发光装置以及发光装置的制造方法

专利名称：发光装置以及发光装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法，该发光装置具备有装载于基板的 半导体发光元件以及与半导体发光元件并联连接的保护元件。
背景技术：
近年，LED (Light Emitting Diode 发光二极管)的效率得到发展提高，其作为比 灯泡或荧光灯节能的光源，被广泛应用于显示装置的背光源或照明器具。在此类用途上，能 量的利用效率是非常重要的。关于LED，特别是氮化钾类LED容易因静电放电(ElectrostaticDischarge)而发 生故障。即，其具有逆向耐压小的性质。因此，作为对策，公开了一种将齐纳二极管(Zener diode，以下也称ZD)与LED呈逆向地并联设置的技术(例如，参照专利文献1)。在使用上述ZD的结构中，对于LED顺向上的过电压，利用齐纳击穿来分流过电流， 对于LED逆向上的过电压，ZD作为一般的顺向二极管来分流过电流，由此LED被保护而不 受过电压的损害。另外，LED的顺向电压比ZD的齐纳击穿电压小，所以即使向LED施加顺 向电压，ZD也不会流通电流，因此不会发生能量损耗。然而，ZD的制造比电阻的制造要难，且其与LED的安装将会导致出现工序难度增 大的问题。另外，比起电阻，ZD的长期可靠性较差，此外还存在构件成本高的问题。另一方面，还公开了一种将电阻并联连接于LED的技术(例如，参照专利文献2、 3)。在专利文献2揭示的技术中，串联连接的多个LED分别被并联连接有电阻，这样，即使 某LED发生断线，各电阻也会作为分流电阻来工作，以保证其他LED不发生熄灭。另外，在 专利文献3揭示的技术中，在一个组件上设置有多个LED，从而构成集成型LED元件，在该 集成型LED元件中，为调整各LED的亮度而分别向各LED并联连接可变电阻。此外，作为与 LED连接的电阻的形成例，公开了一种在LED组件中设置厚膜电阻的技术(例如，参照专利 文献4)。专利文献1
29日公开。专利文献2
日公开。专利文献3
日公开。专利文献4
22日公开。

发明内容
然而，上述专利文献1 4所揭示的技术存在以下问题，S卩，从LED射向外部的光 会被遮挡、吸收，从而导致光输出降低，有损出射光的亮度。日本国专利申请公开公报，特开平11-298041号公报；1999年10月 日本国专利申请公开公报，特开平11-307815号公报；1999年11月5 日本国专利申请公开公报，特开2007-294547号公报；2007年11月8 日本国专利申请公开公报，实开昭63-180957号公报；1988年11月
例如，根据专利文献1揭示的技术，若在LED芯片附近设置ZD，那么因ZD的高度影 响，出自LED的发光便被遮挡、吸收。从而导致发光装置的亮度低下或对配光特性带来不良影响。另外，尽管ZD略比LED芯片小，但其也是截面边长为200 μ m的长方体，因此需要 一定装载面积。因此，若将ZD和LED芯片设置于同一装载面，便会受布局的制约，从而难以 将LED芯片设置于装载面中心。特别是当使用大型LED芯片，或装载多个LED芯片时，受到 的影响便更大。另外，由于在设计封装树脂或组件形状时，要使LED芯片以及ZD容纳于其内部，因 此需便使组件整体上发生大型化。此外，ZD还存在上述的制造困难、安装难度大、长期可靠 性低的问题。另外，在专利文献2 4揭示的技术中，因电阻吸收出自LED芯片的发光，从而导 致发光装置的亮度低下或对配光特性带来不良影响。由于电阻拥有一定尺寸，因此设置的 越多，整体上的光吸收量便越多。本发明是鉴于上述的问题而开发的，其目的在于提供一种能够抑制对LED射向外 部的光的遮挡、吸收，且不会导致光输出的下降，并能够得到良好亮度的出射光的发光装置 以及发光装置的制造方法。为解决上述问题，本发明的发光装置具备有基板、装载于上述基板的正面侧的半 导体发光元件、与上述半导体发光元件并联连接的保护元件，本发明的发光装置特征在于 上述保护元件由印刷电阻构成，且形成于上述基板的正面侧、上述基板的背面侧、上述基板 的内部的其中至少一者。另外，为解决上述问题，在本发明的发光装置的制造方法中，上述发光装置具备有 基板、装载于上述基板的正面侧的半导体发光元件、与上述半导体发光元件并联连接的保 护元件，本发明的发光装置的制造方法的特征在于含有，将作为印刷电阻的上述保护元件 形成于上述基板的正面侧、上述基板的背面侧、上述基板的内部的其中至少一者的工序。根据上述结构，由于将薄膜的印刷电阻作为保护元件，所以不受配置的制约。另 外，由于印刷电阻呈薄膜状而不受配置的制约，因此能够通过乳白色的玻璃层来容易地对 其进行包覆，从而能够降低保护元件对来自半导体发光元件的出射光所发生的遮挡、吸收。 因此，能够抑制从半导体发光元件射向外部的光被遮挡、吸收，且不会导致光输出的降低， 还能够得到良好亮度的出射光。另外，能够以低成本来形成发光装置。(发明效果)如以上所述，在本发明的发光装置中，与装载于基板正面侧的半导体发光元件并 联连接的保护元件由印刷电阻构成，该保护元件形成于上述基板的正面侧、上述基板的背 面侧、上述基板的内部的其中至少一者。因此，能够抑制从半导体发光元件射向外部的光被 遮挡、吸收，且不会导致光输出的降低，还能够得到良好亮度的出射光。


图1是表示本发明实施方式1的发光装置的顶面图。图2(a)是上述发光装置的侧面图。图2(b)是上述发光装置的斜视图。
图3是从上方观察上述发光装置时的透视图。图4是表示上述发光装置的制造工序的流程图。图5(a)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图5(b)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图5(c)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图5(d)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图5(e)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图5(f)是表示上述发光装置的制造工序的截面图。图6是表示上述发光装置的配线图案结构的顶面图。图7是表示上述发光装置的印刷电阻元件结构的顶面图。图8是表示上述发光装置中的玻璃层结构的顶面图。图9(a)是表示上述发光装置中的LED芯片结构的顶面图。图9(b)是表示上述发光装置中的含荧光体树脂层的结构的顶面图。图9(c)是表示上述发光装置中的透光性树脂层的结构的顶面图。图10是表示，制作上述发光装置中的透光性树脂层时的压缩成形工序的截面图。图11(a)是，在上述发光装置中使用齐纳二极管来取代印刷电阻元件时的、作为 比较例的结构图，也是对设置于含荧光体树脂层之内的齐纳二极管进行引线键合时的顶面 图。图11(b)是，在上述发光装置中使用齐纳二极管来取代印刷电阻元件时的、作为 比较例的结构图，也是将齐纳二极管设置于含荧光体树脂层之外时的顶面图。图11(c)是图11(b)所示的发光装置的斜视图。图12是对于具备有印刷电阻元件的本发明的发光装置以及、作为比较列的具备 有齐纳二极管的发光装置，就它们的驱动电流(IF)和全光束之间的关系进行比较的结果 图。
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图13(a)是本发明另一实施方式的发光装置的截面图。
图13(b)是从上方观察图13(a)所示的发光装置时的透视图。
图14(a)是本发明另一实施方式的发光装置的截面图。
图14(b)是从上方观察图14(a)所示的发光装置时的透视图。
图15(a)表示本发明另一实施方式的发光装置，是装载LED芯片前的顶面图。
图15(b)是在图15(a)所示的发光装置中装载有LED芯片时的顶面图。
图15(c)是在图15(a)所示的发光装置中形成了含荧光体树脂层时的顶面图。
图16(a)表示本发明的另一实施方式的发光装置，是从上方观察时的透视图。
图16(b)是图16(a)所示发光装置的背面图。
图17(a)是本发明另一实施方式的发光装置的顶面图。
图17(b)是图17(a)所示发光装置沿A-A线被截取时的截面图。
(标号说明)
41阻挡片
50固定式上模具
51可动式下模具
100、200、300、400、500、600 发光装置101 基板102玻璃层103LED芯片(半导体发光元件)104印刷电阻元件(保护元件)105含荧光体树脂层106透光性树脂层107布线图案107a阴极电极(半导体发光元件用电极)107b阳极电极(半导体发光元件用电极)107c、107d 印刷电阻用电极(保护元件用电极)108 引线401树脂环(树脂性环状构件)601聚酞酰胺基板(基板)602阻焊剂
具体实施例方式(实施方式1)以下基于附图来说明本发明的实施方式。<发光装置的结构>图1是本实施方式的发光装置100的结构例的顶面图。图2(a)是图1所示发光 装置100的侧面图。图2(b)是图1所示发光装置100的斜视图。图3是从上方观察图1 所示发光装置100时的透视图。如图1 3所示，发光装置100具备基板101、玻璃层102、LED芯片103 (半导体 发光元件)、印刷电阻元件104、含荧光体树脂层105、透光性树脂层106。基板101是由陶瓷构成的陶瓷基板。基板101 —侧的面(以下称正表面)上设置 有玻璃层102、LED芯片103、印刷电阻元件104、含荧光体树脂层105、透光性树脂层106。 基板101的正表面上直接形成有布线图案107。关于布线图案107，如通过图6所 后述的那样，其以避开LED芯片103的装载区域的形式，至少含有用以电连接发光装置100 内的构件的表面电极以及、该表面电极与外部之间的导电通路。关于表面电极，如后述的图 6所示，具有用以与LED芯片103的各电极连接的阴极电极107a、阳极电极107b (半导体发 光元件用电极)，以及，用以与印刷电阻元件104连接的印刷电阻用电极107c、107d(阳极电 极及阴极电极，保护元件用电极)。另外，布线图案107中含有用以识别阴极侧的阴极标记 107e。LED芯片103是发光峰值波长为450nm的蓝光LED，但并不限定于此。也可以使用 例如发光峰值波长为390nm 420nm的紫外光(近紫外光)LED芯片来作为LED芯片103。 由此，能够进一步提高发光效率。LED芯片103拥有例如长边为550 μ m,短边为280 μ m，高 为120 μ m的芯片形状。LED芯片103以发光面朝向上方的形式，直接被装载于基板101的正表面，并通过贴合膏状物(无图示)被固定(贴合)。LED芯片103以多个(在本实施方式中为3个) 的形式，配置在预定的位置，以满足预定的发光量。例如，以等间隔，使各LED芯片103的长 边方向呈平行地排列。LED芯片103的发光面上具备有电极(阳极电极及阴极电极)。通过使用了引线108的引线键合作业，LED芯片103的各电极分别与基板101的 阴极电极107a以及阳极电极107b电连接。由此，各LED芯片103被并联连接在阴极电极 107a和阳极电极107b之间。引线108例如由金所构成。通过该引线108的电连接，能够从 基板101的表面电极(阴极电极107a以及阳极电极107b)向各LED芯片103提供功率。印刷电阻元件104是通过对印刷的膏状电阻材料进行烧制而成的薄膜电阻元件， 其作为用以保护LED芯片103的保护元件而发生功能。印刷电阻元件104被层积在印刷电 阻用电极107c的端部以及印刷电阻用电极107d的端部上，以电连接地架设于该两个端部 的形式而直接形成在基板101的正表面上。关于印刷电阻元件104的材料以及形成方法， 将在以后说明。通过形成乳白色的玻璃以构成玻璃层102。玻璃层102形成为，在基板101的正表 面上包覆印刷电阻元件104、布线图案107中的除阴极电极107a和阳极电极107b和阴极标 记107e之外的部分、LED芯片103周围的正表面部分。换而言之，玻璃层102在以包覆基 板101的正表面而形成的同时，具有用以露出LED芯片103的装载区域及该装载区域的周 边区域、阴极电极107a、阳极电极107b、阴极标记107e的开口部。该开口部为引线键合区 域。另外，为了使LED芯片103发出的热通过贴合膏状物直接放出给基板101，而没有 在LED芯片103的装载区域以及该装载区域的周边区域形成玻璃层102。含荧光体树脂层105由含有颗粒状荧光体的树脂所构成。含荧光体树脂层形成为 穹顶状(半球状)，并包覆LED芯片103、引线108、LED芯片103的周边区域(包含基板101 的表面以及玻璃层102的表面)。关于颗粒状荧光体的具体例，将在以后说明。通过使用颗 粒状荧光体的发光色与LED芯片103的发光色之间的组合，可从发光装置100得到预定颜 色(色度)的光。透光性树脂层106由透光性硅酮树脂构成，其为不含有荧光体的非含荧光体树脂 层。透光性树脂层106以包覆含荧光体树脂层105且包覆基板101的正表面的形式形成为 穹顶状。在发光装置100中，透光性树脂层106的穹顶状表面(球面)成为发光装置100 的光出射面。具有上述结构的发光装置100拥有例如幅宽Xl为2. 8mm,幅宽Yl为2. 8mm,高度 Zl为1. 9mm的尺寸。〈发光装置的制造方法〉以下说明具有上述结构的发光装置100的制造方法。图4是本实施方式的发光装置100的制造工序的流程图。图5(a) 图5(f)是简 略表示发光装置100的各制造工序的侧面图。图6是在发光装置100的制造工序中制作布 线图案107时的顶面图。图7是在发光装置100的制造工序中，制作印刷电阻元件104时 的顶面图。图8是在发光装置100的制造工序中，制作玻璃层102时的顶面图。图9(a)是 在发光装置100的制造工序中装载LED芯片103并进行引线键合时的顶面图。图9(b)是 在发光装置100的制造工序中，制作含荧光体树脂层105时的顶面图。图9(c)是在发光装置100的制造工序中，制作透光性树脂层106时的顶面图。如图4所示，本实施方式的发光装置100的制造方法含有布线图案制作工序(步 骤Si)、印刷电阻元件制作工序(步骤S2)、玻璃层制作工序(步骤S3)、LED芯片贴合工序 及引线键合工序(步骤S4)、含荧光体树脂层制作工序(步骤S5)、透光性树脂层制作工序 (步骤S6)、分割工序(步骤S7)。以下就各工序进行详细说明。另外，发光装置100作为由多个发光装置的群所构成的整体而形成，然后在制造 工序的最后(图4所示制造工序中的步骤S7)，通过沿各个发光装置的周围(四边)进行切 割来分割出各个发光装置。根据需要，图6 9(c)中的各构成要素在不导致不明瞭的程度 范围内，进行简略表示。<步骤Sl 布线图案制作工序>如图5(a)及图6所示，首先在基板101的正表面上制作布线图案107。具体为，通 过印刷布线，在基板101的正表面上形成Ag (银)/Pd (钯)的图案(厚度合计为10 μ m)，从 而制作布线图案107。在布线图案107中，如图6所示，在避开LED芯片103的装载区域的 位置(LED芯片103的装载区域的周围)上，设置有阴极电极107a、阳极电极107b、印刷电 阻用电极107c和107d、阴极标记107e。另外，特别是关于阴极电极107a和阳极电极107b, 它们的设置随LED芯片103的装载位置而定。此外，印刷电阻用电极107c、107d的设置随 印刷电阻元件104的形成位置而定。为了与LED芯片103进行电连接，阴极电极107a以及阳极电极107b被施以引线键 合。例如，从图6所示的方向来看，阴极电极107a以及阳极电极107b的大小为，横为1mm， 纵为0. 45mm ；阴极电极107a与阳极电极107b之间的间隔为1. 1mm。<步骤S2 印刷电阻元件的制作工序>其次，如图5(b)以及图7所示的那样，制作印刷电阻元件104。具体为，通过含有 (1)印刷、(2)烧制这一顺序的制造工序来制作印刷电阻元件104。在印刷时，在基板101上的Ag(银)/Pd(钯)电极上(印刷电阻用电极107c、107d 的各端上)筛网印刷(screen printing)出含有电阻成分的膏状物。该膏状物由氧化钌 (RuO2、作为导电性粉末的钌)、凝固剂、树脂、溶剂构成。该膏状物呈奶油状且粘度高，其刚 被印刷后烧制前的形状不会变形。在烧制时，通过摄氏850度的电炉，对载有该膏状物的基板101进行3小时烧制， 以使电阻固化。如此，能够制作出印刷电阻元件104。关于印刷电阻元件104，例如其电阻 值为100M Ω，其膜厚为10 20 μ m，幅宽为0. 2ymX0. 65 μ m。另外，关于构成于上述膏状物中的导电性粉末，优选是在烧制温度以下时不发生 软化的金属或氧化物。例如，上述导电性粉末优选由选自钌、锡、锑、锌、银、钯、钼、金、镍、 铁、铬、铜、钼、钨的单体、化合物或者合金的一种以上的成分所构成。特别是关于氧化钌，其 虽为氧化物，但示出有大致接近3 X 10_7 Ω m的电阻率，且对热非常稳定，具有能够将其制作 成粉末的优点，因此是合适的材料。在本实施方式中，随图案形成方法而设定出一定尺寸范围，为了在该尺寸范围下 得到预定的电阻值，通过对上述材料进行选择，以及对添加物或烧制条件进行调整，从而调 整到期望的电阻率。在上述例中，将电阻率调整到10_3 Ω cm 10_2 Ω Cm。<步骤S3 玻璃层制作工序>
其次，如图5(c)及图8所示，制作玻璃层102。具体为，准备具有开口部的材料用 模具，其中，该开口部的形状、大小与玻璃层102的平面形状、大小相同。然后将上述材料用 模具设置在基板101的正表面上的预定位置，并向开口部的孔注入玻璃材料。接着，利用滑 动台来除去多余厚度的玻璃材料。玻璃层102的厚度例如为20 μ m。由此，上述开口部以外的部分(布线图案107的、除印刷电阻元件104及上述开口 部所占部分之外的部分，等)的玻璃材料被排出。如图8所示，上述开口部具有使LED芯片 103的装载区域及该装载区域的周边区域、阴极电极107a、阳极电极107b、阴极标记107e得 以露出的形状。由此，能够制造出包覆有呈所需形状的玻璃层102的发光装置100。玻璃层102为添加有陶土类(Al-Si)白色剂的硼硅酸玻璃。因此玻璃层102呈乳 白色。为了形成乳白色的玻璃层102，添加至玻璃材料的白色颜料例如有陶土、氧化钛、氧化 钡、滑石、硫酸钡、氢氧化铝、氧化硅、云母、碳酸钙、硫酸钙、粘土等无机类颜料；聚合物颗粒 等有机类颜料。另外，作为上述玻璃材料，能够使用含有诸如硼硅酸玻璃(borosilicate)、 氧化硅玻璃、苏打石灰玻璃、硼硅酸铝玻璃、硼硅酸锌玻璃、铝硅酸玻璃、磷酸玻璃的材料。关于玻璃层102的反射率，光波长为450nm时的在Ag/Pd层(布线图案107)上的 反射率为75%。在此，若增大玻璃层102的反射率，玻璃层102与基板之间的热膨胀系数的 差会增大。此外，布线图案107的Ag/Pd与玻璃层102中的添加物会发生反应而变色(黑 化)。因此，优选玻璃层102的反射率为70% 80%。特别是关于陶土类材料，其重量轻(与金属比较)，热膨胀率小，具有高刚性且化 学性稳定，因此适于用作添加至玻璃材料的白色颜料。另外，硼硅酸玻璃具有热膨胀率小、 耐热冲击性好、化学耐性高的优点，因此适于用作玻璃材料。另外，凝固剂被要求具有导电 成分以及与基板101之间的浸润性，或被要求其热膨胀系数接近基板101的热膨胀系数。<步骤S4 =LED芯片的贴合工序及引线键合工序>其次，如图5(d)以及图9(a)所示，将LED芯片103贴合至基板101的正表面后， 通过引线108，对LED芯片103的各电极和阴极电极107a及阳极电极107b进行引线键合。具体为，如图9(a)所示，例如利用硅酮树脂，将3个LED芯片103贴合至基板101 的正表面的预定位置。此时，LED芯片103以各相互间隔为200 μ m的形式装载，呈并联电连接。接着，使用引线108进行引线键合。此时，对LED芯片103的各电极与基板101的 阴极电极107a及阳极电极107b之间，依次进行引线键合。如此，能够形成图9(a)所示的结构。<步骤S5 含荧光体树脂层的制作工序>其次，如图5(e)以及图9(b)所示，制作含荧光体树脂层105。具体为，首先，向基 板101的正表面即、装载有LED芯片103的一侧的面张贴阻挡片41。在注入后述的含荧光 颗粒树脂时，阻挡片41用以阻挡含荧光颗粒树脂外流扩散到预定部位以外的部位。阻挡片 41上形成有能够容纳LED芯片103的贯通孔(无图示)。换而言之，如图9 (b)所示，形成 于阻挡片41的贯通孔的形状，其决定含荧光体树脂层105的平面主视形状。关于阻挡片41，例如可以在含有特氟纶(Teflon ；注册商标)、氟橡胶、硅酮片等的 树脂制片的一侧的面上涂布粘接材料，以作为阻挡片41来使用。特别是关于氟橡胶，由于其弹性较高且容易使阻挡片41得以去除，所以为优选。另外，优选使用容易张贴于正表面， 且在去除阻挡片41后不会在正表面上留下残渣的粘接材料。把阻挡片41张贴于基板101上，使得LED芯片103容纳于贯通孔内。其后，把含荧 光颗粒树脂注满于该贯通孔。通过在液状硅酮树脂中散布颗粒状荧光体，从而得到含荧光 颗粒树脂。在本实施方式中，使用红色荧光体(Sr、Ca) AlSiN3 =Eu以及、绿色荧光体Ca3(Sc、 Mg)2Si3012 =Ce来作为颗粒状荧光体。另外，颗粒状荧光体并不限定于上述构成，例如，也能够较好地使用B0SE(Ba、0、 Sr,Si,Eu)等。另外，除了 BOSE之外，还能够较好地使用SOSE (Sr、Ba、Si、0、Eu)，或YAG (Ce 激活钇铝石榴石)、α -Sialon ((Ca)、Si、Al、0、N、Eu)、β -Sialon (Si、Al、0、N、Eu)等。注入了含荧光颗粒树脂后，在摄氏80度下静置90分钟。其后，在摄氏120度下对 含荧光颗粒树脂进行60分钟的硬化处理，然后去除阻挡片41。如此，能够形成包覆着LED 芯片103以及引线108的含荧光体树脂层105。能够制作出例如直径X2为2. Imm,自基板 101起的高度为1. 15mm的含荧光体树脂层105。关于阻挡片41的去除方法，例如可通过夹具来夹住阻挡片41的一端，进行拽拉式 剥离。此时，在去除阻挡片41的同时还能够去除从贯通孔渗溢出的含荧光颗粒树脂。<步骤S6 透光性树脂层的制作工序>其次，如图5(f)以及图9(c)所示，制作透光性树脂层106。具体为，利用图10所 示的压缩成形方法，形成图5(f)以及图9(c)所示的穹顶状的透光性树脂层106。在进行压缩成形时，如图10所示，使用具备有固定式上模具50以及可动式下模具 51的成形模具。首先，以使得含荧光体树脂层105位于固定式上模具50下侧的状态，将基 板101装设于固定式上模具50的装设部。另一方面，预先将具有所需透光性的液状树脂材 料(透光性硅酮树脂)均等地注满于可动式下模具51中设有的穹顶状的小腔模(个别腔 模)53，其中，该液状树脂材料将在之后成为透光性树脂层106。接着，在将可动式下模具51 装设向基板101的同时，使穹顶状的含荧光体树脂层105得以容入小腔模53，并通过固定式 上模具进行压型。以所需的压型压力对固定式上模具50以及可动式下模具51进行压型，含荧光体 树脂层105被浸至在大腔模52所包含的小腔模53中的树脂内，由此进行压缩成形。此时， 大腔模52起到连通透光性硅酮树脂的连通道的作用，因此，能够有效防止各小腔模53间的 透光性硅酮树脂发生过少的现象，并能够使各小腔模53间的透光性硅酮树脂得以均等分 配。然后，在此状态下，以摄氏150度维持1分钟，以使透光性硅酮树脂硬化。其后，再 以摄氏150度进行5小时的后硬化处理，然后拆除固定式上模具50以及可动式下模具51。 由此，能够形成得到以穹顶状包覆着含荧光体树脂层105且平坦包覆着基板101的正表面 的透光性树脂层106。能够制作出例如直径X3为2. 4mm,自基板101起的穹顶状部分的高 度Z2为1. 3mm,自基板101起的平坦部分的高度Z3为0. 05mm的透光性树脂层106。〈步骤S7:分割工序〉最后，分割出单个的发光装置100。关于分割方法，例如可以使用切割刀，从形成 有透光性硅酮树脂106的一侧(正表面)起，在设置于基板101背面的分割槽的上方进行 切断。通过该方法，在通过切割刀切割透光性树脂层106的同时，基板101也会沿分割槽断开，因此能够较容易地实现分割。如此，能够制出单个的发光装置100。该发光装置100具备基板101、装载于基板 101的正表面的LED芯片103、与LED芯片103并联连接的印刷电阻元件104，印刷电阻元件 104形成于基板101的正表面。即，上述发光装置100的制造方法包含将印刷电阻元件104 形成于基板101的正表面的工序。根据上述结构，与使用齐纳二极管(ZD)的情况相比，通过使用印刷电阻元件104 能够得到有利的效果。关于该效果，以下参照图11(a) 11(c)来进行说明。图11(a)是，在发光装置100中使用ZD901来取代印刷电阻元件104时(将此时 的结构作为发光装置100’ )的、作为比较例的结构图，也是对设置于含荧光体树脂层105 之内的ZD901进行引线键合时的顶面图。图11(b)是在发光装置100中使用ZD901来取代 印刷电阻元件104时(将此时的结构作为发光装置100’)的、作为比较例的结构图，也是 将ZD901设置于含荧光体树脂层105之外时的顶面图。图11(c)是图11(b)所示发光装置 100，的斜视图。如图11(a)所示，若以可对ZD901形成引线的形式来装载ZD901，那么便无法将 LED芯片103装载于中心附近。另外，由于ZD901被装载于ZD用电极垫902上，因此还需要 考虑ZD用电极垫902的尺寸。因此，从发光装置100’射向外部的出射光便会不均勻。另外，如图11(b)所示，若将LED芯片103装载于中心附近，将ZD901装载于含荧 光体树脂层105之外，即，不将ZD901装载于含荧光体树脂层105之内，那么便会产生以下 5个问题。(1)为了对ZD901进行引线键合，需要将ZD901装载于LED芯片103的附近，因此 便需将ZD901装载于含荧光体树脂层105内，然而因ZD901会吸收光，因此会导致亮度(光 输出)下降。所以不能将ZD901装载于含荧光体树脂层105内。(2) 一般而言，在制作含荧光体树脂层105时，使用阻挡片41 (或树脂阻挡物)。然 而，若将具有一定高度(例如高为85 μ m)的ZD901装载于含荧光体树脂层105的形成区域 外，会使阻挡片41的紧贴性下降，从而发生树脂渗漏。有时还会导致ZD901损坏。因此，无 法使用阻挡片41来制作含荧光体树脂层105。(3)由于含荧光体树脂层105与透光性树脂层106之间的间隔(间隙)较窄(本 实施方式中为0. 15mm)，因此无法将ZD901装载于含荧光体树脂层105与透光性树脂层106 之间。(4)此外，若勉强将ZD901装载于含荧光体树脂层105与透光性树脂层106之间， 便会导致无法制作出呈固定形状的穹顶状。(5)另外，ZD901装载得越靠向基板边缘，便越难以将透光性树脂层106制作成固 定形状的穹顶状。即，在透光性树脂层106的压缩成形工序时，ZD901的高度成为阻碍，因 此无法在基板边缘装载ZD901。与上述相比，根据本实施方式的发光装置100的结构，通过使用印刷电阻元件 104，从而不受配置的制约。因此，如图9(c)所示，能够将印刷电阻元件104配置到含荧光 体树脂层105之外的、使印刷电阻元件104的一部分处于透光性树脂层106下方的位置上。另外，由于印刷电阻元件104呈薄膜状，因此能够使用阻挡片41来容易且稳定地 形成含荧光体树脂层105。另外，由此还能抑制制作含荧光体树脂层105时的渗漏。
此外，由于印刷电阻元件104呈薄膜状而不受配置的制约，因此乳白色的玻璃层 102能够容易地对其进行包覆，从而能够降低印刷电阻元件104对来自LED芯片103的出射 光进行的遮挡、吸收。图12是对于具备有印刷电阻元件104的本实施方式的发光装置100以及、作为比 较列的具备有ZD901的发光装置100’，就它们的驱动电流(IF)和全光束之间的关系进行比 较的结果图。在图12中，横轴表示驱动电流(mA)，纵轴表示全光束(相对强度)。通过图12可以得知，较之于具备ZD901的发光装置100’，具备有印刷电阻元件 104的发光装置100的全光束即、光强度较大。特别是随着驱动电流的增大，两者的差也随 之增大。因此，在具有印刷电阻元件104的发光装置100中，能够抑制来自LED芯片103的 出射光被遮挡、吸收，且不会导致光输出的降低，从而能够得到具有良好亮度的出射光。另 外，能够以低成本进行制造。此外，通过上述方法来制造发光装置100，能够提高成品率，且能够实现可靠性好 的双重封装式LED。在此，当构成为含有多个发光装置100的发光模块时，在使用中，该发光模块熄灭 后，若多个发光装置100构成为闭环电路，且外光恒定照射进发光装置100时，LED芯片103 会产生光伏特效应。因该光伏特效应，有时会导致LED芯片103发生劣化。S卩，本发明的发明人经过试验研究，发现了以下现象，S卩使用电阻来取代齐纳二 极管时，在由多个含有LED芯片的发光装置所连接而成的发光模块中，在未提供电源(例 如，电源提供电路中设置的开关被关闭)即、熄灭时，且多个发光装置构成为闭环电路时， 若外光照射到一部分的发光装置，该发光装置内的LED芯片便产生光伏特效应，因而，对其 他发光装置内的LED芯片施加静态逆偏置电压，由此，该些被施加了逆偏置电压的LED芯片 便会发生劣化。对此，如本实施方式的发光装置100，通过将印刷电阻元件104并联连接于发光装 置100内的LED芯片103，能够防止LED芯片103因上述光伏特效应而出现劣化。并且该结 构也可成为电涌对策。因此，发光装置100能够实现长寿命，并能够确保可靠性。为了防止LED芯片103受电涌破坏，以及防止LED芯片103因上述光伏特效应而发 生劣化，优选印刷电阻元件104的电阻值小于LED芯片103在逆偏置电压方向上的阻抗电 阻成分，即，优选印刷电阻元件104的电阻值在IOGQ以下。另外，为了使印刷电阻元件104 的顺向分流成分不对LED芯片103的驱动电流产生影响，印刷电阻元件104的电阻值需在 150kΩ以上。但在发光装置的制成后，要对细小区域的顺向电压进行检测，以进行不良品选 出的检查工序时，若要把分流电流抑制到可查找出真正不良品的程度，则印刷电阻元件104 的电阻值优选在IM Ω以上。在上述发光装置100中，虽然将印刷电阻元件104配置于基板101的正表面上，但 并不限定于此。印刷电阻元件104也能够配置(形成)于基板101的背面(正表面的反向 侧的面)以及基板101的内部。这是由于印刷电阻元件104不受配置制约的缘故。例如，可 以对由陶瓷构成的基板101进行多层化，并在基板101内部形成用以电连接阴极电极107a 以及阳极电极107b的贯通孔电极，然后在基板的积层界面，配置印刷电阻元件104。此外， 印刷电阻元件104也能够配置在选自基板101的正表面、背面、内部的多个位置上。
另外，LED芯片103以及印刷电阻元件104的数量并不限于上述。可以装载1个 LED芯片103，也可以装载多个。同样，可以装载1个或多个印刷电阻元件104，且使1个印 刷电阻元件104与1个LED芯片103并联连接，或使1个印刷电阻元件104与多个LED芯 片103并联连接。另外，在上述发光装置100中，虽然印刷电阻元件104被玻璃层102包覆，但包覆 印刷电阻元件104的材料也可以是白色阻焊剂。即，能够使发光装置100的结构中不具备 玻璃层102，此时，在由白色阻焊剂来包覆印刷电阻元件104的同时，由阻焊剂(白色)来包 覆布线图案107。(实施方式2)在前述实施方式1的发光装置100中，是通过含荧光体树脂层105以及透光性树 脂层106来进行2重树脂封装的，但并不限定于此。也可以通过含荧光体树脂层105及透 光性树脂层106的其中至少一者来进行树脂封装。即，能够根据LED芯片103的种类或所 要发出的光的颜色来选择封装树脂。图13(a)是本实施方式的发光装置200的结构例的截面图。图13(b)是从上方观 察发光装置200时的透视图。如图13(a)以及图13(b)所示，除没有透光性树脂层106以 外，发光装置200具备有与前述实施方式1的发光装置100相同的结构。在发光装置200中，虽然印刷电阻元件104被装载于含荧光体树脂105的外围附 近，但与上述同样地能够使用阻挡片41，因此不会导致光输出的下降，并能形成呈良好的穹 顶状的含荧光体树脂层105。另外，当仅形成透光性树脂层106时，也能够利用与含荧光体 树脂层105相同的制作方法，即，同样地能够使用阻挡片41来形成透光性树脂层106。在此，关于LED芯片103，例如可以使用多个红、绿、蓝色发光元件，或可以使用多 个蓝色发光元件。(实施方式3)在前述实施方式1的发光装置100中，含荧光体树脂层105以及透光性树脂层106 具有穹顶形状，但并不限定于此，只要是其形状可使得LED芯片103发出的光从装载有LED 芯片103的面的一侧在整体上均勻地发射向外部的形状便可。图14(a)是本实施方式的发光装置300的结构例的截面图。图14(b)是从上方观 察发光装置300时的透视图。如图14(a)以及图14(b)所示，除含荧光体树脂层105的形 状不同之外，发光装置300具有与前述实施方式1的发光装置100相同的结构。在发光装置300中，在侧视含荧光体树脂层105时，如图14(a)所示呈矩形(顶面 平坦)；在俯视含荧光体树脂层105时，如图14(b)所示呈操场形(相对的两边为平行直线、 相对的另两边为向外侧隆出的曲线的、形状)。含荧光体树脂层105的高度为例如0. 385mm。 印刷电阻元件104被装设于包覆着含荧光体树脂层105的透光性树脂层106的外围附近。如此，在发光装置300中，虽然印刷电阻元件104装设于透光性树脂106的外围附 近即、基板101的正表面的角落部位，但由于印刷电阻元件104是薄膜型，且被玻璃层102 所包覆，因此不会给透光性树脂层106的压缩成形工序带来不良影响。因此，能够将印刷电 阻元件104装设于透光性树脂层106的外围附近或基板101的正表面的角落部位。(实施方式4)以下，根据附图来说明本发明的其他实施方式。关于除本实施方式中说明到的结构以外的结构，是与前述实施方式1 3相同的。另外，为便于说明，关于与前述实施方式 1 3的附图所示构件呈同一功能的构件，赋予其同一标号，并省略其说明。图15(a)表示本实施方式的发光装置400的结构例，是实施装载LED芯片103前 的顶面图。图15(b)是发光装置400中装载有LED芯片103时的顶面图。图15(c)是发光 装置400中形成了含荧光体树脂层105时的顶面图。如图15(a) 图15(c)所示，发光装置400具备基板101、玻璃层102、LED芯片 103(24个蓝色LED)、印刷电阻元件104、含荧光体树脂层105、树脂环401(树脂性环状构 件)。在基板101的正表面，LED芯片103以8个为一列而装载有3列。基板101上形成 有与上述LED芯片103的配置相对应的电极图案107f，即布线图案107。电极图案107f使 得LED芯片103的各电极与配置在基板101的正表面的两个相对角落部位的阴极电极107a 及阳极电极107b呈电连接。在此，作为一例，基板101的尺寸为X4XY2 = 15mmX12mm，厚为Imm ；电极图案 107f的材料为金(Au)，电极图案107f的幅宽为0. 3mm,图案中的间隔X5为1. 2mm ；印刷电 阻元件104的电阻值为IM Ω，幅宽为0. 2mm ；阴极电极107a以及阳极电极107b的直径为 1. 4mm，直线部分为2. 12mm。树脂环401是由白色的树脂所构成的环状构件。树脂环401的材料以及用途与前 述实施方式1的阻挡片41相同，即为树脂阻挡物。关于树脂环401，例如其环幅宽为0. 4mm, 环间隔为6mm。即，含荧光体树脂层105具有在俯视时呈X6XY3 = 6mmX6mm的尺寸。在发光装置400中，印刷电阻元件104形成于树脂环401的下方，因此能够抑制印 刷电阻元件104对光进行吸收的问题。另外，树脂环401能够保护印刷电阻元件104的顶 面(表面等)。此外，即使装载有印刷电阻元件104，也能够实现小型化。(实施方式5)以下，根据附图来说明本发明的其他实施方式。关于除本实施方式中说明到的结 构以外的结构，是与前述实施方式1 4相同的。另外，为便于说明，关于与前述实施方式 1 4的附图所示构件呈同一功能的构件，赋予其同一标号，并省略其说明。图16(a)表示本实施方式的发光装置500的构成例，是从上方观察时的透视图。图 16(b)是发光装置500的背面图。如图16(a)以及图16(b)所示，发光装置500具备有基板101、玻璃层102、LED芯 片103 (5个蓝色LED)、印刷电阻元件104、含荧光体树脂层105、透光性树脂层106。在发光 装置500中，在基板101的背面敷设有阴极电极107a以及阳极电极107b，且设置有印刷电 阻元件104。在形成阴极电极107a以及阳极电极107b之前，印刷电阻元件104先被形成于基 板101的背面。在形成了印刷电阻元件104后，以覆盖印刷电阻元件104的各端部的形式来 形成阴极电极107a以及阳极电极107b。由此，印刷电阻元件104被形成于阴极电极107a 和阳极电极107b之间。另外，阴极电极107a以及阳极电极107b从基板101的正表面起， 通过基板101的侧面并绕至基板101的背面而敷设形成。如图16(b)所示，在基板101的背面，阴极电极107a以及阳极电极107b形成在尺 寸例如为 X7 = 0. 2mm、X8 = 0. 7mm、Y4 = 1. 65mm、Y5 = 0. 8mm 的区域上。
在发光装置500中，由于印刷电阻元件104配置于基板101的背面，因此基板101 的正表面上用于装载LED芯片103的区域便得以扩大，从而能够装载例如5个LED芯片103。 由此，能够制造更明亮的2重封装LED。另外，若印刷电阻元件104具有前述实施方式1中所述的材质，便具有以下优点。 即，由于安装时使用的焊剂不对印刷电阻元件104具有浸润性，因此将发光装置500安装于 安装基板时，不会发生焊剂浸润印刷电阻元件104并致使阴极电极107a以及阳极电极107b 发生导通，因此，不会形成出与印刷电阻元件104并联导通的焊剂部分。然而，若印刷电阻 元件104是会被焊剂浸润的材质，就需要设法在印刷电阻元件104上包覆干燥片或玻璃层 等绝缘层。(实施方式6)以下，根据附图来说明本发明的其他实施方式。关于除本实施方式中说明到的结 构以外的结构，是与前述实施方式1 5相同的。另外，为便于说明，关于与前述实施方式 1 5的附图所示构件呈同一功能的构件，赋予其同一标号，并省略其说明。图17(a)是本实施方式的发光装置600的构成例的顶面图。图17(b)是发光装置 600沿A-A线被截取时的截面图。本实施方式的发光装置600，是小型组件式LED发光装置，其用于对外部发出光的 发光透光面的形状接近于圆形。如图17(a)以及图17(b)所示，发光装置600具备PPA(聚 酞酰胺poly-phthalamide)基板601 (基板)、LED芯片103、印刷电阻元件104。在发光装 置600中，PPA基板601的凹状开口部601a的内部会被充填荧光体以及封装树脂(相当于 含荧光体树脂层105)，但为了详细表示凹状开口部的内部，图17(a)以及图17(b)中未图示 出荧光体以及封装树脂。在PPA基板601的顶面侧即、发出光的面上，凹陷形成有凹状开口部601a，沿该凹 状开口部601a形成有光反射壁601b。光反射壁601b从顶侧向底侧呈逐渐收窄的方式倾 斜，并以包围LED芯片103的形式形成于LED芯片103的整个周围。在凹状开口部601a的 底面上，形成有阴极电极107a及阳极电极107b。阴极电极107a及阳极电极107b分别从 PPA基板601延伸出至外部，使得能够与发光装置600的外部的电源相连接。印刷电阻元件104被能够对光进行反射的阻焊剂(光反射材料)602所包覆。如 此，由于LED芯片103的整个周围被光反射壁601b所包围，因此，从LED芯片103射出的光 不会被印刷电阻元件104吸收，而是被光反射壁601b反射，因而能够将较多的光射到发光 装置600的外部。具有上述结构的发光装置600通过以下的方法制作。即，先通过冲压作业来形成 引线框(布线图案107)，然后将该引线框设置于用来涂布印刷电阻膏状物的台上。其后， 通过筛网印刷等在台上形成印刷电阻膏状物图案(印刷电阻元件104)，通过该印刷电阻膏 状物图案，使得预定的阴极电极107a与阳极电极107b之间的呈空间隔开的部分得以连接。 此时，由于印刷电阻的膏状物呈奶油状且粘度高，因此其刚被筛网印刷后烧制前的形状不 会变形。其后，以引线框设置在台上时的状态，对印刷电阻膏状物图案进行烧制，以使印刷 电阻呈稳定形态。接着，从台上取下形成有印刷电阻元件104的引线框，并通过传移成形等 方式，在引线框周围形成PPA基板601。其后，如图4中的步骤S4 S7所示，经过LED芯片贴合工序、引线键合工序、封装树脂制作工序、分割工序，从而形成发光装置600。像这样，通过PPA基板601的光反射壁601a来围住LED芯片103，即围住LED芯片 103的装载面，印刷电阻元件104便能够装设于LED芯片103的附近。另外，由于印刷电阻元件104被阻焊剂602所包覆，因此能够抑制印刷电阻元件 104吸收来自LED芯片103的光。即，与印刷电阻元件104被玻璃层102包覆时相比，具有 同样的效果。另外，为了进一步实现上述光吸收抑制效果，优选阻焊剂602为乳白色。在上述发光装置600中，虽然具备有1个LED芯片103以及1个印刷电阻元件104， 但毫无疑问，也可以装载多个LED芯片103，形成多个印刷电阻元件104。此外，也可以对引线框的形状进行改变，将阴极侧的引线框的一部分(阴极电极 107a)和阳极侧的引线框的一部分(阳极电极107b)配置到PPA基板601内部，并形成出印 刷电阻元件104来连接该两个部分，即，可使印刷电阻元件104位于PPA基板601的内部。另外，也可以在PPA基板601的背面，使阴极侧的引线框与阳极侧的引线框露出， 并如前述实施方式5的发光装置500那样，在PPA基板601的背面形成印刷电阻元件104。此时，使得要与安装基板连接的引线框的在外部分延伸向PPA基板601的侧面，而 不是背面，并使之沿PPA基板601的侧面折曲，从而将PPA基板601的侧面作为安装面。根 据该结构，无需考虑印刷电阻元件104的浸润性，因此能够提高选择印刷电阻元件104材质 的自由度。最后，在上述实施方式1 6中，若要实现改善LED芯片103的放热性，或要实现 倒装芯片型的LED芯片103，也可以将印刷电阻元件104形成于插入在LED芯片103与基板 101之间的辅助固定件上，从而将印刷电阻元件104形成于LED芯片103与基板101之间。另外，能够适宜地选择实施方式1 6所示的发光装置100、200、300、400、500、 600，并将它们装载于安装基板，通过将它们串联、并联或串并联连接，能够实现模块化的面 光源。因此，能够在功耗不增大，亮度不下降的情况下，实现可抵御电涌效应的面光源。本发明并不限于上述各实施方式，可以根据权利要求所示的范围进行各种的变 化，适当地组合不同实施方式中记述的技术手段而得到的实施方式也包含于本发明的技术 范围之内。本发明的发光装置具备有基板、装载于上述基板的正面侧的半导体发光元件、与 上述半导体发光元件并联连接的保护元件，上述保护元件由印刷电阻构成，上述保护元件 形成于上述基板的正面侧、上述基板的背面侧、上述基板的内部的其中至少一者。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述半导体发光元件被形成于上述基板 的正面侧的、由含有荧光体的树脂所构成的含荧光体树脂层或由透光性树脂构成的透光性 树脂层所覆盖；上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述含荧光体树脂层的 外侧或上述透光性树脂层的外侧。根据上述结构，保护元件是薄膜印刷电阻，因此，即使保护元件形成于基板的正面 侧，也能够使用阻挡片(树脂阻挡物)等来稳定且容易地形成含荧光体树脂层或透光性树 脂层。另外，还能够减少在形成含荧光体树脂层或透光性树脂层时发生的渗漏。为了使得半导体发光元件发出的光从半导体发光元件的装载面的一侧在整体上 均勻射向外部，优选上述含荧光体树脂层以及上述透光性树脂层具有穹顶状的形状。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，形成于上述基板的正面侧的由透光性树脂所构成的透光性树脂层隔着由含有荧光体的树脂所构成的含荧光体树脂层，覆盖上述半 导体发光元件，上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述透光性树脂层的外 侧。还优选上述透光性树脂层具有穹顶状的形状。由此，能够利用阻挡片等来稳定且容易地形成含荧光体树脂层以及透光性树脂 层，同时能够实现具有可靠性高的2重封装发光装置。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述基板由陶瓷构成，该基板上形成有 布线图案，上述布线图案含有，用以与上述半导体发光元件进行电连接的、作为阴极的半导 体发光元件用电极和作为阳极的半导体发光元件用电极；以及用以与上述保护元件进行电 连接的、作为阴极的保护元件用电极和作为阳极的保护元件用电极。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，在形成于上述基板的正面侧的、至少除 上述各半导体发光元件用电极之外的布线图案上，形成有玻璃层，在上述保护元件形成于 上述基板的正面侧时，该保护元件被上述玻璃层覆盖。由此，能够抑制布线图案吸收从半导 体发光元件射向外部的光。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述半导体发光元件装载于上述基板的 正面上的上述各半导体发光元件用电极之间，上述保护元件形成于上述各保护元件用电极 上，且使得跨设在该各保护元件用电极之间。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述保护元件被玻璃层或阻焊剂所覆 盖。由此，能够抑制保护元件吸收从半导体发光元件射向外部的光。此外，为了进一步发挥上述光吸收抑制效果，上述玻璃层及阻焊剂优选为乳白色。在此，当构成的发光模块含有多个发光装置时，在使用中，该发光模块熄灭后，若 多个发光装置构成为闭环电路，且外光恒定照射发光装置，半导体发光元件会产生光伏特 效应。因该光伏特效应，半导体发光元件有时会发生劣化。对此，通过将保护元件(印刷电 阻)与发光装置内的半导体发光元件并联连接，能够防止半导体元件因上述光伏特效应而 出现劣化。并且该结构也可实现电涌对策。因此，在本发明的发光装置中，为了防止半导体发光元件受到电涌破坏，以及防止 半导体发光元件因上述光伏特效应而发生劣化，且为了使保护元件的顺向分流成分不对半 导体发光元件的驱动电流产生影响，优选的是，上述保护元件的电阻值为1ΜΩ IOGQ。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述保护元件部分地形成于上述基板的 正面侧。此外，作为优选，上述保护元件还配置在上述基板的正面的角落部。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述玻璃层由硼硅酸玻璃、氧化硅玻璃、 苏打石灰玻璃、硼硅酸铝玻璃、硼硅酸锌玻璃、铝硅酸玻璃、磷酸玻璃的其中至少一者所构 成。另外，在本发明的发光装置中，优选上述玻璃层的反射率为70% 80%。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述玻璃层含有，作为无机类颜料的陶 土、氧化钛、氧化钡、滑石、硫酸钡、氢氧化铝、氧化硅、云母、碳酸钙、硫酸钙、粘土以及作为 有机类颜料的聚合物颗粒中的至少一者。另外，在本发明的发光装置中，优选上述保护元件形成于上述基板的背面侧。另外，在本发明的发光装置中，作为优选，上述半导体发光元件被形成于上述基板的正面侧的、由含有荧光体的树脂所构成的含荧光体树脂层或由透光性树脂构成的透光性 树脂层所覆盖，上述含荧光体树脂层或上述透光性树脂层被设置在上述半导体发光元件周 围的白色树脂性环状构件所围挡，上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述 树脂性环状构件的下方。(工业上的利用可能性)本发明适用于具有装载于基板上的半导体发光元件、与半导体发光元件并联连接 的保护元件的发光装置的相关领域，还适用于发光装置的制造方法、特别是保护元件的形 成方法的相关领域。此外还能够广泛应用于具备有多个发光装置的发光模块以及具备了该 发光模块的显示装置等的领域。
权利要求
一种发光装置，具有基板、装载于上述基板的正面侧的半导体发光元件、与上述半导体发光元件并联连接的保护元件，该发光装置的特征在于上述保护元件由印刷电阻构成，并形成于上述基板的正面侧、上述基板的背面侧、上述基板的内部的其中至少一者。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于上述半导体发光元件，被形成于上述基板的正面侧的、由含有荧光体的树脂所构成的 含荧光体树脂层或由透光性树脂构成的透光性树脂层所覆盖；上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述含荧光体树脂层的外侧或上述 透光性树脂层的外侧。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于上述含荧光体树脂层以及上述透光性树脂层具有穹顶状的形状。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于形成于上述基板的正面侧的由透光性树脂所构成的透光性树脂层隔着由含有荧光体 的树脂所构成的含荧光体树脂层，覆盖上述半导体发光元件，上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述透光性树脂层的外侧。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于 上述透光性树脂层具有穹顶状的形状。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于 上述基板由陶瓷构成，该基板上形成有布线图案， 上述布线图案含有，用以与上述半导体发光元件进行电连接的、作为阴极的半导体发光元件用电极和作为 阳极的半导体发光元件用电极；以及用以与上述保护元件进行电连接的、作为阴极的保护元件用电极和作为阳极的保护元 件用电极。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于在形成于上述基板的正面侧的、至少除上述各半导体发光元件用电极之外的布线图案 上，形成有玻璃层，在上述保护元件形成于上述基板的正面侧时，该保护元件被上述玻璃层覆盖。
8.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于上述半导体发光元件被装载在上述基板的正面上的上述各半导体发光元件用电极之间，上述保护元件形成于上述各保护元件用电极上，使得跨设在该各保护元件用电极之间。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于 上述保护元件被玻璃层或阻焊剂所覆盖。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于 上述玻璃层及阻焊剂为乳白色。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于 上述保护元件的电阻值为IM Ω IOGQ。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于 上述保护元件部分地形成于上述基板的正面侧。
13.根据权利要求2或4所述的发光装置，其特征在于 上述保护元件还配置在上述基板的正面的角落部。
14.根据权利要求7或9所述的发光装置，其特征在于上述玻璃层由硼硅酸玻璃、氧化硅玻璃、苏打石灰玻璃、硼硅酸铝玻璃、硼硅酸锌玻璃、 铝硅酸玻璃、磷酸玻璃的其中至少一者所构成。
15.根据权利要求7或9所述的发光装置，其特征在于 上述玻璃层的反射率为70% 80%。
16.根据权利要求14所述的发光装置，其特征在于上述玻璃层含有，作为无机类颜料的陶土、氧化钛、氧化钡、滑石、硫酸钡、氢氧化铝、氧 化硅、云母、碳酸钙、硫酸钙、粘土以及作为有机类颜料的聚合物颗粒的其中至少一者。
17.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于 上述保护元件形成于上述基板的背面侧。
18.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于上述半导体发光元件，被形成于上述基板的正面侧的、由含有荧光体的树脂所构成的 含荧光体树脂层或由透光性树脂构成的透光性树脂层所覆盖，上述含荧光体树脂层或上述透光性树脂层被设置在上述半导体发光元件周围的白色 的树脂性环状构件所围挡，上述保护元件形成于上述基板的正面侧，且形成于上述树脂性环状构件的下方。
19.一种发光装置的制造方法，上述发光装置具备有基板、装载于上述基板的正面侧的半导体发光元件、与上述半导 体发光元件并联连接的保护元件，该发光装置的制造方法的特征在于含有，将作为印刷电阻的上述保护元件形成于上述基板的正面侧、上述基板的背面侧、 上述基板的内部的其中至少一者的工序。
全文摘要
发光装置具备有基板、装载于基板的正面侧的LED芯片、与LED芯片并联连接的印刷电阻元件，且印刷电阻元件形成于基板的正面侧、背面侧、内部的其中至少一者。由此来提供能够抑制从LED射向外部的光被遮挡/吸收，且不会导致光输出的下降，并能够得到良好亮度的出射光的发光装置以及发光装置的制造方法。
文档编号H01L33/50GK101944565SQ201010218429
公开日2011年1月12日 申请日期2010年6月28日 优先权日2009年7月1日
发明者幡俊雄, 松田诚, 植村丰德 申请人:夏普株式会社