发光器件和发光器件封装的制作方法

专利名称：发光器件和发光器件封装的制作方法
技术领域：
本文所述的一个或更多个实施方案涉及发光。
背景技术：
发光器件(LED)用于包括图像生成的各种目的。影响这些器件产生光的一个因素 是内部量子效率。改善内部量子效率的一种途径包括以堆叠结构生长高品质薄膜。另一种 途径试图通过几何形状控制来提高发光效率。然而，已证明这些和其它途径具有不足之处。

发明内容
本发明涉及如下所述的发光器件、发光器件封装以及照明系统。
1. 一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体 层；和反射层，所述反射层设置为邻接所述第二导电型半导体层，其中所述发光层包括多个量子阱，并且相邻量子阱之间的距离为λ /2η士 Δ (其中λ代表发射光的波长，η代表在所述 反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ ^ λ/Sn0 )2.根据1所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离使得由所述发光层发射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。3.根据2所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离为(2!11+1)(人/411)-2(1士八)(其中111代表大于零的常数，人代表所述发射光的波长，η 代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，α代表光在所述反射层内 的透入深度，并且八彡λ/8η。) 4. 一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括多个量子阱的发光层和 第二导电型半导体层；和在所述发光结构上的反射层，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离使得由所述发光 层发射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。5.根据4所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离为(2!11+1)(人/411)-2(1士八)(其中111代表大于零的常数，人代表所述发射光的波长，η 代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，α代表光在所述反射层内 的透入深度，并且八彡λ/8η。)6. 一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括通过多个阱层和多个势 垒层形成的多个量子阱的发光层、和第二导电型半导体层；以及
邻接所述发光结构的反射层，其中相互邻接的势垒层和阱层的总厚度为\ /2n士 A (其中X代表发射光的波 长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且A ^ A/8n0 )7. 一种发光器件封装，包括根据1所述的发光器件，并且还包括提供为容纳所述 发光器件的封装体。8. 一种照明系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括根据7所述的发光器件 封装。


图1是显示发光器件的一个实施方案的图。图2是显示图1的LED中的发光层的图。图3是图1和2的LED的光提取效率图。图4是显示LED封装的一个实施方案的图。
具体实施例方式图1显示发光器件(LED)的一个实施方案的截面图，图2显示该器件的发光层的 放大图。该LED包括反射层150、反射层上的第二电极层140、第二电极层上的第二导电型 半导体层130、半导体层130上的包括多个相干量子阱的发光层120、以及发光层上的第一 导电型半导体层110。第一电极160设置在半导体层110上。根据一个实施方案，可以调节或设定多个相干量子阱之间的距离以获得预定或提 高的光提取效率。这可以通过发光层120内的发光图案调节作用来实现，下文将对此进行 更详细地描述。当具有高反射率的反射层设置于发光层的周围或邻近时，可以基于发光层和反射 层之间的距离来调节或设定发光层的特性。例如，当电偶极设置在其中不包括反射层的单 个电介质空间内时，发光图案的最大点垂直于振动方向分布。然而，当具有高反射率的反射层设置在电偶极周围或邻近时，发光特性是不同的， 例如，光可以集中在垂直方向上，这取决于例如电偶极和反射层之间的距离；或者光可以沿 反射层的表面前进。如果将反射层和发光层之间的距离设定为使来自每个量子阱的光主要 具有垂直方向分量，则可以提高LED的光提取效率。发光层的图案可以基于来自发光层的光和来自反射层的光之间发生的干涉效应 而通过反射层来调节。当在发光层周围未设置反射层时，或者当反射层和发光层之间的距 离足够大因而可以忽略干涉效应时，那么来自发光层的光可接近于在所有方向上都具有相 同或基本相同系数的球面波。然而，当提供有反射层时，可以调节发光层以产生期望的发光图案并且可以产生 相长干涉，以使光集中在垂直方向或其它期望的方向上。当其应用于垂直型LED时，可以基 于例如第二导电型半导体层130的厚度来调节或设定发光层120的量子阱与反射层150之 间的距离。图3显示可以由基于反射层和发光层之间的距离导致发光图案变化而获得的光 提取效率的一个实例。通过3-D有限差分时域(FDTD)模拟来调节第二电极层的反射层(例
4如，氧化铟锡(IT0))和发光层之间的距离，以数学计算随发光图案变化的光提取效率的增量。发光层可以包括电偶极，其中x、y和z方向上的极化随机相互混合。在观察光提 取效率的增量结果时，可以看出，光提取效率的最大点(相长干涉)和最小点(相消干涉) 以约X/4n的周期交替出现。这是表明通过光干涉调节发光图案的证据。实际上，当在光提取效率的最大点和最小点观察到发光图案时，在最大点处，在垂 直方向上发射强光。相反，在最小点处，在垂直方向上存在相对少量的光。在此情况下，几 乎所有的光都以大于光全反射的临界角的倾斜角发射。通过反射层调节发光图案表明基于薄量子阱的估计结果。如果量子阱的数目增加 到使发光层具有大于约X/2n的厚度，则可以降低或甚至消除发光图案调节作用，例如相 长干涉条件和相消干涉条件相互混合，从而导致平均的发光图案。因为发光图案调节作用， 所以应该减少量子阱的数目，并且发光层的厚度应小于约、/2n。然而，当减少量子阱的数目时，空穴和电子的受限概率可能降低，从而使内部量子 阱劣化。因此，虽然存在发光图案调节作用，但是当考虑内部量子阱和光提取效率时，最终 效率可能低下或者增量减少。根据一个实施方案，为了利用厚的多量子阱通过发光图案调节作用来获得提高的 或期望的光提取效率，可以将量子阱之间的距离设定为约X/2n士 △(其中\代表发射光 的波长，n代表在第二电极层和发光层之间设置的介质的平均折射率，并且A ^ A /8n) 0 阱之间的距离可以为例如两个相邻阱的中心之间的距离、两个相邻阱的前缘之间的距离或 两个相邻阱的后缘之间的距离，其可适用于本文所述的所有实施方案。如图2所示，量子阱可以包括在其中通过电子和空穴的复合产生光的层中，例如， 光可以从发光层内的量子阱发出。当来自发光层的光与来自反射层的光相长干涉时，可以认为发光效率最大化。因 为反射层位于其中相对于垂直方向产生相长干涉的位置处，所以可以产生垂直方向的光。 因此，初始向上的发射光和初始向下发射且随后被镜反射从而向上的发射光在相位上具有 相同的相长干涉，光从初始就可以使得在垂直方向上和/或周围的光具有增加的亮度。例如，反射层150和最邻近反射层的量子阱之间的距离可以表示为(2m+l) (入/4n)-2a 士 A)，其中m代表大于零的常数，A代表发射光的波长，n代表在第二电极层 和发光层之间设置的介质的平均折射率，a代表反射层内光的透入深度，并且A ^ A/8n0当光入射到反射层上时，部分光可透入反射层的表面。这称为透入深度。因此，光 的移动距离可增加。例如，发射光可在反射层中透入距离a。然后，通过反射层反射的光在 反射层中再次透入距离a。结果，光的移动距离可以增加总的透入距离(2a)。因此，反射 层150的表面和多个量子阱中最邻近反射层的量子阱之间的距离可以在考虑总的透入距 离(2 a)的情况下设定。结果，尽管提供有多个量子阱，但是，例如当量子阱分别设置在距离反射层 3入/4n、5X/4n和7X/4n处时，可以使期望的(例如垂直)方向上的发光效率最大化。此 处，量子阱之间的距离可以为X/2n±A。在该实施方案中，通过每个量子阱内出现的空穴-电子复合过程产生的光被垂直 极化。这表明多个量子阱具有与单个量子阱相同的趋势。也就是说，可以在不牺牲初始内部量子效率的情况下获得垂直极化的发光图案调节作用。因为多个量子阱中的所有量子阱 都可以参与具有相同相位的量子效应，所以该实施方案中的多个量子阱可以称为“相干多 量子阱”。然而，其它实施方案可以不具有这种相同的相位，因此可以使用不同类型的量子 阱。图2显示LED的发光层120的一个实施方案的截面图。如图所示，发光层可包括 多个量子阱，所述多个量子阱包括第一量子阱121、第二量子阱122和第三量子阱123。量 子阱的数目例如可以根据设计规格或预期应用而变化。第二电极层的反射层150和最邻近该反射层的第一量子阱121之间的距离可以表 示为(2m+l) U/4n) 士 A。量子阱之间的距离可以相同或不同。当量子阱之间的距离相同 时，该距离可以表示为X/2n±A。再次参照图2，尽管多个量子阱存在有多个相干量子阱，但是每个量子阱可以不具 有相同的电子和空穴的密度或浓度。例如，因为空穴迁移率往往较大，所以包括第一量子阱 121 (其邻近于供给空穴的第二导电型半导体层)的区域首先填充有空穴。因此，在该实施 方案中，第一量子阱121处的空穴和电子复合的概率可最大。现在将描述制造图1和2中显示的LED的方法的一个实施方案。该方法的初始步 骤包括在第一衬底上形成发光结构，该第一衬底随后被移除。或者，可以在导电衬底如第二 电极层上形成发光结构。在第一衬底上形成包括第一导电型的第一导电型半导体层110、有源层120和第 二导电型的半导体层130。在第一衬底和半导体层110之间可以形成未掺杂的半导体层。发光结构可以是AlGalnN半导体层。然而，可以使用不同的半导体材料。第一衬 底可以为例如蓝宝石单晶衬底，并且可以实施湿蚀刻工艺以移除第一衬底表面上的杂质。此后，利用例如化学气相沉积(CVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、溅射工艺或氢 化物气相外延(HVPE)沉积工艺在第一衬底上形成半导体层110。此外，可以将三甲基镓气 体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)以及包含硅(Si)和n型杂质的硅烷气体(SiH4)注入室中 以形成第一导电型半导体层110。此后，在半导体层110上形成有源层120。有源层可以包括多量子阱(MQW)结构、 量子线结构或量子点结构中的至少一种。根据一个实施方案，有源层可以具有通过注入三 甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟气体(TMIn)形成的多量子阱结构。 在其它实施方案中可以注入不同的气体。而且，有源层可以具有InGaN/GaN结构、InGaN/InGaN结构、AlGaN/GaN结构、 InAlGaN/GaN 结构、GaAs/AlGaAs (InGaAs)结构、或 GaP/AlGaP (InGaP)结构中的一种或更多 种。如图2所示，用作发光层120的有源层可包括多个量子阱，例如第一量子阱121、第二量 子阱122和第三量子阱123。如上文指出的，为了在厚的多个量子阱内通过发光图案调节作用来提高光提取效 率，量子阱之间的距离可以为约入/2n士 A，其中入代表发射光的波长，n代表在第二电极 层和发光层之间设置的介质的平均折射率，并且A ^ A/8n0根据一个实施方案，可以利用势垒来调节多个相干量子阱之间的距离。可以形成 外延场，使得空穴和电子可以容易地移动到加宽的势垒中。也就是说，对于多个相干量子阱 而言，阱之间的距离可以通过或基于势垒的厚度来调节。根据一个实施方案，阱和势垒可以分别具有小于几个纳米的厚度，但是在其它实施方案中可以使用不同的厚度。然后，在有源层上形成第二导电型半导体层130。例如，可以将含p型杂质的二(乙 基环戊二烯基)镁(EtCp2Mg) {Mg(C2H5C5H4)2}如三甲基镓气体(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮 气(N2)、和镁(Mg)的注入室中来形成第二导电型半导体层。在其它实施方案中，可以使用 不同的技术和/或气体。第二电极层可以在半导体层130上形成，并且可以包括欧姆层140和反射层150、 以及任选的粘合层和第二衬底中的一种或更多种。根据一个实例，第二电极可以包括欧姆层140。在此处，可以多次堆叠单一金属 或金属合金以改善电子_空穴注入的效率。欧姆层可由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、 AZO(Al-Zn0),AGZ0(Al-Ga ZnO),IGZ0(In-Ga ZnO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、Ni/ Ir0x/Au/IT0、Ni、Pt、Cr、Ti和kg中的至少一种形成，但是不限于此。第二电极层可包括反射层或粘合层。例如，当第二电极150包括反射层时，第二电 极可以包括含Al、Ag的金属层或含A1或Ag的合金的金属层。诸如A1或Ag的材料可以有 效地反射有源层处产生的光以改善LED的光提取效率。当来自发光层的光与来自反射层的光相长干涉时，可以使发光效率最大化。在一 个实施方案中，因为反射层150设置在其中相对于垂直方向产生相长干涉的位置处，所以 发光层120可以在垂直方向上产生光。也就是说，在从发光层120发射的光中，当初始向上 发射的光和初始向下发射且随后被镜反射从而向上发射的光在相位上具有相同的相长干 涉时，光从初始就可以使得在垂直方向上和/或周围的光具有增加的亮度。例如，反射层150和最邻近反射层的量子阱之间的距离可以表示为(2m+l) (入/4n)-2a 士 A)。此处，m是大于零的常数，A代表发射光的波长，n代表在第二电极层和 发光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在反射层内的透入深度，并且A ^ A/8n0当光被反射层反射时，部分光可透入反射层的表面。(这称为透入深度。)因此， 光的移动距离可增加。例如，发射光可在反射层中透入距离a，然后，所述光可以被反射层反射并在反射 层中再次透入距离a。结果，光的移动距离可以增加总的透入距离(2a)。因此，反射层 150的表面和最邻近该反射层的量子阱之间的距离可以在考虑总透入距离(2 a)的情况下 设定。结果，尽管提供有多个量子阱(例如当量子阱分别设置在距离反射层3X/4n、 5入/4n和7 X /4n处时)，但是可以使发光效率最大化。此处，量子阱之间的距离可以表示 为入/2n 士 A。例如，在相长干涉条件下，第二电极层的反射层150和多个相干量子阱中最邻近 反射层的第一量子阱121之间的距离可以表示为(2m+l)(入/4n) 士 A)。当第二电极层140包括粘合层(未显示)时，反射层可以用作粘合层，或者粘合层 可以利用Ni或Au形成。第二电极150可以包括第二衬底(未显示)。当第一导电型半导体层110具有足够大的厚度(例如约50i!m)时，可以省略第二 衬底形成工艺。第二衬底可由具有良好导电性质的金属、金属合金或导电半导体材料形成 以有效地注入电子空穴。例如，第二衬底可由铜(Cu)、Cu合金、Si、钼(Mo)和SiGe中的一 种或更多种形成。第二衬底可以利用电化学金属沉积法或利用低共熔金属的接合法形成。
7
然后，移除第一衬底以暴露出半导体层110。第一衬底可以利用高功率激光剥离或 利用化学蚀刻工艺移除。此外，第一衬底可以通过物理研磨工艺移除。移除第一衬底以暴 露出半导体层110或未掺杂的半导体层。然后，在第一导电型半导体层110上可以形成第 一电极160。图4显示LED封装的一个实施方案的截面图，所述LED封装包括体200、设置在 体200中的第三电极层210和第四电极层220、设置在体200中且与第三电极层210和第四 电极层220电连接的LED100、以及包围LED100的模制元件400。体200可由硅材料、合成 树脂材料或金属材料形成，并且LED100周围可设置倾斜表面。第三电极层210和第四电极层220彼此电隔离并向LED供电。第三和第四电极层 可反射由LED产生的光以改善光效率。此外，第三和第四电极层可将LED中产生的热释放 到外部。LED可以为垂直型LED或横向型LED，并且可以设置在体200上、或者设置在第三 电极层210或第四电极层220上。此外，LED可通过导线300与第三电极层和/或第四电极层电连接。在该实施方 案中，因为该实例中显示的是垂直型LED，所以可以使用一根导线，但是在其它实施方案中， 可以存在连接至LED或者来自LED的多根导线和/或多个连接件。又如，对于横向型LED， 可以使用两根导线。此外，当LED包括倒装芯片型LED时，可以不使用导线300。除了前述特征之外，可提供模制元件400来包围和保护LED。此外，模制元件中可 包含磷光体以改变从LED发射的光的波长。LED封装包括至少一个LED，或者可以包括多个 LED。根据一个实施方案，多个LED封装可以布置在衬底上，并且作为光学元件的导光 板、棱镜片和散散片可以沿LED封装的光学路径设置。LED封装、衬底和光学元件可以用作 光单元。在其它实施方案中，显示器件、指示器件和/或光系统可以形成为包括根据本文所 述实施方案的LED或LED封装。例如，灯或街灯形式的照明系统可以包括具有本文所述LED 封装的发光模块。本文所述的一个或更多个实施方案提供发光器件和包括该发光器件的发光器件 封装，所述发光器件可以通过发光图案调节作用和利用包括多个量子阱结构的相对厚的发 光层来获得改善的光提取效率。在一个实施方案中，一种发光器件(LED)包括发光结构，所述发光结构包括第一 导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其中所述发光层包括多个量子阱，所述多 个量子阱内的量子阱之间的距离为约X/2n士 △(其中\代表发射光的波长，n代表在第 二电极层和发光层之间设置的介质的平均折射率，并且A ^ A/8n0 )在另一实施方案中，一种发光器件(LED)包括发光结构，所述发光结构包括第一 导电型半导体层、包括多个量子阱的发光层和第二导电型半导体层；以及在发光结构上的 反射层，其中反射层和最邻近所反射层的量子阱之间的距离对应于相长干涉条件。在另一实施方案中，发光器件(LED)封装包括发光结构，所述发光结构包括第一 导电型半导体层、包括多个量子阱的发光层和第二导电型半导体层、和在所述发光结构上 的反射层；以及其中设置有所述LED的封装体，其中反射层和最邻近所述反射层的量子阱 之间的距离对应于相长干涉条件。根据另一实施方案，一种发光器件(LED)包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；以及设置为邻接第二导电型半导体层 的反射层，其中所述发光层包括多个量子阱，相邻量子阱之间的距离为约X/2n士 △(其 中、代表发射光的波长，n代表在反射层和发光层之间设置的介质的平均折射率，并且
A彡入/8n。)在前述LED中，反射层和最邻近所述反射层的量子阱之间的距离为使由发光层发 射的光和由反射层反射的光之间发生相长干涉。在前述LED中，反射层和最邻近所述反射层的量子阱之间的距离为(2m+l) (入/4n)-2 a 士 A)(其中m代表大于零的常数，A代表发射光的波长，n代表在反射层和发 光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在反射层内的透入深度，并且A ^ A/8n0 )在另一实施方案中，一种发光器件(LED)包括发光结构，所述发光结构具有第一 导电型半导体层、包括多个量子阱结构的发光层和第二导电型半导体层；以及在所述发光 结构上的反射层。反射层和最邻近所述反射层的量子阱之间的距离为使由发光层发射的光 和由反射层反射的光之间发生相长干涉。在前述LED中，反射层和最邻近所述反射层的量子阱之间的距离为(2m+l) (入/4n)-2 a 士 A)(其中m代表大于零的常数，A代表发射光的波长，n代表在反射层和发 光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在反射层内的透入深度，并且A ^ A/8n0 )根据另一实施方案，一种发光器件(LED)封装包括发光结构，所述发光结构包括 第一导电型半导体层、包括通过多个阱层和多个势垒层形成的多个量子阱的发光层、和第 二导电型半导体层；以及邻接所述发光结构的反射层，其中相互邻接的势垒层和阱层的总 厚度为约X/2n士 △(其中\代表发射光的波长，n代表在反射层和发光层之间设置的介 质的平均折射率，并且A ^ A/8n0 )在前述封装中，反射层和最邻近所述反射层的阱层之间的距离为(2m+l) (入/4n)-2 a 士 A)(其中m代表大于零的常数，A代表发射光的波长，n代表在反射层和发 光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在反射层内的透入深度，并且A ^ A/8n0 )在实施方案的描述中，应当理解，当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，它可 以直接在所述另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当层称为在另一层 “下”时，它可以直接在另一层下，也可以存在一个或更多个中间层。此外，还应理解，当层称 为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间 层。在前述实施方案中，本文所述的第一导电型和第二导电型可以选自n型或p型。本说明书中提及的“ 一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案，，等是指关于 该实施方案所描述的具体特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施方案中。在说明 书中各处出现的这种措辞不必都是指相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具 体特征、结构或特性时，将这种特征、结构或特性与实施方案的其它具体特征、结构或特性 进行结合也在本领域技术人员的范围内。虽然已经参照本发明的若干示例性实施方案描述了本发明，但是应理解，本领域 的技术人员可以设计出多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开原理的精神和范围 内。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内，对主题组合布置的组成部件 和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。
权利要求
一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；和反射层，所述反射层设置为邻接所述第二导电型半导体层，其中所述发光层包括多个量子阱，并且相邻量子阱之间的距离为λ/2n±Δ，其中λ代表发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ≤λ/8n。
2.权利要求1所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离使得由所述发光层发射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。
3.权利要求2所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离为(2m+l)U/4n)-2a 士 A)，其中m代表大于零的常数，\代表所述发射光的波长，n 代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在所述反射层内 的透入深度，并且A彡入/8n。
4.一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括多个量子阱的发光层和第二 导电型半导体层；和在所述发光结构上的反射层，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离使得由所述发光层发 射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。
5.权利要求4所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的 距离为(2m+l)U/4n)-2a 士 A)，其中m代表大于零的常数，\代表所述发射光的波长，n 代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，a代表光在所述反射层内 的透入深度，并且A彡入/8n。
6.一种发光器件(LED)，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括通过多个阱层和多个势垒层 形成的多个量子阱的发光层、和第二导电型半导体层；以及邻接所述发光结构的反射层，其中相互邻接的势垒层和阱层的总厚度为X/2n士 △，其中\代表发射光的波长，n代 表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且A ^ A/8n。
7.一种发光器件封装，包括权利要求1所述的发光器件，并且还包括提供为容纳所述 发光器件的封装体。
8.一种照明系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括权利要求7所述的发光器件封装。
全文摘要
提供一种发光器件(LED)和一种发光器件封装。所述发光器件(LED)包括发光结构和反射层。所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；并且反射层设置为邻接所述第二导电型半导体层。所述发光层包括多个量子阱，相邻量子阱之间的距离为λ/2n±Δ，其中λ代表发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ≤λ/8n。
文档编号H01L33/08GK101877381SQ20101016913
公开日2010年11月3日 申请日期2010年4月28日 优先权日2009年4月28日
发明者金鲜京 申请人:Lg伊诺特有限公司