专利名称：表面粘着型发光二极管线架结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种表面粘着型发光二极管线架结构，尤指以厚薄铜金属支架构 造做为基础的表面粘着型发光二极管线架结构。
背景技术：
如图1所示，现有发光二极管结构由一金属支架1、一碗状基座2、一架设于金属支 架上的晶片3、若干导线4、以及一封装体5所构成。前述金属支架1包含一位于中央的晶 片承载部6、若干排列于晶片承载部6两侧的导电端子7，晶片承载部6与两侧的导电端子 7之间相隔有一定位空间8。前述碗状基座2射出成型于金属支架1上，以填入定位空间8中，且局部附着于晶 片承载部6、导电端子7之上，并于晶片承载部6及导电端子7的顶面形成一碗状容置空间 (制程上称为线架成型)；晶片3架设在晶片承载部6上(制程上称为固晶)，各导线4连 接于晶片3与导电端子间7 (制程上称为制程上称为打线)；封装体5填充于碗状基座2内 而将晶片3与导线4封装固定(制程上称为封装)。经过上述制造阶段后，再将发光二极管半成品自金属钣片上切断分离(制程上称 为切断)，最后经弯折工序将导电端子7向下弯折形成焊接端，即完成各个独立的发光二极 管。但上述结构使用在高亮度发光二极管时，因封装体5为环氧树脂，且碗状基座2包覆于 金属支架1的底面，故导热性较差，以致发光二极管在长期使用下不易散热，容易造成发光 二极管过热而降低使用寿命。因此，如图2所示，为加强散热效果，第二种现有方式于金属支架1冲压出下凹的 晶片承载部6，经由线架成型、固晶、打线、封装、切断等步骤，完成发光二极管半成品，最后 经弯折工序将导电端子7向下弯折成阶梯状，使其晶片承载部6与导电端子7的底面位于 同一基准面，令发光二极管能平稳架设于电路板上，并藉由晶片承载部底面传导散热，进而 增加发光二极管的使用寿命。但在上述制程中，于弯折时晶片承载部与导电端子的底面若产生过大的落差，除 了造成架设不平整的问题外，还会影响架设后的光照角度，因此弯折工序必须采用较高精 确度的加工手段，才能使导电端子的底面对齐至预期的基准面上，且弯折前必须保留导电 端子的弯折裕度，以防止金属弹性应力造成弯折后偏斜而影响精确度，不但降低发光二极 管的产制良率，而且发光二极管的体积亦因导电端子须事后弯折而无法再为缩减。有鉴于此，本创作人以一种独特的金属支架构造做为基础，使发光二极管具有快 速散热的功能，且不需对导电端子进行弯折，让发光二极管更容易朝向薄型化发展，有效降 低产业成本与制造工序。但是本创作人在设计过程中发现，发光二极管与电路之间作动时产生的静电容易 导致晶片的损坏，尤其对愈精密、体积小的发光二极管耗损愈大，因此，薄形化的发光二极 管另一项需克服是静电产生的问题。为解决静电对发光二极管的影响，现有作法是将LED晶片与一种消除静电晶片一同封装在晶片承载部，以防止静电对发光二极管的损坏，对但此种消除静电晶片多为黑色 外观且具有吸收5% 10%光照亮度的效果，使得发光二极管的整体亮度下降，故若能解 决抗静电晶片吸收光照效果的问题，将能使表面粘着型发光二极管线架结构更加完善。
发明内容本实用新型的主要目的在于以一种独特的金属支架做为基础，使发光二极管具有 快速散热的功能，并解决因安装消除静电晶片而降低亮度的问题。为达成上述目的，本实用新型表面粘着型发光二极管线架结构由一厚薄铜金属支 架，以及一碗状基座所组成，其中所述碗状基座顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并以射出成型包射于厚薄铜金属 支架上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片设置的第一容置空 间、至少一位于第一容置空间侧边供消除静电晶片设置的第二容置空间、以及至少一区隔 第一、第二容置空间的凸肋；前述凸肋区隔第一容置空间与第二容置空间，避免LED晶片亮 度被消除静电晶片吸收，又达到消除静电功能的成效。实施时，所述厚薄铜金属支架进一步包含一晶片承载部、若干排列于晶片承载部 两侧的导接部，晶片承载部与两侧的导接部之间相隔有定位空间，前述碗状基座包射于厚 薄铜金属支架，填充于定位空间内，且令晶片承载部与导接部的顶面与底面裸露，其裸露的 顶面可供后续固晶阶段植入LED晶片与消除静电晶片；裸露的底面可提供发光二极管完成 品在后续使用时，直接焊接于电路板上，并作为散热用途。在上述结构中，晶片承载部顶面与碗状基座的第一容置空间相对应，以供LED晶 片植入；导接部顶面与第二容置空间相对应，以供消除静电晶片植入；晶片承载部顶面与 导接部顶面之间相隔有前述凸肋，所述凸肋可避免LED晶片亮度被消除静电晶片吸收，使 发光二极管维持原有亮度。再者，所述厚薄铜金属支架的成型过程为一备有厚度的金属钣片，其金属钣片的 底面具有多个平行排列并向上凹陷的凹沟，再以冲压或者切削加工方式令金属钣片形成具 有多个整齐排列的厚薄铜金属支架，让每一厚薄铜金属支架具有前述的晶片承载部、导接 部、以及定位空间。前述厚薄铜金属支架的晶片承载部与导接部的顶面位于相同的上基准面、底面位 于相同的下基准面，而晶片承载部与导接部之间的定位空间与前述金属钣片的凹沟相对应 而呈现上凹态样，以利碗状基座包射固定。前述碗状基座包射于厚薄铜金属支架上，令晶片承载部与导接部裸露的底面形成 散热端及焊接端，提供发光二极管完成品在后续使用时，直接将导接部的焊接端焊接于电 路板上，不需对导接部再进行弯折，而晶片承载部底面裸露的散热端能直接作为散热用途， 以延长发光二极管的使用寿命。且因晶片承载部及导接部的底面保持在相同的下基准面， 有利于生产出厚度更薄、精确度更高的发光二极管，能有效降低产业成本提升产品品质。此外，为增加本实用新型使用在不同产品上的机会，其厚薄铜金属支架也可进一 步设置一下凹的晶片承载部，让发光二极管晶片的光源更佳集中；或令晶片承载部位于厚 薄铜金属支架的其中一侧；或者令晶片承载部为下凹形且位于厚薄铜金属支架的其中一 侧；上述各式实施例使本实用新型能被运用于不同规格的发光二极管上，增加本实用新型的利用性。.相较于现有技术，本实用新型于碗状基座内设置凸肋，有效集中LED晶片的光照 效果，解决消除静电晶片吸收光照亮度的问题，并在晶片承载部的底面直接进行散热，免除 弯折工序，有效降低产业成本，提升产制效率。
图1是现有发光二极管的结构示意图(一)；图2是现有发光二极管的结构示意图(二)；图3是本实用新型第一实施例的外观立体图；图4是本实用新型第一实施例的LED晶片与消除静电晶片设置位置示意图；图5是本实用新型第一实施例的侧面剖视图；图6是本实用新型第一实施例的金属钣片剖视示意图；图7是本实用新型第二实施例的外观立体图；图8是本实用新型第三实施例的外观立体图；图9是本实用新型第四实施例的外观立体图。附图标记说明100_金属钣片；101-凹沟；10-厚薄铜金属支架；11-晶片承载部； 111-散热端；12-导接部；121-焊接端；13-定位空间；20-碗状基座；21-第一容置空间； 22-第二容置空间；23-凸肋；30-LED晶片；40-消除静电晶片。
具体实施方式
如图3和图4所示，本实用新型第一实施例的外观立体图及LED晶片与消除静电 晶片设置位置示意图，图中揭示本实用新型表面粘着型发光二极管线架结构由一厚薄铜金 属支架10，以及一碗状基座20所组成，其中所述碗状基座20顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并以射出成型包射于厚薄铜 金属支架10上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片30设置的 第一容置空间21、至少一位于第一容置空间21侧边供消除静电晶片40设置的第二容置空 间22、以及至少一区隔第一、第二容置空间21、22的凸肋23 ；前述凸肋23区隔第一容置空 间21与第二容置空间22，避免LED晶片30亮度被消除静电晶片40吸收，又达到消除静电 功能的成效。实施时，所述厚薄铜金属支架10进一步包含一晶片承载部11、若干排列于晶片承 载部11两侧的导接部12，晶片承载部11与两侧的导接部12之间相隔有定位空间13，前述 碗状基座20包射于厚薄铜金属支架10，填充于定位空间13内，且令晶片承载部11与导接 部12的顶面与底面裸露，其裸露的顶面可供后续固晶阶段植入LED晶片与消除静电晶片； 裸露的底面可提供发光二极管完成品在后续使用时，直接焊接于电路板上，并作为散热用 途。请参阅图4和图5所示，在上述结构中，晶片承载部11顶面与碗状基座20的第一 容置空间21相对应，以供LED晶片30植入；导接部12顶面与第二容置空间22相对应，以 供消除静电晶片40植入；晶片承载部11顶面与导接部12顶面之间相隔有前述凸肋23，所 述凸肋23可避免LED晶片30亮度被消除静电晶片40吸收，使发光二极管维持原有亮度。[0034]请一并参阅图6所示，所述厚薄铜金属支架10的成型过程为一备有厚度的金属钣 片100，其金属钣片100的底面具有多个平行排列并向上凹陷的凹沟101，再以冲压或者切 削加工方式令金属钣片100形成具有多个整齐排列的厚薄铜金属支架10，让每一厚薄铜金 属支架10具有前述的晶片承载部11、导接部12、以及定位空间13。前述厚薄铜金属支架10的晶片承载部11与导接部12的顶面位于相同的上基准 面、底面位于相同的下基准面，而晶片承载部11与导接部12之间的定位空间13与前述金 属钣片100的凹沟101相对应而呈现上凹态样，以利碗状基座20包射固定。前述碗状基座20包射于厚薄铜金属支架10上，令晶片承载部11与导接部12裸 露的底面形成散热端111及焊接端121，提供发光二极管完成品在后续使用时，直接将导接 部12的焊接端121焊接于电路板上，不需对导接部12再进行弯折，而晶片承载部11底面 裸露的散热端111能直接作为散热用途，以延长发光二极管的使用寿命，且因晶片承载部 11及导接部12的底面保持在相同的下基准面，有利于生产出厚度更薄、精确度更高的发光 二极管，能有效降低产业成本，同时也提升产品品质。请参阅图7至图9，本实用新型的第二、第三、以及第四实施例，如图7所示，其厚薄 铜金属支架10进一步设置一下凹的晶片承载部11，让发光二极管晶片的光源更佳集中；或 如图8所示，晶片承载部11位于厚薄铜金属支架10的其中一侧；或如图9所示，晶片承载 部11为下凹形且位于厚薄铜金属支架10的其中一侧；上述各式实施例使本实用新型能被 运用于不同规格的发光二极管上，增加本实用新型使用在不同产品的机会。但是，以之实施说明及图式所示，是举例说明本实用新型的较佳实施例者，并非以 此局限本实用新型。是以，举凡与本实用新型的构造、装置、特征等近似或相雷同者，均应属 本实用新型的创设目的及申请专利范围之内。
权利要求一种表面粘着型发光二极管线架结构，由一厚薄铜金属支架，以及一碗状基座所组成，其特征在于所述碗状基座顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并以射出成型包射于厚薄铜金属支架上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一设置LED晶片的第一容置空间、至少一位于第一容置空间侧边设置消除静电晶片的第二容置空间，以及至少一区隔所述第一容置空间与所述第二容置空间的凸肋；所述厚薄铜金属支架包含一顶面裸露于第一容置空间内的晶片承载部以及多个排列于所述晶片承载部两侧裸露于所述第二容置空间内的导接部，所述晶片承载部与两侧的导接部之间相隔有定位空间，所述晶片承载部裸露的底面为散热端，所述导接部裸露的底面为焊接端。
2.根据权利要求1所述的表面粘着型发光二极管线架结构，其特征在于，所述厚薄铜 金属支架的晶片承载部与所述导接部的顶面位于相同的上基准面，所述厚薄铜金属支架的 晶片承载部与所述导接部的底面位于相同的下基准面。
3.根据权利要求2所述的表面粘着型发光二极管线架结构，其特征在于，所述厚薄铜 金属支架进一步包含一下凹形的晶片承载部。
4.根据权利要求2所述的表面粘着型发光二极管线架结构，其特征在于，所述晶片承 载部位于所述厚薄铜金属支架的其中一侧。
5.根据权利要求2项所述的表面粘着型发光二极管线架结构，其特征在于，晶片承载 部为下凹形且位于所述厚薄铜金属支架的其中一侧。
专利摘要本实用新型提供了一种表面粘着型发光二极管线架结构，由一厚薄铜金属支架，以及一碗状基座所组成，其中，所述碗状基座以射出成型包射于厚薄铜金属支架上，并于凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片设置的第一容置空间、至少一位于第一容置空间侧边供消除静电晶片设置的第二容置空间、以及至少一区隔第一、第二容置空间的凸肋；前述凸肋区隔第一容置空间与第二容置空间，可以解决发光二极管因安装消除静电晶片而降低亮度的问题。此外，碗状基座令厚薄铜金属支架底面裸露，形成散热端及焊接端，使用时可以达到散热与提升产制效率的目的。
文档编号H01L23/367GK201608176SQ20102011252
公开日2010年10月13日 申请日期2010年2月5日 优先权日2010年2月5日
发明者陈永华 申请人:陈永华