专利名称：用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件的制作方法
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件文献WO 2009/075753 A2和WO 02/084749分别描述了一种光电子半导体器件。要解决的任务在于，说明一种用于制造光电子半导体器件的简化的制造方法。另一要解决的任务在于，说明一种可以特别简单地制造的光电子半导体器件。说明一种用于制造光电子半导体器件的方法。所述光电子半导体器件例如是被设置用于发射电磁辐射的发光二极管。可替代地，所述光电子半导体器件也可以是被设置用于探测电磁辐射的光电二极管。根据所述方法的至少一个实施方式，首先提供载体。所述载体是临时的载体，其在最后的方法步骤中再次被去除。所述载体可以是例如箔(英语foil)、电路板或者一般地是用塑料材料、金属、陶瓷材料或者半导体材料构成的板。根据所述方法的至少一个实施方式，在所述载体上的载体上侧布置有至少一个光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片例如是发光二极管芯片或者是光电二极管芯片。 另外可以是激光二极管芯片。所述至少一个光电子半导体芯片在载体上优选被固定为，使得在光电子半导体芯片与载体之间得出机械连接，所述载体稍后可以针对光电子半导体芯片无破损地脱落。换句话说，在半导体芯片与载体之间布置有牺牲层。所述光电子半导体芯片例如可以借助于粘合剂固定在载体上。优选地，将多个光电子半导体芯片固定在载体上。由载体和多个光电子半导体芯片组成的装置于是就是所谓的人造晶片，其中多个、优选相同类型的光电子半导体芯片布置在共同的载体上。根据所述方法的至少一个实施方式，至少一个光电子半导体芯片、优选多个光电子半导体芯片用模塑体改造，其中所述模塑体覆盖至少一个光电子半导体芯片的所有侧面。换句话说，所述至少一个光电子半导体芯片被模塑体包裹。所述改造或者包裹例如可以借助于对箔进行喷射、浇铸、压印、层压等等来进行。所述模塑体由机械稳定的材料构成， 所述材料例如是塑料、低熔点的玻璃或者低熔点的玻璃陶瓷。所述模塑体可以包含例如环氧树脂、硅树脂、环氧硅树脂混合材料、玻璃或者玻璃陶瓷或者由这些材料之一构成。所述模塑体被施加在载体上，使得所述模塑体覆盖载体的朝向至少一个光电子半导体芯片的表面并且与该表面直接接触。另外，所述模塑体与例如横向于或者垂直于载体表面延伸的侧面至少局部地直接接触。在此可能的是，至少一个半导体芯片的所有侧面完全被模塑体覆盖。但是也可能的是，所述半导体芯片在其侧面只被模塑体覆盖至特定高度并且至少一个半导体芯片的部分从模塑体突出出来，使得至少一个光电子半导体芯片的侧面局部地未被模塑体覆盖。此外还可能的是，所述模塑体在半导体芯片的暴露表面处完全地覆盖半导体芯片。也就是说，至少一个光电子半导体芯片的背向载体的表面可以被模塑体覆盖。根据所述方法的至少一个实施方式，去除所述载体。也就是说，在改造至少一个光电子半导体芯片之后，将载体从由模塑体和光电子半导体芯片组成的复合体去除。该去除可以例如通过加热载体或者使载体变薄来进行。所述加热可以例如借助于激光射束来进行。所述变薄可以例如通过反复研磨(Zurilckschleifen)载体来进行。另外可能的是，所述去除通过以化学方式剥落载体或可能在载体上存在的粘附层来进行。在去除载体之后， 至少一个光电子半导体芯片的原来朝向载体的底侧可以自由到达。所述底侧还可以是半导体芯片的辐射侧，通过该辐射侧在半导体芯片运行时辐射从该辐射侧出射。换句话说，所述半导体芯片于是“面朝下”施加到载体上。至少一个光电子半导体芯片的所有侧面至少局部地被模塑体覆盖。也就是说，在去除载体之后，所述模塑体是机械稳定的物体，其在至少一个光电子半导体芯片的侧面处包围所述至少一个光电子半导体芯片并且——如果存在的话——将多个光电子半导体芯片彼此连接。根据所述方法的用于制造光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述方法包括如下步骤
-提供载体，
-将至少一个光电子半导体芯片布置在载体的上侧，
-用模塑体改造至少一个光电子半导体芯片，其中模塑体覆盖至少一个光电子半导体芯片的所有侧面，并且 -去除载体。所述方法步骤在此优选以说明的顺序执行。根据所述方法的至少一个实施方式，多个光电子半导体芯片被布置在载体的上侧，其中半导体芯片中的每一个被设置为在运行时产生具有被分配给该半导体芯片的尖峰波长的波长范围的电磁辐射。也就是说，半导体芯片中的每一个适于产生电磁辐射。所述半导体芯片在此在运行时产生特定波长范围中的电磁辐射。所产生的电磁辐射在波长范围中在特定波长、即尖峰波长的情况下具有最大值。换句话说，尖峰波长是由半导体芯片在运行时产生的电磁辐射的主要波长。半导体芯片中的每一个的尖峰波长在此与所有光电子半导体芯片的尖峰波长的平均值偏差最高+/_2%。也就是说，所述光电子半导体芯片是以相同或者相似的波长发射电磁辐射的光电子半导体芯片。优选地，半导体芯片中的每一个的尖峰波长与所有光电子半导体芯片的尖峰波长的平均值偏差最高+/_1%、特别优选地偏差最高+/-0. 5%。换句话说，布置在载体上的光电子半导体芯片在其发射波长方面被预分类。这样的光电子半导体芯片被共同地布置在载体上，这些光电子半导体芯片在其尖峰波长方面彼此间几乎没有或者根本没有区别。例如，所述光电子半导体芯片在其制造之后在其尖峰波长方面被分类(所谓的合并(binning))。在这种分类的情况下被划分到一个共同的组中的光电子半导体芯片被布置在载体上。根据所述方法的至少一个实施方式，在改造之前或者之后在所述光电子半导体芯片的后面在其上侧或者其底侧处布置一个共同的发光材料层。“共同的发光材料层”在此表示，在所有光电子半导体芯片之后布置具有相同或者相似特性的发光材料层。也就是说，所有光电子半导体芯片的发光材料层例如由相同的材料构成并且具有相同的厚度。所述发光材料层包含如下发光材料或者由如下发光材料构成所述发光材料被设置用于吸收由半导体芯片在运行时产生的电磁辐射并且以与所述光电子半导体芯片不同的波长范围重新发射电磁辐射。例如，所述光电子半导体芯片在运行时产生蓝光并且由所述发光材料层的发光材料重新发射黄光，该黄光与蓝光混合成白光。所述发光材料层可以例如以发光材料颗粒的形式施加，所述发光材料颗粒被置入在例如硅树脂或者陶瓷的基质材料中。另外，所述发光材料层可以作为包含发光材料或者由陶瓷发光材料构成的陶瓷片被施加到背向所述载体的半导体芯片表面上。在此可能的是，所述发光材料层被直接施加到所述光电子半导体芯片的背向载体的表面上。特别优选地，如目前所述的光电子半导体芯片是相似的光电子半导体芯片，这些光电子半导体芯片在其尖峰波长方面彼此间几乎没有或者根本没有区别。有利地，可以在这些相似的光电子半导体芯片的后面布置一个共同的发光材料层。由于所述光电子半导体芯片和共同的发光材料层的相似性，这样制造的光电子半导体芯片在运行时发射具有相似或者相同特性的混合光。因此，与在其他情况下常见的光电子半导体器件制造中不同地，不必在每个光电子半导体芯片的后面布置合适的发光材料层，使得出现由从光电子半导体芯片直接发射的电磁辐射和从发光材料层重新发射的电磁辐射构成的期望的混合辐射。根据所述方法的至少一个实施方式，至少一个半导体芯片的背向载体的表面被模塑体暴露或者所述表面保持未被模塑体覆盖。也就是说，所述模塑体要么这样被施加，即至少一个半导体芯片的背向载体的表面不被模塑体的材料覆盖。可替代地，所述模塑体可以在施加模塑体之后从半导体芯片的上侧被再次去除。于是例如可以将发光材料层施加到未被模塑体覆盖的表面上。但是还有可能的是，所述半导体芯片用其辐射侧固定到载体上。在去除载体的情况下，朝向载体的表面、即底侧被暴露。在所述方法的该变型中，在半导体芯片中的每一个的辐射侧上存在至少一个端子触点。根据所述方法的至少一个实施方式，在改造之前或者之后针对每个半导体芯片产生具有导电材料的至少一个贯通接触部。所述贯通接触部在此与所分配的半导体芯片在横向上间隔开地布置。也就是说，在例如平行于分配给半导体芯片的载体表面延伸的方向上， 与半导体芯片相间隔地产生贯通接触部。所述贯通接触部在此完全地穿过模塑体并且从模塑体的上侧延伸至模塑体的底侧。在所述方法结束以后，也就是说在去除载体以后，所述贯通接触部至少在模塑体的底侧处是可自由到达的。在所述模塑体的上侧处，所述贯通接触部可以被发光材料层覆盖。在改造模塑体之前，可以例如借助于接触销来产生贯通接触部，所述接触销在改造之前被布置在半导体芯片之间的载体的上侧处。所述接触销在此由例如铜的导电材料构成。所述接触销在此也可以单块地用载体构造。也就是说，作为载体使用具有现有贯通接触部的衬底。另外，所述载体可以是引线框。替代地可能的是，所述贯通接触部通过在模塑体中产生凹陷而在改造半导体芯片之后产生。例如，可以通过激光钻孔或者其他形式的材料损害而在模塑体中产生孔，这些孔完全地穿过模塑体并且从模塑体的上侧延伸至模塑体的底侧。这些孔然后用导电材料填充。所述导电材料可以例如是电镀材料、焊剂材料或者导电粘合剂。根据所述方法的至少一个实施方式，在所述贯通接触部与所分配的半导体芯片之间产生导电连接。该导电连接在此导电地与半导体芯片上侧处的背向载体的表面连接并且沿着模塑体的上侧延伸。所述导电连接例如与所分配的半导体芯片上侧处的接合盘导电接触并且延伸至贯通接触部。所述连接在此在模塑体的上侧处要么在模塑体的外表面上延伸，要么紧挨在模塑体的外表面的下方延伸。所述导电连接可以借助于喷镀、光刻、电镀和/或回蚀来产生。另外可能的是，为了产生导电连接压印绝缘材料和金属，借助于丝网印刷方法作为金属膏来施加(尤其是在所述模塑体由陶瓷材料构成时)，作为导电粘合剂施加等等。因此例如也可能，借助于压塑方法施加所述导电连接。也就是说，所述导电连接于是按照“模制互连装置(Molded interconnected device)”(MID，德语Spritzgogossene Schaltungstrager)白勺方式施力口。在所述光电子半导体芯片在其上侧和背向上侧的底侧具有导电接触处时，产生贯通接触部和所分配的导电连接是有利的。可替代地，可以使用倒装片半导体芯片，所述倒装片半导体芯片仅在一侧——即要么在底侧要么在上侧——具有电接触处。在这种情况下， 可以取消穿过模塑体的贯通接触部。另外说明一种光电子半导体器件。该光电子半导体器件可优选借助于这里所述的方法之一来制造。也就是说，对于所述方法公开的全部特征也对于所述光电子半导体器件公开，并且反之亦然。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述光电子半导体器件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片的侧面被模塑体覆盖。所述侧面在此是如下表面， 其横向于光电子半导体芯片的外表面在所述光电子半导体芯片的上侧和其底侧处延伸并且将这些外表面彼此连接。所述侧面在此可以完全被模塑体覆盖。除此之外还有可能的是， 所述侧面只被模塑体覆盖至特定高度。例如，所述光电子半导体芯片可以是如下半导体芯片，其中半导体层被外延地沉积到衬底上。于是可能的是，所述半导体芯片的侧面被覆盖为使得外延制造的层未被模塑体覆盖。外延制造的层于是可以借助于另一材料、例如通过印刷过程被覆盖或者保持未被覆盖。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述光电子半导体器件包括至少一个包括导电材料的贯通接触部。所述导电材料例如是金属或者有导电能力的粘合剂。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述器件包括导电连接，所述导电连接导电地与半导体芯片和贯通接触部连接。所述导电连接例如用金属或者有导电能力的粘合剂构成。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述贯通接触部与半导体芯片在横向上间隔开地布置。所述横向方向在此是如下方向，其横向于或者垂直于光电子半导体芯片的侧面延伸。也就是说，所述贯通接触部布置在半导体芯片的侧面并且例如平行于或者基本上平行于光电子半导体芯片的侧面延伸。所述贯通接触部在此优选完全穿过模塑体并且从模塑体的上侧延伸至模塑体的底侧。在此可能的是，所述贯通接触部可以在模塑体的上侧和底侧处自由到达。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述导电连接在模塑体的上侧处延伸。也就是说，所述导电连接将半导体芯片与贯通接触部连接并且在此在模塑体的上侧处在半导体本体与贯通接触部之间延伸。所述导电连接在此可以布置在模塑体的外表面上。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述光电子半导体器件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片的侧面被模塑体覆盖。另外，所述光电子半导体器件包括至少一个贯通接触部和导电连接，所述贯通接触部包括导电材料并且所述导电连接与半导体芯片和贯通接触部导电连接。所述贯通接触部在此与半导体芯片在横向上间隔开地布置并且完全穿过模塑体。所述贯通接触部从模塑体的上侧延伸至模塑体的底侧，并且导电连接在模塑体的上侧处从半导体芯片延伸至贯通接触部。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述模塑体被构造为光学反射的。这可以例如通过如下方式实现，即反射电磁辐射、尤其是光的颗粒被置入到模塑体的基质材料中。在所述光电子半导体芯片的侧面处出射的电磁辐射于是可以被模塑体反射。在这种情况下，所述模塑在光电子半导体芯片的上侧处至少局部地不覆盖该光电子半导体芯片。所述颗粒例如用至少一种如下材料构成或者包含至少一种如下材料Ti02、BaS04、Zn0、 Alx0y。作为特别有利地已经证实的是，所述模塑体包含硅树脂或者由硅树脂构成并且所述颗粒由二氧化钛构成。优选地，所述颗粒以这样的浓度被置入到模塑体中，即所述模塑体显现为白色。另外可能的是，所述模塑体被构造为辐射可透过的。这对于通过侧面发射大部分其电磁辐射的光电子半导体芯片是特别有利的。根据所述光电子半导体器件的至少一个实施方式，所述半导体器件包括多个半导体芯片，这些半导体芯片借助于在模塑体上侧处延伸的导电连接彼此导电连接。例如，所述半导体芯片可以经由所述导电连接串联或者并联。所述半导体芯片分别在其侧面被模塑体覆盖。所述模塑体是用于将导电半导体芯片连接至光电子半导体器件的连接材料。下面根据实施例和所属附图详细阐述这里所述的方法以及这里所述的光电子半导体器件。
图1至3根据示例性剖面图示出这里所述方法的实施例。图4和5示出这里所述的光电子半导体器件的实施例的示意图。相同的、相同类型的或者起相同作用的元件在附图中配备有同样的附图标记。附图和附图中所示元件彼此间的大小关系不应视为是按照比例的。更确切地说，为了更好的可表示性和/或为了更好的理解可以夸大地示出各个元件。根据图IA的示意性剖面图，详细阐述了这里所述的用于制造光电子半导体器件的方法的第一方法步骤。在该方法中首先提供载体1。载体1例如是用如铜或铝的金属、用陶瓷、用半导体材料或者塑料构成的载体。在载体1的上侧Ia布置有多个光电子半导体芯片2，所述光电子半导体芯片在此是发光二极管芯片。半导体芯片2借助于粘结剂5固定在载体1处。粘结剂5例如是粘合剂。半导体芯片2的底侧2b在此朝向载体1的上侧la。 在半导体芯片2的底侧2b处存在接触处如，该接触处被设置用于电接触半导体芯片2。所述接触处如例如是半导体芯片2的底侧2b处的金属化层。半导体芯片2的辐射出射面可以包括侧面2c和上侧加处的外表面。在此可能的是，在上侧加处存在接触处如并且在底侧2b处存在接触处4b。另夕卜，在相同位置处可以存在两个接触处^、4b。另外可能的是，底侧2b或者上侧加是半导体芯片2的辐射侧。也就是说，半导体芯片2的辐射出射面可以包括侧面2c和上侧加和 /或底侧2b处的外面表。结合图IB阐述另一方法步骤。在该方法步骤中，模塑体3例如通过喷涂模塑料被施加为，使得半导体芯片2的侧面2c被模塑体覆盖并且模塑体将半导体芯片2彼此连接。 模塑体的底侧北在此与载体1或者载体1的上侧Ia处的粘结剂5直接接触。模塑体3可以在其上侧3a与半导体芯片2的上侧加处的表面齐平地接界。此外可能的是，与图IB中所示不同的模塑体3将半导体芯片2的侧面2c仅覆盖至特定高度，并且半导体芯片2在模塑体3的上侧3a处突出于该模塑体3。模塑体3可以被构造为辐射可透过的，例如被构造为透明的、吸收辐射的或者反射的。在结合图IC阐述的方法步骤中，载体1连同可选地存在的粘结剂层5从模塑体和半导体芯片2脱落。剩下的是由借助于模塑体3彼此连接的半导体芯片2组成的复合体。 在半导体芯片2的底侧2b处，接触处如以及在“面朝下(face-down)”装置的情况下还有辐射透射面是暴露的。在另一方法步骤中，在图ID中示意性示出地，半导体芯片2的复合体可以被分隔成各个光电子半导体器件，所述光电子半导体器件包括一个或多个半导体芯片2。通过分隔，产生模塑体的具有材料损害痕迹的侧面3c。例如，侧面3c可以具有由分隔模塑体3造成的锯槽或者打磨痕迹。半导体芯片2的每一个在其侧面2c处被模塑体3至少局部地覆
至
ΓΤΠ ο根据图2的示意性剖视图阐述另一方法步骤，该另一方法步骤可以在用模塑料改造半导体芯片2之前或者之后以及在去除载体之前或者之后进行。在该方法步骤中，产生由导电材料组成的贯通接触部6，该贯通接触部6从模塑体3的上侧3a至模塑体3的底侧北穿透该模塑体3。贯通接触部6与半导体本体2在横向上间隔开地布置。给每个半导体本体2优选分配一个贯通接触部。在此，所述分配也可以是单义的(eindeutig)。另外可能的是，针对多个半导体芯片2存在一个贯通接触部6。在产生贯通接触部6之后，在上侧3a 处、当前在模塑体3的上表面上构造导电连接7，所述导电连接将半导体芯片2的接触处如与贯通接触部6导电连接。在模塑体的底侧北处，贯通接触部6可以自由到达并且在那里构成半导体器件的接触处4b。根据图3以示意性剖视图阐述另一方法步骤，该另一方法步骤可以在施加模塑体之后进行。在该方法步骤中，发光材料层8在模塑体3的上侧在半导体芯片2的上侧加被施加到半导体芯片2上。发光材料层8在此可以在整个半导体芯片2上连续地构造，如这在图3中示出的那样。另外可能的是，可以在每个半导体芯片2上施加自己的发光材料层。 这于是也可以在施加模塑料之前进行。光电子半导体芯片在图3的实施例中优选是具有相似或者相同的辐射特性的、也就是说与上面描述的具有相似或者相同的尖峰波长的发光二极管芯片。将整体的发光材料层8施加到半导体芯片2上。结果得到具有相似或者相同的辐射特性的光电子半导体器件。例如，所述半导体器件在运行时产生具有相似或者相同色点和/或具有相似或者相同色温的白光。图4A和4B以示意性透视图示出这里所述的光电子半导体器件的视图。图4A示出从半导体芯片2的上侧加看的半导体器件。该半导体器件包括恰好一个半导体芯片2， 该半导体芯片2在其侧面2c完全被模塑料3包围。贯通接触部6穿过模塑料3，所述贯通接触部借助于导电连接7与半导体芯片2上侧加处的接触处如连接。在该半导体器件的底侧，参见图4B，构造有接触处4a，借助于该接触处半导体芯片2例如被在ρ侧接触。η侧接触于是借助于接触处4b进行，接触处4b通过贯通接触部6构成。在贯通接触部6与半导体芯片2之间同样布置有模塑体3，该模塑体将贯通接触部6与半导体芯片2电隔离。替代于所示实施例，半导体芯片2也可以是这样的半导体芯片，其中例如η侧和ρ侧触点共同地布置在半导体芯片的底侧2b处。在这种情况下可以放弃贯通接触部6。图5根据示意性俯视图示出这里所述的半导体器件的另一实施例。在该实施例中，半导体器件包括四个半导体芯片2，这些半导体芯片借助于模塑体3彼此连接。半导体芯片2借助于布置在模塑体3的上侧3a处并且例如在模塑体的外表面上延伸的导电连接7 彼此导电连接。当前，半导体芯片经由导电连接7串联并且经由通过贯通接触部6构成的接触处4b以及接触处如电接触。这里所述的方法和这里所述的半导体器件的特征尤其是在于以下优点半导体器件的冷却可以在半导体芯片2的整个底侧2b上整面地进行。经由贯通接触部6，可以进行半导体器件的倒装片接触。也就是说，可以取消机械上易受侵蚀的接合线。由于可以同时用模塑体3包围多个半导体芯片2的事实，涉及一种特别节省费用的方法。对光电子半导体芯片例如在其尖峰波长方面的预分类使得能够同时将共同的发光材料层8施加到所有的半导体芯片上，这些半导体芯片的特征于是在于相似或者相同的辐射特性。另外可以借助于所述方法灵活地产生具有几乎任意数目的半导体芯片2的半导体器件。该半导体器件的表面使用(Flkhermutzimg)是最优的。该专利申请要求德国专利申请10 2009 036 621. 0的优先权，该德国专利申请的公开内容通过回引结合于此。本发明不通过根据实施例的描述而受限于此。更确切地说，本发明包括每种新的特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求书中的特征的每种组合，即使在该特征或者该组合本身未明确地在权利要求书或者实施例中说明时也是如此。
权利要求
1.用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤 -提供载体(1)，-将至少一个光电子半导体芯片(2)布置在载体(1)的上侧(la)， -用模塑体(3)改造至少一个光电子半导体芯片(2)，其中模塑体(3)覆盖至少一个光电子半导体芯片(2)的所有侧面(2c)，并且其中至少一个半导体芯片(2)的上侧(2a)处的背向载体(1)的表面和/或底侧(2b )处的朝向载体的表面保持未被模塑体(3 )覆盖或者被暴露，-去除载体(1)。
2.根据权利要求1的方法，其中模塑体(3)包括基质材料并且反射光的颗粒被置入到该基质材料中，使得模塑体 (3)显现为白色。
3.根据权利要求2的方法，其中基质材料包含硅树脂或者由硅树脂构成，并且反射光的颗粒由二氧化钛构成。
4.根据前述权利要求之一的方法，其中-将多个光电子半导体芯片(2)布置在载体(1)的上侧(la)，其中 -每个半导体芯片(2)被设置为在运行时产生具有被分配给该半导体芯片(2)的尖峰波长的波长范围的电磁辐射，-半导体芯片(2)的每一个的尖峰波长与所有光电子半导体芯片(2)的尖峰波长的平均值偏差最高+/_2%。
5.根据权利要求4的方法，其中在改造之前或者之后将共同的发光材料层(8)在光电子半导体芯片(2)的上侧 (2a)或者光电子半导体芯片(2)的底侧(2b)处布置在所述光电子半导体芯片(2)之后。
6.根据前述权利要求之一的方法，其中-在改造之前或者之后为每个半导体芯片(2)产生至少一个具有导电材料的贯通接触部(6)，其中-贯通接触部(6)与所分配的半导体芯片(2)在横向上间隔开地布置，并且 -贯通接触部(6)完全地穿过模塑体(3)，其中所述贯通接触部(6)从模塑体(3)的上侧(3a)延伸至模塑体(3)的底侧(3b)。
7.根据权利要求6的方法，其中在贯通接触部(6)与所分配的半导体芯片(2)之间产生导电连接(7)，所述导电连接导电地与半导体芯片(2)上侧(2a)处的背向载体(1)的表面连接并且在模塑体(3)的上侧(3a)处延伸。
8.光电子半导体器件，具有-光电子半导体芯片(2)，其侧面(2c)被模塑体(3)覆盖， -至少一个贯通接触部(6)，其包围导电材料，以及 -导电连接(7)，其导电地与半导体芯片(2)和贯通接触部(6)连接，其中 -贯通接触部(6)与半导体芯片(1)在横向上间隔开地布置， -贯通接触部(6)完全地穿过模塑体(3)，其中贯通接触部(6)从模塑体(3)的上侧 (3a)延伸至模塑体(3)的底侧(3b)，-导电连接(7)在模塑体(3)的上侧(3a)处延伸。
9.根据权利要求8的光电子半导体器件， 其中模塑体(3)被构造为光学反射的。
10.根据权利要求9的光电子半导体器件，其中模塑体(3)包括基质材料，其中反射光的颗粒被置入到该基质材料中，使得模塑体 (3)显现为白色的。
11.根据权利要求10的光电子半导体器件，其中基质材料包含硅树脂或者由硅树脂构成，并且反射光的颗粒由二氧化钛构成。
12.根据权利要求8的光电子半导体器件， 其中模塑体(3)被构造为辐射可透过的。
13.根据前述权利要求之一的光电子半导体器件，具有多个光电子半导体芯片(2)，这些光电子半导体芯片借助于在模塑体(3)的上侧 (3a)处延伸的导电连接(7)彼此导电连接。
全文摘要
公开一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤-提供载体(1)；-将至少一个光电子半导体芯片(2)布置在载体(1)的上侧(1a)；-用模塑体(3)改造至少一个光电子半导体芯片(2)，其中模塑体(3)覆盖至少一个光电子半导体芯片(2)的所有侧面(2c)并且其中至少一个半导体芯片(2)的上侧(2a)处的背向载体(1)的表面和/或底侧(2b)处的朝向载体的表面保持未被模塑体(3)覆盖或者被暴露；-去除载体(1)。
文档编号H01L33/62GK102473814SQ201080034923
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月19日 优先权日2009年8月7日
发明者卡尔滕巴歇 A., 巴希曼 B., 马费尔德 J., 魏德纳 K., 武茨 O., 韦尔特 R, 维格莱特 W. 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司