专利名称：可实现同轴封装的半导体激光器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光电子技术的激光发射器领域，尤其涉及一种可以实现同轴封装 的半导体激光器。
背景技术：
半导体激光器是利用自聚焦透镜实现半导体激光器与单模光纤的光耦合，其藕合 效率可在大范围内人为控制，且耦合容差范围宽。其光学系统的工作原理由图3所示。左 边的激光器1发出的光有一定的发射性，经中间的自聚焦透镜3把光束聚集后，藕合输入右 边的芯径为6-9um的单模光纤4中，其耦合效率可通过自聚焦透镜系统的物距、象距来调 整，其最高耦合效率可达40%以上。目前国内的半导体激光器的固定技术通常采用非同轴 结构的激光焊接或焊料焊接固定，这种双列直插式封装技术工艺比较复杂，成本也较高。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种可实现同轴封装的半导体激光器，并且机构简 单、生产成本低。要实现上述的目的，本实用新型一种可实现同轴封装的半导体激光器，其包括第 一管脚、第二管脚、管座、激光器芯片，电源的正负极连接所述第一、第二管脚，为所述激光 器供电，所述第一、第二管脚由所述管座固定，所述第一、第二管脚分别向所述管座内部延 伸，所述激光器芯片固定在所述第一管脚上，并由金线连接到所述第二管脚上。优选地，所述管座为圆柱形结构，所述管座的外部设置有螺纹。优选地，所述管座的侧部设置有缺口，所述激光器芯片位于所述缺口之中，并使所 述激光器芯片位于所述管座的中心轴线上。和传统技术相比，本实用新型的有益效果是1、所述管座为圆柱形结构，半导体激光器组件的固定技术采用的同轴性较高的螺 纹连接；2、所述激光器芯片位于所述管座的中心轴线上，可以为激光器组件获得良好的同 轴性。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1的A-A截面的结构剖视图；图3是激光器的光学系统的工作原理示意图。图中1激光器，3自聚焦透镜，4单模光纤，11第二管脚，12第一管脚，13管座，14 缺口，15激光器芯片，31螺纹。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细说明，但不构成对本实用新型的任 何限制。如图1所示是本实用新型的结构示意图，图2是图1的A-A截面的结构剖视图。一种可实现同轴封装的半导体激光器，其包括第一管脚12、第二管脚11、管座13、 激光器芯片15，电源的正负极连接所述第一、第二管脚12、11，为所述激光器供电，所述第 一、第二管脚12、11由所述管座13固定，所述第一、第二管脚12、11分别向所述管座13内 部延伸，所述激光器芯片固定在所述第一管脚12上，并由金线连接到所述第二管脚11上。所述管座13为圆柱形结构，所述管座的外部设置有螺纹31。所述管座13的侧部设置有缺口 14，所述激光器芯片位于所述缺口 14之中，并使所 述激光器芯片15位于所述管座13的中心轴线上。最后，应当指出，以上实施例仅是本实用新型较有代表性的例子。显然，本实用新 型不限于上述实施例，还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应认为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种可实现同轴封装的半导体激光器，其包括第一管脚(12)、第二管脚(11)、管座(13)、激光器芯片(15)，电源的正负极连接所述第一、第二管脚(12、11)，为所述激光器供 电，其特征在于所述第一、第二管脚(12、11)由所述管座(1 固定，所述第一、第二管脚 (12,11)分别向所述管座(13)内部延伸，所述激光器芯片固定在所述第一管脚(12)上，并 由金线连接到所述第二管脚(11)上。
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于所述管座(13)为圆柱形结构，所述管 座的外部设置有螺纹(31)。
3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于所述管座(1 的侧部设置有缺口(14)，所述激光器芯片位于所述缺口(14)之中，并使所述激光器芯片(15)位于所述管座 (13)的中心轴线上。
专利摘要本实用新型涉及光电子技术的激光发射器领域，尤其涉及一种可以实现塑料金属片结合同轴封装的半导体激光器。一种可实现同轴封装的半导体激光器，其包括第一管脚、第二管脚、管座、激光器芯片，电源的正负极连接所述第一、第二管脚，为所述激光器供电，所述第一、第二管脚由所述管座固定，所述第一、第二管脚分别向所述管座内部延伸，所述激光器芯片固定在所述第一管脚上，并由金线连接到所述第二管脚上。和传统技术相比，本实用新型的有益效果是所述管座为圆柱形结构，半导体激光器组件的固定技术采用的同轴性较高的螺纹连接；所述激光器芯片位于所述管座的中心轴线上，可以为激光器组件获得良好的同轴性。
文档编号H01S5/02GK201887326SQ201020187049
公开日2011年6月29日 申请日期2010年4月22日 优先权日2010年4月22日
发明者孙立健 申请人:孙立健