专利名称：：半导体激光器设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种在诸如散热器(heatsink)的散热部件上安装半导体激光器装置而获得的半导体激光器设备。
背景技术：
：在应用半导体激光器的设备中，关于热产生的问题变得严重，这会限制半导体激光器在各种领域的应用。这个问题涉及到半导体激光器内每单位面积产生的热量并且导致例如半导体激光器周围温度升高以及由于热循环而产生应力的现象。这种现象降低了半导体激光器的发光输出和发光效率并縮短了它的寿命。另外，这种现象降低了激光器特性，也就是说，从半导体激光器发出的光转变成更长的波长。因此，在应用半导体激光器的设备中，通过将半导体激光器接合到高热导率的散热部件(散热器)，能够有效地散发热量。为了提高散热效率，希望直接将半导体激光器接合到散热器。利用软焊(soldering)等的焊接(welding)法用作这种接合方法。这种情况下，金属材料被加热至高温以熔化，然后冷却以凝固。通常，由于半导体激光器的材料与散热器的材料之间的线性膨胀的系数差异很大，在接合过程中的加热和冷却步骤内，由于这种差异而产生很大热应力。尤其是，形成于GaAs衬底上的精密的半导体激光器阵列等不能够忍受热应力，有时会损坏。为了防止半导体激光器由于这种热应力而受到损坏，通常利用一种在半导体激光器与散热器之间设置应力衰减材料的方法。线性膨胀系数低于散热器、而热导率高于散热器的材料被用作应力衰减材料。例如，当散热器由铜(Cu)构成时，氮化铝(A1N)或碳化硅(SiC)被用于应力衰减材料。然而，上述应力衰减材料的热导率通常低于散热器。因此，当利用该应力衰减材料时，与半导体激光器直接接合到散热器的情况相比，散热效率不充分。提出一种通过桥接在半导体激光器上进一步安置另一个散热部件、而半导体激光器直接接合到散热器以衰减半导体激光器上产生的应力的方法(日本未审专利申请公开No.2007-305977)。
发明内容然而，日本未审专利申请公开No.2007-305977公开的方法中，基于桥接结构可以衰减应力而不会减小散热效率，但是该方法存在一个问题，即在半导体激光器上出现例如翘曲(warpage)的变形。鉴于以上问题，期望提供一种具有高散热效率并能够抑制半导体激光器的变形的半导体激光器设备。根据本发明实施例的半导体激光器设备包括散热部件，包括具有在左右方向延伸的前端部的主体和从所述前端部的两侧向前突出的一对突出部分；半导体激光器装置，沿主体的前端部被接合；以及加强构件，用于桥接所述一对突出部分。根据本发明实施例的半导体激光器设备中，半导体激光器装置沿散热部件中的主体的前端部被接合，由此，例如与应力衰减材料等插入在散热部件与半导体激光器装置之间的情况相比较，在操作过程中有效散热。当半导体激光器装置接合(安装)到主体时，执行利用软焊等的焊接。因此，它们被加热到高温并然后冷却。通常，半导体激光器装置与散热部件之间的线性膨胀系数的差异很大，这导致在冷却步骤中半导体激光器装置与散热部件之间的收縮差异很大。结果，当半导体激光器装置直接接合到散热部件时，在半导体激光器装置上产生很大应力。本发明中，在散热部件中，加强构件将从前端部的两侧向前突出的一对突出部分桥接，由此减小了半导体激光器装置与散热部件之间的收縮差异，并且在半导体激光器装置中不易产生应力。尤其是，假定散热部件的线性膨胀系数是al，半导体激光器装置的线性膨胀系数是a2，加强构件的线性膨胀系数是a3，优选地满足a1>a2并且a1>a3，更加优选地满足al>a2>a3。当al〉a2时，在接合过程，在冷却步骤中散热部件的收縮大于半导体激光器装置的收縮。如果加强构件的收縮小于散热部件的收縮(a1>a3)，则所述一对突出部分不易收縮，由此抑制了散热部件的收縮。当满足a2>a3时，进一步抑制了突出部分的收縮。因此，在半导体激光器装置中不易产生由于散热部件的收縮所导致的应力。这里，半导体激光器装置的线性膨胀系数是指组成半导体激光器装置的衬底材料的线性膨胀系数。根据本发明实施例的半导体激光器设备中，半导体激光器装置沿散热部件的主体的前端部被接合，而所述一对突出部分安置在所述前端部的两侧，所述一对突出部分通过加强构件桥接。因此，有效地散发了半导体激光器装置的热量、并且能够抑制在接合过程内在半导体激光器装置中产生的应力。因此，能够抑制半导体激光器的变形并且实现高散热效率。图1是示意性示出根据本发明实施例的半导体激光器设备的透视图；图2是示意性示出图1所示的半导体激光器设备的平面图；图3示出制造图1所示的半导体激光器设备的方法；图4示出图3所示步骤以后的制造步骤；图5是示意性示出根据变型1的半导体激光器设备的透视图；图6示出制造图5所示的半导体激光器设备的方法；图7示出图6所示步骤以后的制造步骤；图8是示意性示出根据变型2的半导体激光器设备的平面图；以及图9是示意性示出根据变型3的半导体激光器设备的透视图。具体实施例方式将参照附图详细描述本发明实施例。按照下面顺序描述实施例。(1)实施例在单个步骤中半导体激光器和加强构件接合(焊接soldered)到散热器的例子。(2)变型1:在多个步骤中半导体激光器和加强构件接合(铜焊brazed、焊接4soldered)到散热器的例子。(3)变型2:加强构件仅安置在半导体激光器阵列一侧的例子。(4)变型3:在加强构件上形成锥体的例子。1、半导体激光器设备1的结构图1示出根据本发明实施例的半导体激光器设备1的示意性结构。通过将半导体激光器阵列11接合到散热器10(散热部件)而获得半导体激光器设备l。散热器10被形成为预定形状(以后详细描述)。在与散热器IO相同的平面内，加强构件12和13被接合到散热器10。半导体激光器阵列11经由导线接合被连接到电极部件14以进行外部连接。用于会聚激光束L的准直透镜15安置在置于散热器10上的半导体激光阵列11的出射激光束L的一侧。下文中，出射激光束L的方向是前方。半导体激光阵列11例如由布置在单个方向(这里，左右方向)的多个半导体激光器装置(例如25个装置)构成，并且经由金属层11A(第一金属层)接合到散热器IO。金属层11A由接合金属(诸如焊料)、或者熔点例如大约为30(TC或更小的金属材料(即，包含黄金(Au)或锡(Sn)的合金)构成。在半导体激光器阵列11中，例如，左右方向(布置方向)的宽度是10mm，空腔长度是200iim到1.5mm，厚度是100iim。半导体激光器阵列11是发红光二极管，发光波长例如是630到690iim。发红光激光器的例子包括这样的激光器，其中在由砷化镓(GaAs)形成的衬底上形成半导体层。例如通过堆叠下覆层、有源层、上覆层和电流注入层而获得所述半导体层，该半导体层由AlGalnP化合物半导体等构成。这种AlGalnP化合物半导体是四元半导体，包含铝(Al)和镓(Ga)中的至少一个以及铟(In)和磷(P)中的至少一个。四元半导体的例子包括AlGalnP混合晶体、Galnp混合晶体、AlInP混合晶体。这些混合晶体可选地包括n型杂质(例如硅(Si)或硒(Se))或者p型杂质(例如镁(Mg)、锌(Zn)或碳(C))。此外，P侧电极形成于半导体激光器阵列11的一侧，n侧电极形成于另一侧。散热器10提高了半导体激光器阵列11的散热效率，优选地具有良好热导率和良好电导率。基于热导率，能够散发从半导体激光器阵列ll产生的大量热量并且在半导体激光器阵列11内保持适宜温度。基于电导率，电流可以有效传导至半导体激光器阵列11。散热器10材料的例子包括元素金属(例如铜、铝(Al)、钨(W)和钼(Mo))以及它们的合金。这些合金例子包括铜鸨合金(Cu-W)和铜钼合金(Cu-Mo)。鉴于热导率和电导率，散热器IO优选地由铜和包含铜的合金形成。为进一步提高电导率，例如可由黄金(Au)涂覆散热器10。散热器10的厚度例如是3.0到10.Omm。图2是半导体激光器设备1的平面图。在平面视图内，散热器10包括矩形形状的主体IOA。两对突出部分10B1和10B2以及10C1和10C2在向前和向后方向从主体10A的四个角突出。主体IOA是半导体激光器阵列11的散热部件的主要部分，并且包括分别在左右方向延伸的前端部和后端部。半导体激光器阵列11沿前端部接合到主体IOA。突出部分10B1和10B2从前端部的两侧向前突出以彼此面对。突出部分10B1和10B2由加强构件12桥接。突出部分10C1和10C2从后端部的两侧向后突出以彼此面对。突出部分10C1和10C2由加强构件13桥接。加强构件12经由金属层12A(第二金属层)接合到突出部分10B1和10B2的表面，所述表面面对加强构件12的相对两端。加强构件13经由金属层13A(第二金属层)接合5到突出部分10C1和10C2的表面，所述表面面对加强构件13的相对两端。加强构件12和13被设置为与主体10A分离，由此在主体10A与加强构件12和13之间存在空间。准直透镜15安置在前面的所述空间。例如，金属层12A和13A由熔点与上述金属层IIA相同或基本相同的金属材料构成。这个实施例中，突出部分10B1和10B2以及加强构件12被安置在主体10A的前端部上，突出部分10C1和10C2以及加强构件13被安置在后端部上。换言之，散热器10和加强构件组成的平面形状是线对称的。根据散热器10与半导体激光器阵列11之间线性膨胀系数的关系，加强构件12和13减小散热器10与半导体激光器阵列11之间的收縮差异。具体地，当散热器10的线性膨胀系数大于半导体激光器阵列11时，加强构件12和13抑制散热器10的收縮。相反，当散热器10的线性膨胀系数小于半导体激光器阵列11时，加强构件12和13有利于散热器10的收縮。加强构件12和13例如由表1所示材料形成。根据散热器10和半导体激光器阵列11的材料，优选地选择加强构件12和13的材料。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>例如，散热器10的线性膨胀的系数定义为a1，半导体激光器阵列11的线性膨胀的系数定义为a2，加强构件12的线性膨胀的系数定义为a3。当a1>a2时，加强构件12由优选地满足a1>a3、更优选地a2>a3(S卩，al〉a2>a3)的材料形成。具体地，当散热器10由铜(a1=16.8X10—6/°C)形成并且上述的包括GaAs衬底的发红光激光器(a2=5.9X10—6/°C)用于半导体激光器衬底11时，加强构件12和13优选地由材料(例如钻石(C)、鸨、碳化硅、氮化铝、铬(Cr)、钼(Pt)、氧化镁(Mg0)、锑(Sb)、铁、钴(Co)、镍(Ni)或铋(Bi))形成(a1>a3)。在它们之中，钻石(C)、鸨和氮化铝是更优选的材料(a2>a3)。这里，半导体激光器阵列11的线性膨胀系数a2是指构成半导体激光器阵列11的衬底材料的线性膨胀系数。电极部件14例如由覆盖有黄金的铜等形成。厚度例如是1.0到3.0mm。准直透镜15将从半导体激光器阵列11发出的激光束L会聚，并且将激光束L引导至期望方向。通过将准直透镜15安置在与加强构件12相比更靠近半导体激光器阵列11的位置，能够防止部分激光束L受到加强构件12的阻挡，由此防止它们丢失。2、制造半导体激光器设备1的方法例如，能够如下制造上述的半导体激光器设备1。首先，制造半导体激光器阵列11。例如，通过金属有机化学真空沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在由GaAs形成的衬底上形成化合物半导体层。这里，例如三甲基铝(TMA)、三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMIn)或磷化氢(ffl3)被用作上述的AlGalnP化合物半导体的原材料。例如，硒化氢(H2Se)被用作施主杂质的原材料，二甲基锌(DMZ)被用作受主杂质的原材料。随后，通过真空沉积或喷溅在所形成的化合物半导体层的表面上以及GaAs衬底的背面上形成电极。然后，通过在轴向在一对端面上放置反射膜(未示出)形成半导体激光器阵列11。如图3所示，散热器10形成为具有上述平面形状。通过在所形成的散热器10上的、要与半导体激光器阵列11接合的区域(主体10A的前端部)，通过真空沉积、电镀等，依次沉积例如黄金和锡，形成由上述材料形成的金属层IIA。这里，可以掩盖散热器10的上述7区域以外的区域，以防止沉积金属材料。另一方面，在上述材料构成的加强构件12和13的相对端上，通过真空沉积、电镀等，沉积例如黄金和锡，形成金属层12A和13A。随后，半导体激光器阵列11与形成于散热器10上的金属层IIA对齐，然后被放置在金属层IIA上。此时，具有金属层12A的加强构件12被插入到一对突出部分10B1和10B2之间的空间。具有金属层13A的加强构件13被插入到一对突出部分10C1和10C2之间的空间。这里，在散热器10的主体10A与插入的加强构件12和13之间形成空间。如图4所示，例如以大约30(TC对放置半导体激光器阵列11以及加强构件12和13的散热器10执行热处理，以熔化金属层IIA和金属层12A和13A。然后，通过冷却来凝固金属层IIA和金属层12A和13A。结果，半导体激光器阵列11接合到主体IOA，加强构件12和13分别接合到所述一对突出部分10B1和10B2以及所述一对突出部分10C1和10C2。随后，利用紫外线固化树脂等在突出部分10B1和10B2上安装准直透镜15以置于主体10A与加强构件12之间的空间。最后，电极部件14被安置在散热器10上，然后经由导线接合被连接到半导体激光器阵列11。因此，完成了图1和图2所示的半导体激光器设备1。3、半导体激光器设备i的操作和优点这个实施例中，半导体激光器阵列11沿主体10A的前端部接合到散热器10而没有插入应力衰减材料。因此，与插入应力衰减材料等的情况相比较，在操作过程内有效散发了半导体激光器阵列11内的热量。通过将散热器10加热至熔化金属层11A的温度的步骤以及对散热器10冷却的步骤，半导体激光器阵列11被接合(安装)到散热器10。这里，通常，散热器10的线性膨胀系数a1与半导体激光器阵列11的线性膨胀系数a2之间差异很大，这使得在冷却步骤中半导体激光器阵列11与散热器10之间的收縮差异很大。因此，如果半导体激光器阵列11直接接合到散热器10，在半导体激光器阵列11内产生由于收縮差异导致的很大应力。然而，这个实施例的散热器10中，在已接合半导体激光器阵列11的前端部的两侧上形成所述一对突出部分10B1和10B2，突出部分10B1和10B2通过加强构件12桥接。这减小了半导体激光器阵列11与散热器10之间的收縮差异。因此，在半导体激光器阵列11内不易产生上述应力。尤其是，当散热器10由铜构成并且包括GaAs衬底的红光激光器被用于半导体激光器阵列11时，也就是说，当a1>a2时，加强构件12可由满足a1>a3、优选地a1>a2>a3的材料构成。当a1>a2时，在冷却步骤中，散热器10的收縮大于半导体激光器阵列ll的收縮。如果加强构件12的收縮小于散热器10的收縮(al〉a3)，突出部分10B1和10B2被相对压向散热器10的外侧，由此抑制了散热器10的收縮。当满足a2>a3时进一步抑制了收縮。因此，在半导体激光器阵列11内不易产生由于散热器10的收縮所产生的应力。如上所述，这个实施例中，半导体激光器阵列11被接合到散热器10的主体10A的前端部，而所述一对突出部分10B1和10B2被安置在前端部的两侧，突出部分10B1和10B2通过加强构件12桥接。因此，充分散发了半导体激光器阵列11的热量，能够抑制在接合过程在半导体激光器阵列11内产生的应力。因此，能够抑制半导体激光器的变形，并实现很高的散热效率。这个实施例中，突出部分10B1和10B2以及利用加强构件12的桥接结构也被安置在主体10A的后端部。换言之，通过为散热器10提供线对称结构，能够在平面内均匀地抑制由于上述线性膨胀系数所导致的散热器10的收縮。因此，能够更有效地抑制在半导体激光器阵列11内产生的应力。另外，如果金属层11A、12A和13A各自由相同金属材料构成，则在单个步骤内半导体激光器阵列11以及加强构件12和13能够接合到散热器10。金属层11A、12A和13A可以由与上述相同材料构成或者可以由不同材料构成。这意味着金属层的熔点彼此不同。即使这种情况下，通过执行加热直到所有金属层熔化然后执行冷却直到所有金属层凝固，能够一起执行加热步骤和冷却步骤。如果金属层各自由不同金属材料构成，则金属层12A和13A的熔点优选地高于金属层IIA。这是因为，通过在冷却步骤内先于金属层IIA冷却金属层12A和13A，加强构件12和13被接合到散热器10，由此能够有效抑制冷却过程中散热器10的收縮。上述的实施例中，描述了在金属层11A被形成于散热器10上之后将半导体激光器阵列11与金属层IIA对齐的情况，但是金属层IIA可以形成于半导体激光器阵列11上。相似地，描述了金属层12A形成于加强构件12的相对端上的情况，但是还可以在散热器10的突出部分10B1和10B2的表面(S卩，与加强构件12的两端相对的表面)上形成金属层12A，可以在突出部分10C1和10C2的表面(S卩，与加强构件13的两端相对的表面)上形成金属层13A。随后，将描述本发明的变型。与上述第一实施例相同的组成部件由相同标号指定，并省去描述。变型1图5示出根据变型1的半导体激光器设备2的示意性结构。除了将加强构件12接合到一对突出部分10B1和10B2的金属层12B和将加强构件13接合到一对突出部分10C1和10C2的金属层13B以外，半导体激光器设备2的结构基本与上述实施例相同。金属层12B和13B由熔点高于金属层11A的材料构成，例如，熔点大约是75(TC或更低的接合金属，例如钎料(brazingfillermetal)。这些金属层12B和13B由锡磷铜等构成。例如，可以如下制造半导体激光器设备2。首先，与上述实施例的半导体激光器设备1一样，制造半导体激光器阵列11。例如，通过真空沉积、电镀等，在加强构件12和13的相对端上形成由上述材料构成的金属层12B和13B。随后，具有金属层12A的加强构件12被插入在具有预定平面形状的散热器10的突出部分10B1与10B2之间的空间。具有金属层13A的加强构件13也插入在散热器10的突出部分10C1与10C2之间的空间。这里，在散热器10的主体10A与插入的加强构件12和13之间形成空间。如图6所示，例如，以大约75(TC或更低对已经布置加强构件12和13的散热器10执行热处理，以熔化金属层12B和13B。然后，通过冷却对金属层12B和13B进行凝固。结果，加强构件12和13分别接合到所述一对突出部分10B1和10B2以及所述一对突出部分10C1和10C2。如图7所示，与上述实施例一样，在已经接合加强构件12和13的散热器10的主体IOA上形成金属层IIA。半导体激光器阵列11与金属层IIA对齐，然后被放在金属层11A上。随后，例如，以大约30(TC或更低对散热器10执行热处理以熔化金属层11A。然后，通过冷却凝固金属层11A。这样，半导体激光器阵列11被接合到主体10A。最后，与上述实施9例一样，电极部件14安置在散热器10上并然后连接到半导体激光器阵列11，由此完成了图5所示的半导体激光器设备2。如变型1的描述，用于接合加强构件12和13的金属层12B和13B可以由熔点高于用于接合半导体激光器阵列11的金属层11A的金属材料构成。换言之，在上述实施例中，描述了在单个步骤中金属层11A、12A和13A利用相同金属材料将半导体激光器阵列11和加强构件12和13接合到散热器10的情况，但是在变型1它们可以在多个步骤中接合到散热器10，。因此，由于加强构件12和13先于半导体激光器阵列11凝固，能够有效地抑制散热器io的变形。变型2图8是根据变型2的半导体激光器设备3的平面图。在半导体激光器设备3的散热器20中，半导体激光器阵列11接合到具有矩形形状的主体20A的前端部。仅一对突出部分10B1和10B2安置在前端部的两侧，仅加强构件12安置在突出部分10B1与10B2之间的空间。也就是说，一对突出部分和加强构件未被安置在主体20A的后端部。如上所述，突出部分10B1和10B2以及加强构件12不必被分别安置在前端部和后端部，散热器20不必是线对称形状。然而，由于能够在平面内均匀抑制散热器10的变形，像上述实施例那样，突出部分10B1和10B2和10C1和10C2以及加强构件12和13分别安置在前端部和后端部的情况是优选的。变型3图9示出根据变型3的半导体激光器设备4的示意性结构。除了没有安置准直透镜15以及加强构件17具有不同形状以外，半导体激光器设备4的结构与上述实施例的半导体激光器设备4相同。在变型3中，加强构件17的上表面是锥形的，从而随着距离半导体激光器阵列11的发光表面的距离增大，厚度减小。换言之，加强构件17例如被形成为三角棱柱。与上述实施例相同的加强构件13安置在散热器10的主体10A的后端部，但是加强构件13的形状没有特别限制。加强构件17由与上述实施例的加强构件12和13相同的材料形成。如上所述，通过为安置在半导体激光器阵列11的发光表面侧的加强构件设置锥形表面，从而随着距离发光表面的距离增大，厚度下降，能够防止激光束L受到加强构件17的阻挡。在变型3中，由于准直透镜不是必需的，散热器10的主体10A与加强构件17之间的空间也不是必需的。利用实施例和变型描述了本发明。然而，本发明不限于上述实施例等，并且可以进行各种变型。例如，在上述实施例中描述了散热器的材料的线性膨胀系数大于半导体激光器阵列(al>a2)的情况，但是本发明还可以应用到散热器的材料的线性膨胀系数小于半导体激光器阵列(al<a2)的情况。散热器材料的例子包括钨，半导体激光器阵列材料的例子包括氮化镓(GaN，线性膨胀系数5.6X10—7°C)。当al<a2时，加强构件由满足a2<a3的材料构成，例如铁。这种情况下，在接合过程，在冷却步骤中，半导体激光器阵列的收縮大于散热器的收縮。由于加强构件的收縮大于半导体激光器阵列的收縮，突出部分被加强构件向内拖拽，由此有利于散热器的变形(收縮)。例如，在上述实施例中描述了用于接合半导体激光器阵列的第一金属层的熔点低于或等于用于接合加强构件的第二金属层的情况，但是第一金属层可以由熔点高于第二金属层的金属材料构成。这种情况下，半导体激光器阵列被接合到散热器，而加强构件的第二金属层没有凝固，但是如果加强构件与散热器高精度对齐，则仍能够实现与本发明相同的优点。例如，在上述实施例中描述了半导体激光器阵列的发光表面与散热器的主体的侧面共享同一平面的情况，但是半导体激光器阵列的发光表面还可以从主体的侧面向前突出。例如，在上述实施例中描述了在纵向方向半导体激光器阵列的长度与加强构件相同的情况，但是加强构件可以长于半导体激光器阵列。例如，在上述实施例中描述了在加强构件与散热器的主体之间形成空间并且准直透镜被安置在这个空间内的情况，但是并非必须安置准直透镜。当没有安置准直透镜时，所述空间不是必需的。例如，在上述实施例中描述了相同形状和尺寸的两个加强构件被安置在靠近半导体激光器阵列的一侧和远离半导体激光器阵列的一侧的情况，但是这两个加强构件不需要在这两侧具有相同结构。例如，由于没有安置准直透镜，所以在远离半导体激光器阵列的一侧不需要空间。然而，为了均匀抑制平面内散热器的收縮，这两侧的所述结构优选是对称的。例如，在上述实施例中描述了布置多个半导体激光器装置的半导体激光器阵列被接合在散热器上的情况，但是并非必须布置多个半导体激光器装置。然而，单个或多个半导体激光器装置优选地在散热器的主体的前端部在左右方向延伸。在上述实施例等中，利用AlGalnP化合物半导体激光器作为例子来描述本发明，但是本发明可以应用于其它化合物半导体激光器(例如AlInP或GalnAsP发红光半导体激光器、GalnN或AlGalnN半导体激光器(氮化镓半导体激光器)、和ZnCdMgSSeTe半导体激光器(组II-VI半导体激光器))。本发明还能够应用于其振荡波长不必在可见区域内的半导体激光器。半导体激光器的例子包括AlGaAs、INGaAs、InP和GalnAsNP半导体激光器。本申请包含2009年1月23日提交到日本专利局的日本优先专利申请JP2009-013103公开的主题相关的主题，该日本优先权专利申请通过引用全部包含于此。本领域技术人员应该明白，根据设计要求和其它因素可以想到各种变型、组合、子组合和替代，只要它们位于权利要求及其等同物的范围内即可。1权利要求一种半导体激光器设备，包括散热部件，包括具有在左右方向延伸的前端部的主体和从所述前端部的两侧向前突出的一对突出部分；半导体激光器装置，沿所述主体的所述前端部被接合；以及加强构件，用于桥接所述一对突出部分。2.根据权利要求l的半导体激光器设备，其中假定所述散热部件的线性膨胀系数是al，所述半导体激光器装置的线性膨胀系数是a2，所述加强构件的线性膨胀系数是a3，满足a1>a2并且a1>a3。3.根据权利要求2的半导体激光器设备，其中满足a1>a2>a3。4.根据权利要求1的半导体激光器设备，还包括准直透镜，设置在所述前端部与所述加强构件之间，其中所述半导体激光器装置具有面向前方的发光表面，所述加强构件被设置在与所述主体的所述前端部相分离的位置，以及所述准直透镜与所述半导体激光器装置的所述发光表面相对。5.根据权利要求1的半导体激光器设备，其中所述半导体激光器装置具有面向前方的发光表面，以及随着距离所述发光表面的距离增大，所述加强构件的厚度减小。6.根据权利要求1的半导体激光器设备，其中在所述半导体激光器装置与所述主体之间形成第一金属层，以及在加强构件的相对两端与所述一对突出部分的各表面之间形成第二金属层，其中所述一对突出部分的各表面面对所述加强构件的相对两端。7.根据权利要求6的半导体激光器设备，其中所述第一金属层和第二金属层由相同金属材料构成。8.根据权利要求6的半导体激光器设备，其中所述第一金属层由熔点低于第二金属层的金属构成。9.根据权利要求l的半导体激光器设备，其中所述一对突出部分和加强构件还被设置在主体的后端部。10.根据权利要求9的半导体激光器设备，其中所述散热部件和加强构件被设置为在平面内是线对称的。全文摘要本发明提供一种半导体激光器设备，包括散热部件，包括具有前端部的主体和一对突出部分，所述前端部在左右方向延伸，所述一对突出部分从所述前端部的两侧向前突出；半导体激光器装置，沿主体的前端部被接合；以及加强构件，用于桥接所述一对突出部分。文档编号H01S5/024GK101789560SQ20101010665公开日2010年7月28日申请日期2010年1月22日优先权日2009年1月23日发明者今西大介,若林和弥申请人:索尼公司