专利名称：一种晶体硅太阳电池的背面电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种晶体硅太阳电池的背面电极结构， 属于太阳能应用技术领域。
背景技术：
目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问 题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。因此，世界各国都在积极开发太阳电池， 而高转换效率、低成本是太阳电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去 边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对 简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，丝网印刷用于制备 电极，N电极位于晶体硅电池的正面，P电极位于晶体硅电池的背面，其背面P电极结构如附 图1所示，包括晶体硅片和2条印刷于硅片背面的银导体条11，银导体条相隔对称分布于 硅片背面且其长度几乎 贯穿整个硅片背面，在硅片正面则印刷银浆形成晶体硅电池的N电 极，N、P电极均需用焊带引出，从而形成晶体硅太阳电池的互连。然而，上述结构的晶体硅太阳电池存在如下问题(1)采用焊带将晶体硅电池正 面N电极引出的设计，焊带和N电极会遮掉部分入射光，减少了太阳光的利用率；(2)晶体 硅电池的互连是用焊带将一片电池的N电极与另一片电池的P电极相连接，也就是从一片 电池的背面连接到另一片电池的正面，从而大幅增加了串联电阻，降低了组件的光电转换 效率，且会在晶体硅电池的边缘引入应力，造成组件的失效。
发明内容本实用新型目的是提供一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，以提高太阳电池的 光电转换效率。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种晶体硅太阳电池的背面电 极结构，包括晶体硅片和N、P电极，所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点至少为 3排，每排具有至少3个连接点；所述P电极连接点至少为2排，每排具有至少3个连接点； 所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设有通孔，通孔内设有银 浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述N电极连接点。上文中，所述N电极连接点可以通过该连接点处的孔内的银浆与正面电极结构连 接，而孔可以采用激光打孔的方法制作。上述N、P连接点均可用丝网印刷的方法制备。进一步的技术方案，所述N电极连接点为4排，每排4个；所述P电极连接点为3 排，每排5个，各排连接点等间距分布于晶体硅电池的背面。上述技术方案中，所述各连接点为圆形、正方形或三角形。当然也可以采用一些其 他现有形状。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有的优点是[0011]1、本实用新型将晶体硅电池的正面N电极引到背面，与背面P电极一起构成背面 电极结构，从而解决了焊带和正面N电极遮蔽入射光的问题，提高了太阳光的利用率，也相 应提高了太阳电池的光电转换效率。2、本实用新型将N、P电极置于晶体硅电池的背面，从而将晶体硅电池的互连放在 了一个平面上，既有利于组件的生产操作，增加可靠性；又大幅降低了串联电阻，提升了组 件的光电转换效率。3、本实用新型将N、P电极连接点设成点阵结构，在实现其引出功能的同时降低了 银浆的消耗量，降低了成本。4、本实用新型结构简单，便于生产制备，且成本较低，适于推广应用。
图1是背景技术中晶体硅太阳电池的背面电极结构的示意图；图2是本实用新型实施例一的结构示意图；图3是本实用新型实施例二的结构示意图；图4是本实用新型实施例三的结构示意图。其中11、银导体条；21、N电极连接点；22、P电极连接点；31、N电极连接点；32、P 电极连接点；41、N电极连接点；42、P电极连接点。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述实施例一参见图2所示，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极， 所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点21为4排，每排4个；所述P电极连接点 22为3排，每排5个，所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设 有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述 N电极连接点。所述各连接点为圆形。实施例二参见图3所示，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极， 所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点31为4排，每排4个；所述P电极连接点 32为3排，每排5个，所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设 有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述 N电极连接点。所述各连接点为正方形。实施例三参见图4所示，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极， 所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点41为4排，每排4个；所述P电极连接点 42为3 ，每排5个，所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设 有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述 N电极连接点。所述各连接点为三角形。
权利要求一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，其特征在于所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点(21)至少为3排，每排具有至少3个连接点；所述P电极连接点(22)至少为2排，每排具有至少3个连接点；所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述N电极连接点。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面电极结构，其特征在于所述N电极 连接点为4 ，每排4个；所述P电极连接点为3 每排5个，各排连接点等间距分布于晶 体硅电池的背面。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面电极结构，其特征在于所述各连接 点为圆形、正方形或三角形。
专利摘要本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点至少为3排，每排具有至少3个连接点；所述P电极连接点至少为2排，每排具有至少3个连接点；所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述N电极连接点。本实用新型提高了太阳电池的转换效率，同时降低了银浆的消耗量，降低了成本。
文档编号H01L31/0224GK201608193SQ201020122040
公开日2010年10月13日 申请日期2010年2月26日 优先权日2010年2月26日
发明者王栩生, 王立建, 章灵军 申请人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司