专利名称：借助蚀刻的薄层太阳能电池组件的边缘去除的制作方法
技术领域：
本发明涉及可以通过以下方式局部进行的、用于太阳能电池组件/电池的湿化学 边缘去除(Randentschichtimg)的快速而廉价的方法施涂适用于该目的的蚀刻膏，并且 在进行了反应之后除去膏残渣或者以合适方式清洁衬底表面。在该方法中使用新近开发用 于该目的的蚀刻膏。
背景技术：
薄层太阳能电池组件/电池的工业生产目前在大多数惰性的(在此大面积的钢片 材是个例外)大面积载体材料上进行，这些材料尤其可以是玻璃片材、塑料膜或塑料片材 和/或钢板。在功能性薄层全面积地沉积在惰性载体材料上(这界定了以后的太阳能电池 组件/电池)之后和在此期间，合乎目的地将太阳能电池组件的功能活性层分成单个太阳 能电池，并且载体材料在整个面上保留。在下文中，术语“太阳能电池组件”同义地用于薄 层太阳能电池组件和用于多个电连接的薄层太阳能电池的排布结构——通常称作是用于 本领域技术人员通常在术语“薄层-光电池”下理解的所有光电池组件的上位概念。典型的 “太阳能电池组件”由薄的功能层的叠层构成，从衬底看去，该叠层具有以下次级部分(参见
图1)a)(透明)电极，b)不同掺杂和任选地未掺杂的半导体层，和最后所谓的pin-和nip-结构，c)另外的电极。图1是所述的太阳能电池组件的相应图示结构。图 2 是由 Hans-G unther Wagemann 禾口 Heinz Eschrich 在 Photovoltaik，第一版， 2007，B. G. Teubner出版社，威斯巴登，德国中描述和说明的太阳能电池组件的封装的示意图。每种情况下与该图1和2中总的概述的结构有所偏差也是可能的。在“太阳能电池组件”构造之后，必须密封和封装未被载体材料界定的表面(即特 征在于薄功能层沉积的表面)，以由此保护其免于轻微的机械损坏以及免于由于气候影响 引起的化学-物理材料腐蚀(参见图幻。为此目的，通常用极其抗性的聚合物涂料、塑料膜 或一致的玻璃片材，或者一系列多个刚才提及的元件覆盖待密封的表面。借助于多组分粘 合剂通过粘合和/或在使用适用于该目的的聚合物情况下通过层压，在太阳能电池组件的 边缘处将表面密封体与载体材料复合连接。为此，载体材料的边缘必须有约1-2厘米是没 有沉积的功能层叠合体的，以由此确保层压连接体粘附于载体材料上并且同时保护“太阳 能电池组件”免于化学-物理影响，该影响可能通过该边缘位置而作用于整个“太阳能电池 组件”。在其余上下文中，术语“衬底”是指其上施涂蚀刻膏的体系。在1-2厘米宽的载体 材料边缘区域去除功能层叠合体在下文中被称为“边缘去除”。边缘去除目前在工业上借助于喷砂、使用旋转砂轮和/或激光体系研磨边缘区域 而进行。
所有方法具有固有的缺点，即一方面由于喷砂以及残留层叠合体的部分残渣，因 此整个电池组件表面被粒状杂质大面积污染，和另一方面在被除去的边缘的邻近区域中的 烧结现象。另外，激光技术的特点在于高投资成本。发明目的因此本发明的目的是提供避免上述缺点的简单并且廉价的方法。此外，本目的在 于提供进行本方法所需的组合物。发明描述现已发现，通过施涂适用于该目的的蚀刻膏并且在进行了反应之后除去膏残渣或 者以合适方式清洁衬底表面，以可快速并且廉价地进行的、用于“太阳能电池组件”的湿化 学边缘去除的方法，可以简单的方式解决该问题。与此相应地，可用于本方法的新膏剂同样 是本发明主题。本发明的主题还在于可用于在(微)电子、光电池和微电子机械(MEMS)组件中构 造硅层和金属层的蚀刻膏。在这方面，光电池组件特别并且优选地总体理解为指薄层太阳 能电池组件/电池和晶体太阳能电池。根据本发明，在这方面这些也是指必须被加工用于 制造这些组件、优选“太阳能电池组件”的待构造的薄层。这里可以提及例如(但不全面)以下这些有和没有交叉指状(interdigitierende)接触结构的背面接触式晶体太阳能电 池，MWT-、EffT-、PERC-、PERL和PERT-太阳能电池，具有包埋式接触部的太阳能电池，硅晶片 和太阳能电池的边缘绝缘，通过单面蚀刻和随后抛光处理的晶片，薄层太阳能电池从薄层 太阳能电池组件的分离和隔离，“太阳能电池组件”和电池生产中过孔(“Vias”)的蚀刻， 基于薄膜晶体管(TFT)、液晶(LCD)、电致发光(EL)、有机发光二极管(OLED)以及触敏的电 容和电阻传感器技术的显示器元件、通信元件和照明元件生产期间的构造工艺。令人惊奇地，可以开发出适合于在一个步骤中同时蚀刻功能层叠合体的膏状蚀刻 混合物。随后粘附的膏残渣可以简单的方式从衬底表面除去，并且可以清洁“太阳能电池组 件”的载体材料。以该方式可以进行边缘去除，而不会破坏与被膏润湿的边缘直接邻近的相 邻区域中的功能薄层。根据本发明的膏组合物有利地本身是储存稳定的，从而使得根据本 发明的蚀刻膏可以不需要另外的预备措施而被使用者使用。因此，本发明的主题是蚀刻膏形式的经稳定化的膏状蚀刻混合物，该混合物可用 于同时蚀刻上述功能层的叠层并且其中待蚀刻的层可由各种材料组成，例如掺杂和未掺杂 的硅层和金属层及其的衍生物。相应的金属层可由Al、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、Ta、Ti、W、Zn、 TixOy, TixWy, NixVy, TaxNy> TixNy组成。待蚀刻的层也可以是氧化物或混合氧化物，例如氧 化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(10)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物。 另一方面，其通常也可以是掺杂和未掺杂的半导体层，例如c-Si、a-Si和μ -Si层，所谓的 Pin或nip-层叠合体，或者层由Ge和其合金、或由GaAs及其三元和四元混合物、或者由 II-IV-和II-VI-半导体构成[2]。虽然在每一情形下只可用通常用于太阳能电池生产方法中的蚀刻膏选择性地蚀 刻特定的层，但令人惊奇地，使用根据本发明的膏可以一个步骤蚀刻金属层以及半导体层 (这些层可以被掺杂)，以及上述氧化物和混合氧化物层。因此可以有利的方式在一个步骤 中使用根据本发明的蚀刻膏除去“太阳能电池组件”的边缘层。
为了进行本方法，为了边缘去除的目的，以本领域技术人员已知的方式，优选借助 于分配使蚀刻膏沉积在“太阳能电池组件”的边缘区域上。为了加快蚀刻过程，任选地进行 设置有蚀刻膏的衬底的活化和热处理(Temperimg)。通过升高的温度进行较快的引发反应， 但是也加快了随后的(完全)干燥和抑制蚀刻介质。在热处理期间，应该不超过最大150°C 的温度。蚀刻优选在30-100°C范围的温度下进行，随后可以进一步增加温度，以终止蚀刻 过程并且任选地除去膏残渣。在一个优选的实施方式中，在蚀刻步骤后通过清洗或吹出和 在100-145°C范围的升高的温度下干燥而除去膏残渣。然而，蚀刻之后也可以直接是清洗步 骤，以除去膏残渣。此外，可以但不必须进行轻度蚀刻并因此使机械稳定“太阳能电池组件”的载体材 料粗糙化。这可能是希望的，以为了封装的目的而在随后的制备方法中实现所述层压连接 体增加的附着力。可以借助于本领域技术人员已知的合适清洁方法，例如通过吹出借助于压缩空气 流，加压的气体流，水蒸气流或者被水蒸气或有机溶剂及其混合物饱和的压缩空气流，或者 通过加压的气流，通过溶剂蒸气流，低温气溶胶(例如(X)2气流中的(X)2雪)，借助于水、有 机溶剂以及有机溶剂与水和不与水的混合物的集中喷流，而将膏残渣从衬底表面除去。所 有清洁溶液可以包含适合于该目的、下面更详细提及的添加剂。此外，可以通过使其通过清 洁装置，采用区域特定的刷、抹和海绵清洗，使用水、有机溶剂、它们的混合物(包括和不包 括水)以及任选地包括例如表面活性剂、表面活性剂混合物、络合剂和螯合剂、泡沫抑制剂 和功能性盐的其他添加剂来清洗衬底表面。随后，可以使用上述清洗介质进行精细清洗。在这些清洗步骤后，获得完全清洁的表面区域。如果还有些微膏杂质会留在表面 上，则发现在使用上述封装材料的情况下，它们本身不会进一步损害“太阳能电池组件”的 功能方式、施加、固化和/或层压。因此本发明的主题在于一种蚀刻膏形式的经稳定化的膏状蚀刻混合物。该膏特别 适合于叠层形式构造的硅层和金属层的蚀刻，并且因此非常特别适合于“太阳能电池组件”
的边缘去除。
根据本发明的这些蚀刻膏可以具有以下组分
水，以及任选地
有机的溶剂和溶剂混合物，
无机和有机的氧化剂，
无机和有机的酸，
聚合的无机和有机增稠剂，
凝胶形成剂和网络形成剂和填料，
触变剂和流变改性剂，
任选地络合剂和螯合剂，
以及掩蔽剂，
任选的表面活性物质，和流动助剂(Verlaufshilfsmittel)以及表面活性剂，
任选的脱气剂和消泡剂。
作为有机溶剂优选为DMSO、NMP及类似物。这些溶剂可以单独地和作为混合物使
如上所述，根据本发明的蚀刻膏可以包含氧化剂。优选使用HN03、H2O2, NaO2, KO2, Na2S2O8, (NH4)2S2O8,K2S2O8,K5H3S4O18 和无机过氧化合物，例如 NaB& 'H2O2 和[2Na2C03 ·3Η202]、 HC103、NaC103、KClO3, HBrO3, NaBrO3, KBrO3, HIO3, NaIO3, KIO3, KHIO6, Cr2O3, NaCr2O7, K2Cr2O7, KMnO4, NaNO3, KNO3, NH4NO3, NaClO4, HC104、硒酸盐(SeO广)、CH3CO3H 和有机过氧化合物， Ce (NO3) 4、Ce (SO4)2, (NH4) 2Ce (NO3) 6和类似物以及它们的混合物。可存在于根据本发明的膏中的无机和有机的酸优选为选自HN03、H3PO4, H2SO4, H2SiF6, HBF4, H2PF6, H2PO3F, H2PO2F2, HF、NH4H2F, HC00H、CH3COOH 和 C2H5COOH 以及它们的混合 物的酸。然而，也可包含具有相同作用的酸。另外，所述膏中可以包含络合剂和螯合剂作为添加剂。优选使用选自H3P04、HF、 NH4F、NH4HF2、H2SiF6、HBF4、H2P03F、H2PO2F2 和 Titriplex I-VIII 的螯合剂。然而，其的膦酸
衍生化的同系物(Dequest λ Briquest )等也可能是合适的。这些络合剂和螯合剂可 以单独地或作为混合物加入膏中。特别优选使用H3P04、NH4F, NH4HF2和类似化合物，以及它 们的混合物。优选的络合剂和螯合剂特别优选与选自HN03、H2O2, NaO2, KO2, Na2S2O8, (NH4) 2S208, K2S208、K5H3、0w的氧化剂一起用于根据本发明的组合物中。从该氧化剂的组中，又非常特别 优选HNO3和H2O2。包含H3PO4、NH4HF2和HNO3与另外添加剂如增稠剂、交联剂、表面活性剂和 其他助剂的组合的组合物经证实特别有效并且特别稳定。这里，其中基于重量计以 7:1: 1.5-10 1 3. 5范围的混合比含有H3P04、NH4HF2和HNO3并且其中每种情形下 所述重量涉及85% H3PO4和65% HNO3的组合物又被证实是特别有利的。采用其中基于重 量计以7. 5 1 1.8-9 1 3范围的混合比含有H3P04、NH4HF2和HNO3的组合物，获得 特别好的蚀刻结果和同时获得组合物的稳定性。另外包含增稠剂，特别是聚乙烯吡咯烷酮、聚乙酸乙烯酯和聚烯烃颗粒的组合物 已经证实特别稳定。包含上述重量比的H3P04、NH4HF2和HNO3以及合适量的聚乙烯吡咯烷 酮、聚烯烃颗粒和氨基官能化聚丙烯酸的组合物已经证实非常特别合适。此外，可以包含表面活性物质。这些优选选自阴离子、阳离子、非离子和两性表面 活性剂。这些表面活性物质可以单独或者以混合物包含。特别优选的表面活性剂，例如十二 烷基硫酸钠和脂肪醇乙氧基化物，例如聚氧化亚乙基十二烷基醚，以及它们的混合物。作为脱气剂和消泡剂可以优选包含辛醇、聚二甲基硅烷和具有相同作用的类似物 质以及它们的混合物。为了实现根据本发明的组合物的膏状稠度，加入聚合的无机和有机增稠剂、凝胶 形成剂和网络形成剂，例如聚丙烯酸，聚丙烯酸酯，聚丙烯酰胺，纤维素醚例如甲基纤维素、 羟乙基纤维素(HEC)、羟丙基纤维素和羧甲基纤维素，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，聚乙酸乙烯 酯，淀粉，(杂)多糖例如果胶、黄原胶、卡如宾糖(Carubin)、I h0Ximat、阿拉伯胶、黄胞胶 (Xanthan Gummi)、琼脂糖和琼脂，以及明胶和膨润土。为了边缘去除，可以使用其中相应的 增稠剂单独地或作为混合物包含的蚀刻膏。可用于膏中的聚合的无机和有机填料是改性和未改性的高分散和热解的硅胶、焰 黑和石墨、塑料蜡和塑料颗粒、玻璃珠和玻璃碎片、沸石、硅酸铝、膨润土和类似物，以及它们的混合物。根据本发明的蚀刻膏的简单实施方式优选由溶剂、氧化剂、无机酸、络合剂或螯合 剂以及增稠剂和填料组成的混合物组成，但其中并非必须包含所有上述组分。如上所述，如此组成的蚀刻膏适合于以一个步骤蚀刻功能薄层的叠层，其中所述 层叠合体可以具有以下结构载体材料/底电极/不同掺杂和未掺杂的半导体层/上电极。如果希望，这些膏同时也适合于载体材料的初期蚀刻和粗糙化。在特定情形中，载 体材料可以对应于底电极。同时，在待处理的“太阳能电池组件”的特定实施方案中，上电 极可与底电极相同。底部电极又可以是透明的并且优选由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟 (10)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物组成，而上电极可以优选由Al、Ag、Cu、Ni、 Cr、Mo、Ta、Ti、V、W以及所述元素与一些在这里没有更详细地说明的其他合金成分的合金， 双和三金属层(其中一个层又包含至少一种选自提及的金属组和其合金的金属，和最后如 上所述的氧化物和混合氧化物导电材料组成。“太阳能电池组件”的层结构的掺杂和未掺杂的半导体层优选由掺杂和未掺杂的 a-Si和μ -Si (p-i-n和n-i-p)组成，但不一定限于提及的两种材料并且还可以包含掺杂 和未掺杂的结晶硅层。另外，相应的层通常可以由Ge和其合金、GaAs及其三元和四元混合 物，或者由III-IV-和II-IV-半导体组成。根据本发明的蚀刻膏有利地适合于以仅一个步骤在“太阳能电池组件”的边缘干 净地除去所有这些层直到支撑层，而不会将干扰的杂质留在余下的“太阳能电池组件”的有 效表面上。为了进行蚀刻方法，可以借助于丝网印刷、蜡版印刷(Schablonendruck)、分配、分 配喷射(Dispense-Jetten)或借助于类似的施涂方法将基于上述膏成分配制的根据本发 明的膏施涂并且沉积在待蚀刻的衬底上。采用根据本发明的膏使得“太阳能电池组件”的边缘能够以简单的方式消除。在进 行用于边缘去除的蚀刻步骤后留下的膏残渣可以简单的方式借助于合适的清洗方法从表 面除去，通过吹出借助于压缩空气流，加压的气体流，水蒸气流，被水蒸气或有机溶剂及其 混合物饱和的压缩空气流，或者加压的气流，溶剂蒸气流，低温气溶胶(例如(X)2气流中的 CO2雪)，水、有机溶剂以及有机溶剂与水和不与水的混合物的集中喷流，所有都包含下面更 详细提及的添加剂，以及此外通过使其通过清洁装置，采用区域特定的刷、抹和海绵清洗， 使用水、有机溶剂、它们的混合物(包括和不包括水以及包括其他添加剂例如表面活性剂、 表面活性剂混合物、络合剂和螯合剂、泡沫抑制剂、功能性盐)，并且随后使用上述清洗介质 进行精细清洗。另外已发现，为了构造(微)电子、微电子机械和光电池组件的目的，可根据本发 明用于边缘去除的蚀刻膏也适合于构造上述的层和层叠合体形式的掺杂或未掺杂的透明
氧化物层或金属层。根据本发明的蚀刻膏优选适合于构造有和没有相互数字化接触结构的背接触式 晶体太阳能电池，具有包埋式接触部的太阳能电池，MWT-、EffT-, PERC-, PERL和PERT-太阳 能电池，晶片边和适用于晶体太阳能电池的边缘绝缘，适用于硅晶片的单面蚀刻和抛光，适 用于薄层太阳能电池从薄层太阳能电池组件分离和隔离，适用于薄层太阳能电池组件和电池制备中过孔的蚀刻(“Vias”)，基于薄膜晶体管(TFT)、液晶(LCD)、电致发光(EL)、有机 发光二极管(OLED)以及触敏的电容和电阻传感器技术的显示器元件、通信元件和照明元 件生产期间的构造工艺。文献[l]Hans-G iinther ffagemann, Heinz Eschrich, Photovoltaik,第一版，2007, B. G. Teubner出版社，威斯巴登，德国[2]A. F. ^ogensc\mtz, AtZpraxis fur Halbleiter,第一版，1967, Carl Hanser 出版社，慕尼黑，德国
实施例为了更好地理解并且为了解释本发明，下面给出本发明保护范围内的实施例。这 些实施例还用于阐释可能的变型。然而，由于所述发明原理的通用有效性，实施例不适合于 将本申请的保护范围减小至仅为这些实施例。实施例中给出的温度总是以。C表示。另外当然地，在说明书以及实施例中组合物 中组分的加入量总是合计为100%。实施例1 由50. 2g HNO3 (33% ) ,10. 6g NH4HF,4g黄原胶和10. 6g异丙醇，通过剧烈搅拌通 过使组分连续彼此混合制备膏。将膏施涂于由玻璃-AZO-aSi-Al构成的“太阳能电池组件”上。在热板上在100°C 下将层叠合体蚀刻3分钟。在120°C下使膏干燥后，在2分钟内借助于集中的压缩空气流吹 走膏残渣。随后在经蚀刻的结构中测量两点间导电率，得到> 30M0hm的电阻。实施例2 由170g H3PO4(85% )、20ml 水、IOml HNO3 (65% )、20g 聚乙烯吡咯烷酮、3g 羟乙基 纤维素、2. 3g聚氧化亚乙基十二烷基醚、3g聚氧化亚乙基硬脂基醚和5. 2g焰黑，通过剧烈 搅拌通过使组分连续彼此混合制备膏。随后，a)将膏施涂于玻璃上的铝层上并且在60°C下蚀刻2分钟，和b)将膏施涂于玻璃上的Mo/Al双层上并且在60°C下蚀刻10分钟。随后借助于水流冲去膏残渣。在两种情形下进行金属层的构造化。随后在经蚀刻 的结构中测量两点间导电率，得到> 30M0hm的电阻。实施例3 由 170g H3PO4 (85% ),20g NH4HF2、20ml 水、IOml HNO3 (65% )、20g 聚乙烯吡咯烷 酮、3g羟乙基纤维素、2. 3g聚氧化亚乙基十二烷基醚或3g聚氧化亚乙基硬脂基醚和5. 2g 焰黑，通过剧烈搅拌通过使组分连续彼此混合制备膏。随后，a)将膏施涂于玻璃上的铝层上并且在60°C下进行蚀刻2分钟，和b)将膏施涂于玻璃上的Mo/Al双层上并且在60°C下进行蚀刻10分钟。在进行了蚀刻之后，借助于水流冲去膏残渣。在两种情形下进行金属层的构造化。 随后在经蚀刻的结构中测量两点间的导电率，得到> 30M0hm的电阻。
实施例4 由50g H3PO4 (85% )、6g NH4HF2UOml HNO3 (65% )、5g 聚乙烯吡咯烷酮、Ig 聚氧化 亚乙基十二烷基醚、Ig聚氧化亚乙基硬脂基醚和5g聚烯烃颗粒，通过剧烈搅拌通过使组分 连续彼此混合制备膏。将膏施涂于由玻璃-AZO-aSi-Al构成的“太阳能电池组件”上，并且在热板上在 50°C下进行层叠合体的蚀刻5分钟。在120°C下使膏干燥2分钟后，借助于集中的压缩空气 流吹掉膏残渣。随后在经蚀刻的结构中测量两点间的导电率，得到> 30M0hm的电阻。实施例5 由50g H3PO4 (85% )、6g NH4HF2UOml HNO3 (65% )、5g 聚乙烯吡咯烷酮和 5g 聚烯 烃颗粒，通过剧烈搅拌通过使组分连续彼此混合制备膏。将膏施涂于由玻璃-AZO-aSi-Al构成的“太阳能电池组件”上。在热板上将以该 方式处理的“太阳能电池组件”加热5分钟至温度50°C，并且进行层叠合体的蚀刻。在于 120°C下使膏干燥2分钟后，借助于集中的压缩空气流吹掉膏残渣。随后在经蚀刻的结构中测量两点间的导电率，得到> 30M0hm的电阻。实施例6 由50g 85% H3PO4^g NH4HF2UOml 65% HN03、3g 聚乙烯吡咯烷酮、3g 氨基官能化 的聚丙烯酸和6g聚烯烃颗粒，通过剧烈搅拌通过使组分连续彼此混合制备膏。将膏施涂于由玻璃-AZO-aSi-Al构成的“太阳能电池组件”上。在热板上将以该 方式处理的“太阳能电池组件”加热5分钟至温度50°C，并且进行层叠合体的蚀刻。在于 120°C下使膏干燥2分钟后，借助于集中的压缩空气流吹掉膏残渣。随后在经蚀刻的结构中测量两点间的导电率，得到> 30M0hm的电阻。
权利要求
1.太阳能电池的湿化学边缘去除的方法，特征在于，将蚀刻膏局部施涂于衬底表面的 边缘上，并且在进行了反应之后除去膏残渣，以及任选地以合适方式清洁并且干燥衬底表
2.根据权利要求1的方法，特征在于，为了蚀刻步骤将蚀刻膏以宽度约1-2厘米施涂于 衬底表面的边缘上。
3.根据权利要求1的方法，特征在于，在一个蚀刻步骤中以一步蚀刻由掺杂和未掺杂 的半导体层如硅、a-Si-和y-Si-(p-i-r^nn-i-p)层、Ge和其合金，或由GaAs及其三元和 四元混合物，或者由III-IV-和II-IV-半导体构成的层，和由金属或金属合金如 Al、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、Ta、Ti、V、W、Zn、Ti具、NixVy、TaxNy、TixNy 构成的层，和/或由氧化物或混合氧化物如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(10)、 氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物构成的层。
4.根据权利要求1-3的一项或多项的方法，特征在于，蚀刻在30-100°C范围内的温度 下进行。
5.根据权利要求1-4的一项或多项的方法，特征在于，在蚀刻步骤后通过清洗或吹掉 和在100-150°C范围内的升高的温度下干燥而除去膏残渣。
6.稳定的膏组合物，其以7 1 1.5-10 1 3. 5范围内的比例包含85%&H3P04、 NH4HF2和65%的HNO3,以重量计。
7.根据权利要求6的组合物，其以7.5 1 1.8-9 1 3的范围内的比例包含 85 % 的 H3P04、NH4HF2 和 65 % 的 HNO3。
8.根据权利要求6或权利要求7的组合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮和聚烯烃颗粒作为 增稠剂。
9.根据权利要求6-8的一项或多项的组合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮、聚烯烃颗粒和 氨基官能化的聚丙烯酸。
10.根据权利要求6-8的一项或多项的膏组合物用于“太阳能电池组件”边缘去除的应用。
11.根据权利要求6-8的一项或多项的膏组合物用于蚀刻以下层的应用由掺杂和未 掺杂的半导体层如硅、a-Si-和y-Si-b-i-r^Pn-i-p)层、Ge和其合金，或由GaAs及其三 元和四元混合物，或者由II-IV-和II-VI-半导体构成的层，和由金属或金属合金如 Al、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、Ta、Ti、V、W、Zn、TixWy, NixVy, TaxNy, TixNy 构成的层，和/或由氧化物或混合氧化物如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(10)、 氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZO)或类似氧化物构成的层。
全文摘要
本发明涉及可以通过以下方式局部实施的、用于“太阳能电池组件”的湿化学边缘去除的快速和廉价方法施涂适用于该目的的蚀刻膏，并且在进行了反应之后除去膏残渣或者以合适方式清洁衬底表面。在该方法中使用新近开发用于该目的的蚀刻膏。
文档编号H01L31/048GK102138214SQ200980133349
公开日2011年7月27日 申请日期2009年8月5日 优先权日2008年9月1日
发明者I·科勒, O·多尔 申请人:默克专利股份有限公司