专利名称：利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达到1.5-2.2t的装置的制作方法
技术领域：
本发明属于7lc磁器件，具体涉及一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强 可达到1. 5-2. 2T的装置。
技术背景现在市场上用的一^:都是》兹才及不大于1.5T的平均场强，而在实际应用中 是希望再大一点。于是有的制作者通过减小磁极面积(一般为3-5mm)来达到较 高的磁场强度，结果是^兹场虽然能够达到或是超过1. 5T，但由于磁极面的减少， 使的磁场的作用空间减小，对于用户效果不好，因此不能满足市场的需求。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种利用钕铁硼材料制作的开路表面 场强可达到1.5-2. 2T的装置，通过加厚磁体面的厚度，使磁体的场强提高到1. 5-2. 2T,可4姿要求制作所需体积的磁体，满足市场的需求。本发明的技术方案 一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达到1. 5-2. 2T的装置，它包括磁体1,纯铁片2，磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的 极性相对安装，即N极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为4 ~ 10mm, 磁体1与纯铁片2的长度周期t3为30 ~ 150mm，磁体1的直径D为60 ~ 400mm， 轴孔直径d为0 ~ 100mm,开路表面场强为1. 5 ~ 2. 2T。本发明与现有技术相比具有以下有益效果本发明通过加厚磁体面的厚 度，使磁体的场强提高到1.5-2.2T,可按要求制作所需体积的磁体，满足市场 的需求。
3图l是本发明的结构示意图。
具体实施例方式
实施例1
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1. 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1，纯铁片2，磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的极性相对安装，即N 极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为8mm,磁体1与纯铁片2的 长度周期t3为98mm,磁体1的直径D为200mm,轴孔直径d为16mm,开路表 面场强为1. 78T。
实施例2
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1. 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1，纯铁片2，磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的极性相对安装，即N 极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为4mm，磁体1与纯铁片2的 长度周期t3为30mm,磁体1的直径D为60mm,轴孔直径d为0隨，开路表面 场强为1. 5T。
实施例3
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1. 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1，纯铁片2,磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的极性相对安装，即N 极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为4mm，磁体1与纯铁片2的 长度周期t3为60mm，磁体1的直径D为120mm,轴孔直径d为Omm,开路表面 场强为2. 2T。
实施例4
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达 . 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1，纯铁片2，磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的极性相对安装，即N极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为10mm,磁体1与纯铁片2 的长度周期t3为80mm,磁体1的直径D为120mm，轴孔直径d为Omm，开路表 面场强为1. 5T。 实施例5
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1. 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1,纯铁片2,磁体1与纯铁片2固定联接，i兹体的极性相对安装，即N 极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为10mm,磁体1与纯铁片2 的长度周期t3为150mm,,兹体1的直径D为300mm，轴孔直径d为Omm,开路 表面场强为2. 2T。
实施例6
一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1. 5-2. 2T的装置，它包括 磁体1，纯铁片2,磁体1与纯铁片2固定联接，磁体的极性相对安装，即N 极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为10mm，磁体1与纯铁片2 的长度周期t3为150mm,磁体1的直径D为400mm，轴孔直径d为100mm，开 路表面场强为2. 2T。
权利要求
1、一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1.5-2.2T的装置，它包括磁体(1)，纯铁片(2)，其特征是磁体(1)与纯铁片(2)固定联接，磁体的极性相对安装，即N极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为4～10mm，磁体(1)与纯铁片(2)的长度周期t3为30～150mm，磁体(1)的直径D为60～400mm，轴孔直径d为0～100mm，开路表面场强为1.5～2.2T。
全文摘要
本发明涉及一种利用钕铁硼材料制作的开路表面场强可达1.5-2.2T的装置，它包括磁体(1)，纯铁片(2)，磁体(1)与纯铁片(2)固定联接，磁体的极性相对安装，即N极与N极相对，S极与S极相对，其中磁极面t2为4～10mm，磁体(1)与纯铁片(2)的长度周期t3为30～150mm，磁体(1)的直径D为60～400mm，轴孔直径d为0～100mm，开路表面场强为1.5～2.2T。本发明通过加厚磁体面的厚度，使磁体的场强提高到1.5-2.2T，可按要求制作所需体积的磁体，满足市场的需求。
文档编号H01F7/02GK101630566SQ20091007466
公开日2010年1月20日 申请日期2009年6月2日 优先权日2009年6月2日
发明者李绿山, 梁永新, 荆计生, 贾建伟, 贾建华 申请人:山西京宇磁性材料有限公司