专利名称：：有机发光二极管显示器装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器装置，更具体地，涉及一种通过控制布置在电极和透明基板之间的第一折射层和第二折射层的厚度，使用简单结构和工艺能够在全部发光波长范围内改善亮度和色坐标特性，从而提高光提取效率(lightextractionefficiency)和色再现性能的OLED显示器装置。
背景技术：
：发光设置、特别是诸如OLED显示器装置等平板显示器装置的发光效率被分为内部效率和外部效率。内部效率取决于有机发光材料的光电转换效率。另外，被称为光提取效率的外部效率取决于构成有机发光二极管的各个层的折射率。与诸如阴极射线管或PDP等其它显示器装置相比，有机发光二极管呈现出相对较低的光提取效率，即外部效率，从而对于改善诸如亮度、寿命等显示器装置特性存在大量空间。常规有机发光二极管与其它显示器装置相比具有较低的光提取效率的最大原因是，由于当光以大于临界角发射通过有机层时，在折射率高的ITO(extraction)。因此，由于有机发光二极管中界面处的全反射，由有机发光层产生的光实际上仅有约四分之一能够透出。日本专利63-314795中公开了一种用于防止光提取效率降低的常规OLED显示器装置的实例。该OLED显示器装置包括具有投影透镜的基板。但由于单个像素的面积非常小，因此难以形成将光线聚集在基板上的投影透镜。为了解决OLED显示器装置的这个问题，在日本特开8-250786、8-213174和10-177896中公开了具有光学微孔的OLED显示器装置。这种OLED显示器装置具有在玻璃基板和ITO电极之间形成的多层半透镜，这些半透镜与还用作反射板的金属阴极一起用作光学共振器。在此，半透镜具有通过交替堆叠折射率高的Ti02层和折射率低的Si02层形成的多层结构，并通过控制这些层之间的反射来实现光学共振。但是，这种光学共振器需要尽可能多的用于半透镜的层以改善折射特性，而且这些层的数量和各层的厚度必须精确优化以控制特定波长处的反射。因为此原因，制作OLED显示器装置的工艺会变得复杂。
发明内容本发明的各方面提供一种有机发光二极管(OLED)显示器装置，所述显示器装置利用简单的结构和工艺能够在所有发光波长范围内改善亮度和色坐标特性，从而提高光提取效率和色再现性能。根据本发明的一个实施方式，OLED显示器装置包括基板、布置在基板上的第一电极、布置在第一电极上并包括发光层的有机层、布置在有机层上的第二电极、以及第一折射层和第二折射层。第一折射层和第二折射层的叠层或者布置在第一电极和基板之间，或者布置在第二电极上。第一折射层的折射率小于第二折射层的折射率。第一折射层的厚度不大于100nm。第一电极可以是透射电极，而第二电极可以是反射电极。在这种情况下，第一折射层布置在第一电极和基板之间，且第二折射层布置在第一折射层和基板之间。第一电极可以是反射电极，且第二电极可以为透射电极。在这种情况下，第一折射层布置在第二电极上，且第二折射层布置在第一折射层上。根据本发明的另一个实施方式，OLED显示器装置包括具有多个单元像素区域的基板、多个布置在基板的单元像素区域上的有机发光二极管、以及第一折射层和第二折射层。各有机发光二极管包括第一电极、第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的有机层。有机层具有发光层。第一折射层和第二折射层的叠层或者布置在各有机发光二极管的第一电极和基板之间，或者布置在各有机发光二极管的第二电极上。第一折射层的折射率小于第二折射层的折射率。第一折射层的厚度不大于100nm。在以下说明书中将部分阐明本发明的其它方面和/或优点，其部分内容从说明书中是显而易见的，或者可通过本发明的实践而理解。结合附图并参照以下的详细描述，本发明的更完整理解及其众多的附加优点将同样显而易见并更好地理解，附图内相同的附图标记指代相同或相似的部件，其中图1是根据本发明第一示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器装置的横截面示图2是根据本发明第二示例性实施方式的OLED显示器装置的橫截面示图3是根据本发明第三示例性实施方式的OLED显示器装置的橫截面示图4是根据本发明第四示例性实施方式的OLED显示器装置的横截面示图。具体实施例方式现将详细描述本发明的优选实施方式，其实施例在附图中说明，其中相同的附图标记在全文中代表相同的元件。为了解释本发'明，以下参照附图描述这些实施方式。图1是根据本发明第一示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器装置的横截面示图。在本实施方式中，OLED显示器装置是一种向基板发光的底发光OLED显示器装置。参照图1,依次布置基板100、第二折射层101和第一折射层102，并且将包括第一电极103、具有发光层的有机层104和第二电极105的有机发光二极管布置在第一折射层102上。可在第二电极105上进一步包括密封元件(未示出)。基板100由透光材料形成。基板IOO可由透明玻璃或透明聚合物材料形成，透明聚合物材料例如为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯胺(PANI)或聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)。在第二折射层101、第一折射层102和第二电极105的表面反射由有机层104的发光层发出的大量光。这些层表面之间的反射引起光学共振。由于光学共振，使发光层产生的光的强度通过光学共振被增强。增强的光传输到显示器装置之外，由此改善光提取效率。在本实施方式中，第一折射层102的折射率nl小于第二折射层101的折射率n2。形成不超过100nm的第一折射层102。如果第一折射层102的厚度大于100nm，随着第一折射层102的厚度变化，光提取效率和色再现性能几乎无明显差异。此外，如果第一折射层102更厚，它吸收了发光层发出的光，这会对光透过产生负面作用。因此，优选形成不超过100nm的第一折射层102。在第一电极103的图形化期间，第一折射层102还保护布置在第一折射层102之下的第二折射层101。当第一折射层102的厚度为100nm或更低时，可形成厚度不超过350nm的第二折射层IOI。当第二折射层101具有大于350nm的厚度时，可增加第二折射层101中的光吸收。优选地，可形成厚度为20rnn100nm或150nm~350nm的第二折射层101，更具体地为50nm80nm或180nm~200nm的厚度。在此范围内，与其它厚度范围相比，光提取效率和色再现性能可显著增加。在约400nm~800nm的波长范围内，该范围包括了红色、绿色和蓝色的波长，即使在形成厚度相同的第一折射层102和第二折射层101时，光提取效率和色再现性能也增加。第一折射层102和第二折射层101由透明材料形成。具体地，第一折射9层102和第二折射层101可由氧化铌(1^205)、氧化钽(丁&205)、氧化钛(1^205)、氮化硅(SixNy)、氧化硅(Si02)、氧化锑(81203)、氧化铝(八1203)、氧化锆(Zr02)、氧化镁(MgO)、氧化铪(Hf02)或合成聚合物形成。有选择地混合这些材料以使第一折射层102的折射率nl小于第二折射层101的折射率n2。在此，用于第一折射层102和第二折射层101的材料可选择具有1.4至小于1.8范围内的nl以及具有1.1倍nl的n2。此外，nl可小于第一电极103的折射率。第一折射层102和第二折射层101可用溶胶-凝胶法、旋涂法、喷涂法、辊涂法、离子束沉积法、电子束沉积法、激光烧蚀法、化学气相沉积法(CVD)或賊射法形成，并优选用溅射法形成以保证形成大尺寸层的均匀性和稳定性。同时，与第一折射层102相同的第三折射层可进一步布置在第二折射层101和基板100之间。或者，可重复形成第一折射层102和第二折射层101的堆叠结构，或者重复形成第一折射层102、第二折射层101和第三折射层的堆叠结构。随后，将第一电极103布置在第一折射层102上，用作透射电极，光透过其发出。第一电极103可用作阳极，且可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)、氧化锌(ZnO)或透明导电材料形成。或者，第一电极103可用作阴极，且可形成为光能够透过的薄层。例如，第一电极103可由诸如具有低功函的导电金属制成，例如镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金。有机层104包括发光层，并可进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一层。用于形成发光层的材料无特别限制，且可由选自已知的主体材料和掺杂材料中的任意材料形成。主体材料包括4，4'-N,N，-二^唑-联苯(CBP)、双-(2-曱基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚铝(BAlq)、2,9-二曱基-4,7-二苯基-l,10-二氮杂菲(BCP)、N,N'-二咔唑基-l,4-二亚曱基-苯(DCB)、红荧烯和9，10-双O萘基)蒽(AND)。掺杂材料料包括4，4'-双(2,2'-二苯基乙烯基)-l,l'-联苯(DPVBi)、二苯乙烯基胺衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、二苯乙烯基联苯(DSBP)衍生物、10-(1，3-苯并噻唑-2-基)-l,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H，5H，11H-吡喃并(2,3-f)吡啶并(3，2,1-ij)喹啉-11隱酮(C545T)、喹吖酮衍生物、三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、PQIr、Btp2Ir(acac)、4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(l,l,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4-(二氰基亚曱基)-2-甲基-6-(对二曱氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、2，3，7，8,12，13，17,18-八乙基-21H，23H-卟啉-铂络合物(PtOEP)、Ir(piq)2(acac)、RD3(柯达)和EK8(柯达)。空穴注入层可由4,4'，4"-三(3-甲基苯氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(3-甲苯氨基)苯基]苯(m誦MTDATB)、铜酞菁(CuPc)或N，N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基苯(DNTPD)形成，且空穴传输层可由N,N'-二苯基-N，N'-双(3-甲基苯基)-l,r-联苯基-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基联苯胺(a-NPD)或4,4'-双(l-萘基苯氨基)-联苯(NPB)形成。电子阻挡层可由BAlq、BCP、CF-X、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-l，2，4-三唑(TAZ)或螺环-TAZ形成，且空穴阻挡层160可由2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l,3,4-噁二唑(PBD)、螺环-PBD或TAZ形成。电子传输层可由TAZ、PBD、螺环-PBD、Alq3、BAlq或SAlq形成，且电子注入层可由LiF、Ga络合物、Liq或CsF形成。有片几层104可用热真空沉积法、气相沉积法、S走涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法或激光转写法(laserinducedthermalimaging)来形成。第二电极105形成为反射层。第二电极105可用作阴极，且可形成厚层以反射光。第二电极105可由选自具有低功函的导电金属及其合金构成的组中的一种材料形成，具有低功函的导电金属例如为Mg、Ca、Al、Ag。或者，第二电极105可用作阳极，且可具有包括反射层和透明层的层叠结构，反射层由Ag、Al、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、金(Au)、钯(Pd)或其合金形成，透明层由ITO、IZO、TO或ZnO在反射层上形成。图2是根据本发明第二示例性实施方式的OLED显示器装置的横截面示图。与第一示例性实施方式不同，该OLED显示器装置是顶发光设备。除了以下具体描述以外，对第二示例性实施方式的显示器装置的描述将参考对第一示例性实施方式的显示器装置的描述。参照图2，将第一电极201布置在基板200上。第一电极201形成为反射电极。具有发光层的有机层202布置在第一电极201上。第二电极203布置在有才几层202上。第二电4及203形成为透射电^L。在本实施方式中，因为光透过第二电极203发出，第一折射层204布置在第二电极203上，且第二折射层205布置在第一折射层204上。与第一实施方式一样，第一折射层204的折射率nl小于第二折射层205的折射率n2,且形成厚度不超过100nm的第一折射层204。同时，可形成厚度不超过350nm的第二折射层205，优选20nm~100nm或150nm~350nm,更优选50nm~80nm或180nm~200nm。图3是根据本发明第三示例性实施方式的OLED显示器装置的横截面示图。该OLED显示器装置是包括与形成在基板上的第一电极电连接的薄膜晶体管的有源矩阵OLED显示器装置，而且是底发光设备。除了以下具体描述以外，对第三示例性实施方式的显示器装置的描述将参考对第一示例性实施方式和第二示例性实施方式的显示器装置的描述。参照图3,包括半导体层301、栅绝纟彖层302、栅极303、以及源极304和漏极305的薄膜晶体管306布置在基板300上。钝化层307可布置在源极304和漏一及305上。第二折射层308布置在钝化层307上，且第一折射层309布置在第二折射层308上。第一电极310布置在第一折射层309上，并电连接薄膜晶体管306的源极304和漏极305之一。第一电极310形成为透射电极。具有发光层的有机层311布置在第一电极310上，且第二电极312布置在有机层311上。第二电极312形成为反射电极。同时，在顶发光的有源矩阵OLED显示器装置中，第一电极310形成为反射电极，且第二电极312形成为透射电极。将第一折射层309布置在第二电极312之上，且将第二折射层308布置在第一折射层309之上。或者，将第一折射层309和第二折射层308布置在栅绝缘层302和基板300之间。图4是根据本发明第四示例性实施方式的0LED显示器装置的横截面示图。该OLED显示器装置是具有红、绿和蓝像素的全色彩OLED显示器装置，而且是底发光型。除了以下具体描述以外，对该显示器装置的描述将参照对以上实施方式的显示器装置的描述。参照图4,布置具有红(R)、绿(G)和蓝(B)单元像素区域的基板400。第二折射层401布置在基板400上，且第一折射层402布置在第二折射层401上。与以上实施方式一样，第一折射层402的折射率nl小于第二折射率401的折射率n2,且形成厚度大于0且不超过100nm的第一折射层402。同时，形成厚度大于0且不超过350nm的第二折射层401,优选20nm~100nm或150nm~350nm,更优选50nm~80nm或180nm~200nm。在此范围内，与其它厚度范围相比，光提取效率和色再现性能可显著增加，而且即使第一折射层402和第二折射层401在红、绿和蓝光的波长范围内具有相同厚度时也能够增加，红、绿和蓝光的波长范围在约400-800nm波长范围内。因此，第一折射层402和第二折射层401不需分别在各像素中形成，从而简化了制作工艺。第一电极403R、403G和403B布置在第一折射层402上的各自的单元像素区域内。第一电极403R、403G和403B是透射电极。界定像素区域的绝缘层404布置在第一电极403R、403G和403B之间。分别具有红、绿和蓝发光层的有机层405R、405G和405B分别布置在第一电极403R、403G和403B上。有机层405R、405G和405B可通过利用细节距影孔板(finepitchmask)的真空沉积法、喷墨印刷法或激光转写法形成。有机层405R、405G和405B可形成相同的厚度。但是，为了4吏共振效果最大化，单元像素区域内发射波长较长的光的有机层优选比单元像素区域内发射波长较短的光的有机层厚。隔离物406布置在绝缘层404上。被隔离物406隔离的各第二电极407布置在有机层405R、405G和405B上。第二电极407为反射电极。同时，在顶发光的有源矩阵OLED显示器装置中，第一电极403R、403G和403B形成为反射电极，且第二电极407形成为透射电极。此外，第一折射层402布置在第二电极407上，且第二折射层401布置在第一折射层402上。另外，红、绿和蓝彩色滤光片408R、408G和408B可布置在基一反400和第二折射层401之间的各自的单元像素区域内。彩色滤光片408R、408G和408B可进一步提高色纯度。黑矩阵409可布置在彩色滤光片之间。以下将描述优选的实施例以帮助理解本发明。但应理解的是，提供下述实施例是帮助理解本发明而不是限制本发明。实施例1~4制作样品OLED显示器装置。在各自的玻璃基板上形成表1所列厚度的第二折射层(Nb205，折射率2.4)。在第二折射层上形成30nm厚的第一折射层(Si02，折射率1.45)。在第一折射层上形成由ITO制成的50nm厚的第一电极。在第一电极上用DNTPD形成75nm厚的空穴注入层，且在空穴注入层上用NPB形成15nm厚的空穴传输层。在空穴传输层上用主体AND和掺杂剂EK8(柯达)形成25nm厚的蓝色发光层。随后，在蓝色发光层上用Alq3形成25nm厚的电子传输层，且在电子传输层上用LiF形成5nm厚的电子注入层。在电子注入层上用Al形成80nm厚的第二电极。实施例5~8除了形成厚度为卯nm的第一折射层以外，使用与实施例1~4相同的条件制作其它的样品OLED显示器装置。对比例1与实施例l相比，不形成第一折射层和第二折射层。对比例2~5除了形成厚度为120nm的第一折射层以外，使用与实施例1~4相同的14条件制作样品。表1和2示出了实施例1~4和5~8制作的OLED显示器装置的色坐标和亮度。表3和4示出了对比例1和2~5制作的OLED显示器装置的色坐标和亮度。表1Nb205的厚度(nm)Xy亮度实施例1500.1490.09362.7实施例2800.1340.14089.7实施例31800.1340.14582.3实施例42300.1540.13186.6表2Nb205的厚度(nm)Xy亮度实施例5500.1240.14196.5实施例6800.1250.209120.2实施例71800.1270.179m.i实施例82300.1370.14296.6表3XY亮度对比例10.1450.202112.5表4Nb205的厚度(nm)Xy亮度只t比例2500.1410,403153.4对比例3800.1650.268130.9对比例41800.1370.263137.6对比例52300.1400.344134.8参照表1~4,在实施例1~4和5~8中，比较厚度为30nm和90nm的第一折射层，在30nm时亮度轻微降低，但与对比例1相比色坐标的y值显著降低，或者y值无明显不同而亮度增加。对于蓝色，尽管亮度轻微降低，但色再现性能随着y值降低而增加。因此，当形成100nm或更小厚度的第一折射层时，色再现性能和光提取效率增加。另一方面，在对比例25中，当形成120nm厚的第二折射层时，亮度增加，但与对比例l相比色坐标的y值显著增加。因而，尽管亮度增加，但y值增大对色再现性能具有不良影响。实施例9~20在各自的玻璃基板上形成表5所列厚度的第二折射层(Nb205,折射率2.4)。在第二折射层上形成30nm厚的第一折射层(Si02,折射率1.45)。在第一折射层上用ITO形成50nm厚的第一电极。在第一电极上用DNTPD形成分别为145、100和75nm厚的红、绿和蓝〗象素的空穴注入层。在空穴注入层上用NPB形成15nm厚的空穴传输层。在空穴传输层上用主体红荧烯和掺杂剂RD3(柯达)形成45nm厚的红色发光层，用主体Alq3和掺杂剂C545T形成45nm厚的绿色发光层，以及用主体AND和掺杂剂EK8(柯达)形成25nm厚的蓝色发光层。随后，在发光层上用Alq3形成25nm厚的电子传输层，并在电子传输层上用LiF形成5nm厚的电子注入层。在电子注入层上用Al形成80nm厚的第二电极。实施例21-32除了使用折射率为2.1的丁&205作为第二折射层以外，在与实施例9~20相同的条件下进行各实验。实施例33~44除了使用折射率为2.3的Ti02作为第二折射层以外，在与实施例9-20相同的条件下进行各实验。实施例45~50除了形成表8所列厚度的折射率为1.8的SiN作为第二折射层以外，在与实施例9相同的条件下进行各实验。3于比例6除了未形成第一折射层和第二折射层以外，在与实施例9相同的条件下进行实验。表5~8示出了根据实施例9~50的OLED显示器装置中红、绿和蓝光的色坐标和亮度。表9示出了根据对比例6的OLED显示器装置中的红、绿和蓝光的色坐标和亮度。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>参照表5~9，在实施例950中，当第一折射层的厚度固定为60nm,且第二折射层的厚度在大于0并不超过350nm的范围内变化时，与对比例6相比，红光和绿光的亮度在每个范围内都增加，而蓝光在色坐标的y值上降低或在亮度上增加。具体地，当形成20~100nm或150~350nm厚、优选5080nm或180~200nm厚的第二折射层时，亮度上的增加大于其它厚度范围的亮度增加。如上所述，当形成100nm或更小厚度的第一折射层、即低折射层时，能够改善光提取效率和色再现性能。此外，当形成大于0且不超过350nm、优选20~100nm或150nm~350nm、更具体地为50~80nm或180~200nm厚度的第二折射层、即高折射层时，即使形成与第一折射层相同的厚度，OLED显示器装置也能够具有增强的光提取效率和色坐标，从而相对于波长范围在400800nm内的红、绿和蓝光能够具有改善的色再现性能。根据本发明，由于控制电极和透明基板之间布置的第一折射层和第二折射层的厚度，因而使用简单的结构和工艺能够使OLED显示器装置在所有发光波长范围内具有改善的亮度和色坐标特性，从而具有增强的光提取效率和色再现性能。尽管已示出并说明了本发明的一些实施方式，但本领域技术人员应理解的是，可在该实施方式中进行变更而不背离本发明的原则和精神，本发明的范围由权利要求书及其等效物限定。权利要求1、一种有机发光二极管显示器装置，包括基板；布置在基板上的第一电极；布置在第一电极上并包括发光层的有机层；布置在有机层上的第二电极；以及第一折射层和第二折射层，第一折射层和第二折射层的叠层或者布置在第一电极和基板之间，或者布置在第二电极上，第一折射层的折射率小于第二折射层的折射率，第一折射层的厚度不大于100nm。2、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层的厚度不大于350nm。3、根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层的厚度为20nm~IOO腦或150nm~350腦。4、根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层的厚度为50nm~80nm或180nm~200nm。5、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层的折射率为第一折射层的折射率的1.1倍。6、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第一电极和基板之间，则第一折射层的折射率小于第一电极的折射率；如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第二电极上，则第一折射层的折射率小于第二电极的折射率。7、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一折射层的折射率在1.4至小于1.8的范围内。8、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一折射层和第二折射层各自包括氧化铌Nb20"氧化钽丁3205、氧化钛11205、氮化硅SixNy、氧化硅Si02、氧化锑Sb203、氧化铝八1203、氧化锆Zr02、氧化镁MgO、氧化《合Hf02或合成聚合物。9、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，进一步包括第三折射层，如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第一电极和基板之间，则第三折射层布置在第二折射层和基板之间；如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第二电极上，则第三折射层布置在第二折射层上，第三折射层的折射率与第一折射层的折射率相同，第三折射层的厚度与第一折射层的厚度相同。10、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一电极是透射电极，第二电极是反射电极，第一折射层布置在第一电极和基板之间，且第二折射层布置在第一折射层和基板之间。11、根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一电极是反射电极，第二电极是透射电极，第一折射层布置在第二电极上，且第二折射层布置在第一折射层上。12、一种有机发光二极管显示器装置，包括包括多个单元像素区域的基板；布置在基板的单元像素区域上的多个有机发光二极管，各有机发光二极管包括第一电极，第二电极；和布置在第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层具有发光层；以及第一折射层和第二折射层，第一折射层和第二折射层的叠层或者布置在各有机发光二极管的第一电极和基板之间，或者布置在各有机发光二极管的第二电极上，第一折射层的折射率小于第二折射层的折射率，第一折射层的厚度不大于100nm。13、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层形成为具有不超过350nm的厚度。14、根据权利要求13的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层形成为具有20nm100nm或150nrn~350nrn的厚度。15、根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层形成为具有50nm~80nm或180nm~200nm的厚度。16、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中各有机发光二极管的第一折射层和各有机发光二极管的第二折射层具有相同的厚度。17、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中发射波长较长的光的有机层比发射波长较短的光的有机层厚。18、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中第二折射层的折射率为第一折射层的折射率的i.i倍。19、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第一电极和基板之间，则第一折射层的折射率小于第一电极的折射率；如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第二电极上，则第一折射层的折射率小于第二电极的折射率。20、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一折射层的折射率在1.4至小于1.8的范围内。21、4艮据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一折射层和第二折射层各自包括氧化铌Nb205、氧化钽Ta205、氧化钛Ti205、氮化硅SixNy、氧化硅Si02、氧化锑Sb203、氧化铝Al203、氧化锆Zr02、氧化镁MgO、氧化铪Hf02或合成聚合物。22、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，其中第一电极是透射电极，第二电极是反射电极，第一折射层布置在第一电极和基板之间，且第二折射层布置在第一折射层和基板之间。23、根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器装置，进一步包括彩色滤光片，如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第一电极和基板之间，则彩色滤光片布置在第二折射层和基板之间。24、根据权利要求12所述的OLED显示器，进一步包括彩色滤光片，如果第一折射层和第二折射层的叠层布置在第二电极上，则所述彩色滤光片布置在第二折射层上。全文摘要本发明提供一种在全部发光波长范围内能够改善亮度和色坐标特性，从而能够提高光提取效率和色再现性能的有机发光二极管显示器装置。所述有机发光二极管显示器装置包括基板、布置在基板上的第一电极、布置在第一电极上并具有发光层的有机层、布置在有机层上的第二电极、以及第一折射层和第二折射层。第一折射层和第二折射层的叠层或者布置在第一电极和基板之间，或者布置在第二电极上。第一折射层的折射率小于第二折射层的折射率。第一折射层的厚度不大于100nm。文档编号H01L27/32GK101599536SQ20091014575公开日2009年12月9日申请日期2009年6月5日优先权日2008年6月5日发明者全爀祥,具永谟,宋沃根,郑惠仁申请人:三星移动显示器株式会社