一种半导体激光器的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器的封装结构。
【背景技术】
[0002]半导体激光器具有体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、成本低的优点，目前已经广泛应用于国民经济的各个领域，比如激光栗浦，医疗以及工业加工领域。
[0003]图1为一种现有的半导体激光器封装结构，包括制冷器3，绝缘层2，负极片I以及激光芯片4;这种封装结构的绝缘层参数要求较高，厚度要求控制在一百微米以内，且必须适合高温下使用，绝缘层和负极片之间的装配采用无缝粘接，绝缘层粘接固化后须达到很高的硬度，这些要求对绝缘层和负极片的粘接工艺提出了很高的要求。目前绝缘层和负极片的粘接采用单独作业的方式(即绝缘层和铜连接片分开独立加工，成型后粘接在一起)，这种方式容易造成键合面出现缺陷，且此缺陷不可返修，这种缺陷会导致产品的可靠性降低，并且这种封装方式的生产组装效率低。
【实用新型内容】
[0004]为了克服现有技术的不足，本实用新型提出了一种半导体激光器的封装结构，有效提高的产品的可靠性和组装效率。具体的技术方案为:
[0005]—种半导体激光器的封装结构包括制冷器，激光芯片以及一体式负极连接片。所述的一体式负极连接片为镀有铜箔的绝缘层，且铜箔和绝缘层为一体化结构，比如镀有铜箔的PCB板(印制电路板)，FPC板(柔性印刷电路板，通常以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材)等。所述的制冷器为片状金属结构，激光芯片的正极键合于制冷器的一端，一体式负极连接片的绝缘层键合于制冷器的另一端且与激光芯片的正极绝缘。激光芯片的负极通过金线与一体式负极连接片连接。
[0006]所述的一体式负极连接片靠近激光芯片一端的铜箔呈台阶状，激光芯片的负极通过金线键合于一体式负极连接片的台阶状铜箔处。
[0007]所述一体式负极连接片的绝缘层具有高导热率且为耐高温材料。
[0008]本实用新型具有以下优点:本方案半导体激光器的封装结构的一体式负极连接片采用印制电路板结构，可一次性成型，避免了绝缘层和铜连接片分开作业导致的键合面缺陷；键合表面的性能指标进一步得到提高，提高了产品的可靠性。此外，采用一体式负极连接片结构，简化了生产操作工序，提高了产品的生产组装效率。
【附图说明】
[0009]图1为传统的半导体激光器封装结构图。
[0010]图2为本实用新型的半导体激光器的封装结构。
[0011]图3为本实用新型的激光芯片与一体式负极连接片的金线连接方式。
[0012]图4为一体式负极连接片的台阶状铜箔结构。
[0013]附图标号说明:1-传统工艺中的负极片，2-传统工艺中的绝缘层，3-制冷器，4-激光芯片，5为一体式负极连接片，6为金线，7为一体式负极连接片的绝缘层，8为一体式负极连接片的铜箔。
【具体实施方式】
[0014]图2为本实用新型的半导体激光器的封装结构，包括制冷器3，激光芯片4以及一体式负极连接片5。如图4所示，一体式负极连接片5为镀有铜箔8的绝缘层7，且铜箔8和绝缘层7为一体化结构。
[0015]上述一体式负极连接片5可以为PCB板(印制电路板)，FPC板(柔性印刷电路板，通常以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材)等。
[0016]如图3所示，所述的制冷器3为片状金属结构，激光芯片4的正极键合于制冷器3的一端，一体式负极连接片5的绝缘层7键合于制冷器的另一端且与激光芯片4绝缘。激光芯片4的负极通过金线6与一体式负极连接片5连接。
[0017]如图4所示，所述的一体式负极连接片5靠近激光芯片一端的铜箔8呈台阶状，激光芯片4的负极通过金线6键合于一体式负极连接片5的台阶状铜箔处。
【主权项】
1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于:包括制冷器，激光芯片以及一体式负极连接片;所述的一体式负极连接片为镀有铜箔的绝缘层且铜箔和绝缘层为一体化结构;所述的制冷器为片状金属结构，激光芯片的正极键合于制冷器的一端，一体式负极连接片的绝缘层键合于制冷器的另一端且与激光芯片绝缘;激光芯片的负极通过金线与一体式负极连接片连接。2.根据权利要求1所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于:所述的一体式负极连接片为PCB印制电路板，或者FPC柔性印刷电路板。3.根据权利要求1所述的半导体激光器的封装结构，其特征在于:所述的一体式负极连接片靠近激光芯片一端的铜箔呈台阶状，激光芯片的负极通过金线键合于一体式负极连接片的台阶状铜箔处。
【专利摘要】本实用新型提出了一种半导体激光器的封装结构，包括制冷器，激光芯片以及一体式负极连接片，一体式负极连接片为镀有铜箔的绝缘层，且铜箔和绝缘层为一体化结构。所述的一体式负极连接片可采用印制电路板并一次成型，避免了绝缘层和铜连接片分开作业导致的键合面缺陷；键合表面的性能指标进一步得到提高，提高了产品的可靠性。
【IPC分类】H01S5/02, H01S5/024
【公开号】CN205212174
【申请号】CN201520996174
【发明人】舒东平, 董小涛, 刘兴胜
【申请人】西安炬光科技股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月7日