专利名称：多led芯片的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于LED显示设备技术领域，具体涉及多LED芯片的封装结构的技术。
背景技术：
目前，单颗发光二极管(LED)芯片的功率是满足不了消费者高亮度的需求，所以在要求使用高亮度的情况下需要组合很多个LED芯片。这时就需要采用多LED芯片封装结构，因为这种结构可以提高LED光源的亮度。现有技术还不能实现多种LED芯片的混合电连接和串联电连接或者单电极LED芯片的混合电连接和串联电连接。
实用新型内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种可以提高LED光源的亮度。还能实现多种LED芯片的混合电连接和串联电连接或者单电极LED芯片的混合电连接和串联电连接的多LED芯片的封装结构。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案如下一种多LED芯片的封装结构，它包括金属线、LED芯片、外壳、凹槽、金属电极，所述外壳为长方体结构，凹槽为杯碗型， 位于外壳的上表面，数量为4-16个，并相互绝缘，LED芯片数量与凹槽数量相等，并与凹槽一一对应，安装在凹槽内，金属电极数量为2-10个，呈对称状安装在外壳对应的两个侧边上，LED芯片的下电极通过金属线连接，LED芯片的上电极通过金属线引出，与金属电极连接。所述凹槽数量为6个。所述金属电极数量为6个。还包括散热装置，所述散热装置安装在凹槽底部。与现有技术相比，本实用新型相对现有技术具有如下有益效果本实用新型的在使用过程中，多个LED芯片增加了显示亮度，通过封装复数个分立的碗杯，且每个碗杯中放一个LED芯片，实现了 LED芯片多种电连接方式的封装结构。
图1是本实用新型多LED芯片的封装结构的结构示意图；具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明，但不作为对本实用新型的限定。请参阅图1所示的本实用新型多LED芯片的封装结构的实施例。一种多LED芯片的封装结构，它包括金属线1、LED芯片2、外壳3、凹槽4、金属电极5，外壳3为长方体结构，凹槽4为杯碗型，位于外壳3的上表面，数量为6个，并相互绝缘，LED芯片2数量与凹槽4数量相等，并与凹槽4 一一对应，安装在凹槽4内，金属电极5数量为6个，呈对称状安装在外壳3对应的两个侧边上，LED芯片2的下电极通过金属1线连接，LED芯片2的上电极通过金属线1引出，与金属电极5连接。还包括散热装置6，散热装置6安装在凹槽4底部。以上所述的实施例，只是本实用新型较优选的具体实施方式
的一种，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种多LED芯片的封装结构，其特征在于它包括金属线、LED芯片、外壳、凹槽、金属电极，所述外壳为长方体结构，凹槽为杯碗型，位于外壳的上表面，数量为4-16个，并相互绝缘，LED芯片数量与凹槽数量相等，并与凹槽一一对应，安装在凹槽内，金属电极数量为 2-10个，呈对称状安装在外壳对应的两个侧边上，LED芯片的下电极通过金属线连接，LED 芯片的上电极通过金属线弓丨出，与金属电极连接。
2.根据权利要求1所述的多LED芯片的封装结构，其特征在于所述凹槽数量为6个。
3.根据权利要求1所述的多LED芯片的封装结构，其特征在于所述金属电极数量为6个。
4.根据权利要求1所述的多LED芯片的封装结构，其特征在于还包括散热装置，所述散热装置安装在凹槽底部。
专利摘要一种多LED芯片的封装结构，属于LED显示设备技术领域，具体涉及多LED芯片的封装结构的技术，解决了现有技术的不足，提供了一种可以提高LED光源的亮度。还能实现多种LED芯片的混合电连接和串联电连接或者单电极LED芯片的混合电连接和串联电连接的多LED芯片的封装结构，它包括金属线、LED芯片、外壳、凹槽、金属电极，外壳为长方体结构，凹槽为杯碗型，位于外壳的上表面，数量为4-16个，并相互绝缘，LED芯片数量与凹槽数量相等，安装在凹槽内，金属电极数量为2-10个，呈对称状安装在外壳对应的两个侧边上，LED芯片的下电极通过金属线连接，LED芯片的上电极通过金属线引出，与金属电极连接。
文档编号H01L33/62GK201975390SQ20102068360
公开日2011年9月14日 申请日期2010年12月28日 优先权日2010年12月28日
发明者蔡广义 申请人:山东燎原发光科技有限公司