专利名称：全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
技术领域：
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，具体的说是一种采用透明低电阻 率材料Zn0制作栅和源、漏电极，透明蓝宝石做衬底的AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构 及实现方法，主要用于制作全透明领域的高特性器件。 透明薄膜晶体管TTFT(Transparent Thin Film Transistor)在平面显示、光学信 息处理、宇航、军事等领域具有实际的和潜在的广泛应用。利用透明晶体管制成透明集成电 路，将其嵌入房屋和交通工具的玻璃中，就可研制出具有全新信息传输方式的系统，再结合 平面显示技术，构成综合电子信息系统，就可用于家用电器、交通工具、商用和军事等研究 领域。透明晶体管将被用来控制通过系统的电流流量的大小，最终使设备具有逻辑开关、存 储和信号放大等功能，适合应用于有源矩阵液晶显示器件，太阳能电池控制电路等领域。更 重要的是，在航空航天领域的太阳能电池应用方面，需要高特性、抗辐照的全透明薄膜晶体 管。 Zn0是一种直接带隙半导体，而且为透明材料，采用Zn0薄膜材料做透明TFT则可 避免硅基TFT的缺点，实现高开口率的0LED平面显示。结合Zn0基透明电极技术，为人们 提供了新的制造透明电子设备的方法。但是，ZnO基透明晶体管由于ZnO材料的迁移率和 击穿电场的不足，使得ZnO基透明晶体管的特性还有许多不足。 与其他半导体材料的参数比较，GaN材料具有明显的优点，其禁带宽度大，饱和电 子速度也优于其他半导体材料，并具有很大的击穿场强和较高的热导率，而且GaN本身也 是透明材料。电荷载流子速度场特性是器件工作的基础，高饱和速度导致大电流和高频 率，高的击穿场强对器件大功率应用至关重要，同时，由于GaN基材料与生倶来的极化特 性，AlGaN/GaN异质结本身就存在高浓度二维电子气沟道，所以GaN材料是制造高温高频及 大功率器件的优选材料。在GaN材料适合制作的功率器件中，AlGaN/GaN高电子迁移率器 件HEMT是最具代表性的典型器件。自1993年人们制作出第一支HEMT样管至今，高电子 迁移率晶体管已得到了很大的发展。2001年VinayakTilak等人制造的SiC衬底AlGaN/ GaN HEMT获得了 10. 7W/mm@10GHz和6. 6W/mm@20GHz的功率密度。参见文献Moon J S，
Micovic M， Janke P， Hashimoto P， et al，"GaN/AlGaN HEMTs operating at 20GHz with continuous—wave power density > 6W/mm，，， Electron. Lett, 2001， 37 (8) :528禾口 Kumar
V， Lu W， Khan F A， et al. "Highperformance 0. 25 u m gate—length AIGaN/GaN HEMTs
on sapphire with transconductanceof over 400mS/mm，，， Electronics Letters,2002，
38(5) :252。后来人们研制出功率密度达到11. 7W/mm@10GHz的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT AIGaN/GaN HEMT有非常优异的电特性，而且GaN材料本身也为透明材料，但是由 于其电极通常采用不透明的金属Ti，Al，Ni等材料，所以电极材料限制了 GaN基AIGaN/GaN HEMT在透明领域应用。
背景技术：
器件。
3
ZnO容易实现n型掺杂，可以通过Al、 Ga、 In掺杂得到低电阻率n型导电特性， 其电阻率可以达到10—4ohm-cm，因此可以作为栅电极金属加以利用。参见文献AkhleshG
and Alvin D C，"All sputtered 14% CdS/CdTe device with ZnO :Al front contact，，， 3rdWorld Conference on Photovoltac Energy Conversion, 2003 :352。 ZnO作为栅电极金 属材料，人们也有过研究，如成功采用ZnO纳米棒作为栅来制作具有特殊应用的AlGaN/GaN HEMT激则器。参见文献Kang B S， Wang H T and Ren F， "Enzymaticglucose detection
using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN/GaN high electronmobility
transistors", Applied Physics Letters, 2007， 91 :252103-1 。我们可以充分利用Al掺 杂Zn0的材料的透明和低电阻率特性，采用其替代AlGaN/GaN HEMT金属电极材料，根据其 透明特性可以实现AlGaN/GaN HEMT器件的全透明。而且全透明的AlGaN/GaN HEMT对栅下 沟道区域能进行更多的光学研究，同时ZnO材料具有很强的抗辐照特性，可以弥补金属电 极的不足，提高器件在辐照环境中的可靠性和稳定性。 采用Al掺杂的ZnO材料在GaN基材料上形成肖特基接触的研究已有报道。Al掺杂 的ZnO材料在GaN材料上形成了良好的肖特基整流接触。PeiYi等人采用ITO (Indium Tin Oxide)材料做AlGaN/GaN HEMT栅电极实现了透明栅器件，但是该器件源漏材料为金属， 源漏电极并不透明，参考文献"AlGaN/GaN HEMT With aTransparent Gate Electrode, Electron. Device Lett, 2007， 30 (5) :439"。 ITO材料的电阻率特性和Al掺杂ZnO相似，但 是其抗辐照特性不如ZnO材料。 离子注入辅助实现AlGaN/GaN HEMT源漏电极低温退火欧姆接触已有报道。为了减 小源漏寄生电阻，可以采用源漏注入掺杂杂质的方法来实现低温退火的源漏欧姆接触。参 考文献"Remarkable Reduction of On-Resistance by Ion Implantation inGaN/AlGaN/ GaN HEMTs With Low Gate Leakage Current,Electron. Device Lett,2007，28(11) :939". 采用离子注入辅助也可以实现Al掺杂的ZnO材料在GaN基材料上的欧姆接触。离子注入 形成的重掺杂遂穿效应，可以克服电子势垒，形成欧姆接触。 AlGaN/GaN HEMT适合于微波和数字电路方面的应用，并且在恶劣太空环境中有 良好的稳定性和可靠性，尤其在抗辐照，耐高温方面有很好的应用前景。但是常规结构的 AlGaN/GaN HEMT栅、源、漏接触由于采用不透明的金属材料，限制了 AlGaN/GaN HEMT在透明 电子器件领域应用。采用ITO材料制作栅极的AlGaN/GaNHEMT仅实现了栅电极透明，但源 漏电极并未采用透明材料，故不能实现全透明电子器件应用。ZnO基透明晶体管虽然可以实 现透明领域应用，但是由于ZnO材料的击穿场强和材料迁移率都不如GaN材料，所以ZnO基 晶体管在高性能的透明电子器件领域应用还有诸多不足。 本发明目的在于克服上述已有技术的缺点，提出一种全透明AlGaN/GaN高电子迁 移率晶体管及其制作方法，以在保持AlGaN/GaN HEMT原有的器件特性优势的条件下，扩展 其应用范围，特别是在太空太阳能电池领域的应用。 为实现上述目的，本发明的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，依次包括蓝宝石衬 底、GaN缓冲层、本征GaN层、Al。.3Ga。.7N层和GaN帽层，帽层上设有源电极、漏电极和栅电 极，其中源电极、漏电极和栅电极均采用透明的ZnO材料，蓝宝石衬底采用透明双面抛光蓝
发明内容
4宝石，以实现器件全透明。 所述的ZnO材料为掺杂有A1203的透明高电导率材料。 为实现上述目的，本发明的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如 下步骤 (1)在双面抛光蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长GaN缓冲层、本征GaN 层、Al。.sGa。.7N层和GaN帽层； (2)在生长的GaN帽层表面利用PECVD工艺淀积100nm-200nm的SiN钝化层；光
刻出源漏区域并采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN ; (3)利用SiN做掩模在源极、漏极区域采用离子注入工艺注入Si+离子； (4)采用光刻剥离工艺在Si离子注入的源极、漏极区域溅射出100-400nm厚的
ZnO层形成透明的源极和漏极； (5)采用光刻剥离工艺在栅极区域溅射出100-400nm厚的ZnO层形成透明的栅电 极。 所述的源极、漏极和栅极制作工艺是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2-3% A1203的ZnO粉末，在压强为l-3Pa，衬底温度为25_90°C ，溅射功率为30-80W的条件下，预 溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定；再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进 行溅射，先在Si+注入的源漏区域形成100-400nm厚的ZnO源和漏电极，然后在栅极区域形 成100-400nm厚的ZnO栅电极。
本发明与现有技术相比具有如下优点 (1)本发明的器件由于采用了透明的ZnO作为栅电极和源漏电极，采用透明的双 面抛光蓝宝石衬底，因而能够实现器件的全透明。 (2)本发明的器件由于对ZnO栅电极和源漏电极进行Al掺杂，提高了 ZnO栅电极 和ZnO源漏电极的电导率。 (3)本发明由于采用ZnO作为栅电极和源漏电极，提高了器件的抗辐照特性。
(4)本发明实现了器件高特性和全透明，非常适合太空太阳能电池领域的应用，同 时也有利于用光学特性分析来研究材料和器件的缺陷、掺杂、电子状态。
图1是本发明器件的剖面结构示意图；
图2是本发明器件的制作工艺流程示意图；
图3是本发明器件的源漏电极制作工艺流程图；
图4是本发明器件的栅电极制作工艺流程图。 参照图l，本发明器件的最下层为双面抛光蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上为GaN缓冲 层，GaN缓冲层上为本征GaN层，本征GaN层上为20nm的Al。.3Ga。.7N层，20nm的Al。.3Ga。.7N 层上为2nm的GaN帽层；本征GaN层和Al。.3Ga。.7N层间形成二维电子气(2DEG) 。 GaN帽层 上溅射有八1203掺杂的透明ZnO源、漏电极和栅电极，采用Si+离子注入辅助源漏电极欧姆 接触的形成。 参照图2，本发明器件的制作给出以下三种实施例。
实施例l，本发明器件的制作，包括如下步骤
5
步骤1.外延材料生长。
参照图1和图2，本步骤的具体实现如下 (101)在双面抛光蓝宝石衬底基片上，利用M0CVD工艺，生长GaN缓冲层；
(102)在GaN缓冲层上，生长本征GaN层； (103)在本征GaN层上，生长20nm厚的Al。.3Ga。.7N层，本征GaN层与Al。.3Ga。.7N层 间形成2DEG ; (104)在Al。.3Ga。.7N层上，生长2nm厚的GaN帽层。 步骤2.源漏电极制作。 参照图1和图3，本步骤的具体实现如下 (201)采用PECVD设备对器件进行表面SiN覆盖保护； 首先，将样片放入丙酮超声2min，其后在乙醇中超声lmin，再在超纯水中冲洗 lmin，而后用氮气吹干； 接着，用l : 8的稀盐酸对样片表面进行处理，用超纯水冲洗，用氮气吹干；
最后，将样品放入到PECVD的腔体中，通入含量为2%的SiH4气体200sccm，氨气 3sccm，氦气200sccm，在压强为600mT，温度为250°C的条件下，淀积厚度为100nm的氮化硅 钝化层； (202)采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN进行离子注入窗口开孔； 在SiN覆盖的材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘
箱中烘10min，然后在该样片光刻露出源漏电极图形； 采用光刻胶做掩模进行RIE干法刻蚀，刻蚀去除源漏区域SiN保护层，刻蚀时采用
的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (203)采用离子注入机对源漏区域进行Si+注入，基板温度为4(TC，注入剂量为
1X10，ci^，注入的离子能量为50keV ;注入完成后整片干法刻蚀去除SiN掩模，刻蚀时采
用的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (204)材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘箱中烘
10min，然后在该样片再次光刻源漏电极图形。 (205)源漏电极淀积； 首先，采用DQ-500等离子体去胶机去除栅电极图形区未显影干净的光刻胶薄层， 以提高剥离的成品率； 接着，采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2 %的A1203的ZnO靶材进行ZnO源漏 电极的淀积。在压强为1Pa，衬底温度为25t:，溅射功率为30W的条件下，预溅射ZnO靶材 5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成 100nm的ZnO源漏电极； 最后，将样片放入到丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，去除了非源漏区域
的ZnO层，然后用氮气吹干； 步骤3.栅电极制作。 参照图1和图4，本步骤的具体实现如下
(301)栅电极淀积 首先，在该样片上甩正胶，甩胶台的 速为5000转/min，放入温度为8(TC的高温烘箱中烘10min，光刻获得栅电极图形； 接着，采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，然后采 用磁控溅射的方法将靶材为掺有2%的A1203的ZnO靶材进行ZnO栅电极的淀积。在压强为 lPa，衬底温度为25°C ，溅射功率为30W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面 和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成lOOnm的ZnO栅电极层；
最后，将蒸发完源漏金属的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然
后用氮气吹干形成栅电极，完成器件制作。 实施例2，本发明器件的制作，包括如下步骤 步骤1.外延材料生长。 参照图1和图2，本步骤的具体实现如下 (101)在双面抛光蓝宝石衬底基片上，利用MOCVD工艺，生长GaN缓冲层；
(102)在GaN缓冲层上，生长本征GaN层； (103)在本征GaN层上，生长20nm厚的Al。.3Ga。.7N层，本征GaN层与Al。.3Ga。.7N层 间形成2DEG ; (104)在Al。.3Ga。.7N层上，生长2nm厚的GaN帽层。 步骤2.源漏电极制作。 参照图1和图3，本步骤的具体实现如下 (201)采用PECVD设备对器件进行表面SiN覆盖保护； 首先，将样片放入丙酮超声2min，其后在乙醇中超声lmin，再在超纯水中冲洗 lmin，而后用氮气吹干； 接着，用l : 8的稀盐酸对样片表面进行处理，用超纯水冲洗，用氮气吹干；
最后，将样品放入到PECVD的腔体中，通入含量为2%的SiH4气体200sccm，氨气 3sccm，氦气200sccm，在压强为600mT，温度为250°C的条件下，淀积厚度为150nm的氮化硅 钝化层； (202)采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN进行离子注入窗口开孔； 在SiN覆盖的材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘
箱中烘10min，然后在该样片光刻露出源漏电极图形； 采用光刻胶做掩模进行RIE干法刻蚀，刻蚀去除源漏区域SiN保护层，刻蚀时采用
的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (203)采用离子注入机对源漏区域进行Si+注入，基板温度为4(TC，注入剂量为
1X10，ci^，注入的离子能量为50keV ;注入完成后整片干法刻蚀去除SiN掩模，刻蚀时采
用的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (204)材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘箱中烘
10min，然后在该样片再次光刻源漏电极图形。 (205)源漏电极淀积； 首先，采用DQ-500等离子体去胶机去除栅电极图形区未显影干净的光刻胶薄层， 以提高剥离的成品率； 接着，采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2. 5%的A1203的ZnO靶材进行ZnO源漏 电极的淀积。在压强为2Pa，衬底温度为5(TC，溅射功率为50W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成 200nm的Zn0源漏电极； 最后，将样片放入到丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，去除了非源漏区域
的ZnO层，然后用氮气吹干； 步骤3.栅电极制作。 参照图1和图4，本步骤的具体实现如下
(301)栅电极淀积 首先，在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为8(TC的高温 烘箱中烘10min，光刻获得栅电极图形； 接着，采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，然后采 用磁控溅射的方法将靶材为掺有2. 5%的A1203的ZnO靶材进行ZnO栅电极的淀积。在压 强为2Pa，衬底温度为50°C ，溅射功率为50W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材 表面和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成200nm的ZnO栅电极 层； 最后，将蒸发完源漏金属的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然
后用氮气吹干形成栅电极，完成器件制作。 实施例3，本发明器件的制作，包括如下步骤 步骤1.外延材料生长。 参照图1和图2，本步骤的具体实现如下 (101)在双面抛光蓝宝石衬底基片上，利用MOCVD工艺，生长GaN缓冲层；
(102)在GaN缓冲层上，生长本征GaN层； (103)在本征GaN层上，生长20nm厚的Al。.3Ga。.7N层，本征GaN层与Al。.3Ga。.7N层 间形成2DEG ; (104)在Al。.3Ga。.7N层上，生长2nm厚的GaN帽层。 步骤2.源漏电极制作。 参照图1和图3，本步骤的具体实现如下 (201)采用PECVD设备对器件进行表面SiN覆盖保护； 首先，将样片放入丙酮超声2min，其后在乙醇中超声lmin，再在超纯水中冲洗 lmin，而后用氮气吹干； 接着，用l : 8的稀盐酸对样片表面进行处理，用超纯水冲洗，用氮气吹干；
最后，将样品放入到PECVD的腔体中，通入含量为2%的SiH4气体200sccm，氨气 3sccm，氦气200sccm，在压强为600mT，温度为250°C的条件下，淀积厚度为200nm的氮化硅 钝化层； (202)采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN进行离子注入窗口开孔；在SiN覆盖的材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘
箱中烘10min，然后在该样片光刻露出源漏电极图形； 采用光刻胶做掩模进行RIE干法刻蚀，刻蚀去除源漏区域SiN保护层，刻蚀时采用
的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (203)采用离子注入机对源漏区域进行Si+注入，基板温度为4(TC，注入剂量为
81X10，ci^，注入的离子能量为50keV ;注入完成后整片干法刻蚀去除SiN掩模，刻蚀时采
用的电极功率为50W，压强为5mT，采用CF4/02 = 10 : 1的气体比例进行刻蚀。 (204)材料表面甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80°C的高温烘箱中烘
10min，然后在该样片再次光刻源漏电极图形。 (205)源漏电极淀积； 首先，采用DQ-500等离子体去胶机去除栅电极图形区未显影干净的光刻胶薄层， 以提高剥离的成品率； 接着，采用磁控溅射的方法将靶材为掺有3 %的A1203的ZnO靶材进行ZnO源漏 电极的淀积。在压强为3Pa，衬底温度为9(TC，溅射功率为80W的条件下，预溅射ZnO靶材 5分钟，以清洁靶材表面和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成 400nm的ZnO源漏电极； 最后，将样片放入到丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，去除了非源漏区域
的ZnO层，然后用氮气吹干； 步骤3.栅电极制作。 参照图1和图4，本步骤的具体实现如下
(301)栅电极淀积: 首先，在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为8(TC的高温 烘箱中烘10min，光刻获得栅电极图形； 接着，采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，然后采 用磁控溅射的方法将靶材为掺有3%的A1203的ZnO靶材进行ZnO栅电极的淀积。在压强为 3Pa，衬底温度为90°C ，溅射功率为80W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面 和使系统稳定，再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成400nm的ZnO栅电极层；
最后，将蒸发完源漏金属的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然 后用氮气吹干形成栅电极，完成器件制作。
权利要求
一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，依次包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层和GaN帽层，帽层上设有源电极、漏电极和栅电极，其特征在于源电极、漏电极和栅电极均采用透明的ZnO材料，蓝宝石衬底采用透明双面抛光蓝宝石，以实现器件全透明。
2. 根据权利要求1所述的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于ZnO材料为掺 杂有八1203的透明高电导率材料。
3. —种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤(1) 在双面抛光蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长GaN缓冲层、本征GaN层、 Al。」Ga。.7N层和GaN帽层；(2) 在生长的GaN帽层表面利用PECVD工艺淀积100nm-200nm的SiN钝化层；光刻出 源漏区域并采用RIE干法刻蚀去除源漏区域SiN ;(3) 利用SiN做掩模在源极、漏极区域采用离子注入工艺注入Si+离子；(4) 采用光刻剥离工艺在Si离子注入的源极、漏极区域溅射出100-400nm厚的ZnO层 形成透明的源极和漏极；(5) 采用光刻剥离工艺在栅极区域溅射出100-400nm厚的ZnO层形成透明的栅电极。
4. 根据权利要求3所述的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制作方法，其中步骤(4)的 具体实现是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2-3% A1203的ZnO粉末，在压强为l-3Pa，衬 底温度为25-9(TC ，溅射功率为30-80W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面 和使系统稳定；再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，分别形成100-400nm厚的ZnO 源电极和漏电极。
5. 根据权利要求3所述的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制作方法，其中步骤(5)的 具体实现是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2-3% A1203的ZnO粉末，在压强为l-3Pa，衬 底温度为25-9(TC ，溅射功率为30-80W的条件下，预溅射ZnO靶材5分钟，以清洁靶材表面 和使系统稳定；再在99. 9999%的高纯氩气气氛中进行溅射，形成100-400nm厚的ZnO栅电极。
全文摘要
本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域，及现有全透明晶体管特性差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN帽层和源、漏、栅电极，其中源、漏电极和栅电极均采用掺杂Al2O3的透明ZnO材料，衬底采用透明的双面抛光蓝宝石。源、漏、栅电极在GaN帽层上通过磁控溅射的方法淀积，源区和漏区域进行Si+离子注入，以辅助源区和漏区欧姆接触的形成。本发明具有全透明，高特性的优点，可用于透明领域的抗辐照电路中的电子元件。
文档编号H01L21/335GK101771076SQ20101001353
公开日2010年7月7日 申请日期2010年1月4日 优先权日2010年1月4日
发明者张进城, 曹艳荣, 杨凌, 王冲, 郝跃, 马晓华 申请人:西安电子科技大学