专利名称：多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光吸收前驱层制造方法，特别是涉及一种非真空制作多层铜铟镓 硒(硫)光吸收前驱层的制造方法。
背景技术：
近年来，随国际油价高涨及环保意识的抬头，绿色能源已成为新能源主流，其中太 阳能电池又因取自太阳的稳定辐射能，来源不会枯竭，因此更为各国所重视，无不挹注大量 研发经费及政策性补贴，以扶植本地的太阳能电池产业，使得全球太阳能产业的发展非常 快速。第一代太阳能模组包括单晶硅和多晶硅的太阳能模组，虽然光电转换效率高且量 产技术成熟，但因为材料成本高，且硅晶圆常因半导体工业的需求而货源不足，影响后续的 量产规模。因此，包含非晶硅薄膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或铜铟镓硒(硫)(CIGSS)薄膜和 碲化镉薄膜的第二代的薄膜太阳能模组，在近几年已逐渐发展并成熟，其中又以铜铟镓硒 或铜铟镓硒(硫)太阳能电池的转换效率最高(单元电池可高达20%而模组约14% )，因 此特别受到重视。参阅图1，现有习用技术铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池结构的示意图。如 图1所示，现有习用技术的铜铟镓硒太阳能电池结构包括基板10、第一导电层20、铜铟镓硒 或铜铟镓硒(硫)吸收层30、缓冲层40、绝缘层50 以及第二导电层60，其中基板10可为玻 璃板、铝板、不绣钢板或塑胶板，第一导电层20 —般包括金属钼，当作背面电极，铜铟镓硒 或铜铟镓硒(硫)吸收层30包括适当比例的铜、铟、镓及硒，当作ρ型薄膜，为主要的光线 吸收层，缓冲层40可包括硫化镉(CdS)，当作η型薄膜，绝缘层50包括氧化锌(ZnO)，用以 提供保护，第二导电层60包含氧化锌铝(Ζη0:Α1)，用以连接正面电极。上述铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池的制造方法主要依据铜铟镓硒或铜铟 镓硒(硫)吸收层的制造环境而分成真空工艺及非真空工艺。真空工艺包括溅镀法或蒸镀 法，缺点是投资成本较高且材料利用率较低，因此整体制作成本较高。非真空工艺包括印刷 法或电沉积法，缺点是技术仍不成熟，仍无较大面积的商品化产品。不过非真空工艺仍具有 制造设备简单且工艺条件容易达成的优点，而有相当的商业潜力。铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的非真空工艺是先调配铜铟镓硒或铜铟镓硒 (硫)浆料或墨水(Ink)，用以涂布到钼层上。现有习用技术中，铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料调配先以适当比例混合含IB、 IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份的粉末以形成原始含铜铟镓硒或铜铟镓硒 (硫)的粉末，再添加适当比例的溶剂，并进行搅拌以形成原始铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫) 浆料，最后添加接着剂(binder)或界面活性剂以提高铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层和 钼背面电极的接着性，并进行搅拌混合以形成最后铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料。上述现有习用技术的缺点是，接着剂、界面活性剂可能会残留在最后的铜铟镓硒 或铜铟镓硒(硫)吸收层内，造成铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的含碳量和含氧量偏高，影响铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的光吸收特性，甚至影响效率。因此，需要一种不添加接着剂、界面活性剂的铜铟镓硒(硫)浆料调配方法，以改善上述现有习用技术的问题。将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物在上下层间易于进行 扩散和反应成黄铜矿结构的铜铟镓硒(硫)的光吸收层，将IA-IIIA族化合物(例如NaIn) 加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。由此可见，上述现有的光吸收前驱层制造方法在方法与使用上，显然仍存在有不 便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋 求解决之道，但长久以来一直未见适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲 解决的问题。因此如何能创设一种新的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，实属 当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的光吸收前驱层制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产 品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期 创设一种新的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法)，能够改进一般现有的光吸收前 驱层制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后， 终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的光吸收前驱层制造方法存在的缺陷，而提供 一种新的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，所要解决的技术问题是使其调配铜 铟镓硒(硫)浆料时，另外添加过量VIA族元素粉末，取代原使用的界面活性剂和接着剂； 另将IA-IIIA族化合物加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，调整光吸收层的能带宽，以吸收更多 光能，非常适于实用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出 的一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空 下一钼层上形成多层均勻的光吸收前驱层，其包括以下步骤(1)首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成 份粉末以形成二份相同含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末，其中该IB族元素包括铜，该IIIA 族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该VI族元素可为硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合 以形成一第一含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末；(3)再将另一份含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加额外 的VIA族元素粉末至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第二含铜 铟镓硒(硫)最后混合粉末；(4)接着将第一和第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末分别以纳米球磨机，先配合 大尺寸研磨球和低温溶剂进行粗磨，再配合小尺寸研磨球细磨，以使研磨成第一含铜铟镓 硒(硫)纳米浆料和第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料；(5)再将第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒(硫) 层；
(6)再将第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在第一铜铟镓硒(硫)层上形成第 二铜铟镓硒(硫)层；(7)最后软烤使溶剂挥发形成多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的配方比例指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=1. 0 1.0 2.0。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的IA-IIIA族化合 物可为NaIn。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的VIA族元素粉末 可为硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的第二含铜铟镓 硒(硫)最后混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 X，其中X介于 2. 0-4. O0前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的大尺寸研磨球可 为尺寸介于l_5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的低温溶剂包括醇 类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的小尺寸研磨球可 为尺寸介于0. 1-0. 5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述 目的，本发明提供了一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作 方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均勻的光吸收前驱层。其主要利用调配铜铟镓硒 (硫)浆料时，除了原始使用正常比例的铜铟镓硒(硫)化合物以外，另外添加过量VIA族 元素粉末，除可补充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性剂和接着剂，将浆 料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物易于进行扩散和反应，另将IA-IIIA 族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更 多光能。借由上述技术方案，本发明多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法至少具有 下列优点及有益效果1、本发明不使用界面活性剂可避免残留含碳和氧界面活性剂，避免降低太阳能电 池效率。2、本发明将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物易于进行扩 散和反应成黄铜矿结构的铜铟镓硒(硫)的光吸收层。3、本发明将IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调 整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。综上所述，本发明在技术上有显著的进步，具有明显的积极效果，诚为一新颖、进 步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是现有习用技术铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池结构的示意图。图2是本发明铜铟镓硒(硫)太阳能电池光吸收前驱层所使用浆料的制备方法示 意图。图3是本发明铜铟镓硒(硫)太阳能电池光吸收前驱层的制备方法示意图。10 基板20:第一导电层30 铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层40 缓冲层50 绝缘层60:第二导电层S210:调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相 同含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末S220 加入IA-IIIA化合物至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以 形成一第一含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末S230 将另一份含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加额外的 VIA族元素粉末至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第二含铜铟镓 硒(硫)最后混合粉末S240 将第一和第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末分别以纳米球磨机，先配合大 尺寸研磨球和低温溶剂进行粗磨，再配合小尺寸研磨球细磨，以使研磨成第一含铜铟镓硒 (硫)纳米浆料和第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料S310 将第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒(硫)层S320 将第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在第一铜铟镓硒(硫)层上形成第 二铜铟镓硒(硫)层S330 软烤使溶剂挥发形成多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层
具体实施例方式为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合 附图及较佳实施例，对依据本发明提出的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法其具 体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实 施例的详细说明中将可清楚的呈现。为了方便说明，在以下的实施例中，相同的元件以相同 的编号表示。请参阅图2、图3所示。本发明的图2是铜铟镓硒(硫)太阳能电池光吸收前驱层所使用浆料的制备方法 示意图。其中
S210:调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相 同含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末S220 加入IA-IIIA化合物至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以 形成一第一含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末 S230 将另一份含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加额外的 VIA族元素粉末至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第二含铜铟镓 硒(硫)最后混合粉末S240 将第一和第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末分别以纳米球磨机，先配合大 尺寸研磨球和低温溶剂进行粗磨，再配合小尺寸研磨球细磨，以使研磨成第一含铜铟镓硒 (硫)纳米浆料和第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料本发明的图3是铜铟镓硒(硫)太阳能电池光吸收前驱层的制备方法示意图。其 中S310 将第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒(硫)
层S320 将第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在第一铜铟镓硒(硫)层上形成第 二铜铟镓硒(硫)层S330 软烤使溶剂挥发形成多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层如上图所示，本发明较佳实施例的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为 一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均勻的光吸收前驱层，其包括以 下步骤(1)首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成 份粉末以形成二份相同含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末，其中该IB族元素包括铜，该IIIA 族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该VI族元素可为硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合 以形成一第一含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末；(3)再将另一份含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加额外 的VIA族元素粉末至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第二含铜 铟镓硒(硫)最后混合粉末；(4)接着将第一和第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末分别以纳米球磨机，先配合 大尺寸研磨球和低温溶剂进行粗磨，再配合小尺寸研磨球细磨，以使研磨成第一含铜铟镓 硒(硫)纳米浆料和第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料；(5)再将第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒(硫) 层；(6)再将第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在第一铜铟镓硒(硫)层上形成第 二铜铟镓硒(硫)层；(7)最后软烤使溶剂挥发形成多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的配方比例指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=1. 0 1.0 2.0。
前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的IA-IIIA族化合 物可为NaIn。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的VIA族元素粉末 可为硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的第二含铜铟镓 硒(硫)最后混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 X，其中X介于 2. 0-4. O0
前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的大尺寸研磨球可 为尺寸介于l_5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的低温溶剂包括醇 类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。前述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其中所述的小尺寸研磨球可 为尺寸介于0. 1-0. 5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。综上所述，本发明的不含界面活性剂和溶剂的铜铟镓硒(硫)浆料调配方法先计 算需求铜铟镓硒(硫)配方比例，混合成二种含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或 四成份粉末以形成原始含铜铟镓硒(硫)混合粉末。将第一种含IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒(硫)混合粉末中加入IA-IIIA化 合物(如NaIn)，形成含IA-IIIA化合物的第一种铜铟镓硒(硫)混合粉末。其次以第一 VIA族元素比例，添加额外的VIA族元素粉末至第二种原始含铜铟镓 硒(硫)混合粉末中，使最后涂布两层以上涂层后的总VIA族元素比例提高至VIA/IB比 例>2，并进行混合以形成含过量VIA元素的第二种铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中铜铟镓 硒(硫)原始总配方比例所包含的IB、IIIA及VIA族元素的比例为IB IIIA VI的莫 耳比例=1.0 1.0 2.0。其中IIIA族元素可为纯铟、纯镓或混合铟和镓的材料，另VIA 族元素可为纯硒、纯硫或混合硒和硫的材料，额外添加VI族元素粉末，会使最后铜铟镓硒 (硫)混合前驱层所包含IB、IIIA及VIA族元素的比例为IB IIIA VI的莫耳比例= 1.0 1.0 X，且X为2.0至4.0之间，额外添加VIA族元素的粉末的比例太低时，没有接 着效果，含VIA族元素粉末比例太高时，反而降低铜铟镓硒(硫)吸收层对钼层接着力，因 此含VIA族元素粉末比例需控制于上述较佳范围。最后将上述二种混合粉末分别以纳米球磨机，先配合l_5mm大尺度的氧化铝或氧 化锆研磨球和低温易挥发溶剂进行粗磨，再更换更小尺度0. 1-0. 5mm尺寸的氧化铝或氧化 锆研磨球和低温易挥发溶剂一起研磨至500nm以下纳米粉末浆料，混合完的二种纳米粉末 浆料可直接作为涂布用的铜铟镓硒(硫)浆料。先将含IA-IIIA化合物的第一种铜铟镓硒(硫)浆料涂布于含下电极的基板上， 形成较单层涂层薄的第一层涂层(例如原始单层会将涂层涂至约2-3 μ m，若欲涂布二层， 则每层改成涂布约1. 0-1. 5 μ m)，再将含过量VIA元素的第二种铜铟镓硒(硫)浆料涂布 于含第一层涂层的基板上，使最终涂层厚度和原始单层涂层拥有接近厚度，最后再进行软 烤，使形成光吸收前驱层，含两层涂布层的铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层，会比单层较厚前 驱层，在RTA快速长晶过程中，VIA族元素较易在上下涂布层间扩散以形成黄铜矿结构，且 附有接着能力的铜铟镓硒(硫)光吸收层，附着于第一导电层上，另添加IA-IIIA族化合物(例如NaIn)于铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。本发明主要利用调配铜铟镓硒(硫)浆料时，除了原始使用正常比例的铜铟镓硒 (硫)化合物以外，另外添加过量VIA族元素粉末，除可补充VIA族元素的含量外，也可以取 代原使用的界面活性剂和接着剂，将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合 物易于进行扩散和反应，另将IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层 中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽 然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人 员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰 为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对 以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均匀的光吸收前驱层，其特征在于其包括以下步骤(1)首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成二份相同含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末，其中该IB族元素包括铜，该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该VI族元素可为硒或硫或硒硫混合材料；(2)其次加入IA-IIIA化合物至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第一含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末；(3)再将另一份含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末以原始VIA元素比例，添加额外的VIA族元素粉末至该含铜铟镓硒(硫)原始混合粉末中，并进行混合以形成一第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末；(4)接着将第一和第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末分别以纳米球磨机，先配合大尺寸研磨球和低温溶剂进行粗磨，再配合小尺寸研磨球细磨，以使研磨成第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料和第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料；(5)再将第一含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒(硫)层；(6)再将第二含铜铟镓硒(硫)纳米浆料涂布在第一铜铟镓硒(硫)层上形成第二铜铟镓硒(硫)层；(7)最后软烤使溶剂挥发形成多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层。
2.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的配方比例指IB IIIA VI元素的莫耳比例=1.0 1.0 2.0。
3.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的IA-IIIA族化合物可为Naln。
4.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的VIA族元素粉末可为硒粉、硫粉或硒硫混合材料其中之一。
5.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于 其中所述的第二含铜铟镓硒(硫)最后混合粉末的IB IIIA VI元素的莫耳比例= 1.0 1.0 X，其中 X 介于 2. 0-4. 0。
6.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的大尺寸研磨球可为尺寸介于l_5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。
7.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的低温溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。
8.根据权利要求1所述的多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，其特征在于其 中所述的小尺寸研磨球可为尺寸介于0. 1-0. 5mm的氧化铝或氧化锆研磨球。
全文摘要
本发明是有关于一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均匀的光吸收前驱层。其主要利用调配铜铟镓硒(硫)浆料时，除了原始使用正常比例的铜铟镓硒(硫)化合物以外，另外添加过量VIA族元素粉末，除可补充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性剂和接着剂，将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物易于进行扩散和反应，另将IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。
文档编号H01L31/18GK101820024SQ20101011148
公开日2010年9月1日 申请日期2010年2月11日 优先权日2010年2月11日
发明者杨益郎, 林群福, 陈文仁 申请人:昆山正富机械工业有限公司