专利名称：新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块的制作方法
技术领域：
本发明属于半导体封装以及功率模块领域，具体地说是一种新型直接敷铜基 板布局的绝缘栅双极性晶体管模块。
背景技术：
绝缘栅双极性晶体管模块主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极 性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子。在对该模块中的直接敷铜基板(DBC) 进行设计时，要考虑热设计、结构应力设计、EMC设计和电路结构设计，此还 同时要考虑设计产品的生产成本。现有的绝缘栅双极性晶体管模块设计中存在的 主要问题是产品的兼容性不够、热设计不合理和生产成本高。
发明内容
本发明的目的是设计出一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块。
本发明要解决的现有绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块存在的兼容性不够、 热设计不合理和生产成本高的问题。
本发明的技术方案是它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性 晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结 合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎 焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直 接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组 成。本发明的优点是本发明的兼容性好，最大化了集电极区域，应用的电流 范围大，生产成本低。
图l是本发明的结构示意图。
图2是本发明直接敷铜基板(DBC)的布局图。 图3是本发明的电路原理图。
具体实施例方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
如图所示，本发明包括基板1、直接敷铜基板(DBC) 3、绝缘栅双极性晶 体管芯片4、 二极管芯片5、功率端子6和功率端子14。基板l和直接敷铜基 板(DBC) 3通过钎焊结合。绝缘栅双极性晶体管芯片4、 二极管芯片5和直 接敷铜基板(DBC) 3之间通过钎焊结合。基板1和直接敷铜基板(DBC) 3 通过钎焊结合。基板1上钎焊有两组四块呈方形排布直接敷铜基板(DBC) 3， 四块直接敷铜基板(DBC)之间用lmm宽的沟道隔开。每块直接敷铜基板(DBC) 3都由门极9、集电极10和发射极11组成。
所述的四块直接敷铜基板(DBC)中，左上直接敷铜基板(DBC)和右 下直接敷铜基板(DBC)、左下直接敷铜基板(DBC)和右上直接敷铜基板(DBC) 的结构相同。左上直接敷铜基板(DBC)和右下直接敷铜基板(DBC)是镜像 对称，左下直接敷铜基板(DBC)和右上直接敷铜基板(DBC)是镜像对称。 直接敷铜基板(DBC) 3的边侧区域为门极9 ，门极9是一块长方形区域。 左上直接敷铜基板(DBC)的门极9和左下直接敷铜基板(DBC)的门极通过 桥17连接，并通过引线引出。右上直接敷铜基板(DBC)的门极和右下直接 敷铜基板(DBC)的门极通过桥8连接，并通过引线引出。直接敷铜基板(DBC)
43的中间区域是集电极10，直接敷铜基板(DBC)通过钎焊和绝缘栅双极性晶 体管芯片4及二极管芯片5的集电极连接在一起。四块直接敷铜基板 (DBC)通过桥12和桥16连接在一起，再通过功率端子14引出。
直接敷铜基板(DBC) 3的右边区域是发射极ll，直接敷铜基板(DBC) 3和绝缘栅双极性晶体管芯片4及二极管芯片5的发射极连接在一起。直接敷铜 基板(DBC)的发射极是通过桥13和桥15连接在一起，再由功率端子6引出去。 发射极区域还通过引出信号与门极组成信号控制端。直接敷铜基板(DBC) 3上 还设有信号引线2和阻焊层7。
如图2所示的4块直接敷铜基板(DBC)布局结构，实现了图3所示的电路。 在图3电路原理图中A、 B、 D分别为门极、集电极和发射极。
权利要求
1、一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。
2、 根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体 管模块，其特征在于基板上的四块直接敷铜基板(DBC)呈方形排布，其中左上 直接敷铜基板(DBC)和右下直接敷铜基板(DBC)、左下直接敷铜基板(DBC) 和右上直接敷铜基板(DBC)的结构相同。
3、 根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体 管模块，其特征在于直接敷铜基板(DBC)的边侧区域为门极，门极是一块长方 形区域，左上直接敷铜基板(DBC)的门极和左下直接敷铜基板(DBC)的门极、 右上直接敷铜基板(DBC)的门极和右下直接敷铜基板(DBC)的门极分别通过 桥连接，且分别通过引线引出。
4、 根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体 管模块，其特征在于直接敷铜基板(DBC)的中间区域是集电极，直接敷铜基板(DBC)通过钎焊和绝缘栅双极性晶体管芯片及二极管芯片的集电极连接在一 起，四个直接敷铜基板(DBC)通过桥连接在一起，再通过功率端子引出。
5、 根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体 管模块，其特征在于直接敷铜基板(DBC)的右边区域是发射极，直接敷铜基 板(DBC)和绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片的发射极连接在一起，上下 直接敷铜基板(DBC)的发射极是通过桥连接在一起，再通过功率端子引出去。
6、 根据权利要求1所述的一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体 管模块，其特征在于直接敷铜基板(DBC)上还设有信号引线和阻焊层。
全文摘要
本发明公开了一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。本发明具有兼容性好，应用的电流范围大，生产成本低的特点。
文档编号H01L25/07GK101630676SQ200910097410
公开日2010年1月20日 申请日期2009年4月2日 优先权日2009年4月2日
发明者刘志宏, 姚礼军, 张宏波, 华 沈, 金晓行 申请人:嘉兴斯达微电子有限公司