专利名称：一种磁控溅射靶磁场源的制作方法
技术领域：
本专利内容涉及一种磁控溅射靶磁场源。该磁场源能够产生辐射状环形磁场，可用于磁控溅射镀膜领域。
背景技术：
磁控溅射镀膜技术是一种成熟、应用范围广的薄膜制备技术，在薄膜材料的科学研究、薄膜产品的工业生产中应用很普遍。磁控溅射技术是指在二极溅射技术基础上，施加与电场方向垂直的磁场，使溅射速率增大，并且可以减小沉积薄膜基片的温度升高，因此磁控溅射是一种低温、高效的镀膜技术。如果溅射靶材是圆形的，就需要在两个电极间增加辐射状的磁场，因此就需要一个产生环形辐射状的磁场源。在目前的磁控溅射技术中，所用的辐射状磁场源，均为采用规格相同的小磁性柱，磁场方向一致地排列为一周，在磁柱围成的环形中心放一个磁场方向与外围的磁场方向相反的磁柱，从而形成环形磁场。该磁场源的缺点是外围的小磁柱使用寿命短，另外由于小磁柱间存在相互排斥的磁场力作用，磁柱排放和固定是一个比较困难的问题，因此需要专门的器具。磁控溅射设备中的磁场源是在高温、有冷却水的环境中使用，磁场源很容易损耗，需要定期更换，因此，目前的磁场源的使用成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源能够产生辐射状环形磁场，具有生产和使用成本低、安装方便、使用寿命长等特点。1、本发明涉及到一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源的构成为在一个磁环中间放一个磁柱，磁柱的磁场方向与磁环的磁场方向相反，从而形成辐射状的磁场。2、所用的磁环、磁柱的尺寸和磁控溅射的靶材尺寸有关。
图1为适用于溅射靶材直径为60mm圆形靶的磁场源的结构设计图；图2为适用于溅射靶材直径为50mm圆形靶的磁场源的结构设计图。实施方案实施例1对于溅射靶材为60mm的圆形靶材，其磁场源的结构为(1)环形磁铁外径为58mm，内径为38mm，厚度为10mm，材质为钕铁硼强磁；中间的磁柱直径为18mm，厚度为IOmm ；材质为钕铁硼强磁。(2)将磁环和磁柱放在一个镀铬的铁质圆盘上，铁盘的尺寸为直径60mm，厚度为 2mm。磁场源的具体设计见附图1。实施例2对于溅射靶材为50mm的圆形靶材，其磁场源的结构为
(1)环形磁铁外径为48mm，内径为^mm,厚度为10mm，材质为钕铁硼强磁；中间的磁柱直径为8mm，厚度为IOmm ；材质为钕铁硼强磁。(2)将磁环和磁柱放在一个镀铬的铁质圆盘上，铁盘的尺寸为直径50mm，厚度为 2mm。磁场源的具体设计见附图2。
权利要求
1.一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源的构成为在一个磁环中间放一个磁柱，磁柱的磁场方向与磁环的磁场方向相反，从而形成辐射状的磁场。
2.所用的磁环外径要小于溅射靶材外径2-5mm，磁环和磁柱间的距离为5_20mm。
全文摘要
本发明提供一种磁控溅射靶磁场源，该磁场源能够产生辐射状环形磁场。该磁场源的构成为在一个磁环中间放一个磁柱，磁柱的磁场方向与磁坏的磁场方向相反，从而形成辐射状的磁场。其特征在于能够产生辐射状环形磁场，具有生产和使用成本低、安装方便、使用寿命长等特点。在磁控溅射镀膜领域具有很大的应用价值。
文档编号H01F7/02GK102543354SQ201010587389
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月9日 优先权日2010年12月9日
发明者宋桂林, 尤天友, 常方高, 张基东, 杨海刚, 王天兴 申请人:河南师范大学