专利名称：有机el显示器基板的点灯检查设备及其方法
技术领域：
本发明涉及以主基板为单位实施有机EL面板的显示不良的自动检测和选择以及暗点(缺陷)的自动修正的有机EL显示基板的点灯检查设备以及点灯检查方法、有机EL 显示基板的缺陷检查修正装置以及缺陷检查修正方法、有机EL显示面板修正设备以及修正方法、有机EL显示制造系统以及制造方法。
背景技术：
有机EL(显示器)面板与液晶面板相比颜色范围广、亮度高、响应快、视角宽阔，处理这些优秀的显示性能之外，耗电量低容易实现轻薄化，所以在移动电话、DSC(多功能数码照相机)、PMP (便携式多媒体播放器)等2 4英寸级别的小型面板领域快速地普及扩大。 另一方面，近年来，笔记本PC、监视器、大型TV等需要大型面板的数字产品的应用展开的机会升高，在显示器关联学会和展览会中，相继发表了有源大型有机EL面板的样品，如在 Yang Wan Kim et. al.，SID，09Digest, p. 85(2009)(非专利文献 1)的报告中所示，已经发表了最大对角40英寸的有机EL面板的样品。但是，在今后进行量产时有几个障碍，伴随着大型化，合格率降低这样令人担心情况显现出来。即，面板面积越大，面板单价越高，另一方面缺陷概率增大，合格率降低，所以造成大的损失。因此，如在Tsujimura et. al. , IDW，08 Proceedings p. 145 (2008)(非专利文献2)的报告中指出的那样，为了克服由于缺陷导致的合格率降低，在大型面板中与小型面板不同的高合格率战略变得重要。作为其解决策略的重要途径之一，强烈要求检测并修正缺陷，使不良面板成为合格面板的工业上合理的修正技术。如图1所示，有源型有机EL面板的制造工序一般包括在主基板上形成薄膜TFT 的背板工序；形成有机EL薄膜层、上部电极层、下部电极层、阻挡层等的有机EL膜形成工序；为了抑制水分和活性氧造成的寿命降低，用覆盖玻璃对在上述工序中制成TFT和有机 EL元件的主基板进行气密密封的密封工序；以面板为单位进行切断的切断工序；判定面板的合格与否的点灯检查工序；安装外置LSI的安装工序；判定安装LSI后的面板合格与否的最终点灯检查工序。在上述工序中，背板工序和有机EL膜形成工序，与TFT工序和半导体的晶圆工序相同，由于异物原因的缺陷引起显示不良的可能性非常高。特别是在有机EL 膜形成工序中，有机EL薄膜层的总膜厚为IOOnm左右非常薄，当在上部电极与下部电极之间存在超过有机EL薄膜层的厚度的导电性异物时，上下电极发生短路，成为即使通电也不会点灯的缺陷像素(后述图2)。作为有机EL显示器的缺陷像素的修正技术，至此已知专利文献1、2中记载的技术。根据专利文献1记载的技术，在单纯阵列驱动的被动型有机EL显示器中，通过使用激光从与缺陷像素对应的金属电极去除发生短路等的区域，由此消除金属电极与透明电极之间的短路，部分去除的金属电极与透明电极之间的有机发光层变为能够发光，所以修复缺陷像素。
在专利文献2中公开了缺陷像素修复方法，在由有机发光层和夹着该有机发光层的上下的电极构成的有机EL显示装置中，检查有机EL膜是否发光，当不发光时从透明电极侧检测异物，通过从透明电极侧对包围该异物的带状的区域进行激光照射，带状地去除相向的不透明电极薄膜，由此来消除上下电极的短路。专利文献1 日本特开2001-118684号公报专利文献2 日本特开2005-276600号公报非专利文献1 =Yang Wan Kim et. al.，SID，09Digest, p. 85(2009)非专利文献 2 =Tsujimura et. al.，IDff' 08 Proceedings p. 145(2008)有源型有机EL显示器根据发光的取出方向不同分为两种。一种是穿过成为有机 EL像素基部的主基板取出光的的底部发光型，另一种是在有机EL像素的上方取出光的顶部发光型，为了防止导致发光寿命恶化的水分，用吸湿材料以及覆盖玻璃进行气密密封。无论在哪种情况下，在主基板一侧配置夹着有机发光层的上下的电极薄膜的一方，不对另一方电极薄膜(或者电极薄膜与无机薄膜构成的薄膜层)固体拘束，接触干燥气体。因此，在用于修复缺陷像素的激光照射处理中，激光照射部的物质飞散到干燥气体空间，能够将薄膜层去除加工成希望的形状(后述图幻。在所述专利文献1、2中，因为是没有将一方的电极面空间固体拘束的结构，所以能够通过激光的局部照射消除上下电极的短路原因，能够修复缺陷像素。但是，像在飯田文「有機EL用封止材料」夕-J - > r ^ 7 π夕一、2007 (Νο6)、ρ46 中报告的那样，为了应对有机EL面板的大型化和低成本化的课题，作为新的密封技术，提出了不是上述那样的中空结构，而是通过有机树脂覆盖全体元件的结构，作为当前主流技术不断普及。在该结构中由于元件表面被树脂覆盖，所以没有激光照射部的物质飞散的空间，不能很好地通过消除异物和电极的局部，来消除上下电极的短路(后述图4)。因此，很多时候无法通过激光照射修复缺陷像素，此外，即使能够进行像素修复但工序裕度显著降低。此外，当是有源型有机EL显示器时，因为在以主基板为单位进行了气密密封之后切断面板，以连接端子露出后能够供电的形式的状态对每个面板进行缺陷像素检查，所以要修复有机树脂密封结构的有机EL面板的缺陷像素时，与专利文献1、2的情况不同，有机发光层与夹着有机发光层的上下电极的两面都被固体拘束，所以难以通过激光照射进行修
Μ. ο现在量产的移动电话等产品由于是2 3英寸左右面板尺寸小，所以即使不修复像素也能确保合格率，所以不是大问题，但是如上所述，对于有机树脂密封结构的有机EL 面板，没有有效的缺陷像素修复手段，对于今后开始量产化的大画面有机EL显示器，强烈要求工业上合理的、或生产率高的新的缺陷像素修复手段。作为用于实现生产率高的缺陷像素修复手段的关键点，课题在于即使成为缺陷原因的异物的大小非常微小也能够以高准确率进行检测、找出修复成功率高且能够应对生产线完全自动化的稳定的缺陷修复手段。如前所述，有机EL发光层的总膜厚是IOOnm左右非常薄，因此成为缺陷原因的异物是IOOnm左右的微小物体，这就造成了问题，作为检测异物的观察系统，寻求能够应对该大小的高灵敏度的手段。此外，特别是在顶部发光结构的有机 EL显示器中，由于在有机EL发光层的下层形成TFT图案的情况较多，所以微小异物由于该图案的影响很难检测出。在通过激光照射的像素修复中，根据应去除的异物的大小、形状、 材质的不同，产生能量吸收的差别，在去除性上产生大的偏差，存在缺陷像素修复的成功率降低的问题。对于异物的每一个大小使光束直径变化的方法和扫描光束来去除为希望的形状的方法需要复杂的工序，对于设备的生产线完全自动化成为大的障碍。因此，为了得到在工业上合理的缺陷像素修复手段，谋求能够检测微小缺陷，缺陷修复成功率和稳定性高，参数设定容易，量产性高的缺陷像素修复设备。即使在能够进行缺陷像素修复的面板内部结构是中空结构的面板中，在通过激光照射修复后的像素中，在激光照射部有机EL膜露出，存在由于在面板内部滞留的激光照射飞散物的污染，该像素的发光寿命降低的问题。此外，作为适于有源型有机EL显示器的大型面板结构的另一个候补，具有白色有机EL设备和滤色镜的组合，但在该结构中，需要经由滤色镜的彩色图案来照射激光，所以由于滤色镜的彩色图案导致激光被吸收，难以去除异物，无法修复像素。关于单独的缺陷像素检查技术有如下的课题。即，缺陷像素检查是以面板为单位进行的，所以需要与各种产品尺寸对应的检查装置和检查夹具并且难以实现提高生产率的自动化。此外，由于没有生产线化，在检测缺陷像素时，为了将同时实施的画质检查的结果反馈给前一个工序，所以需要耗费时间，应对提高合格率的对策也耗费时间。
发明内容
因此本发明的第1目的在于提供一种即使最终的面板形态是树脂密封结构也能够修复像素缺陷，缺陷修正后的像素的可靠性高，此外检查修正的处理时间短，或缺陷修正的成功率高、能够自动化并且生产率高的有机EL显示器基板的点灯检查设备或点灯检查方法、有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置或缺陷检查修正方法或有机EL显示器制造系统或制造方法。此外，本发明的第2目的在于提供一种能够检查出微小的缺陷，或/以及像素修复的成功率高、或/以及容易自动化并且生产率高的有机EL显示器面板修正设备以及修正方法。本发明为了达成上述第1目的，第1特征是具有点灯单元，向具有使有机EL元件的各像素点灯的点灯检查用专用配线以及专用电极极板的主基板的所述专用电极极板供电，使所述各像素点灯；以及缺陷像素检测单元，根据所述点灯结果检测所述各像素中的未点灯的缺陷像素及其位置。根据第1发明，能够对于形成了有机EL元件和配线的主基板上的有机EL面板，经由专用配线向各面板的像素供电来进行点灯检查，能够检测非点灯(缺陷)像素。此外，本发明为了达成上述第1目的，在第1特征之上，第2特征是具有缺陷修正设备，其具备光学检查所述缺陷像素的异物的位置的异物位置检查单元和对所述检测出的异物的位置照射激光，修正所述缺陷像素的缺陷修正单元。根据第2发明，由于能够通过使用激光来去除所述像素内的缺陷部位，来进行修复，所以即使最终面板形态是树脂密封结构或组合了滤色镜的结构也能够修复像素缺陷。并且，本发明为了达成上述第1目的，在第2特征之上，第3特征是具有判定单元， 在修正所述缺陷像素后至少向所述缺陷像素供电，判定像素是否点灯。
此外，本发明为了达成上述第1目的，在第2特征之上，特征是具有阻挡膜形成设备，重新形成与修正所述缺陷像素一同被去除的阻挡膜。在H. Lifka et. al.，SID，04 Digest, p. 1384(2004)中公开了恰当的阻挡膜形成方法。更好地列举出了使用了能够以低温并且高低差覆盖性高地使因激光去除而产生的凹部平坦化成膜的有机硅系原料的真空紫外线CVD法，但也可以是具有保护功能的成膜方法，不限定于此。并且，本发明为了达成上述目的，在第2特征之上，第4特征是具有低湿度环境维持单元，将所述点灯检查设备、缺陷修正设备控制在低湿度环境。根据第4特征，通过维持在低湿度环境下，能够确保有机EL面板的发光寿命。作为低湿度环境维持单元考虑水分去除机构或通过非活性干燥气体来维持的构造。此外，本发明为了达成上述第1目的，第5特征是具有成膜组，具备在真空环境中在主(玻璃)基板上使有机EL元件形成材料成膜的有机EL膜形成设备；点灯检查修正组， 其设置在所述成膜组的后级，具备使所述主基板的像素点灯来检查点灯状态检测缺陷像素的点灯检查设备、和根据所述点灯检查设备的检查结果，修正所述缺陷像素的缺陷修正设备；密封组，其设置在所述点灯检查修正组的后级，具有用覆盖玻璃对所述主基板的一面进行密封的密封设备；第1交接设备，其设置在所述成膜组和所述点灯检查修正组之间，进行所述主基板的交接；第2交接设备，其设置在所述点灯检查修正组和所述密封组之间，进行所述主基板的交接；以及输送设备，输送所述主基板。并且本发明为了达成上述第1目的，第6特征是具有成膜步骤，在真空环境中在主(玻璃)基板上使有机EL元件形成材料成膜；点灯步骤，向所述主基板的各像素供电使所述各像素点灯；缺陷像素检测步骤，根据所述点灯结果检测所述各像素中没有点灯的缺陷像素及其位置；缺陷修正步骤，检测所述缺陷像素内的异物并修正所述缺陷像素；以及密封步骤，在修正所述缺陷后将所述主基板的一面密封。根据第5、第6发明，由于像素的点灯检查、修正在密封工序之前实施，所以能够与密封结构无关地进行检查、修正。此外，由于能够以主基板为单位进行检查、修正，所以不需要在以往的以面板为单位的检查、修正的方法中所需要的每个面板尺寸的设备和夹具。此外，由于能够以主基板为单元来处理有机EL设备形成工序到密封工序，所以使得整个生产线容易自动化并且提高生产率。并且，本发明为了达成上述第1目的，在第5特征之上，第7特征是设有全体低湿度环境维持单元，除了所述点灯检查修正组之外，还将所述密封组、所述第1交接设备、所述第2交接设备以及所述输送设备控制在低湿度环境。根据第7发明，因为能够通过环境控制在低湿度的基板输送设备将有机EL设备形成工序、检查修正工序、密封工序连结起来，并将全部工序控制在低湿度，所以能够抑制对面板发光寿命造成影响的湿度。作为在本发明的有机显示器制造系统中使用的有机EL膜成膜设备的优选例子， 列举出了真空成膜设备、涂敷干燥设备、气相成膜设备、激光转写成膜设备等，作为真空成膜设备的具体例子在 Hae Won Kim et. al.，SID，09Digest, p. 1359(2009)中进行了公开， 作为涂敷干燥设备的具体例子，在Siuichi Takei et. al. , SID' 09 Digest，p. 1351中公开了喷墨法，在 Reid J. Chesterfield et. al.，SID，09 Digest, p. 954(2009)中公开了使用喷头打印机的方法，在 Markus Schwambera et. al.，IMID，09 Digest, 1140(2009)中公开了将有机EL材料放置在非活性气流上堆积在基板上的气相成膜法的具体例子，作为把在支持体上成膜的有机EL膜通过激光转写在基板上成膜的激光转写法的具体例子，在 Takashi Hirano et. al.，SID，07 Digest, pl592(2007)中公开了 LIPS 法，在 kong Taek Lee et. al.，SID，07 Digest, pl588(2007)中公开了 LITI法，但也可以是有机EL成膜单元，对于成膜方法没有特别的限定。此外，本发明为了达成上述第1目的，在第2或第5或第6特征之上，第8特征是通过图像捕捉向所述各像素供电后点灯的状态，根据所述图像，以所述面板为单位来检查线缺陷、不均勻、像素内彩色边纹中的至少一种不良，进行良品不良品的判定，所述缺陷修正选出仅具有所述缺陷像素的不良的所述面板，修正所述缺陷像素。根据第8发明，因为能够在去除包含非点灯像素之外的不良的面板之后，为了进行像素缺陷的修复，缩小应该修正的面板的范围，所以生产率提高。并且，本发明为了达成上述第1目的，在第5或第6特征之上，第9特征是具有评价主基板上的下层TFT图案和有机发光层图案之间的图案偏差，将该图案偏差作为偏置值反馈给所述有机EL膜形成设备的像素图案位置对位的单元。例如，在真空成膜设备中由于分离红、蓝、绿各像素形成图案，对每个颜色用遮光板分别涂敷，但随着变成高精掩模或大型掩模，由于结合遮光板的位置的偏差，颜色混合的可能性增加。在有机EL显示器基板的检查修正中，测量在背板形成工序中制作的图案与有机膜图案的偏差，通过将该偏差量作为偏置值反馈给真空成膜设备，来防止遮光板位置对位时的偏差，由此能够提高合格率。此外，本发明为了达成第1目的，在第2或第5特征之上，第10特征是所述缺陷修正设备将所述主基板安放在低湿度环境中，使所述激光经由透明窗照射所述异物。 在本发明的有机EL显示器检查修正设备中，为了确保有机EL面板的发光寿命，优选在该检查修正设备内也具有通过水分去除机构或非活性干燥气体将检查环境以及激光加工环境控制在低湿度的结构，但是，进一步优选为，为了降低非活性干燥气体的使用量和管理结露点，希望成为降低内容积的结构。即，在通过水分去除机构或非活性干燥气体把保持基板的载物台控制在低湿度的结构体中，在该结构体上设有使检查所需的光或激光透过的玻璃窗，点灯检查的检查系统、像素内缺陷的检查系统、修正用激光照射系统在该结构体外，经由所述玻璃窗进行检查修正，通过这样的有机EL显示器检查修正设备以及有机EL显示器制造系统，能够显著降低非活性气体所必要的内容积。进一步，本发明为了达成上述第2目的，第11特征是对通过有机EL元件形成了像素的主基板上的所述像素的缺陷照射激光来修正该缺陷时，根据所述缺陷的位置信息和大小，经由具有使所述激光透过的透光图案的光掩模，对所述缺陷的位置进行照射。根据本发明的第11特征，能够根据检查出的异物的不良像素内的位置和大小，通过光掩模的透光图案来切实修正暗点等缺陷。此外，本发明为了达成上述第2目的，在第11特征之上，第12特征是把非点灯不良像素的图像与正常像素的图像进行比较，检测非点灯不良像素内的所述缺陷的位置和大小。根据本发明的第12特征，本发明的修正设备的观察系统中的微小的缺陷的检测，是通过取得非点灯不良像素的图像与邻接的同色的正常像素的图像的差别图像，能够去除背景信号，提高例如异物的对比度。此外，如顶部发光型结构那样，即使在有机发光层的下层具有TFT图案，在差别图像中这些被消除，仅强调异物，所以容易地检查出异物。检测出的异物由于能够测定不良像素内的位置和大小，所以能够取得位置信息和大小信息，此外， 作为激光照射时的参数，把大小信息按大小进行分类来进行数据存储。并且，本发明为了达成上述第2目的，在第11特征之上，第13特征是所述透光图案是包围所述缺陷的周围，能够带状地去除所述缺陷的周围的图案。根据本发明的第13特征，通过经由设有带状地包围缺陷周围的透光图案的光掩模来进行激光照射，能够提高缺陷修复成功率。如上所述，在想要激光去除含有异物的区域时，由于应去除的异物的大小、形状、材质的差异产生能量吸收的差异，在去除性上产生大的偏差，缺陷像素修复的成功率降低。如果激光不照射异物，而是去除其周边，能够消除电路短路状况，所以像素修复。因此，如果照射包围缺陷的周围，能够带状地去除所述缺陷的周围的透光图案的激光，能够始终去除同质的物质，所以不会受到异物的物性的影响。此外，如果在光掩模中通过能够带状地去除的透光图案生成光束，则不需要根据异物直径调整激光的大小和强度，此外，消除了使激光在异物周围扫描的复杂性。此外，本发明为了达成所述第2目的，在第11特征之上，第1 4特征在于所述透光图案是直径大于所述缺陷的透光图案。根据本发明的第14特征，使用足够超过异物等缺陷的直径的大的光束来照射，按照异物的大小信息，使用比异物直径大且能够缩小去除范围的光掩模图案，经由该光掩模图案在异物位置进行激光照射，由此能够修复像素。此时，通过使用预先提高了光束内强度均勻性的激光，能够始终照射均勻性高的激光，所以能够提高去除稳定性。此外，通过将透光图案的直径设为必要的最小限度，能够抑制加工部面积，能够抑制修复后的像素的亮度降低。并且，本发明为了达成上述第2目的，在第13或第14特征之上，第15特征在于所述光掩模具有多个改变了大小的所述透光图案，结合所述缺陷大小来选择所述透光图案。此外，本发明为了达成上述第2目的，在第13或第14特征之上，第16特征在于具有多个改变了所述透光图案的大小的所述光掩模，与所述缺陷的大小相匹配地选择所述光掩模。根据本发明的第15或第16特征，按照异物的大小信息，选择比异物直径大且能够缩小去除范围的光掩模图案，通过经由该光掩模图案激光照射异物位置，能够修正缺陷。通过将照射直径抑制为较小，能够抑制加工部面积，能够抑制修复后的像素的亮度降低。此外，根据本发明的第13特征和本发明的第15或第16特征，透光图案是包围缺陷的周围，能够带状地去除缺陷的周围的透光图案，通过采用具备改变了该透光图案的大小多个设置的光掩模，与缺陷的大小相匹配地选择使去除区域为最小限度的透光图案来进行激光照射的机构，能够缩短激光照射所需要的时间。即，根据观察系统的异物信息，从存储多个的透光图案中选择最适合的，使光掩模移动到异物正上方来进行激光照射，所以设备动作少。因此，能够缩短像素修复时间，生产率提高。特别是在必须修复多个像素的修正设备中，处理时间的缩短是不可欠缺的，本发明的修正设备在这一点上是有效的结构，所以有利于生产线化。
并且，本发明为了达成上述第2目的，在第13至第14特征的任意一个特征之上， 第17特征在于具备结构体，在该结构体内部具有保持所述主基板的载物台和所述激光照射系统以及所述观察系统，通过水分去除机构或非活性干燥气体将所述构造体的内部控制为低湿度。根据本发明的第17特征，能够确保有机EL显示器面板的发光寿命。此外，本发明为了达成上述第2目的，在第13至第14特征的任意一个特征之上， 第18特征在于具备结构体，在该结构体内部安放保持所述主基板的载物台，进行所述激光照射的激光振荡器设在所述结构体外，经由设在所述结构体上的透过窗照射所述激光。并且，本发明为了达成上述第2目的，在第13至第14特征的任意一个特征之上， 第19特征在于具备结构体，在该结构体内部安放保持所述主基板的载物台，所述观察系统设在所述结构体外，经由设在所述结构体上的透过窗检查所述缺陷的位置和大小。根据本发明的第18或第19特征，为了降低非活性干燥气体的使用量以及结露点管理，能够成为降低了内容积的结构。即，保持基板的载物台处于通过水分去除机构或非活性干燥气体控制在低湿度的结构体中，在该结构体上设有使检查所需的光和激光透过的玻璃窗，像素内缺陷的观察系统、修正用激光照射系统在该结构体之外，经由所述玻璃窗进行修正，通过这样的有机EL显示器检查修正设备，能够显著降低非活性气体所需的内容积。此外，作为与本发明有关联的检测非点灯不良像素的位置的方法的例子，列举了以下的方法对于主基板上的有机EL显示器面板，在背板工序中设有向各面板供电的点灯检查专用配线以及电极，对于该主基板使用专用探针供电使全部像素发光，检测非点灯像素。即使最终面板形式是树脂密封结构或组合了滤色镜的结构，也能够修复像素缺陷。此外，在本发明的有机EL显示器检查修正设备中，通常水平保持基板来对其进行处理，但为了降低设备占用面积，也可以是将基板保持为垂直的结构。根据本发明，能够提供即使最终面板形式是树脂密封结构，缺陷修复后的像素的可靠性高，此外检查修正的处理时间短，或缺陷修正的成功率高，能够自动化生产率高的有机EL显示器基板的点灯检查设备或点灯检查方法、有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置或缺陷检查修正方法或有机EL显示器制造系统或制造方法。此外，根据本发明，能够提供一种能够检测微小缺陷、或/以及像素修复的成功率高、或/以及自动化容易且生产率高的有机EL显示器面板修正设备以及修正方法。
图1是表示有源矩有机EL面板的制造工序的例子的图。
图2是表示像素缺陷的原因的概念图。
图3是表示像素缺陷的修复机制的概念图。
图4是表示不能修复像素缺陷的原因的概念图。
图5是评价的底部发光中空密封的元件剖面图。
图6是评价的底部发光树脂密封的元件剖面图。
图7是评价的顶部发光中空密封的元件剖面图。
图8A是评价的顶部发光树脂密封的元件剖面图。
图8B是表示非点灯缺陷像素的激光修复结构依赖性的比较评价的表，像素修正
13合格率80%以上为良好(〇)、80% 20%为一般(Δ)、20%以下为差(X)。图9是形成像素供电用专用配线和电极极板的主基板的平面图。
图10是表示本发明的一个实施方式的点灯检查设备的结构的图。
图11是表示由点灯检查设备检查出的像素缺陷的坐标的图。
图12是表示本发明一个实施方式的使用激光的缺陷修正设备的结构图。
图13是表示应该修正的像素和像素内缺陷的状况的图。
图14Α是表示使用了光掩模的像素内短路修复的例子。
图14Β是表示使用了光掩模的像素内短路修复的另一个例子。
图15是表示缺陷修正处理前后的像素的状况。
图16是表示本发明的一个实施方式的使用了点灯检查设备、缺陷修正设备时的有源型有机EL面板的制造工序的例子的图O
阅图17是表示本发明的一个实施方式的有机EL显示器制造系统的结构的例子的 。
图18是表示降低充满非活性干燥气体的空间的点灯检查设备的例子的图。
图19是表示降低充满非活性干燥气体的空间的缺陷修正装置的例子的图。
图20是对下层TFT图案和有机发光层图案的偏差进行说明的图。
符号说明
10 有机EL显示器制造系统
20:有机EL膜形成设备组
30 以主基板为单位的像素的点灯检查修正设备组
40 密封设备组45 基板
50,60,80 交接装置51 真空传递室
52 传递室90 传递机器人
IOOa 缺陷像素IOOb 正常像素
IOOc 恢复了发光的像素
IOOd 通过激光照射未修复的像素
101 覆盖玻璃102 树脂层或中空层
103 阻挡膜104 第2电极
105、107 绝缘层106 第1电极
108 处于玻璃板状态的主基板109 配线层
110 =TFT 元件120、120a、120b 有机发光层(膜)
130 导电性异物140 脉冲激光
150 通过激光的飞散物160 中空层
170 通过激光照射生成的开口部180 树脂层
190 激光烧伤部200 第2电极(不透明)
301 面板区域302 显示部区域
303 栅极LSI安装区域304 源极LSI安装区域
305:栅极部供电用电极极板306:栅极部供电配线
307:源极部供电用电极极板308:源极部供电配线
309:第2电极用供电极板310:第2电极供电配线
320 主基板(带有专用供电配线图9)321,803 载物台
322:栅极部供电用探针323:源极部供电用探针
324 线性传感器330 缺陷像素
400 激光振荡器401 激光
402 光束扩展器403 均化器
407、407A 掩模408 掩模载物台
409 成像透镜410,412 半透半反镜
411 物镜413 摄像元件
414 图像处理部415 成像透镜
416 准直透镜417 光源
420 投影光450 观察系统
460 激光照射系统
50IR 红色子像素50IG 绿色子像素
501B 蓝色子像素500R 缺陷像素
510R:恢复了点灯的像素520 激光照射部
600 激光去除部601 遮光部
602 开口部701,702,703 有机EL膜形成设备
704、705:第2电极膜形成设备706 阻挡膜形成设备
710、711、806 点灯检查设备712、713、714、715 缺陷修正设备
721 密封设备800 玻璃窗
802 探针803,813 结构体
804,816 传递室805,812 载物台
810 玻璃窗815 激光修正装置
820 激光照射系统901 栅极线
902 数据线910 有机发光层
具体实施例方式以下，按照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，该实施方式不限定本发明的技术范围。首先，使用图2的顶部发光有源型有机EL显示器的剖面概念图来说明即使通电也不发光的缺陷像素的原因。该设备首先在背板工序中在处于仅是玻璃基板的状态的主基板 108上使用薄膜工序形成TFT元件110、配线层109、绝缘层107、绝缘层105、有机EL部的第 1电极106等。使用遮光板在第1电极106的图案上真空蒸镀有机发光层120(120a、120b) 的图案，并且不打破真空连续地形成第2电极104、形成阻挡膜103，形成有机EL元件。为了防止水分而导致寿命降低和为了机械的保护，使用覆盖玻璃101进行密封，设备完成，但是根据方式的不同，覆盖玻璃与有机EL元件侧基板之间成为树脂层或中空层102。有机发光层120的厚度是IOOnm左右非常薄，当在第1电极106与第2电极104之间存在突破该厚度的大的导电性异物导电130时，第1电极106与第2电极104发生短路，成为不发光的缺陷像素100a。即使异物没有导电性，也存在由于从异物与有机发光层的界面开始的微小漏孔，发生短路的情况。在覆盖玻璃与有机EL元件侧基板之间是中空层的情况下和树脂层的情况下，在激光照射的缺陷修复效果中存在不同，在中空层(结构)的情况下容易修复缺陷。图3是表示在为中空层160的情况下像素缺陷的修复机制的概念图。当对存在异物的场所照射脉冲激光140的光束时，照射部的第2电极104、有机发光层120b、导电性异物130在激光的热冲击下飞散，产生开口部170。没有开口的残余的像素从短路转变为开路，成为恢复发光的像素100c。相对于整个像素面积，如果由激光照射生成的开口部170的面积小，则实际上作为没有问题的像素而发挥作用。另一方面，当覆盖玻璃与有机EL元件侧基板之间是树脂层(结构)180时，难以修复。图4是表示不能修复像素缺陷的原因的概念图。即使对存在异物的场所照射脉冲激光 140的光束，由于被树脂密封，所以不存在由于激光的热冲击产生的分解物飞散的空间，照射部190仅烧伤发光没有恢复(IOOd)。为了在实验上确认这一点，对于顶部发光结构和底部发光结构这两者，关于气体密封后的面板内部结构是中空结构与用有机树脂覆盖整个元件的结构，评价通过激光的局部照射进行的缺陷像素修复的可能性。在图5 图8中表示评价的有源型有机EL面板的剖面概念图。图5是底部发光中空密封的元件剖面图、图6是底部发光树脂密封的元件剖面图、图7是顶部发光中空密封的元件剖面图、图8A是顶部发光树脂密封的元件剖面图。评价面板的非点灯缺陷像素是绿色的子像素(子像素)、异物直径0. 5 2um，激光是532um 的脉冲激光、光束直径是lOum，在适当改变能量密度进行激光照射后，通过点灯检查装置评价了非点灯缺陷像素的修复状态。评价结果如图8B所示。在顶部发光结构与底部发光结构的任意一个中，虽然在中空结构(图5、图7)中缺陷像素的修复成功，但是在有机树脂密封结构(图6、图8A)中即使改变激光条件进行照射，缺陷像素也没有修复。根据以上结果， 确认了在树脂密封结构中难以通过激光照射修复像素。下面说明以上述检验结果为背景得到的本发明的实施例。实施例1图9是本发明实施方式的形成了像素供电用专用配线和电极极板的主基板的平面图。在背板工序中在制造制作了 TFT和配线的主基板320时，为了能够以主基板为单位一起供电，在基板的两边同时制作栅极部供电用电极极板305、栅极部供电配线306、源极部供电用电极极板307、源极部供电配线308、EL元件第2电极用供电焊点309、EL元件第 2电极供电配线310。还同时制作面板点灯所需要的其它配线。此外，在本实施例中采用了从主基板两边供电的结构，但也可以是从1边供电的结构。虽然没有详细地记载，但栅极部供电配线306以及源极部供电配线308进一步分别在门极LSI安装区域303和源极LSI安装区域304分支，到达显示部区域302的各像素。 当有机EL膜形成工序结束时，成为还能够在EL元件第2电极供电的状态，所以通过从这些供电用专用配线施加电压，能够使主基板上的全部像素点灯。在点灯检查后不需要的这些专用电极极板和配线区域，在面板切断工序中从具有显示部区域302的面板区域301切离并被舍弃，不留在产品面板中。图10是表示本发明实施方式的点灯检查设备的结构的图。本装置包含载物台321、栅极部以及有机EL元件第2电极供电用探针322、源极部供电用探针323、具有可动机构的线性传感器324以及图像处理用外部存储装置325。在载物台上放置的带有专用供电配线的主基板320(图9)将探针端子与电极极板接触，通过供电来使全部像素点灯。在主基板320上配置的线性传感器3M扫描点灯基板，对点灯图像进行拍摄。线性传感器的总像素需要具有比主基板320上的全部像素多的像素数，在一台线性传感器的总像素不满足上述数目时，由多个线性传感器分担来取得数据。除了线性传感器之外，也能够使用TDI传感器、区域传感器(TV摄像机)。图11是表示点灯检查设备检查出的像素缺陷的坐标的图。从上述拍摄的图像，检查出如图所示不发光的缺陷像素(暗点)330，对每个面板决定其坐标。关于该坐标点，与后述的缺陷修正设备共享坐标，在向需要修正的不良像素位置进行引导。此外，根据下述算法能够区分应修正的基板和不能修正的基板。S卩，计算出每个面板的缺陷像素的数量，如果检查出在流水线周期内无法修正完的数目的暗点，则判定为不良基板，不向缺陷修正设备输送。在点灯检查中，能够在检查出暗点的同时，检测不能修正的断线和水平差的图像不均勻，但这种情况下也判定为不良基板，不向缺陷修正设备输送。 作为图像不均勻的原因，可以举出因在背板工序的多晶硅形成时产生的受激准分子激光退火不均勻或像素内有机EL图案的偏移导致的像素偏移引起的不均勻等。由此，可以仅修正应该修正的基板，不产生不需要的工作。图12是表示本发明的一个实施方式的缺陷修正设备的结构的一个例子的图。步骤如下所述。即，根据点灯检查设备提取的缺陷像素的坐标数据，通过载物台321移动主基板320，以使缺陷像素位于激光照射系统的正下方。缺陷像素内的异物的位置检测是根据观察系统450拍摄到的像素的图像来进行的，通过激光照射系统460进行激光照射。另外，可以将激光照射系统460移动到缺陷像素的位置，也可以通过已知的光学手段来扫描光路。对缺陷修正设备的结构进行说明。从光源417射出的投影光420通过准直透镜 416变成平行光，在经过半透半反射镜412、410后投影到主基板320上。来自基板的反射光由半透半反射镜412导出，经过成像透镜415由摄像元件413对主基板320上的像素图像进行拍摄。图像由图像处理部414进行处理，计算出异物的位置，将放置在掩模载物台408 上的掩模407精密地移动到异物的位置。通过光束扩展器402把从激光振动器400照射的激光401扩展为规定的光束直径，使用均化器403来确保在激光照射区域整个面上的激光强度的均勻性。使整形后的激光通过设置在掩模载物台408上的掩模407，在进一步通过成像透镜409和物镜411之后， 激光照射到在基板载物台321上安放的主基板320上的修正部位。配置成像透镜409和物镜411，以使掩模407的像投影到主基板320上，按照成像透镜409和物镜411的焦距的倍率的大小，将掩模像投影到主基板320上。通过该光学结构，能够穿过掩模407的透光部分对缩小后的区域照射激光。照射的激光的波长能够从200 IlOOnm的范围来选择。虽然作为典型的波长列举了 266nm、532nm、1064nm等波长，但可以与有机发光层的光吸收特性相匹配地来选择。图13是表示应修正的像素与像素周边的放大图。一个像素由红的子像素501R、绿的子像素501G、蓝的子像素501B这3个子像素构成，大小形状有时相同有时不同。关于非点灯缺陷子像素内的异物的检测，能够通过取得正常的子像素和缺陷子像素的差别图像，提高异物的对比度。由此，能够从IOOnm级别检测亚微米级别的异物的位置。例如，通过取得缺陷像素500R和邻接的相同颜色的正常像素501R的差别图像，能够在明了的图像中检测微小异物502，能够检测微小异物的像素内位置。图14A、图14B表示使用光掩模修复像素内的短路的例子。掩模407具有遮光部 601和在像平面中直径比异物600大的环状的开口部602，按照异物检测的位置信息将掩模 407移动到异物130之上，通过激光照射，以包围缺陷像素330内的异物周边的方式去除第 2电极膜104、阻挡膜103和有机发光膜120b，来消除短路状态。通过照射将异物包含在内的直径的激光去除异物，能够消除短路状态，但异物130由于第2电极膜104、阻挡膜103和有机发光膜120b的光吸收特性以及物理性质不同，去除异物所需的能量根据异物的种类和大小而不同。因此，去除性的裕度小，去除成功率降低，但是当以包围异物周边的方式进行激光照射时，始终去除相同性质的物质，所以去除性的裕度宽。可以把允许像素亮度降低的面积作为上限，足够大于异物直径地预先设定开口部环状的直径。此外，如图14B所示的光掩模407A所示，准备多个环直径不同的图案，根据观察系统450(参照图12)的异物信息，能够与异物的大小相匹配地分开使用，以便大于异物并且使去除面积最小。据此，能够将修复像素的亮度降低限制为最小。作为以包围异物的方式去除周边的激光照射方法，这里所示的使用光掩模的方法处理时间短，修复合格率高，稳定性良好。即，由于预先决定了光束生成条件，光掩模移动时间几乎不占用处理时间，所以能够高速进行处理。图15表示缺陷修正处理前后的像素的状况。对缺陷像素500R的异物502照射激光来消除短路状态，在恢复了点灯的像素510R中激光照射部520成为非发光部。如果该部分的面积比剩余的发光部小，那么在使整个面板点灯时人的眼睛几乎不能识别出。因为正常像素501R与恢复了点灯的像素510R的亮度比与发光部面积成比例，所以可以根据设计者的非发光允许率来规定非发光部，即掩模407的环状的开口部602的直径。例如，如果在 200umx80um的发光面积中非发光允许率为5%，那么最大能够允许16um的直径。在有机EL 膜形成工序中成为问题的异物直径从IOOnm级别到数微米级别，所以即使考虑了对位偏差等精度也能够大裕度地进行激光加工。此外，当在像素内存在应该去除的多个缺陷候补时，在非发光允许面积的范围内， 能够修正多个缺陷。在以上的实施例中，说明了在图1所示的工序中在主基板的状态下检测缺陷并修正的例子，但是也可以根据有机EL显示器面板的结构，如图1所示，以面板为单位来执行。实施例2图16表示本发明实施方式的使用了点灯检查修正装置时的有源型有机EL面板的制造工序的例子。与在图1所示的现有工序中，点灯检查工序以面板为单位进行处理相比， 因为能够以没有进行密封工序的主基板为单位进行点灯检查工序，所以容易实现自动化， 此外，不管面板的密封结构如何，都能够取入可以修正像素缺陷的修正工序，所以能够提高在大型面板中需要的树脂密封结构的面板的合格率。图17表示本发明实施方式的有机EL显示器制造系统的结构的例子。这里，说明通过真空成膜方式进行有机EL膜形成工序的例子。有机EL显示器制造系统10由以下构成使用真空成膜设备的有机EL膜形成设备组20、以主基板为单位的像素的点灯检查修正
18设备组30、密封设备组40构成。整个有机EL膜形成设备组20的一部分已经记载，通过在上游进一步具有所需数量的成膜设备的组来连接。在上游的组中进行了有机膜成膜的基板45经由交接设备50，在真空传递室51中通过传递机器人90交接到有机EL膜形成设备 701、702、703、第2电极膜形成设备704、705、以及阻挡膜形成设备706来进行成膜。根据成膜设备的能力增减真空传递室的数量。点灯检查修正设备组30与组20之间交接基板，并且通过交接设备60连接，该交接设备60具有置换真空和非活性干燥气体环境的功能。从上游送来的基板45，在非活性干燥气体的环境下，在传递室52中由传递机器人90按照工序顺序交接到各设备。首先，用点灯检查设备710检查缺陷像素，之后送到缺陷修正设备712、713、714、715。缺陷修正设备在这里记载为4台，但能够根据设备的能力来进行增减。在修正缺陷后，在以确保可靠性的目的进一步形成阻挡膜时，可以返回组20用阻挡膜形成设备706来形成膜，也可以在点灯检查修正设备组30中附加阻挡膜形成设备来形成膜。修正结束的基板在点灯检查设备 711中确认了修正结果之后，经由交接设备70送到密封设备组40，在非活性干燥气体环境下，用0DF(0ne Drop Fill 滴下式注入法)等密封设备721进行气密密封。完成的基板经由交接设备80被输送到到后面的工序中。如上所述，由于全部的工序能够以主基板为单位进行处理，所以容易实现自动化并且生产率高。实施例3为了确保有机EL面板的发光寿命，在本发明实施方式的检查修正设备内，通过干燥氮气等非活性干燥气体在露点-70°C以下进行管理，为了容易地进行露点管理和节省非活性干燥气体，期望将检查修正设备内的空间降低到最小限度。由于本实施方式的检查修正设备是应用了光学的设备，所以使用以玻璃板作为窗口的框体结构，通过将检测系统和激光照射系统配置在玻璃板外，可以较大地降低非活性干燥气体的空间。图18表示降低充满非活性干燥气体的空间801的点灯检查装置的例子。点灯检查装置806的载物台805、主基板320以及探针802与传递室804相连接，处于具备玻璃窗 800的结构体803中，线性传感器3M在玻璃窗之外，在点灯基板上进行扫描，对点灯图像进行拍摄。图19是表示降低充满非活性干燥气体的空间811的修正装置的例子的图。激光修正装置815载物台812、主基板320与传递室816相连接，位于具备玻璃窗810的结构体 813中，检测系统与激光照射系统820在玻璃窗之外，修正主基板上缺陷像素的异物。根据以上设备结构，能够较大地降低非活性干燥气体充满的空间。实施例4在本发明的实施方式中使用通过激光修正装置的照明系统拍摄的图像，评价下层 TFT图案和有机发光层图案之间的图案偏差，将该图案偏差作为偏置值反馈给有机EL膜成膜设备的像素图案位置对位。图20关于下层TFT图案和有机发光层图案的偏差说明了一例。在背板形成工序中作成栅极线901和数据线902，在真空蒸镀工序中形成有机发光层910(920)。分别把数据线902和栅极线901的图案端面作为χ方向、y方向的基准，预先计算出与正常的有机发光层图案910的端面的距离Xl和yl。关于相互远离的多个像素，测定从拍摄到的有机发光层图案920的基准线开始的位置x2和y2，计算出偏差量Δχ、Δγ。通过将该值作为偏置值反馈给有机发光层成膜工序中的遮光板的位置对位，能够抑制有机发光层图案的偏差。由于有机EL膜成膜工序与测量偏差的检查修正工序是连续的工序，所以能够及时反馈测定结果，能够抑制像素偏差不良的生成。在上述实施方式中通常水平保持基板来进行处理，但是为了降低设备占用面积， 也可以垂直保持基板。产业上的利用可能性如上所述，根据本发明，对于形成了有机EL元件和配线的主基板上的有机EL面板，通过经由专用配线向各面板的像素进行供电，能够进行点灯检查，通过非点灯像素的检测以及用激光去除该像素内的缺陷部位，能够进行修复，所以即使最终面板形式是树脂密封结构也能够修复像素缺陷。此外，能够提供检查修正的处理时间短，缺陷修正的成功率高，因实现自动化生产率提高的检查修正设备以及系统，能够有助于预测今后将普及的大型有机EL显示器的合格率和生产率的提高。此外，如上所述，在本发明的有机EL显示器面板修正设备中，由于能够检查出微小的缺陷，所以能够提供像素修复的成功率高、自动化容易且生产率高的有机EL显示器面板的修正设备，能够有助于预测今后将普及的大型有机EL显示器面板的合格率和生产率的提高。
权利要求
1.一种有机EL显示器基板的点灯检查设备，其特征在于，具有点灯单元，向具有使有机EL元件的各像素点灯的点灯检查用专用配线以及专用电极极板的主基板的所述专用电极极板供电，使所述各像素点灯；以及缺陷像素检测单元，根据所述点灯结果检测所述各像素中的未点灯的缺陷像素及其位置。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示器基板的点灯检查设备，其特征在于， 所述专用电极极板设在所述主基板的至少一边。
3.根据权利要求1所述的有机EL显示器基板的点灯检查设备，其特征在于，所述主基板具有至少一个面板，所述点灯单元能够至少以面板为单位向所述各像素一起供电。
4.一种有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，具有 权利要求1所述的有机EL显示器基板的点灯检查设备；以及缺陷修正设备，其具备光学检查所述缺陷像素的异物的位置的异物位置检查单元和对所述检测出的异物的位置照射激光，修正所述缺陷像素的缺陷修正单元。
5.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，所述异物位置检查单元是捕捉缺陷像素的图像，与正常像素的图像进行比较，来检测像素内的缺陷及其位置的单元。
6.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，具有阻挡膜形成设备，重新形成在修正所述缺陷像素时一同被去除的阻挡膜。
7.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，具有判定单元，在修正所述缺陷像素后至少向所述缺陷像素供电，判定像素是否点灯。
8.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，具有低湿度环境维持单元，将所述点灯检查设备、所述缺陷修正设备控制为低湿度环境。
9.根据权利要求8所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于， 所述低湿度环境维持单元是去除水分的水分去除单元或维持为非活性干燥气体环境的单元。
10.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，所述缺陷修正设备将所述主基板安放在低湿度环境中，使所述激光经由透明窗照射所述异物。
11.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，所述缺陷像素检测单元是通过图像捕捉向所述像素供电后点灯的状态，处理所述图像来检测所述缺陷像素的单元，所述点灯检查设备具备判定单元，其根据所述图像，以所述面板为单位来检查线缺陷、 不均勻、像素内彩色边纹中的至少一种不良，进行良品不良品的判定，所述缺陷修正设备选出仅具有所述缺陷像素的不良的所述面板，修正所述缺陷像素。
12.根据权利要求4所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置，其特征在于，所述缺陷像素检测单元是通过图像捕捉所述点灯的状态，处理所述图像检测所述缺陷像素的单元，所述主基板具有至少一个面板，所述缺陷修正设备，在所述面板内的所述缺陷像素在规定的个数以内时，修正所述面板的所述缺陷像素。
13.一种有机EL显示器基板的点灯检查方法，其特征在于，具有点灯步骤，向具有使有机EL元件的各像素点灯的点灯检查用专用配线以及专用电极极板的主基板的所述专用电极极板供电，使所述各像素点灯；以及缺陷像素检测步骤，根据所述点灯结果检测所述各像素中的未点灯的缺陷像素及其位置。
14.根据权利要求13所述的有机EL显示器基板的点灯检查方法，其特征在于，所述主基板具有至少一个面板，所述点灯步骤能够至少以面板为单位向所述像素一起{共 ο
15.一种有机EL显示器基板的缺陷检查修正方法，其特征在于，除了权利要求13所述的有机EL显示器基板的点灯检查方法具有的步骤之外，还具有光学检测所述缺陷像素的异物的位置的异物位置检测步骤；以及对所述检测出的异物的位置照射激光，修正所述缺陷像素的缺陷修正步骤。
16.根据权利要求15所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正方法，其特征在于， 所述异物位置检测步骤是捕捉缺陷像素的图像，与正常像素的图像进行比较，检测像素内的缺陷及其位置的步骤。
17.根据权利要求15所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正方法，其特征在于，具有阻挡膜形成步骤，重新形成在修正所述缺陷像素时一同被去除的阻挡膜。
18.根据权利要求15所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正方法，其特征在于，具有判定步骤，在修正所述缺陷像素后至少向所述缺陷像素供电，判定所述缺陷像素是否点大丁 ο
19.根据权利要求15所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正方法，其特征在于， 所述缺陷像素检测步骤通过图像捕捉向所述像素供电后点灯的状态，所述点灯检查方法具备判定步骤，根据所述图像，以所述面板为单元检查线缺陷、不均勻、像素内彩色边纹中的至少一种不良，进行良品不良品的判定，所述缺陷修正步骤选出仅具有所述缺陷像素的不良的所述面板，修正所述缺陷像素。
20.一种有机EL显示器制造系统，其特征在于，具有成膜组，具备在主基板上使有机EL元件形成材料成膜的有机EL膜形成设备； 点灯检查修正组，其设置在所述成膜组的后级，具备使所述主基板的像素点灯来检查点灯状态检测缺陷像素的点灯检查设备、和根据所述点灯检查设备的检查结果，修正所述缺陷像素的缺陷修正设备；密封组，其设置在所述点灯检查修正组的后级，具有用覆盖玻璃对所述主基板的一面进行密封的密封设备；第1交接设备，其设置在所述成膜组和所述点灯检查修正组之间，进行所述主基板的交接；第2交接设备，其设置在所述点灯检查修正组和所述密封组之间，进行所述主基板的交接；以及基板输送设备，输送所述主基板。
21.根据权利要求20所述的有机EL显示器制造系统，其特征在于，所述点灯检查修正组具有权利要求1至3的任意一项所述的有机EL显示器基板的点灯检查设备。
22.根据权利要求20所述的有机EL显示器制造系统，其特征在于，所述点灯检查修正组具有权利要求4至12的任意一项所述的有机EL显示器基板的缺陷检查修正装置。
23.根据权利要求20所述的有机EL显示器制造系统，其特征在于，设有全体低湿度环境维持单元，除了所述点灯检查修正组之外，还将所述密封组、所述第1交接设备、所述第2 交接设备以及所述基板输送设备控制为低湿度环境。
24.根据权利要求20所述的有机EL显示器制造系统，其特征在于，具有评价主基板上的下层TFT图案和有机发光层图案之间的图案偏差，将该图案偏差作为偏置值反馈给所述有机EL膜形成设备的像素图案位置对位的单元。
25.根据权利要求20所述的有机EL显示器制造系统，其特征在于，所述点灯检查修正组具有控制为低湿度环境的低湿度环境维持单元，所述第1交接设备具有从真空环境切换为低湿度环境的环境切换单元。
26.一种有机EL显示器制造方法，其特征在于，具有成膜步骤，在主基板上使有机EL元件形成材料成膜；点灯步骤，向所述主基板的各像素供电使所述各像素点灯；缺陷像素检测步骤，根据所述点灯结果检测所述各像素中没有点灯的缺陷像素及其位置；缺陷修正步骤，检测所述缺陷像素内的异物并修正所述缺陷像素；以及密封步骤，在修正所述缺陷后将所述主基板的一面密封。
27.根据权利要求沈所述的有机EL显示器制造方法，其特征在于，经由在所述主基板上设置的点灯检查用专用配线以及专用电极极板来进行所述供电。
28.根据权利要求沈所述的有机EL显示器制造方法，其特征在于，具有评价主基板上的下层TFT图案和有机发光层图案之间的图案偏差，将该图案偏差作为偏置值反馈给所述有机EL膜形成设备的像素图案位置对位的步骤。
29.一种有机EL显示器面板修正设备，其对通过有机EL元件形成了像素的主基板上的所述像素的缺陷照射激光来修正该缺陷，其特征在于，具有激光照射系统，根据所述缺陷的位置信息和大小，经由具有使所述激光透过的透光图案的光掩模，对所述缺陷的位置进行照射。
30.根据权利要求四所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，具有观察系统，将非点灯不良像素的图像与正常像素的图像进行比较，检测非点灯不良像素内的所述缺陷的位置和大小。
31.根据权利要求四所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，所述透光图案是包围所述缺陷的周围，能够带状地去除所述缺陷的周围的图案。
32.根据权利要求四所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于， 所述透光图案是直径大于所述缺陷的透光图案。
33.根据权利要求31或32所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，具有具备多个大小不同的所述透光图案的所述光掩模，并且具有与所述缺陷的大小相匹配地选择所述透光图案的选择单元。
34.根据权利要求31或32所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，具有多个改变了所述透光图案的大小的所述光掩模，并具有与所述缺陷的大小相匹配地选择所述光掩模的选择单元。
35.根据权利要求四至32的任意一项所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，具备结构体，在该结构体内部具有保持所述主基板的载物台和所述激光照射系统以及所述观察系统，并具有控制单元，通过水分去除机构或非活性干燥气体将所述构造体的内部控制为低湿度。
36.根据权利要求四至32的任意一项所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于，具备结构体，在该结构体内部安放保持所述主基板的载物台，照射所述激光的激光振荡器设在所述结构体外，经由设在所述结构体上的透过窗照射所述激光。
37.根据权利要求30所述的有机EL显示器面板修正设备，其特征在于， 具备结构体，在该结构体内部安放保持所述主基板的载物台，所述观察系统设在所述结构体外，经由设在所述结构体上的透过窗检测所述缺陷的位置和大小。
38.一种有机EL显示器面板修正方法，对通过有机EL元件形成了像素的主基板上的所述像素的缺陷照射激光来修正该缺陷，其特征在于，根据所述缺陷的位置信息和大小，经由具有使所述激光透过的透光图案的光掩模照射所述缺陷的位置。
39.根据权利要求38所述的有机EL显示器面板修正方法，其特征在于，将非点灯不良像素的图像与正常像素的图像进行比较，检测非点灯不良像素内的所述缺陷的位置和大小。
40.根据权利要求38所述的有机EL显示器面板修正方法，其特征在于，所述透光图案是包围所述缺陷的周围，能够带状地去除所述缺陷的周围的图案。
41.根据权利要求38所述的有机EL显示器面板修正方法，其特征在于， 所述透光图案是直径大于所述缺陷的透光图案。
42.根据权利要求40或41所述的有机EL显示器面板修正方法，其特征在于，所述光掩模具有多个改变了大小的所述透光图案，与所述缺陷的大小相匹配地选择所述透光图案。
43.根据权利要求40或41所述的有机EL显示器面板修正方法，其特征在于， 具有多个所述光掩模，所述光掩模具有各个大小不同的所述透光图案，与所述缺陷的大小相匹配地选择所述光掩模。
全文摘要
本发明提供一种有机EL显示器基板的点灯检查设备及其方法，即使最终的面板形式是树脂密封结构也能修复像素缺陷，缺陷修复后的像素的可靠性高，或检查修正的处理时间短、或缺陷修正的成功率高，能够实现自动化且生产率高。在本发明中，向具有使有机EL元件的各像素点灯的点灯检查用专用配线以及专用电极极板的主基板的所述专用电极极板供电，使所述各像素点灯，根据所述点灯结果检测所述各像素中未点灯的缺陷像素及其位置。并且，在密封前对所述缺陷像素的异物照射激光来修复缺陷时，根据所述缺陷的位置信息和大小，经由具有使所述激光透过的透光图案的光掩模照射所述缺陷的位置。
文档编号H01L27/32GK102169094SQ20101061172
公开日2011年8月31日 申请日期2010年12月21日 优先权日2009年12月22日
发明者吉武康裕, 松浦宏育, 片冈文雄 申请人:株式会社日立高新技术