522

发明内容
本发明要解决的问题但是，如图18中所示，当将电阻器111与半导体激光器LD串联连接并且还提供放 大电路112时，可能存在以下关注由于(例如)寄生电容以及由于电阻器111和放大电路 112的输入漏电流，流过半导体激光器LD的电流波形可能变形。此外，当在IC内放置电阻 器111时，电阻器111的电阻可能显著地改变，从而降低检测由于半导体激光器LD的特性 的变化导致的半导体激光器LD的劣化的精度。另一方面，当将电阻器111放置在IC外部 时，可能可以控制电阻器111的电阻值的改变；但是以上变形电流波形的问题仍未解决。本发明是考虑到以上的问题而做出的，并且可提供半导体激光器驱动装置和能够 根据每个半导体激光器的特性通过最低程度地改变电路配置或设置值来准确地检测半导 体激光器的劣化的成像设备，从而保持电路尺寸较小，而不会被半导体激光器的特性的改 变和使用半导体激光器的条件影响。用于解决问题的装置根据本发明的一个方面，半导体激光器驱动装置包括由作为偏置电流和开关电流 (switching current)的组合的驱动电流驱动的半导体激光器，并且能够自动控制提供到 半导体激光器的电流，使得半导体激光器的光量实质上等于预定的光量。半导体激光器驱 动装置还包括开关电流生成电路单元，根据输入开关电流设置信号生成开关电流并且根据输入 控制信号向半导体激光器提供所生成的开关电流；偏置电流生成电路单元，根据输入偏置电流设置信号生成偏置电流并且向半导体 激光器提供所生成的偏置电流；控制电路单元，检测半导体激光器的发光量，并且通过生成偏置电流设置信号来 控制偏置电流生成电路单元的操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值；以及劣化检测电路单元，基于从控制电路单元发送的偏置电流设置信号来检测半导体 激光器的劣化，以及生成并发送指示劣化检测的结果的劣化检测信号。 此外，控制电路单元可以通过生成开关电流设置信号来控制开关电流生成电路的 操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值，以及劣化检测电路单元可基于从控制电 路单元发送的偏置电流设置信号和开关电流设置信号来检测半导体激光器的劣化，以及可 生成并发送指示劣化检测的结果的劣化检测信号。
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此外，根据本发明的另一方面，半导体激光器驱动装置包括由作为偏置电流和开 关电流的组合的驱动电流驱动的半导体激光器，并且能够自动控制提供到半导体激光器的 电流，使得半导体激光器的光量实质上等于预定的光量。半导体激光器驱动装置还包括开关电流生成电路单元，根据输入开关电流设置信号生成开关电流并且根据输入 控制信号向半导体激光器提供所生成的开关电流；偏置电流生成电路单元，根据输入偏置电流设置信号生成偏置电流并且向半导体 激光器提供所生成的偏置电流；控制电路单元，检测半导体激光器的发光量，并且通过生成开关电流设置信号来 控制开关电流生成电路单元的操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值；以及劣化检测电路单元，基于从控制电路单元发送的开关电流设置信号来检测半导体 激光器的劣化，以及生成并发送指示劣化检测的结果的劣化检测信号。此外，当偏置电流设置信号指示要生成大于预定值的偏置电流时，劣化检测电路 单元可生成和发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，当开关电流设置信号指示要生成大于预定值的开关电流时，劣化检测电路 单元可生成和发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，控制电路单元还包括光量检测电路，根据所检测到的发光量生成监控电压；第一运算放大器电路，放大监控电压和预定第一参考电压之间的电压差，并且发 送所放大的电压差；以及第一采样/保持电路，采样并保持第一运算放大器电路的输出电压，并且生成对 于偏置电流设置信号的电压，其中当由第一采样/保持电路生成的电压指示要生成大于预定值的偏置电流时，劣化 检测电路单元生成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，控制电路单元可包括光量检测电路，根据所检测到的发光量生成监控电压；第二运算放大器电路，放大监控电压和预定第二参考电压之间的电压差，并且发 送所放大的电压差；以及第二采样/保持电路，采样并保持第二运算放大器电路的输出电压，并且生成对 于开关电流设置信号的电压，其中当由第二采样/保持电路生成的电压指示要生成大于预定值的开关电流时，劣化 检测电路单元生成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，当检测到半导体激光器的劣化时，劣化检测电路单元可使得第一采样/保 持电路的输出端连接到预定电压，使得偏置电流被减少。此外，当检测到半导体激光器的劣化时，劣化检测电路单元可使得第二采样/保 持电路的输出端连接到预定电压，使得开关电流被减少。 此外，劣化检测电路单元可包括第一电压生成电路，生成并发送预定的第一电压；以及第一电压比较电路，比较第一采样/保持电路的输出电压与第一电压，并且生成 和发送指示比较结果的劣化检测信号。
此外，劣化检测电路单元包括第二电压生成电路，生成并发送预定的第二电压；以及第二电压比较电路，比较第二采样/保持电路的输出电压与第二电压，并且生成 和发送指示比较结果的劣化检测信号。此外，第一电压生成电路可包括用于改变第一电压的值的单元。此外，第二电压生成电路可包括用于改变第二电压的值的单元。此外，偏置电流生成电路单元可包括第一电压_电流转换电路，将对于偏置电流设置信号的电压转换为电流；以及偏置电流设置电阻器，由第一电压_电流转换电路转换的电流流过该偏置电流设 置电阻器。此外开关电流生成电路单元包括第二电压_电流转换电路，将对于开关电流设置信号的电压转换为电流；开关电流设置电阻器，由第二电压_电流转换电路转换的电流流过该开关电流设 置电阻器；以及开关电流控制开关，响应于外部输入信号控制由第二电压-电流转换电路和开关 电流设置电阻器生成的开关电流的输出。此外，控制电路单元可包括光量检测电路，根据所检测到的发光量来生成监控电压；以及第一驱动代码生成电路，比较通过A/D转换监控电压获得的数字代码与预定第一 参考代码，生成指示比较结果的第一驱动代码，以及发送所生成的第一驱动代码作为偏置 电流设置信号，其中当第一驱动代码指示要生成大于预定值的偏置电流时，劣化检测电路单元生成并 发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，控制电路单元可包括光量检测电路，根据所检测到的发光量来生成监控电压；以及第二驱动代码生成电路，比较由A/D转换监控电压获得的数字代码与预定第二参 考代码，并且生成指示比较结果的第二驱动代码作为开关电流设置信号，其中当第二驱动代码指示要生成大于预定值的开关电流时，劣化检测电路单元生成并 发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。此外，偏置电流生成电路单元可包括第一电流输出类型D/A转换电路，根据第一驱动代码生成并发送偏置电流。此外，偏置电流生成电路单元可包括第二电流输出类型D/A转换电路，根据第二驱动代码生成并发送开关电流；以及开关电流控制开关，响应于外部输入信号控制由第二 D/A转换电路生成的开关电 流的输出。此外，第一 D/A转换电路可将生成的偏置电流限制到等于或小于根据外部输入控 制信号的电流值。此外，第二 D/A转换电路可将生成的开关电流限制到等于或小于根据外部输入控 制信号的电流值。
根据本发明的另一方面，成像设备包括任意以上半导体激光器驱动装置。本发明的效果在根据本发明的实施例的半导体激光器驱动装置和具有该半导体激光器驱动设 备的成像设备中，基于从控制电路单元发送的偏置电流设置信号和/或开关电流设置信号 检测半导体激光器的劣化，并且生成和发送指示检测结果的劣化检测信号。通过具有该配 置，可以通过添加最小的电路而利用较小的电路尺寸并且不考虑半导体激光器的特性的改 变以及使用半导体激光器的条件来准确地检测半导体激光器的劣化。


图1是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的示例电路配置图；图2是图1中的半导体激光器驱动装置1的示意框图；图3是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的另一示例；图4是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图5是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图6是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图7是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图8是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图9是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图10是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图11是根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的又一示例；图12是根据本发明的第二实施例的半导体激光器驱动装置的示例电路配置图；图13是图12中的半导体激光器驱动装置Ic的示意框图；图14是图12中的D/A转换电路31和32的示例电路图；图15是传统半导体激光器驱动装置的示意框图；图16是示出当半导体激光器LD劣化时半导体激光器LD的特性的图；图17是示出当半导体激光器LD劣化时半导体激光器LD的特性的另一图；图18是另一传统半导体激光器驱动装置的示意框图。附图标记的描述1，IC 半导体激光器驱动装置2，2C:APC 电路3，3C:偏置电流生成电流4，4C 开关电流生成电路5:劣化检测电路6，6C 驱动电流控制电路11，11A，11B, 15，16，18 运算放大器电路17，17A，17B 比较器21，22 :A/D 转换电路23，24 APC 逻辑电路25，26 参考代码设置电路
31，32 :D/A 转换电路LD 半导体激光器PD 光敏二极管Rpd:可变电阻器ERBI 偏置电流设置电阻器Rsw 开关电流设置电阻器Rl, R2, RlA, R2A, RIB, R2B 电阻器SW1，SW2，SWla，SWlb 开关Ml, M2, M3 =NMOS 晶体管Csh, Csha, Cshb 采样/保持电容器
具体实施例方式接下来，参考附图详细地描述本发明的实施例。图1是示出根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置的示例电路配置 图。图1中的半导体激光器驱动装置执行控制(以下称为APC(自动功率控制))，以响 应于诸如激光二极管LD之类的半导体激光器的顺向(forward)的电流-光输出特性(i_L 特性)的变化来保持半导体激光器LD的光量恒定，所述改变由，例如，温度改变或随着时间 的劣化引起。在半导体激光器驱动装置1中，通过光敏二极管PD接收半导体激光器LD的 发光量，并且响应于所接收的光量执行APC。假设正在诸如激光打印机和数字复印机之类的 成像设备中使用半导体激光器驱动装置1而做出这里的描述。如图1中所示，半导体激光器驱动装置1包括光敏二极管PD、可变电阻器Rpd、APC 电路2、偏置电流生成电路3、开关电流生成电路4、检测半导体激光器LD的劣化的劣化检测 电路5、输出开关电流Isw的设置值并为半导体激光器LD设置驱动电流值的驱动电流控制 电路6。APC电路2包括运算放大器电路11、开关SWl和采样/保持电容器Csh。偏置电流 生成电路3包括运算放大器电路15、NMOS晶体管Ml和偏置电流设置电阻器Rbi。开关电 流生成电路4包括运算放大器电路16、N0MS晶体管M2、开关电流设置电阻器Rsw和开关电 流控制开关SW2。劣化检测电路5包括比较器17和电阻器Rl和R2。光敏二极管PD、可变电阻器Rpd和APC电路2组成控制电路部分。偏置电流生成 电路3组成偏置电流生成电路部分。开关电流生成电路4组成开关电流生成电路部分。劣 化检测电路5组成劣化检测电路部分。此外，光敏二极管PD和可变电阻器Rpd组成光量检 测电路。运算放大器电路11组成第一运算放大器电路。开关SWl和采样/保持电容器Csh 组成第一采样/保持电路。此外，运算放大器电路15和NMOS晶体管Ml组成第一电压，电 流转换电路。运算放大器电路16和NOMS晶体管M2组成第二电压，电流转换电路。此外， 劣化检测电路5组成第一劣化检测电路。电阻器Rl和R2组成第一电压生成电路。比较器 17组成第一电压比较电路。此外，APC电路2、偏置电流生成电路3、开关电流生成电路4、 劣化检测电路5和驱动电流控制电路6可一起集成在单个IC中。此外，如图1所示，光敏二极管PD的阴极连接到电压源VDD，而可变电阻器Rpd连 接在光敏二极管PD和地电势之间。光敏二极管PD和可变电阻器Rpd之间的连接点连接到
10运算放大器电路11的反相输入端(invertinginput terminal)。将预定参考电压施加到运 算放大器电路11的非反相输入端。运算放大器电路11的输出端连接到开关SWl的一端。 采样/保持电容器Csh连接在开关SWl的另一端和地电势之间。在开关SWl和采样/保持 电容器Csh之间的连接点连接到运算放大器电路15和比较器17的非反相输入端。关于指 示是否执行APC的控制电极的外部APC信号Sapc被输入到开关SWl。此外，半导体激光器LD的阳极连接到电压源VDD，而半导体激光器LD的阴极连接 到NMOS晶体管Ml的漏极，并且还通过开关电流控制开关SW2连接到NMOS晶体管M2的漏 极。偏置电流设置电阻器Rbi连接在NMOS晶体管Ml的源极和地电势之间。运算放大器电 路15的反相输入端连接到NMOS晶体管Ml的源极，而运算放大器电路15的输出端连接到 NMOS晶体管Ml的栅极。将关于控制电极的外部图像数字信号DATA输出到开关SW2。此外，开关电流设置电阻器Rsw连接在NMOS晶体管M2的源极和地电势之间。将 来自驱动电流控制电路6的开关电流设置电压Vsw施加到运算放大器电路16的非反相输 入端。运算放大器电路16的反相输入端连接到NMOS晶体管M2的源极，而运算放大器电路 16的输出端连接到NMOS晶体管M2的栅极。另一方面，电阻器Rl和R2串联连接在电压源 VDD和地电势之间。电阻器Rl和R2之间的连接点连接到比较器17的反相输入端。比较器 17输出指示是否正在检测半导体激光器LD的劣化的劣化检测信号Err。通过具有以上配置，由光敏二极管PD接收半导体激光器LD的发光量，并且光敏二 极管PD根据所接收的光量产生监控电流Im。通过可变电阻器Rpd将监控电流Im转换为电 压。将所转换电压作为监控电压Vm施加到运算放大器电路11的非反相输入端。运算放大 器电路11放大并输出所施加的监控电压Vm和预定参考电压Vref之间的电压差。当指示 正在执行APC的外部APC信号Sapc被输入到开关SWl时，闭合开关SWl (构成电路)。另 一方面，当指示停止APC的外部APC信号Sapc被输入到开关SWl时，断开开关SWl (切断电 路)。当正在执行APC时，闭合开关SWl (构成电路)，并且相应地，通过运算放大器电路 11的输出电压来充电采样/保持电容器Csh。S卩，响应于开关SWl的切换操作，通过采样/ 保持电容器Csh来采样并保持运算放大器电路11的输出电压。当正在执行APC时，将作为 偏置电流设置电压Vbi的运算放大器电路11的输出电压施加到运算放大器电路15和比较 器17的非反相输入端。运算放大器电路15控制NMOS晶体管Ml的操作，使得在NMOS晶 体管Ml和偏置电流设置电阻器Rbi之间的连接点处的电压实质上等于偏置电流设置电压 Vbi，并且将偏置电流设置电压Vbi转换为电流。响应于关于控制电极输入的图像数字信号DATA闭合或断开开关SW2。运算放大器 电路16控制NMOS晶体管M2的操作，使得在NMOS晶体管M2和开关电流设置电阻器Rsw之 间的连接点处的电压实质上等于开关电流设置电压Vsw，并且将开关电流设置电压Vsw转 换为电流。偏置电流Ibi和开关电流Isw流过半导体激光器LD。偏置电流Ibi是流过电 路的电流，在所述电路中，NMOS晶体管Ml和偏置电流设置电阻器Rbi串联连接。开关电流 Isw是流过电路的电流，在所述电路中，NMOS晶体管M2和开关电流设置电阻器Rsw串联连 接，当响应于图像数据信号DATA开关SW2闭合时，电流流过。如上所述，将先前设置的开关 电流Isw添加到偏置电流Ibi以形成驱动电流Ιορ，使得将所形成的驱动电流Iop施加到半 导体激光器LD以从半导体激光器LD获得预定光量，并且从而执行APC。
此夕卜，当不执行APC时，响应于外部APC信号Sapc断开开关SWl (切断电路)，并且 采样/保持电容器Csh两端的电压降为偏置电流设置电压Vbi。在这种情况下，优选地，正 在执行APC，使得偏置电流Ib跟随(follow)半导体激光器LD的阈值电流Ith并且偏置电 流Ibi小于阈值电流Ith。可以从外部输入开关电流设置电压Vsw，并且在这种情况下，可移除驱动电流控制 电路6。但是，驱动电流控制电路6可以基于偏置电流Ibi和偏置电流设置电压Vbi (作为 APC电路2的输出电压)来确定每个半导体激光器LD的特性，尤其是阈值电流Ith，使得可 以设置开关电流Isw的最适当的初始值。通过在，例如，日本特开专利申请第2007-73543 号和日本专利第3466599号中公开的方法可完成开关电流设置电压Vsw的这种设置。在劣化检测电路5中，将参考电压Verr施加到比较器17的反相输入端。由电阻 器Rl和R2生成参考电压Verr作为电压源VDD的分压，并且参考电压Verr用于确定半导 体激光器LD是否劣化。在图1中，参考电压Verr组成第一电压。作为参考电压Verr，设置 相应于电流值Ierr的电压。通过从在每个半导体激光器LD的数据页上描述的驱动最大电 流Imax或相应于用户使用的最大光量值的最大驱动电流Iopmax减去开关电流Isw，来确 定电流值Ierr。通过这样做，可以正好在半导体激光器LD的劣化过程开始之后和在半导 体激光器LD故障前检测半导体激光器LD的劣化。更具体地，通过添加能够在电流设置电 压Vbi大于参考电压Verr时、响应于从比较器17发送的劣化检测信号Err的高电平的输 入来报告半导体激光器LD已经劣化的电路，可以准确地检测半导体激光器LD的劣化。图2是图1中的半导体激光器驱动装置1的示意框图。当与示出传统半导体激光 器驱动装置的图18的框图相比时，半导体激光器驱动装置1的电路尺寸小于传统半导体激 光器驱动装置的尺寸，此外，半导体激光器驱动装置1可能不受寄生电容和输入漏电流直 接影响。在图2中，I/V转换电路相应于可变电阻器Rpd。APC电路的比较电路相应于图1 中的运算放大器电路11。APC电路的采样/保持电路相应于开关SWl和采样/保持电容器 Csh0此外，图2中的驱动电流设置电路相应于图1中的偏置电流生成电路3和开关电流生 成电路4。此外，根据本发明的实施例，可以通过设置偏置电流设置电阻器Rbi的电阻值rbi 来准确地检测半导体激光器LD的劣化，使得满足以下公式(1)
Iopmax (或者 Imax) - Isw = Ibimax ^ Verr/rbi(= Ierr) (1)此外，如图3中所示，偏置电流设置电阻器Rbi可置于IC外部，其中，在所述IC中 集成除了光敏二极管PD和可变电阻器Rpd之外的半导体激光器驱动装置1的全部电路，使 得用户可设置偏置电流设置电阻器Rbi中的任意值。此外，如图4所示，可响应于外部施加 的Rbi控制信号来选择偏置电流设置电阻器Rbi的电阻值rbi。在任何情况下，可以根据要 使用的半导体激光器LD的特性来设置偏置电流设置电阻器Rbi的电阻值rbi。以相同的方式，如图5中所示，电阻器R2可置于IC外部，其中，在所述IC中集成 除了光敏二极管PD和可变电阻器Rpd之外的半导体激光器驱动装置1的全部电路，使得用 户可对于电阻器R2设置任意值。此外，如图6所示，可配置电阻器R2，使得响应于外部施加 的Verr控制信号来选择电阻器R2的电阻值。此外，如图7所示，可配置电阻器R2，使得响 应于从驱动电流控制电路6发送的数据(信息)来设置电阻器R2的电阻值。在任何情况下，即使当偏置电流设置电阻器Rbi的电阻值rbi固定时，也可以通过响应于半导体激光器 LD设置参考电压Verr来准确地检测半导体激光器LD的劣化，使得满足等式(1)。此外，如图8中所示，可将NMOS晶体管M3添加到图1中的劣化检测电路5。通过 这样做，当从比较器17发送劣化检测信号Err的高电平时，检测到指示半导体激光器LD的 劣化的劣化检测信号Err，中断向开关SW2输入图像数据信号DATA，使得开关SW2断开(切 断开关)并且闭合NMOS晶体管M2 (使得NMOS晶体管M2导通)，使得偏置电流设置电压Vbi 连接到地电势。此外，如图9所示，除了比较器17以外，还可提供运算放大器电路18，使得 响应于来自运算放大器电路18的输出信号控制NMOS晶体管M3的操作。在这种情况下，可将大于参考电压Verr的电压输入给运算放大器电路18的反相 输入端，使得通过使用除了参考电压Verr以外的电压来限制偏置电流设置电压Vbi。通过 具有图8和图9中的配置，可以通过在检测到半导体激光器LD的劣化时停止提供偏置电流 Ibi,以防止半导体激光器LD的进一步劣化。此外，通过具有图8和图9中配置，不仅可以 检测半导体激光器LD的劣化，还可以避免由于光敏二极管PD中的短路导致的流过半导体 激光器LD的电流的持续异常增加，其中不仅由于半导体激光器LD中的问题，还由于半导体 激光器LD的不当安装引起光敏二极管PD中的短路。在图1的配置中，在固定开关电流Isw的值的同时，关于偏置电流Ibi执行APC。 但是，在固定偏置电流Ibi的值的同时，可关于开关电流Isw执行APC。在这种情况下，半 导体激光器LD的电路配置可从图1的电路配置改为图10的电路配置。在图10中，对于与 图1中的相同或等价的元件通常使用相同的附图标记和符号。图10和图1之间的配置中 的不同点在于，在图10中，APC电路2的输出电压是开关电流设置电压Vsw，配置偏置电流 设置电压Vbi，使得从驱动电流控制电路6输出或从外部输入偏置电流设置电压Vbi，并且 当开关电流设置电压Vsw大于参考电压Verr时，从比较器17输出劣化检测信号Err的高 电平，使得可以通过添加能够响应于来自比较器17的劣化检测信号Err的高电平的输出而 指示半导体激光器LD的劣化的电路，以检测半导体激光器LD的劣化。通过具有该配置，可以容易并且准确地检测半导体激光器LD的劣化。此外，在图 10的配置中，可从外部输入偏置电流设置电压Vbi。在这种情况下，可移除驱动电流控制电 路6。但是，驱动电流控制电路6可基于开关电流Isw和作为APC电路2的输入电压的开关 电流设置电压Vsw来确定每个半导体激光器LD的特性，尤其是阈值电流Ith，使得可设置偏 置电流Ibi的最适当的初始值。在图10中，运算放大器电路11组成第二运算放大器电路。 开关SWl和采样/保持电容器Csh组成第二采样/保持电路。参考电压Verr组成第二电 压。电阻器Rl和R2组成第二电压生成电路。比较器17组成第二电压比较电路。在图1的配置中，在固定开关电流Isw的值的同时，关于偏置电流Ibi执行APC。 但是，可关于开关电流Isw和偏置电流Ibi两者执行APC。在这种情况下，半导体激光器LD 的电路配置从图1的电路配置改为图11的电路配置。在图11的劣化检测电路5中，当偏 置电流设置电压Vbi和开关电流设置电压Vsw的至少一个大于相应的参考电压Verrl和 Verr2时，比较器17a和/或比较器17b分别输出劣化检测信号Errl和/或劣化检测信号 Err2，使得可以通过添加能够响应于劣化检测信号Errl和/或劣化检测信号Err2的高电 平的输出来报告半导体激光器LD的劣化的电路，以容易并准确地检测半导体激光器LD的 劣化。
在图11的配置中，运算放大器电路Ila组成第一运算放大器电路。开关SWla和 采样/保持电容器Csha组成第一采样/保持电路。此外，运算放大器电路lib组成第二运 算放大器电路。开关SWlb和采样/保持电容器Cshb组成第二采样/保持电路。参考电 压Verrl和Verr2分别组成第一电压和第二电压。电阻器Rla和R2a组成第一电压生成电 路。电阻器Rlb和R2b组成第二电压生成电路。比较器17a组成第一电压比较电路。比较 器17b组成第二电压比较电路。如上所述，在根据本发明的第一实施例的半导体激光器驱动装置中，当从APC电 路2发送的偏置电流设置电压Vbi和/或开关电流设置电压Vsw大于相应的预定电压时， 劣化检测电路5确定半导体激光器LD劣化，并且输出指示半导体激光器LD劣化的劣化检 测信号。通过具有该配置，可以通过添加最小的电路，利用较小的电路尺寸并且不考虑半导 体激光器的特性的改变以及半导体激光器的使用条件来准确地检测半导体激光器的劣化。第二实施例在以上第一实施例中，描述了通过模拟电路实现半导体激光器驱动电路1。但是， 可使用数字电路以及电流输出类型D/A(数字到模拟)转换器。接下来，描述根据本发明的 第二实施例的具有数字电路的半导体激光器驱动装置lc。图12是根据本发明的第二实施例的半导体激光器驱动装置Ic的示例电路配置 图。图12中的相同附图标记代表图1中相同或类似的元件。图12示出了关于偏置电流 Ibi和开关电流Isw 二者执行APC。在图12的半导体激光器驱动装置Ic中，通过光敏二极管PD接收半导体激光器LD 的发光量，并且响应于所接收的光量执行APC。图12中所示，半导体激光器驱动装置Ic包括光敏二极管PD、可变电阻器Rpd、APC 电路2c、偏置电流生成电路3c、开关电流生成电路4c、和驱动电流控制电路6c。APC电路 2c包括A/D转换电路21和22、APC逻辑电路23和24和参考代码设置电路25和26。偏置 电流生成电路3c包括电流输出类型D/A转换电路31。开关电流生成电路4c包括电流输出 类型D/A转换电路32和开关电流控制开关SW2。光敏二极管PD的阴极连接到电压源VDD，而可变电阻器Rpd连接在光敏二极管PD 和地电势之间。光敏二极管PD和可变电阻器Rpd之间的连接点连接到A/D转换电路21和 22的输入端。A/D转换电路21的输出端连接到APC逻辑电路23的输入端。以相同的方 式，A/D转换电路22的输出端连接到APC逻辑电路24的输入端。在参考代码设置电路25 中外部地设置参考代码Cerrl，参考代码Cerrl是用于确定半导体激光器LD是否劣化的标 准。以相同的方式，在参考代码设置电路26中外部地设置参考代码Cerr2，参考代码Cerr2 是用于确定半导体激光器LD是否劣化的标准。将在参考代码设置电路25中设置的参考代 码Cerrl输出到APC逻辑电路23。以相同的方式，将在参考代码设置电路26中设置的参考 代码Cerr2输出到APC逻辑电路24。将APC信号Sapc从外部输入到APC逻辑电路23和24中的每一个，并且响应于该 信号，将参考代码Cerrl和Cerr2分别输入到APC逻辑电路23和24。APC逻辑电路23生 成驱动代码Cdrvl，并将驱动代码Cdrvl输出到电流输出类型D/A转换电路31。以相同的 方式，APC逻辑电路24生成驱动代码Cdrv2，并将驱动代码Cdrv2输出到电流输出类型D/A 转换电路32。从逻辑电路23和24输出劣化检测信号Errl和Err2，劣化检测信号Errl和Err2中的每一个分别指示是否检测到半导体激光器LD的劣化。此外，响应于劣化检测信 号Errl和Err2，将用于限制半导体激光器LD的最大输出电流的控制信号Scl和Sc2分别 从外部输入到电流输出类型D/A转换电路31和32。半导体激光器LD的阳极连接到电压源 VDD0半导体激光器LD的阴极通过开关电流控制开关SW2连接到电流输出类型D/A转换电 路32的输出端和电流输出类型D/A转换电路31的输出端。在图12中，光敏二极管PD、可变电阻器Rpd、A/D转换电路21和22、以及APC逻辑 电路23和24组成控制电路部分。偏置电流生成电路3c组成偏置电流生成电路部分。开 关电流生成电路4c组成开关电流生成电路部分。此外，A/D转换电路21和APC逻辑电路 23组成第一驱动代码生成部分，而驱动代码Cdrvl组成第一驱动代码。以相同方式，A/D转 换电路22和APC逻辑电路24组成第二驱动代码生成部分，而驱动代码Cdrv2组成第二驱 动代码。此外，APC逻辑电路23和24以及参考代码设置电路25和26组成劣化检测电路 部分。电流输出类型D/A转换电路31组成第一 D/A转换电路，而电流输出类型D/A转换电 路32组成第二 D/A转换电路。此外，APC电路2c、偏置电流生成电路3c、开关电流生成电 路4c、和驱动电流控制电路6c可被集成在单个IC中。通过具有该配置，由光敏二极管PD接收来自半导体激光器LD发出的光，并且光敏 二极管PD根据所接收到的光量生成监控电流Im。通过可变电阻器Rpd将监控电流Im转换 为电压。将所转换的电压作为监控电压Vm施加到A/D转换电路21和22。A/D转换电路21 和22将输入监控电压Vm从模拟转换到数字，以生成数字代码，并将所生成的数字代码分别 发送到APC逻辑电路23和24。在接收指示APC被激活的APC信号Sapc时，APC逻辑电路 23比较所发送的数字代码和参考代码Crefl，生成驱动代码Cdrvl，并将所生成的驱动代码 Cdrvl发送到电流输出类型D/A转换电路31。驱动代码Cdrvl相应于，例如，图11中的偏 置电流设置电压Vbi的数字代码。以相同的方式，在接收指示APC被激活的APC信号Sapc时，APC逻辑电路24比较 所发送的数字代码和参考代码Cref2，生成驱动代码Cdrv2，并将所生成的驱动代码Cdrv2 发送到电流输出类型D/A转换电路32。驱动代码Cdrvl相应于，例如，图11中的开关电流 设置电压Vsw的数字代码。电流输出类型D/A转换电路31根据所发送的驱动代码Cdrvl生成偏置电流Ibi， 向半导体激光器LD提供所生成的偏置电流Ibi。另一方面，电流输出类型D/A转换电路32 根据所发送的驱动代码Cdrv2生成开关电流Isw。响应于关于控制电极输入的图像数字信 号DATA闭合和断开开关电流控制开关SW2。当闭合开关SW2以构成电路时，将由D/A转换 电路32生成的开关电流Isw提供到半导体激光器LD，另一方面，当断开开关SW2以切断电 路时，切断向半导体激光器LD提供由D/A转换电路32生成的开关电流Isw。通过这样做，在执行APC的情况下，当通过图像数据信号DATA闭合开关SW2时，添 加到偏置电流Ibi的开关电流Isw流过半导体激光器LD。因此，执行APC，使得组合开关电 流Isw和偏置电流Ibi，以形成要向半导体激光器LD提供的驱动电流Ιορ，从而从半导体激 光器LD获得预定的光量。另一方面，当接收指示APC未激活的APC信号Spac时，APC逻辑 电路23生成并发送驱动代码Cdrvl，使得所生成的偏置电流Ibi小于半导体激光器LD的阈 值电流Ith，并且APC逻辑电路24停止发送驱动代码Cdrv2，使得停止生成开关电流Isw。此外，APC逻辑电路23和24还执行劣化检测电路的操作。更具体地，APC逻辑电路23通过比较在参考代码设置电路25中预先设置的参考代码Cerrl与所生成的驱动代码 Cdrvl,以确定半导体激光器LD是否劣化。当由驱动代码Cdrvl指示的偏置电流Ibi的值 大于由参考代码Cerrl指示的电流的值时，APC逻辑电路23确定半导体激光器LD劣化，并 且输出指示检测到半导体激光器LD的劣化的预定劣化检测信号Errl。以相同的方式，APC 逻辑电路24通过比较在参考代码设置电路26中预先设置的参考代码Cerr2与从A/D转换 电路22发送的数字代码，以确定半导体激光器LD是否劣化。当由驱动代码Cdrv2指示的 开关电流Isw的值大于由参考代码Cerr2指示的电流的值时，APC逻辑电路24确定半导体 激光器LD劣化，并且输出指示检测到半导体激光器LD的劣化的预定劣化检测信号Err2。在图12的实施例中，关于偏置电流Ibi和开关电流Isw 二者执行APC。但是，可仅 关于偏置电流Ibi和开关电流Isw之一执行APC。此外，在图12的实施例中，基于驱动代码 Cdrvl和Cdrv2两者来检测半导体激光器LD的劣化。但是，如本发明的第一实施例中描述 的，可以仅基于驱动代码Cdrvl和Cdrv2两者中的一个来检测半导体激光器LD的劣化。图13是示出图12的配置的示意框图。从图13不难看出，图13中电路的尺寸小 于图18中的传统电路的尺寸。此外，与图18中的电路不同，图13中的电路不直接受寄生 电容和输入漏电流影响。在图13中，I/V转换电路相应于可变电阻器Rpd。APC电路的A/ D转换电路相应于A/D转换电路21和22的中的每一个。逻辑电路和比较电路分别相应于 APC逻辑电路23和24。此外，在图13中，驱动电流设置电路相应于偏置电流生成电路3c 和开关电流生成电路4c。图14示出了图12中所示的电流输出类型D/A转换电路31和32的示例电路图。如图14所示，电流输出类型D/A转换电路31和32具有不同数目的、相应于每个 比特的电流单元。更具体地，关于每个比特的电流单元的数目阐述如下对于第一比特，电 流单元的数目为2°。对于第二比特，电流单元的数目为21。对于第三比特，电流单元的数 目为22。对于第η比特，电流单元的数目为2(η_ 。通过具有该结构，通过相应数目的电流 单元加权每个比特，并且当比特的值为“1”时，从相应于该比特的(多个)电流单元的每一 个流出电流。即，当第“η”个比特的值为“1”时，从相应于第“η”个比特的2(η_ 个电流单 元的每一个流出电流。在这种情况下，每个电流单元实质上具有相同的形状和特性。因此， 通过使用电流单元使得可以外部地设置恒定电流，可以通过改变(多个)D/A转换电路的 全量程，确定相应于每个半导体激光器LD的特性的偏置电流Ibi和开关电流Isw的全量程 (full-scale)电流，从而改进检测半导体激光器LD的劣化的准确性。在以上描述中，描述了关于偏置电流Ibi和开关电流Isw 二者执行APC的情况。但 是，可只关于偏置电流Ibi执行APC。在这种情况下，可移除A/D转换电路22、APC逻辑电 路24、和参考代码设置电路26，使得可外部输入预定的驱动代码Cdrv2。以相同的方式，可 只关于偏置电流Isw执行APC。在这种情况下，可移除A/D转换电路21、APC逻辑电路23、 和参考代码设置电路25，使得可外部输入预定的驱动代码Cdrvl。如上所述，在根据本发明的第二实施例的半导体激光器驱动装置Ic中，当由从 APC逻辑电路23发送的驱动代码Cdrvl指示的偏置电流值大于由参考代码Cerrl指示的电 流值时和/或当由从APC逻辑电路24发送的驱动代码Cdrv2指示的偏置电流值大于由参 考代码Cerr2指示的电流值时，输出指示半导体激光器LD劣化的预定劣化检测信号，从而 获得与本发明的第一实施例的那些效果相同的效果。
此外，通过响应于半导体激光器LD的特性来改变驱动代码Cdrvl和Cdrv2的值， 可变为可以进一步改进检测半导体激光器LD的劣化的准确性。此外，当由从APC逻辑电路发送的驱动代码指示的电流值大于由相应的参考代码 指示的电流值时，可以通过在输出代码中设置“0”或将设置限制为APC逻辑电路的特定输 出代码，以防止半导体激光器LD的进一步劣化。根据本发明的第一或第二实施例的半导体激光器驱动装置可在例如激光打印机 和数字复印机的成像设备中使用。此外，在本发明的第一实施例中，将参考电压确定为通过划分电压源VDD的分压。 但是，本发明不限于该方法。例如，除了使用分压以外，还可使用用于生成预定电压的电压 生成电路。在这种情况下，电压生成电路可包括用于改变参考电压的单元。虽然为了完整和清楚的公开已经关于具体的实施例描述了本发明，但是所附的权 利要求不限于此，而是应该被理解为构成完全落入在此阐述的基本教导中的、本领域的技 术人员可想到的全部修改和可替换的构造。本申请基于2007年12月28日提交的日本专利申请第2007-339677号，并要求其 优先权，通过引用将其全部内容合并于此。
权利要求
一种半导体激光器驱动装置，包括由作为偏置电流和开关电流的组合的驱动电流驱动的半导体激光器，并且能够自动控制提供到半导体激光器的电流，使得半导体激光器的光量实质上等于预定的光量，所述半导体激光器驱动装置包括开关电流生成电路单元，根据输入开关电流设置信号生成开关电流并且根据输入控制信号向所述半导体激光器提供所生成的开关电流；偏置电流生成电路单元，根据输入偏置电流设置信号生成偏置电流并且向所述半导体激光器提供所生成的偏置电流；控制电路单元，检测所述半导体激光器的发光量，并且通过生成所述偏置电流设置信号来控制所述偏置电流生成电路单元的操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值；以及劣化检测电路单元，基于从所述控制电路单元发送的所述偏置电流设置信号来检测所述半导体激光器的劣化，以及生成并发送指示劣化检测的结果的劣化检测信号。
2.如权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其中所述控制电路单元通过生成所述开关电流设置信号来控制所述开关电流生成电路的 操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值，以及所述劣化检测电路单元基于从所述控制电路单元发送的所述偏置电流设置信号和所 述开关电流设置信号来检测所述半导体激光器的劣化，以及生成并发送指示劣化检测的结 果的劣化检测信号。
3.一种半导体激光器驱动装置，包括由作为偏置电流和开关电流的组合的驱动电流驱 动的半导体激光器，并且能够自动控制提供到半导体激光器的电流，使得半导体激光器的 光量实质上等于预定的光量，所述半导体激光器驱动装置包括开关电流生成电路单元，根据输入开关电流设置信号生成开关电流并且根据输入控制 信号向所述半导体激光器提供所生成的开关电流；偏置电流生成电路单元，根据输入偏置电流设置信号生成偏置电流并且向所述半导体 激光器提供所生成的偏置电流；控制电路单元，检测所述半导体激光器的发光量，并且通过生成所述开关电流设置信 号来控制所述开关电流生成电路单元的操作，使得所检测到的发光量实质上等于希望值； 以及劣化检测电路单元，基于从所述控制电路单元发送的所述开关电流设置信号来检测所 述半导体激光器的劣化，以及生成并发送指示劣化检测的结果的劣化检测信号。
4.如权利要求1或2所述的半导体激光器驱动装置，其中当所述偏置电流设置信号指示要生成大于预定值的偏置电流时，所述劣化检测电路单 元生成和发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
5.如权利要求2或3所述的半导体激光器驱动装置，其中当所述开关电流设置信号指示要生成大于预定值的开关电流时，所述劣化检测电路单 元生成和发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
6.如权利要求4所述的半导体激光器驱动装置，其中所述控制电路单元包括光量检测电路，根据所检测到的发光量生成监控电压；第一运算放大器电路，放大监控电压和预定第一参考电压之间的电压差，并且发送所 放大的电压差；以及第一采样/保持电路，采样并保持所述第一运算放大器电路的输出电压，并且生成对 于所述偏置电流设置信号的电压，其中当由所述第一采样/保持电路生成的电压指示要生成大于预定值的偏置电流时，所述 劣化检测电路单元生成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
7.如权利要求5所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述控制电路单元包括光量检测电路，根据所检测到的发光量生成监控电压；第二运算放大器电路，放大监控电压和预定第二参考电压之间的电压差，并且发送所 放大的电压差；以及第二采样/保持电路，采样并保持所述第二运算放大器电路的输出电压，并且生成对 于所述开关电流设置信号的电压，其中当由所述第二采样/保持电路生成的电压指示要生成大于预定值的开关电流时，所述 劣化检测电路单元生成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
8.如权利要求6所述的半导体激光器驱动装置，其中当检测到所述半导体激光器的劣化时，所述劣化检测电路单元使得所述第一采样/保 持电路的输出端连接到预定电压，使得偏置电流被减少。
9.如权利要求7所述的半导体激光器驱动装置，其中当检测到所述半导体激光器的劣化时，所述劣化检测电路单元使得所述第二采样/保 持电路的输出端连接到预定电压，使得开关电流被减少。
10.如权利要求6或8所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述劣化检测电路单元包括第一电压生成电路，生成并发送预定的第一电压；以及第一电压比较电路，比较所述第一采样/保持电路的输出电压与所述第一电压，以及 生成和发送指示比较结果的所述劣化检测信号。
11.如权利要求7或9所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述劣化检测电路单元包括第二电压生成电路，生成并发送预定的第二电压；以及第二电压比较电路，比较所述第二采样/保持电路的输出电压与所述第二电压，以及 生成和发送指示比较结果的所述劣化检测信号。
12.如权利要求10所述的半导体激光器驱动装置，其中所述第一电压生成电路包括用于改变所述第一电压的值的单元。
13.如权利要求11所述的半导体激光器驱动装置，其中所述第二电压生成电路包括用于改变所述第二电压的值的单元。
14.如权利要求6、8、10或12任意一个所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述偏置电流生成电路单元包括第一电压-电流转换电路，将对于所述偏置电流设置信号的电压转换为电流；以及 偏置电流设置电阻器，由所述第一电压_电流转换电路转换的电流流过所述偏置电流设置电阻器。
15.如权利要求7、9、11或13任意一个所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述开关电流生成电路单元包括第二电压_电流转换电路，将对于所述开关电流设置信号的电压转换为电流；以及 开关电流设置电阻器，由所述第二电压_电流转换电路转换的电流流过所述开关电流 设置电阻器；以及开关电流控制开关，响应于外部输入信号控制由所述第二电压_电流转换电路和所述 开关电流设置电阻器生成的开关电流的输出。
16.如权利要求4所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述控制电路单元包括光量检测电路，根据所检测到的发光量来生成监控电压；以及 第一驱动代码生成电路，比较由A/D转换监控电压获得的数字代码与预定第一参考代 码，生成指示比较结果的第一驱动代码，以及发送所生成的第一驱动代码作为所述偏置电 流设置信号，其中当所述第一驱动代码指示要生成大于预定值的偏置电流时，所述劣化检测电路单元生 成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
17.如权利要求5所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述控制电路单元包括光量检测电路，根据所检测到的发光量来生成监控电压；以及 第二驱动代码生成电路，比较由A/D转换监控电压获得的数字代码与预定第二参考代 码，并且生成指示比较结果的第二驱动代码作为所述开关电流设置信号，其中当所述第二驱动代码指示要生成大于预定值的开关电流时，所述劣化检测电路单元生 成并发送指示检测到半导体激光器的劣化的预定的劣化检测信号。
18.如权利要求16所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述偏置电流生成电路单元包括第一电流输出类型D/A转换电路，根据所述第一驱动代码生成并发送偏置电流。
19.如权利要求17所述的半导体激光器驱动装置，其中 所述偏置电流生成电路单元包括第二电流输出类型D/A转换电路，根据所述第二驱动代码生成并发送开关电流；以及 开关电流控制开关，响应于外部输入信号控制由所述第二 D/A转换电路生成的开关电 流的输出。
20.如权利要求18所述的半导体激光器驱动装置，其中所述第一 D/A转换电路将生成的偏置电流限制到等于或小于根据外部输入控制信号 的电流值。
21.如权利要求19所述的半导体激光器驱动装置，其中所述第二 D/A转换电路将生成的开关电流限制到等于或小于根据外部输入控制信号 的电流值。
22.—种成像设备，包括根据权利要求1到21中任意一个的半导体激光器驱动装置。
全文摘要
公开了一种能够通过添加最小的电路而利用较小的电路尺寸并且不考虑半导体激光器的特性的变化以及半导体激光器的使用条件来准确地检测半导体激光器的劣化的半导体激光器驱动装置和成像设备。在半导体激光器驱动装置中，在通过放大监控电压(Vm)和预定参考电压(Vref)之间的电压差而由运算放大器电路生成的输出电压，通过具有开关(SW1)和采样/保持电容器(Csh)的采样/保持电路发送到偏置电流生成电路单元，作为偏置电流设置电压(Vbi)。当偏置电流设置电压(Vbi)大于预定电压时，劣化检测电路发送指示检测到半导体激光器的劣化的劣化检测信号。
文档编号H01S5/0683GK101911406SQ20088012284
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月15日 优先权日2007年12月28日
发明者釜谷智彦 申请人:株式会社理光