专利名称：发光器件封装和照明系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光器件封装和照明系统。
背景技术：
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。从LED发射的光的波长 可以取决于用于制造LED的半导体材料而变化。这是因为发射的光的波长取决于价带电子 和导带电子之间的能量差，即半导体材料的带隙而变化。LED能够生成具有高亮度的光，使得LED已经被广泛地用作用于显示装置、车辆、 或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用荧光材料或者组合具有各种颜色的LED来 表现具有优异的光效率的白光。
发明内容
实施例提供具有新颖的结构的发光器件封装和照明系统。实施例提供能够发射具有减少的颜色变化的光的发光器件封装和照明系统。根据实施例的发光器件封装可以包括主体；主体上的第一和第二电极层；主体 上的发光器件，该发光器件电气地连接到第一和第二电极层；发光器件上的荧光体层；以 及荧光体层上的包括颗粒的包封层，其中包封层的有效折射率具有相对于荧光体层的有效 折射率的10%或者更少的偏差。根据实施例的照明系统可以包括基板；至少一个发光器件封装，所述至少一个 发光器件封装被安装在基板上以用作光源，其中发光器件封装可以包括主体；主体上的第 一和第二电极层；主体上的发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层；发 光器件上的荧光体层；以及荧光体层上的包括颗粒的包封层，其中包封层的有效折射率具 有相对于荧光体层的有效折射率的10 %或者更少的偏差。
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图；图2是示出根据第二实施例的发光器件封装的截面图；图3是示出根据第三实施例的发光器件封装的截面图；图4是示出根据第四实施例的发光器件封装的截面图；图5是示出在根据实施例的发光器件封装中使用的发光器件的示例的截面图；图6是示出在根据实施例的发光器件封装中使用的发光器件的另一示例的截面 图；图7是示出采用根据实施例的发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及图8是示出采用根据实施例的发光器件封装的背光单元的透视图。
具体实施例方式在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基 板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接” 在另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考 附图描述了层的这样的位置。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意 性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件封装。图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图。参考图1，根据第一实施例的发光器件封装包括主体100 ；第一和第二电极层110 和120，该第一和第二电极层110和120形成在主体100上；发光器件200，该发光器件200 形成在主体100上并且电气地连接到第一和第二电极层110和120 ；荧光体层310，该荧光 体层310包围发光器件200 ；以及包封层320，该包封层320形成在荧光体层310上。主体100可以包括硅、树脂或者金属材料。主体100能够在其中形成有包围发光 器件200并且具有倾斜表面的腔体，并且反射层(未示出)能够形成在倾斜表面上。第一和第二电极层110和120被相互电气地隔离并且延伸穿过主体100以将电力 提供到发光器件200。另外，第一和第二电极层110和120可以反射从发光器件200发射的 光以提高光效率或者将从发光器件200产生的热散发到外部。发光器件200可以包括横向型发光器件，其中η侧电极层和ρ侧电极层形成在发 光器件结构的顶表面上；倒装芯片型发光器件，其中η侧电极层和ρ侧电极层形成在发光器 件结构的底表面上；或者垂直型发光器件，其中η侧电极层和ρ侧电极层分别形成在发光器 件结构的顶表面和底表面上。图1示出垂直型发光器件，其中发光器件200的η侧电极层 通过电线210被连接到第一电极层110，并且ρ侧电极层被连接到第二电极层120。例如， 发光器件200可以包括η型半导体层、有源层以及ρ型半导体层。发光器件200可以被安装在主体100或者第一或第二电极层110或120上。参考 图1，发光器件200被安装在第二电极层120上。荧光体层310形成在主体100上以包围发光器件200，并且包封层320形成在荧光 体层310上。荧光体层310转换从发光器件200发射的光的颜色并且包封层320保护荧光 体层310，并且用作控制从发光器件200发射的光的取向角的透镜。包封层320的顶表面是 凸的。因此，当光通过包封层320被发射到外部时，能够减少在包封层320和外部之间的边 界处被全反射的光的量。通过将荧光材料分布到硅胶或者环氧树脂中能够形成荧光体层310。荧光材料可 以包括硅酸盐、磷酸盐、铝酸盐，或者硫化物，并且在光发射的中心处使用过渡金属元素或 者稀土金属。荧光材料可以被分类为黄色荧光材料、红色荧光材料以及绿色荧光材料。通过将具有比硅胶或者环氧树脂的折射率高的折射率的高折射率颗粒分布到硅 胶或者环氧树脂中能够形成包封层320。根据实施例，荧光体层310的折射率匹配包封层320的折射率。详细地，荧光体层 310具有第一折射率并且包封层320具有在10 %的偏差内与第一折射率基本上相同的第二 折射率。例如，如果荧光体层310具有1. 7的折射率，那么包封层320具有1. 53至1. 87的
4折射率。如果荧光体层310的折射率显著地不同于包封层320的折射率，那么从发光器件 200发射的光可以经过荧光体层310，并且然后在荧光体层310和包封层320之间的边界处 被全反射，使得在光被发射到外部之前光可以向后行进到荧光体层310。在直接被发射到外 部而没有在荧光体层310和包封层320之间的边界处全反射的光与在荧光体层310和包封 层320之间的边界处被全反射之后被发射到外部的光之间存在颜色转换的差异，使得会出 现发光器件200的颜色变化。在这点，根据实施例的发光器件封装，荧光体层310具有与包封层320的折射率相 同或者类似的折射率，从而减少从发光器件200发射的光的颜色变化。例如，通过将具有1. 4至1. 6的折射率的硅胶与具有大约1. 8的折射率的YAG基 荧光材料或者具有大约2. 0的折射率的硅酸盐基荧光材料混合能够形成荧光体层310。荧 光体层310可以具有大约1. 6至1. 8的有效折射率。同时，通过使用具有1. 4至1. 6的折 射率的硅胶能够形成包封层320。在该情况下，由于折射率的差异会导致从荧光体层310和 包封层320之间的边界全反射的光的量增加。在这点，根据实施例，以包封层320可以具有与荧光体层310的有效折射率类似的 有效折射率的方式将颗粒添加到包封层320。颗粒可以包括高折射率颗粒。例如，颗粒可以包括金属氧化物、TiO2, A1203、TaO2, CeO2以及硅石中的至少一个。如果颗粒被添加到包封层320，那么包封层320的有效折射 率可以增加到1. 44至1. 98。因此，荧光体层310可以具有与包封层320的折射率相同或者相似的折射率，使得 在荧光体层310和包封层320的边界处可以很少出现全反射，从而减少从发光器件200发 射的光的颜色变化。图2是示出根据第二实施例的发光器件封装的截面图。在第二实施例的下面的描述中，为了避免重复，将会省略在第一实施例中已经描 述的结构和元件的详情。参考图2，根据第二实施例的发光器件封装包括主体100、形成在主体100上的第 一和第二电极层110和120 ；发光器件200，该发光器件200形成在主体100上并且电气地 连接到第一和第二电极层110和120 ；荧光体层310，该荧光体层310包围发光器件200 ；以 及包封层320，该包封层320形成在荧光体层310上。主体100具有平坦的顶表面并且反射层(未示出)可以形成在主体100的顶表面 上。另外，第一和第二电极层110和120可以用作反射层。发光器件200可以包括倒装芯片型发光器件，该倒装芯片型发光器件通过第一和 第二凸块220和230电气地连接到第一和第二电极层110和120。荧光体层310可以以基本均勻的厚度形成在发光器件200周围。详细地，通过共 形涂覆工艺能够形成荧光体层310。另外，荧光体层310能够被制备为包括荧光材料的膜。包封层320可以形成在荧光体层310、第一电极层110和第二电极层120上。因为通过共形涂覆工艺形成荧光体层310，所以从发光器件200发射的光可以通 过具有均勻的厚度的荧光体层310，使得能够减少颜色偏差。然而，即使当荧光体层310具 有均勻的厚度时，如果存在荧光体层310和包封层320之间的折射率的很大的差异，那么在荧光体层310和包封层320之间的边界处全反射从发光器件200发射的光的一部分，使得 在光被发射到外部之前光可以向后行进到荧光体层310。因此，即使通过共形涂覆工艺形成 荧光体层310，也存在对减少从发光器件200发射的光的颜色变化的限制。如在第一实施例中所描述的，通过分布高折射率颗粒形成包封层320使得包封层 320可以具有与荧光体层310的有效折射率类似的有效折射率。另外，根据实施例的发光器件封装，荧光体层310的折射率匹配包封层320的折射 率，使得可以减少在荧光体层310和包封层320之间的边界处全反射的光的量。图3是示出根据第三实施例的发光器件封装的截面图。在第三实施例的下面的描述中，为了避免重复，将会省略在第一和第二实施例中 已经描述的结构和元件的详情。参考图3，根据第三实施例的发光器件封装包括主体100 ；形成在主体100上的 第一和第二电极层110和120 ；发光器件200，该发光器件200形成在主体100上并且电气 地连接到第一和第二电极层110和120 ；荧光体层310，该荧光体层310包围发光器件200 ； 以及包封层320，该包封层320形成在荧光体层310上。主体100可以包括形成在发光器件200周围的倾斜表面并且反射层(未示出)能 够形成在倾斜表面上。第一和第二电极层110和120被相互电气地隔离并且延伸穿过主体100以将电力 提供到发光器件200。另外，第一和第二电极层110和120可以反射从发光器件200发射的 光以提高光效率或者将从发光器件200产生的热散发到外部。发光器件200可以具有倒装芯片型发光器件，该倒装芯片型发光器件通过第一和 第二凸块220和230电气地连接到第一和第二电极层110和120。荧光体层310能够以基本均勻的厚度形成在发光器件200周围。详细地，通过共 形涂覆工艺(conformal coating process)能够形成荧光体层310。另外，荧光体层310能 够被制备为包括荧光材料的膜。包封层320可以形成在荧光体层310、第一电极层110和第二电极层120上。包封 层320形成在限定于主体100中的腔体中并且具有平坦的顶表面。由于包封层320包括颗粒，所以即使包封层320具有平坦的顶表面，经过包封层 320的光也会以任意角度散射，使得能够减少在包封层320和外部空气层之间的边界处全 反射的光的量，从而提高光效率。与前述的实施例相类似，根据第三实施例的发光器件封装，荧光体层310的折射 率匹配包封层320的折射率，使得可以减少在荧光体层310和包封层320之间的边界处全 反射的光的量。通过分布高折射率颗粒可以形成包封层320使得包封层320可以具有与荧光体层 310的有效折射率类似的有效折射率。因此，经过包封层320的光可以以任意角度散射。图4是示出根据第四实施例的发光器件封装的截面图。在第四实施例的下面的描述中，为了避免重复，将会省略在第一至第三实施例中 已经描述的结构和元件的详情。参考图4，根据第四实施例的发光器件封装包括主体120 ；形成在主体120上的 第一和第二电极层131 ；发光器件110，该发光器件110形成在主体120上并且电气地连接到第一和第二电极层131 ；荧光体层151，该荧光体层151包围发光器件110 ；以及包封层 150，该包封层150包围荧光体层151。主体120能够在其中形成有包围发光器件110并且具有倾斜表面的腔体并且反射 层(未示出)能够形成在倾斜表面上。第一和第二电极层131被相互电气地隔离并且延伸穿过主体120以将电力提供到 发光器件110。发光器件100可以形成在主体120、第一电极层或者第二电极层131上。荧光体层151可以包括第一荧光体层151a，该第一荧光体层151a被布置在发光 器件110的横向侧和顶表面上以包围发光器件110 ；第二荧光体层151b，该第二荧光体层 151b被布置在与发光器件110的顶表面和横向侧对应的第一荧光体层151a上以包围发光 器件110 ；以及第三荧光体层151c，该第三荧光体层151c被布置在与发光器件110的横向 侧和顶表面对应的第二荧光体层151b上以包围发光器件110。第一至第三荧光体层151a 至151c以基本均勻的厚度形成在发光器件110周围。另外，第一至第三荧光体层151a至 151c可以包括从由氧氮化物基荧光材料、YAG基荧光材料、氮化物基荧光材料、以及硅酸盐 基荧光材料组成的组中选择的至少一个。包封层150可以形成在荧光体层151、第一电极层和第二电极层131上。包封层 150形成在于主体120中限定的腔体中并且具有平坦的顶表面。因为包封层150包括颗粒，因此即使包封层150具有平坦的顶表面，经过包封层 150的光也可以以任意的角度散射，使得能够减少在包封层150和外部空气层之间的边界 处全反射的光的量，从而提高光效率。与前述的实施例相类似，根据第四实施例的发光器件封装，荧光体层151的折射率 匹配包封层150的折射率，使得可以减少在荧光体层151和包封层150之间全反射的光的量。图5是示出在根据实施例的发光器件封装中使用的发光器件的示例的截面图。参考图5，发光器件110包括衬底10 ；衬底10上的未掺杂的半导体层20 ；发光结 构层，该发光结构层形成在未掺杂的半导体层20上并且具有第一导电半导体层30、有源层 40以及第二导电半导体层50 ；第一导电半导体层30上的第一电极60 ；以及第二导电半导 体层50上的第二电极70。另外，第一导电hGaN/GaN超晶格结构或者hGaN/InGaN超晶格结构35可以形成 在第一导电半导体层30和有源层40之间。此外，第二导电MGaN层55能够形成在第二导电半导体层50和有源层40之间。例如，衬底10可以包括六1203、单晶体、5比、63六8、631&10、六1151、63 、11^以及 Ge衬底中的至少一个，但是实施例不限于此。例如，衬底10可以包括用作用于发光结构层 的生长衬底的蓝宝石衬底。多个突出图案11可以形成在衬底10上。突出图案11可以散射从有源层40发射 的光以提高光效率。例如，突出图案11可以具有包括半球形、多边形、三角锥形以及纳米柱形中的一 个的形状。尽管未掺杂的半导体层20没有被有意地掺杂有第一导电杂质，但是未掺杂的半 导体层20是具有第一导电导电性的氮化物层。例如，未掺杂的半导体层20可以包括未掺
7杂的GaN层。缓冲层能够形成在未掺杂的半导体层20和衬底10之间。另外，未掺杂的半 导体层20可以被省略。例如，第一导电半导体层30可以包括N型半导体层。第一导电半导体层20可以 包括具有化/明 ！力⑴彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例 如，可以从由InAlGaN、GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, A1N、以及hN组成的组中选择第一导电 半导体层30，并且第一导电半导体层30可以被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的N型掺杂物。有源层40通过通过第一导电半导体层30注入的电子(或者空穴)和通过第二导 电半导体层50注入的空穴(或者电子)的复合发射基于根据组成有源层40的材料的能带 的带隙差的光。有源层40可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或者量子线 结构，但是实施例不限于此。有源层40可以包括具有hxAly(iai_x_yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组 成式的半导体材料。如果有源层40具有MQW结构，那么有源层40可以具有多个阱层和多 个势垒层的堆叠结构。例如，有源层40可以包括InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。被掺杂有N型掺杂物或者P型掺杂物的包覆层(未示出)可以形成在有源层40 上和/或下。包覆层可以包括AWaN层或者IniUGaN层。例如，第二导电半导体层50可以包括P型半导体层。第二导电半导体层50可以 包括具有化/明 ！力⑴彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例 如，可以从由InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, A1N、以及hN组成的组中选择第二导电 半导体层50。第二导电半导体层50可以被掺杂有诸如Mg、ai、Ca、Sr和Ba的P型掺杂物。同时，第一导电半导体层30可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层50可 以包括N型半导体层。另外，包括N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层(未 示出)可以形成在第二导电半导体层50上。因此，发光结构层可以包括NP、PN、NPN、PNP结 结构中的至少一个。另外，第一和第二导电半导体层30和50中的杂质的掺杂浓度可以是 均勻的或者不规则的。换言之，发光结构层可以具有各种结构，并且实施例不限于此。第一电极60被布置在第一导电半导体层30上并且第二电极70被布置在第二导 电半导体层50上以将电力提供到有源层40。图6是示出在根据实施例的发光器件封装中使用的发光器件的另一示例的截面 图。参考图6，发光器件包括导电支撑衬底80 ；发光结构层，该发光结构层形成在导电 支撑衬底80上并且具有第一导电半导体层30、有源层40以及第二导电半导体层50 ；以及 第一导电半导体层30上的第一电极60。另外，第一导电hGaN/GaN超晶格结构或者hGaN/InGaN超晶格结构35可以形成 在第一导电半导体层30和有源层40之间。此外，第二导电MGaN层55能够形成在第二导电半导体层50和有源层40之间。另外，以柱或者孔的形式制备的光提取结构31能够形成在第一导电半导体层30 上。由于光提取结构31使得从有源层40发射的光能够被有效地排出到外部。例如，发光结构31可以具有半球形、多边形、三角锥形、以及纳米柱形中的一个。 光提取结构31可以包括光子晶体。
导电支撑衬底80支撑发光结构层并且和第一电极60 —起将电力提供到发光结构层。导电支撑衬底80可以包括支撑层、反射层以及欧姆接触层。支撑层可以包括Cu、 Au、Ni、Mo、Cu-W合金、以及包括Si、Ge、GaAs、ZnO或者SiC的载具晶圆中的至少一个。反射层可以包括金属，诸如Ag或者Al。另外，欧姆接触层可以包括欧姆接触第 二导电半导体层50的材料。例如，通过使用从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、 IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化 物)、AZO (铝锌氧化物)、ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/1 TO, Ni、 Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个能够以单层或者多层制 备欧姆接触层。发光结构层可以包括多个III-IV族化合物半导体层。例如，第一导电半导体层30可以包括N型半导体层。第一导电半导体层20可以 包括具有化/明 ！力⑴彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例 如，可以从由InAlGaN、GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, A1N、以及hN组成的组中选择第一导电 半导体层30，并且第一导电半导体层30可以被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的N型掺杂物。有源层40通过通过第一导电半导体层30注入的电子(或者空穴)和通过第二导 电半导体层50注入的空穴(或者电子)的复合发射基于根据组成有源层40的材料的能带 的带隙差的光。有源层40可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或者量子线 结构，但是实施例不限于此。有源层40可以包括具有h/ipamN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组 成式的半导体材料。如果有源层40具有MQW结构，那么有源层40可以具有多个阱层和多 个势垒层的堆叠结构。例如，有源层40可以包括InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。被掺杂有N型掺杂物或者P型掺杂物的包覆层(未示出)可以形成在有源层40 上和/或下。包覆层可以包括AWaN层或者IniUGaN层。例如，第二导电半导体层50可以包括P型半导体层。第二导电半导体层50可以 包括具有化/明 ！力⑴彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例 如，可以从由InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, A1N、以及hN组成的组中选择第二导电 半导体层50。第二导电半导体层50可以被掺杂有诸如Mg、ai、Ca、Sr和Ba的P型掺杂物。同时，第一导电半导体层30可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层50可 以包括N型半导体层。另外，包括N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层(未 示出)可以形成在第二导电半导体层50上。因此，发光结构层可以包括NP、PN、NPN、PNP结 结构中的至少一个。另外，第一和第二导电半导体层30和50中的杂质的掺杂浓度可以是 均勻的或者不规则的。换言之，发光结构层可以具有各种结构，并且实施例不限于此。另外，电流阻挡层(未示出)以电流阻挡区域可以至少部分地重叠第一电极60的 方式形成在第二导电半导体层50和导电支撑衬底80上。通过使用电绝缘材料或者导电性 低于导电支撑衬底80的导电性的材料能够形成电流阻挡区域，或者通过将等离子体损伤 施加给第二导电半导体层50能够形成电流阻挡区域。由于电流阻挡层使得电流可以广泛 地扩展，从而能够提高有源层40的光效率。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，荧光体层的有效折射率与包封层的有效 折射率相同或者类似，使得能够有效地减少从发光器件发射的光的颜色变化。多个根据实施例的发光器件封装可以被排列在基板上，并且包括导光板、棱柱片、 漫射片或荧光片的光学构件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器 件封装、基板、以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括背 光单元、照明单元、指示器、灯、或者街灯。图7是示出采用根据实施例的发光器件封装的背光单元1100的分解透视图。图 7中所示的背光单元1100是照明系统的示例并且实施例不限于此。参考图7，背光单元1100可以包括底框1140、被提供在底框1140中的导光构件 1120、以及安装在导光构件1120的底表面上或者一侧的发光模块1110。另外，反射片1130 可以被布置在导光构件1120的下面。底框1140具有盒形状，该盒形状具有开口的顶表面，其中接收导光构件1120、发 光模块1110以及反射片1130。另外，底框1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施 例不限于此。发光模块1110可以包括基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。 发光器件封装600能够将光提供给导光构件1120。尽管根据实施例，发光模块1110包括被 安装在基板700上的发光器件封装600，但是根据另一实施例，发光器件200可以直接安装 在发光模块1110中。如图7中所示，发光模块1110被安装在底框1140的至少一个内侧以将光提供给 导光构件1120的至少一侧。另外，发光模块1110能够被提供在底框1140的下面以朝着导光构件1120的底表 面提供光。能够根据背光单元1100的设计对该布置进行各种修改，但是实施例不限于此。导光构件1120被安装在底框1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的 光转化为表面光以朝着显示面板(未示出)引导表面光。导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯) 的丙烯酸基树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二酯)、PC (聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚邻苯二甲 酸酯)树脂能够制造导光板。光学片1150可以被提供在导光构件1120的上方。光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、或荧光片中的至少一种。例 如，光学片1150具有漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的堆叠结构。在该情况下，漫 射片1150均勻地漫射从发光模块1110发射的光从而能够通过聚光片将漫射的光聚集在显 示面板(未示出)上。从聚光片输出的光被任意地偏振并且亮度增强片增加从聚光片输出 的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或竖直的棱柱片。另外，亮度增强片可以 包括双亮度增强膜并且荧光片可以包括包含荧光材料的透射膜或者透射板。反射片1130能够被布置在导光构件1120的下方。反射板1130将通过导光构件 1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。反射片1130可以包括诸如PET、PC或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但 是实施例不限于此。图8是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元1200的透视图。图8中所示的照明单元1200仅是照明系统的一个示例并且实施例不限于此。参考图8，照明单元1200包括壳体1210、安装在壳体1210中的发光模块1230、以 及安装在壳体1210中以从外部电源接收电力的连接端子1220。优选地，壳体1210包括具有优异的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材 料或者树脂材料。发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装 600。尽管根据实施例，发光模块1110包括被安装在基板700上的发光器件封装600，但是 根据另一实施例，发光器件100可以直接地安装在发光模块1100中。基板700包括印有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB (印刷电路板)、 MC (金属核)PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。另外，基板700可以包括有效地反射光的材料。基板700的表面能够涂有诸如白 色或者银色的颜色，以有效地反射光。至少一个发光器件封装600能够安装在基板700上。每个发光器件封装600可以 包括至少一个LED (发光二极管)。LED可以包括发射具有红色、绿色、蓝色或白色的光的彩 色LED和发射UV光的UV (紫外线)LED。发光模块1230可以具有发光器件的各种组合以提供各种颜色和亮度。例如，能够 组合白色LED、红色LED和绿色LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被提供在 从发光模块1230发射的光的路径中以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果 从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄色荧光材料。在该情 况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片从而光被视为白光。连接端子1220电气地连接至发光模块1230以将电力提供给发光模块1230。参考 图8，连接端子1220具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能 够以插入外部电源的插头的形式制备连接端子1220或者通过布线将连接端子1220连接至 外部电源。根据如上所述的照明系统，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中 的至少一种被提供在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。如上所述，照明系统包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装，从而能够提 高光效率。在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结 合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中， 在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、 结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领 域技术人员所能够想到的。虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域 的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加 具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/ 或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对 于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件封装，包括主体；所述主体上的第一和第二电极层；所述主体上的发光器件，所述发光器件被电气地连接到所述第一和第二电极层；所述发光器件上的荧光体层；以及所述荧光体层上的包括颗粒的包封层，其中所述包封层的有效折射率具有相对于所述荧光体层的有效折射率的10%或者更 少的偏差。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述颗粒包括金属氧化物。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述颗粒包括从由Ti02、A1203、TaO2,CeO2以 及硅石组成的组中选择的至少一个。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述荧光体层以均勻的厚度形成在所述 发光器件的表面上。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述荧光体层包括分别通过不同材料形 成的并且以均勻的厚度堆叠在所述发光器件的表面上的多个荧光体层。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述荧光体层被制备为包括荧光材料并 且被附着到所述发光器件的表面的膜。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述包封层形成在所述荧光体层和所述 第一和第二电极层上。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述包封层具有凸的顶表面。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述包封层具有平坦的顶表面。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述荧光体层的有效折射率是1.6至 1. 8，并且所述包封层的有效折射率是1. 44至1. 98。
11.一种照明系统，所述照明系统采用发光器件作为光源，所述照明系统包括 基板；和至少一个根据权利要求1至10中的任何一项所述的发光器件封装，并且所述发光器件 封装被安装在所述基板上。
全文摘要
本发明公开一种发光器件封装和照明系统。该发光器件封装包括主体；主体上的第一和第二电极层；主体上的发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层；发光器件上的荧光体层；以及荧光体层上的包括颗粒的包封层，其中包封层的有效折射率具有相对于荧光体层的有效折射率的10％或者更少的偏差。
文档编号H01L33/48GK102122698SQ20111000531
公开日2011年7月13日 申请日期2011年1月5日 优先权日2010年1月5日
发明者金根浩 申请人:Lg伊诺特有限公司