专利名称：发光二极管引线架结构的制作方法
技术领域：
本实用新型为一种关于发光二极管引线架结构，尤指以独特金属支架构造作为基 础的发光二极管引线架结构。
背景技术：
如图1所示，现有发光二极管结构由一金属支架1、一碗状基座2、一架设于金属支 架上的晶片3、若干导线4、以及一封装体5所构成。所述金属支架1包含一位于中央的晶 片承载部6、若干排列于晶片承载部6两侧的导电端子7，晶片承载部6与两侧的导电端子 7之间相隔有一定位空间8。所述碗状基座2射出成型于金属支架1上，以填入定位空间8中，且局部附着于晶 片承载部6、导电端子7之上，并于晶片承载部6及导电端子7的顶面形成一碗状容置空间 (制程上称为线架成型)；晶片3架设在晶片承载部6上(制程上称为固晶)，各导线4连 接于晶片3与导电端子间7(制程上称为打线)；封装体5填充于碗状基座2内而将晶片3 与导线4封装固定(制程上称为封装)。经过上述制造阶段后，再将发光二极管半成品自金属钣片上切断分离(制程上称 为切断)，最后经弯折工序将导电端子7向下弯折形成焊接端，即完成各个独立的发光二极 管。但上述结构使用在高亮度发光二极管时，因封装体5为环氧树脂，且碗状基座2包覆于 金属支架1的底面，因此导热性较差，以致发光二极管在长期使用下不易散热，容易造成发 光二极管过热而降低使用寿命。因此，如图2所示，为加强散热效果，第二种现有方式是于金属支架1冲压出下凹 的晶片承载部6，经由线架成型、固晶、打线、封装、切断等步骤，完成发光二极管半成品，最 后经弯折工序将导电端子7向下弯折成阶梯状，使其晶片承载部6与导电端子7的底面位 于同一基准面，令发光二极管能平稳架设于电路板上，并通过晶片承载部底面传导散热，进 而增加发光二极管的使用寿命。但在上述制程中，在弯折时晶片承载部与导电端子的底面若产生过大的落差，除 了造成架设不平整的问题外，还会影响架设后的光照角度，因此弯折工序必须采用较高精 确度的加工手段，才能使导电端子的底面对齐至预期的基准面上，且弯折前必须保留导电 端子的弯折裕度，以防止金属弹性应力造成弯折后偏斜而影响精确度，不但降低发光二极 管的产制良率，而且发光二极管的体积亦因导电端子须事后弯折而无法再为缩减。有鉴于此，本创作人是以一种独特的金属支架构造做为基础，使发光二极管具有 快速散热的功能，且不需在封装阶段后对导电端子再进行弯折，让发光二极管更容易朝向 薄型化发展，有效降低产业成本与制造工序。但是本创作人在设计过程中发现，发光二极管与电路之间作动时产生的静电容易 导致晶片的损坏，尤其对愈精密、体积小的发光二极管耗损愈大，因此，薄形化的发光二极 管另一项需克服是静电产生的问题。为解决静电对发光二极管的影响，现有作法是将LED晶片与一种消除静电晶片一同封装在晶片承载部，以防止静电对发光二极管的损坏，对但此种消除静电晶片多为黑色 外观且具有吸收5% 10%光照亮度的效果，使得发光二极管的整体亮度下降，因此若能 解决抗静电晶片吸收光照效果的问题，将能使发光二极管引线架结构更加完善。
发明内容本实用新型的主要目的在于提供一种发光二极管引线架结构，以一种独特的金属 支架作为基础，使发光二极管具有快速散热的功能，并解决因安装消除静电晶片而降低亮 度的问题。为达成上述目的，本实用新型所述的发光二极管引线架结构是由一金属支架，以 及一碗状基座所组成，其中所述碗状基座顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并以射出成型包射于金属支架 上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片设置的第一容置空间、 至少一位于第一容置空间侧边供消除静电晶片设置的第二容置空间，以及至少一区隔所述 第一容置空间和所述第二容置空间的凸肋；所述凸肋区隔第一容置空间与第二容置空间， 可阻隔LED晶片亮度被消除静电晶片吸收，又达到消除静电的成效。实施时，所述金属支架进一步包含一晶片承载部、多个排列于晶片承载部两侧的 导电端子，晶片承载部与两侧的导电端子之间连接有上凸部，所述上凸部下缘为定位空间， 所述碗状基座包射于金属支架，填充于定位空间内，且令晶片承载部与上凸部的顶面裸露， 以供后续固晶阶段植入LED晶片与消除静电晶片。在上述结构中，所述晶片承载部与碗状基座的第一容置空间相对应，以供LED晶 片植入；所述上凸部与第二容置空间相对应，以供消除静电晶片植入；晶片承载部顶面与 上凸部顶面之间相隔有所述凸肋，所述凸肋可避免LED晶片亮度被消除静电晶片吸收，使 发光二极管维持原有亮度。再者，碗状基座令晶片承载部与导电端子裸露的底面形成散热端及焊接端，以提 供发光二极管完成品在后续使用时，直接将导电端子的焊接端焊接于电路板上，而晶片承 载部底面裸露的散热端能直接作为散热用途，延长发光二极管的使用寿命。所述金属支架的成型过程是一薄片状金属钣片，利用冲压手段将金属钣片冲出多 个整齐排列的金属支架，令每一金属支架具有所述的晶片承载部、导电端子、以及上凸部与 定位空间，其中，所述晶片承载部为一下凹盘状，所述导电端子冲压弯折成阶梯状，使导电 端子末端底面与晶片承载部底面位于同一基准面上后，再实行线架成型步骤。上述先弯折导电端子，再实施线架成型的方式，让发光二极管无需预留弯折裕度， 也免除发光二极管因体积太小，以致无法冲压导电端子的问题，让发光二极管更容易朝向 薄型化发展，有效降低产业成本与制造工序。此外，因晶片承载部及导电端子在金属钣片冲压时，底面保持在相同的下基准面， 因此省略封装制程后弯折导电端子的工序，有效降低产业成本提升产品品质。同时，晶片承 载部也可依据不同规格的发光二极管调整在金属支架上的位置，例如可位于金属支架的其 中一侧，使本实用新型增加使用在不同产品上的机会。相较于现有技术，本实用新型在碗状基座内设置凸肋，有效集中LED晶片的光照 效果，解决消除静电晶片吸收光照亮度的问题，并在金属钣片冲压时将晶片承载部及导电端子的底面保持在相同的下基准面，不需再对导电端子进行弯折工序，有效降低产业成本， 提升产制效率。
图1是现有发光二极管的结构示意图(一)；图2是现有发光二极管的结构示意图(二)；图3是本实用新型第一实施例的外观立体图；图4是本实用新型第一实施例的LED晶片与消除静电晶片设置位置示意图；图5是本实用新型第一实施例的侧面剖视图；图6是本实用新型第二实施例的外观立体图。附图标记说明10_金属支架；11-晶片承载部；111-散热端；12-导电端子； 121-焊接端；13-上凸部；14-定位空间；20-碗状基座；21-第一容置空间；22-第二容置空 间；23-凸肋；30-LED晶片；40-消除静电晶片。
具体实施方式
如图3和图4所示，本实用新型第一实施例的外观立体图及LED晶片与消除静电 晶片设置位置示意图，图中揭示本实用新型发光二极管引线架结构由一金属支架10，以及 一碗状基座20所组成，其中所述碗状基座20顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并以射出成型包射于金属支 架10上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片30设置的第一容 置空间21、至少一位于第一容置空间21侧边供消除静电晶片40设置的第二容置空间22， 以及至少一区隔第一容置空间21与第二容置空间22的凸肋23 ；所述凸肋23区隔第一容 置空间21与第二容置空间22，避免LED晶片30亮度被消除静电晶片40吸收，又达到消除 静电功能的成效。请一并参阅图5，实施时，所述金属支架10进一步包含一晶片承载部11、若干排列 于晶片承载部11两侧的导电端子12，晶片承载部11与两侧的导电端子12之间连接有上凸 部13，所述上凸部13下缘为定位空间14，所述碗状基座20包射于金属支架10上，填充于 定位空间14内，且令晶片承载部11与上凸部13的顶面裸露，以供后续固晶阶段植入LED 晶片30与消除静电晶片40。在上述结构中，所述晶片承载部11与碗状基座20的第一容置空间21相对应，以 供LED晶片30植入；所述上凸部13与第二容置空间22相对应，以供消除静电晶片40植 入；晶片承载部11顶面与上凸部13顶面之间相隔有所述凸肋23，所述凸肋23可避免LED 晶片30亮度被消除静电晶片吸收，使发光二极管维持原有亮度。再者，碗状基座20令晶片承载部11与导电端子12裸露的底面形成散热端111及 焊接端121，以提供发光二极管完成品在后续使用时，直接将导电端子12的焊接端121焊接 于电路板上，而晶片承载部11底面裸露的散热端111能直接作为散热用途，延长发光二极 管的使用寿命。所述金属支架10的成型过程是一薄片状金属钣片，利用冲压手段将金属钣片冲 出多个整齐排列的金属支架，令每一金属支架10具有所述的晶片承载部11、导电端子12、以及上凸部13与定位空间14，其中，所述晶片承载部11为一下凹盘状，所述导电端子12冲 压弯折成阶梯状，使导电端子12末端底面与晶片承载部11底面位于同一基准面上后，再实 行线架成型步骤。上述先弯折导电端子，再实施线架成型的方式，让发光二极管无需预留弯折裕度， 也免除发光二极管因体积太小，以致无法冲压导电端子的问题，让发光二极管更容易朝向 薄型化发展，有效降低产业成本与制造工序。此外，因晶片承载部11及导电端子12在金属钣片冲压时，底面保持在相同的下基 准面，因此省略封装制程后弯折导电端子的工序，有效降低产业成本，提升产品品质。请参 阅图6，本实用新型的第二实施例，图中揭示晶片承载部11位于金属支架10的其中一侧， 使本实用新型能被运用于不同规格的发光二极管上，增加本实用新型使用在不同产品的机石。但是，以之实施说明及附图所示，是举例说明本实用新型的较佳实施例，并非以此 局限本实用新型。是以，举凡与本实用新型的构造、装置、特征等近似或相雷同者，均应属本 实用新型的创设目的及申请专利范围之内。
权利要求一种发光二极管引线架结构，由一金属支架，以及一碗状基座所组成，其特征在于所述碗状基座顶面中央具有一凹陷的碗状空间，并射出成型包射于金属支架上；所述碗状基座在凹陷的碗状空间内至少区分为一设置LED晶片的第一容置空间、至少一位于所述第一容置空间侧边设置消除静电晶片的第二容置空间，以及至少一区隔所述第一容置空间与所述第二容置空间的凸肋；所述金属支架包含一顶面裸露于所述第一容置空间内的晶片承载部以及多个排列于所述晶片承载部两侧的导电端子，所述晶片承载部与两侧的导电端子之间连接有裸露于所述第二容置空间内的上凸部，所述上凸部下缘为定位空间；所述所述碗状基座包射于所述金属支架上，填充于定位空间内；所述晶片承载部裸露的底面为散热端，所述导电端子部裸露的底面为焊接端。
2.根据权利要求1所述的发光二极管引线架结构，其特征在于，所述晶片承载部为一 下凹盘状，所述导电端子弯折成阶梯状，所述导电端子末端底面与所述晶片承载部底面位于同一基准面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管引线架结构，其特征在于，所述晶片承载部位于 所述金属支架的其中一侧。
专利摘要本实用新型提供了一种发光二极管引线架结构，由一金属支架，以及一碗状基座所组成，其中，所述碗状基座以射出成型包射于金属支架上，并在凹陷的碗状空间内至少区分为一可供LED晶片设置的第一容置空间、至少一位于第一容置空间侧边供消除静电晶片设置的第二容置空间，以及至少一区隔所述第一容置空间和所述第二容置空间的凸肋；所述凸肋区隔第一容置空间与第二容置空间，可以解决发光二极管因安装消除静电晶片而降低亮度的问题。此外，碗状基座令金属支架底面裸露，形成散热端及焊接端，使用时可以达到散热与提升产制效率的目的。
文档编号H01L23/13GK201608177SQ20102011253
公开日2010年10月13日 申请日期2010年2月5日 优先权日2010年2月5日
发明者陈永华 申请人:陈永华