专利名称：半导体器件及其形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
背景技术：
众所周知，机械应力可以改变硅材料的能隙和载流子迁移率，最近，机械应力在影响MOSFET性能方面扮演了越来越重要的角色。如果可以适当控制应力，提高了载流子 (η-沟道晶体管中的电子，ρ-沟道晶体管中的空穴)迁移率，就提高了驱动电流，因而应力可以极大地提高晶体管的性能。应力衬垫技术在NMOS晶体管上形成张应力衬垫层(tensile stress liner)，在 PMOS晶体管上形成压应力衬垫层(compressive stress liner)，从而增大了 PMOS晶体管和NMOS晶体管的驱动电流，提高了电路的响应速度。据研究，使用双应力衬垫技术的集成电路能够带来M %的速度提升。具体地，以PMOS晶体管为例，首先在需要形成源区和漏区的区域形成外延层，如硅锗外延层，然后再进行掺杂形成PMOS晶体管的源区和漏区，形成硅锗是为了引入硅和硅锗(SiGe)之间晶格失配形成的压应力，进一步提高压应力，提高晶体管的性能。公开号为CNl011700060A的中国专利申请中提供了一种在源漏区域采用硅锗 (SiGe)的PMOS晶体管的形成方法，其具体包括在硅衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，在栅极结构两侧的硅衬底内形成开口 ；在所述开口进行选择性外延生长形成硅锗外延层；对所述硅锗外延层进行掺杂，以形成源区和漏区。但是，在所述半导体工艺制造过程中，常需要在一个衬底上同时形成PMOS晶体管和NMOS晶体管。具体地，首先提供衬底，包括有PMOS衬底和NMOS衬底，所述衬底上分别对应形成有栅极结构；在所述栅极结构表面上形成侧墙，位于PMOS栅极结构表面的侧墙是用于后续形成外延层的掩膜，位于NMOS栅极结构表面的侧墙是为了保护NMOS的栅极结构，避免所述NMOS栅极结构暴露在后续外延层的形成环境中。现有技术在形成外延层时，常通过减小位于栅极结构上的侧墙宽度，使得以所述侧墙为掩模形成的PMOS外延层的间距减小，提高外延层对沟道区的压应力，但同时也会减小位于NMOS晶体管上的侧墙，变薄的侧墙对栅极结构将不能起到较佳的保护作用，甚至造成NMOS的栅极结构暴露在后续的PMOS外延层生长环境中，降低NMOS器件的可靠性。同样地，若形成NMOS的外延层时，也会同样发生上述问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，提高两侧外延层对沟道区的应力，提高晶体管性能。为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口 ；
通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通， 且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；在所述第一开口和第二开口内形成外延层。可选的，所述第二开口具有靠近侧墙一侧的侧壁及靠近衬底一侧的侧壁，其中，所述靠近衬底一侧的侧壁与衬底表面所成角度范围为63 90度。可选的，形成所述第一开口的方法为等离子体刻蚀。可选的，形成所述第二开口的方法为各向异性的湿法刻蚀。可选的，所述刻蚀溶液为氢氧化钾。可选的，所述氢氧化钾溶液中，氢氧化钾与水的体积比范围为10 40%。可选的，所述刻蚀溶液为四甲基氢氧化铵。可选的，所述四甲基氢氧化铵溶液中，四甲基氢氧化铵与水的体积比范围为1 20%。可选的，所述刻蚀溶液的刻蚀时间范围为3 200S，刻蚀温度范围为20 100°C。可选的，所述侧墙的宽度范围为15 20nm。可选的，所述第二开口靠近侧墙一侧的侧壁的长度范围1 20nm。可选的，形成所述第二开口后，还包括对第一开口和第二开口进行退火工艺。可选的，所述退火工艺参数为氢气的流量为20 50slm，退火时间为60 120S， 退火温度800 850°C，腔室压强为1 700Torr。本发明还提供一种半导体器件，包括衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；位于所述侧墙两侧衬底内的第一开口，及位于所述侧墙下方，且邻近侧墙的第二开口，所述第一开口和第二开口贯通；填充第一开口内和第二开口内的外延层。可选的，所述侧墙的宽度范围为15 20nm。可选的，所述第二开口靠近侧墙一侧的侧壁的长度范围1 20nm。可选的，所述第二开口具有靠近侧墙的侧壁及靠近衬底的侧壁，其中，所述靠近衬底的侧壁与衬底表面所成角度范围为63 90度。与现有技术相比，本发明具有以下优点 通过刻蚀溶液刻蚀第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近，减小后续形成的源区和漏区的间距，即减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，提高了两侧外延层对沟道区的应力，提高所述晶体管的性能， 若为PMOS晶体管，则增加了外延层对沟道区的压应力；若为NMOS晶体管，则增加了外延层对沟道区的拉应力。进一步地，仅仅只对第一开口内进行刻蚀形成第二开口，不需要减小侧墙的宽度， 即可以减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，不会对其他需要侧墙保护的器件造成影响。
图1是本发明一个实施例的半导体器件的形成方法流程示意图；图2 图5为本发明一个实施例的半导体器件的形成方法的剖面结构示意图。
具体实施例方式现有技术在形成外延层时，通过减小位于栅极结构上的侧墙宽度，使得以所述侧墙为掩模形成的外延层的间距减小，提高外延层对沟道区的应力，但同时也会减小位于其他不需形成外延层晶体管上的侧墙，变薄的侧墙对其他晶体管的栅极结构将不能起到较佳的保护作用，甚至造成所述栅极结构暴露在后续的外延层生长环境中，降低半导体器件的
可靠性。为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口 ；通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；在所述第一开口和第二开口内形成外延层。图1为本发明一个实施例半导体器件的形成方法流程示意图，参考图1，包括步骤Si，提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧
掉工回；步骤S2，以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口 ；步骤S3，通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；步骤S4，对所述第一开口和第二开口进行退火工艺；步骤S5，在所述第一开口和第二开口内形成外延层。为了使本领域技术人员更好的理解本发明，下面结合附图以及具体实施例进行详细说明本发明一个实施例的半导体器件的形成方法。所述外延层可以为硅锗外延层、硅锗硼外延层、硅碳外延层或硅碳磷外延层之一。本实施例中，所述外延层为硅锗外延层。如图2所示，首先提供衬底100，所述衬底100内形成有隔离区110。本实施例中所述衬底100为按晶面100排布的衬底，即所述衬底100的表面为100晶面，与所述衬底100 表面垂直的晶面为110晶面。在所述衬底100表面上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层210和位于所述栅介质层210上的栅极220。所述衬底100可以是硅基底，隔离结构110可以是氧化硅浅沟槽隔离结构。栅介质层210的材料可以是氧化硅，栅极220的材料可以是掺杂多晶硅、金属、金属硅化物或其他导电材料。本实施例中，需要形成的外延层为PMOS晶体管的外延层，所述衬底100为N 型衬底。继续参考图2，所述栅极结构的表面还形成有侧墙230，所述侧墙230将作为掩膜， 对栅极结构两侧的衬底100进行刻蚀，以形成第一开口。进一步地，在半导体制造工艺中，所述侧墙还形成在匪OS器件区(未图示)，用于对所述NMOS器件的栅极结构进行保护，避免所述栅极结构在后续外延生长环境下受到损伤。其中，所述侧墙230的材料为氧化硅或者氮化硅，或者氧化硅和氮化硅的组合。所述侧墙230的宽度范围为15 20nm。本实施例中，所述侧墙230的宽度为20nm。对应的， 本实施例中，所述侧墙宽度可以对NMOS上的栅极结构起到足够保护的作用。作为其他实施例，所述侧墙宽度可以根据实际的工艺要求而设定。
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如图3所示，以所述侧墙230为掩膜，对位于所述栅极结构两侧的衬底进行刻蚀， 以形成第一开口 300a，用以在后续形成外延层，所述第一开口 300a采用等离子刻蚀方法形成。以所述侧墙230为掩膜的刻蚀，为具有较高能量的等离子仅沿所述侧墙230方向纵向进行的刻蚀，所述第一开口 300a为矩形，位于所述侧墙230下方的衬底100未被刻蚀， 或仅有少量被刻蚀。进一步地，在进行外延工艺前，需要将上述结构在酸槽内进行清洗处理，以去除位于第一开口 300a内的颗粒和有机物。如图4所示，对所述衬底100进行各向异性或各向同性的刻蚀，形成第二开口 300b。其中，所述第二开口 300b位于侧墙230下方，邻近所述侧墙230，且所述第二开口 300b与所述第一开口 300a贯通。进一步地，所述第二开口 300b具有靠近侧墙230 —侧的侧壁及靠近衬底100 —侧的侧壁，其中，所述靠近衬底100 —侧的侧壁与衬底100表面所成角度范围为63 90度。 其中，所述第二开口 300b靠近侧墙230 —侧的侧壁的长度范围为1 20nm。本实施例中， 所述第二开口 300b靠近侧墙230 —侧的侧壁的长度20nm。具体地形成所述第二开口 300b的刻蚀方法为湿法刻蚀。作为一个实施例，所述刻蚀溶液为氢氧化钾，所述氢氧化钾溶液中，氢氧化钾与水的体积比范围为10 40%。作为其他实施例，所述刻蚀溶液为四甲基氢氧化铵，所述四甲基氢氧化铵溶液中，四甲基氢氧化铵与水的体积比范围为1 20%。其中，所述刻蚀溶液，包括氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵溶液的刻蚀时间范围为3 200S，刻蚀温度范围为20 100°C。发明人通过实验发现，氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵对于衬底100不同的晶向的刻蚀速率是不同的如本发明中，所述第一开口 300a的底部为材料的100晶面，与所述底部垂直的侧壁为110晶面，所述刻蚀溶液如氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵对于110晶面的刻蚀速率高于100晶面的刻蚀速率，为各向异性的刻蚀过程。区别于定向刻蚀的等离子体刻蚀，本实施例中，刻蚀溶液进行的刻蚀具有较强的横向刻蚀效果，形成位于侧墙230下方且与所述侧墙230邻近的第二开口 300b。进一步地，通过刻蚀溶液对第一开口 300a进行各向异性的刻蚀，形成有第二开口 300b，所述第二开口 300b主要是在第一开口 300a的基础上有侧向尺寸的加大，在纵向上基本没有或只有少许的尺寸加大。进一步地，发明人在实验中发现，通过所述刻蚀溶液的刻蚀形成的第二开口 300b的侧壁为倾斜状。即第二开口 300b邻近侧墙230的侧壁开口大于邻近底部的侧壁开口。作为其他实施例，还可以通过对所述第二开口 300b进行修复刻蚀，使所述第二开口 300b邻近侧墙230的侧壁开口等于邻近底部的侧壁开口，进而使得所述第二开口 300a 靠近衬底100的侧壁为垂直状。后续将在所述第一开口 300a和第二开口 300b内形成外延层，而所述外延层将形成源区和漏区，在该步骤中，通过湿法刻蚀形成第二开口 300b，且所述第二开口 300b邻近侧墙230的尺寸大于邻近底部的尺寸，主要减小了后续形成的源区和漏区的间距，即减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，提高了两侧外延层对沟道区的应力，本实施例中为外延层为PMOS晶体管中的外延层，则对应提高两侧外延层对沟道区的压应力。作为其他实施例，若所述外延层为NMOS晶体管的外延层，则对应提高两侧外延层对沟道区的拉应力。进一步地，仅仅只对第一开口 300a内进行湿法刻蚀，形成第二开口 300b，不需要减小侧墙230的宽度，不会对其他需要侧墙保护的器件，如NMOS器件造成影响。接着，对所述第一开口 300a和第二开口 300b进行退火工艺，所述退火工艺可以进一步去除第一开口 300a和第二开口 300b内表面的氧化物，及其在无尘室空间带来的水分、碳氢有机物等杂质。所述退火工艺的参数包括氢气的流量为20 50slm，退火时间为 60 120S，退火温度800 850°C，腔室压强为1 700Torr。作为一个实施例，所述氢气流量为20slm，退火时间为80S，退火温度为800°C，腔室压强为500Torr。如图5所示，通过选择性外延生长工艺，在所述第一开口 300a和第二开口 300b内形成外延层，所述外延层的厚度范围为300 600埃；本实施例中，所述外延层厚度为300 埃。其中，所述选择性外延生长的腔室压强范围为1 20torr，温度范围为550 800°C。所述选择性外延生长的反应气体至少包含有含硅气体和含锗气体。优选地，所述腔室压强为lOtorr，温度为600°C。上述含硅气体的总流量范围为30 300sCCm。所述含锗气体的流量范围为5 500sccmo所述反应气体中的含硅气体为硅甲烷、硅乙烷或二氯硅甲烷，所述含锗气体包括锗烷。本实施例中，所述含硅气体的总流量为200sCCm，所述含锗气体的流量为300sCCm。进一步地，所述反应气体还可以包含有氯化氢或氢气，或者同时含有氯化氢和氢气，所述氯化氢气体的流量范围为50 200sCCm，所述氢气的流量范围为5 50slm。本实施例中，所述氯化氢气体的流量为lOOsccm，所述氢气的流量为30slm。其中，所述反应气体中加入氯化氢用以保证外延的选择性。因为在外延锗化硅生长过程中，只需要在开口的硅表面外延生长，其他介电层中不需要形成锗化硅，所以通过加入氯化氢可以避免在介质层上形成锗化硅，以加强形成的外延层的均勻性。现有技术相比，本发明具有以下优点通过刻蚀溶液刻蚀第一开口 300a，形成第二开口 300b，所述第二开口 300b与第一开口 300a贯通，且所述第二开口 300b位于侧墙230下方，且与所述侧墙230邻近，减小后续形成的源区和漏区的间距，即减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，提高了两侧外延层对沟道区的应力，提高所述PMOS晶体管的性能。若为PMOS晶体管，则增加了外延层对沟道区的压应力；若为NMOS晶体管，则增加了外延层对沟道区的拉应力。本实施例中，所述外延层为PMOS晶体管的外延层。进一步地，仅仅只对第一开口 300a内进行刻蚀形成第二开口 300b，不需要减小侧墙230的宽度，即可以减小两侧外延层到沟道区的尺寸，不会对其他需要侧墙保护的器件， 如NMOS器件造成影响。本发明还提供一种半导体器件，包括衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；位于所述侧墙两侧衬底内的第一开口，及位于所述侧墙下方，且邻近侧墙的第二开口，所述第二开口与第一开口贯通；位于第一开口内和第二开口内的外延层。具体地，如图5所示，本发明提供的半导体器件包括衬底100，位于所述衬底100 上的栅极结构及所述栅极结构两侧的侧墙230，所述栅极结构包括依次位于衬底100上的栅极氧化层210及栅极220 ；位于所述侧墙230两侧衬底100内的第一开口 300a，及位于所述侧墙230下方，且邻近侧墙230的第二开口 300b，所述第一开口 300a和第二开口 300b贯通；其中，所述侧墙230的宽度范围为15nm 20nm，所述第二开口 300b邻近侧墙230的尺寸宽度范围Inm 20nm。所述第二开口 300b具有靠近侧墙230的侧壁及靠近衬底100的侧壁，其中，所述靠近衬底100的侧壁与衬底100表面所成角度范围为63 90度。
所述半导体器件还包括填充所述第一开口 300a和第二开口 300b的外延层。所述外延层为硅锗外延层、硅锗硼外延层、硅碳外延层或硅碳磷外延层之一。
以上所述仅为本发明的具体实施例，为了使本领域技术人员更好的理解本发明的精神，然而本发明的保护范围并不以该具体实施例的具体描述为限定范围，任何本领域的技术人员在不脱离本发明精神的范围内，可以对本发明的具体实施例做修改，而不脱离本发明的保护范围。
权利要求
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙； 以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口 ； 通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近； 在所述第一开口和第二开口内形成外延层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口具有靠近侧墙一侧的侧壁及靠近衬底一侧的侧壁，其中，所述靠近衬底一侧的侧壁与衬底表面所成角度范围为63 90度。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的方法为等离子体刻蚀。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口的方法为各向异性的湿法刻蚀。
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氧化钾。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氢氧化钾溶液中，氢氧化钾与水的体积比范围为10 40%。
7.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为四甲基氢氧化铵。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液中，四甲基氢氧化铵与水的体积比范围为1 20%。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀溶液的刻蚀时间范围为3 200S，刻蚀温度范围为20 100°C。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度范围为 15 20nmo
11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二开口靠近侧墙一侧的侧壁的长度范围1 20nm。
12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口后， 还包括对第一开口和第二开口进行退火工艺。
13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺参数为氢气的流量为20 50slm，退火时间为60 120S，退火温度800 850°C，腔室压强为1 700Torr。
14.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；位于所述侧墙两侧衬底内的第一开口，及位于所述侧墙下方，且邻近侧墙的第二开口，所述第二开口与第一开口贯通；位于第一开口和第二开口内的外延层。
15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙的宽度范围为15 20nmo
16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二开口靠近侧墙一侧的侧壁的长度范围1 20nm。
17.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述第二开口具有靠近侧墙的侧壁及靠近衬底的侧壁，其中，所述靠近衬底的侧壁与衬底表面所成角度范围为63 90度。
全文摘要
本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口；通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；在所述第一开口和第二开口内形成外延层。本发明还提供一种半导体器件。本发明通过刻蚀溶液刻蚀第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近，减小后续形成的源区和漏区的间距，即减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，提高了两侧外延层对沟道区的应力，提高所述晶体管的性能。
文档编号H01L21/306GK102487008SQ201010569420
公开日2012年6月6日 申请日期2010年12月1日 优先权日2010年12月1日
发明者何有丰 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司