专利名称：通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺，尤其涉及一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁特征尺寸的工艺。
背景技术：
图1是现有技术中栅极侧壁层刻蚀前的结构示意图，图2是现有技术中栅极侧壁层刻蚀后的结构示意图，请参见图1、图2
当前栅极侧壁层刻蚀的传统工艺都是通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层。这种方法的缺点在于不得不通过生长的侧壁层厚度来调节刻蚀后的侧壁层厚度。而炉管生长的耗时巨大，工艺时间长，如果是要做多次种实验的话必须多次生长， 非常浪费。而干法刻蚀还伴随有工艺不稳定以及刻蚀后的形貌是上窄下宽(footing)的问题。
发明内容
本发明公开了一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，用以解决现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题。本发明的上述目的是通过以下技术方案实现的
一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。如上所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制所述栅极侧壁层的厚度。如上所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，在所述炉管中通过化学气相沉积形成侧壁层。如上所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，所述侧壁层是通过沉积无掺杂的玻璃硅形成的。如上所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制栅极侧壁层的特征尺寸并消除栅极侧壁层上窄下宽的情况。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题，通过进行湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸，达到了优化制程同时提高良产率的技术效果。
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图1是现有技术中栅极侧壁层刻蚀前的结构示意图； 图2是现有技术中栅极侧壁层刻蚀后的结构示意图3是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的完成侧壁层沉淀后的结构示意图4是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的去除多余侧壁层后的结构示意图5是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺湿法刻蚀后的结构示意
图6是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的流程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步的说明
本发明公开了一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，图3是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的完成侧壁层沉淀后的结构示意图，请参见图3，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层，既将半导体器件置于炉管中，在炉管中沉淀一层侧壁层，该侧壁层覆盖整个半导体器件；图4是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的去除多余侧壁层后的结构示意图，请参见图4，进行干法刻蚀，去除多余侧壁层，经过干法刻蚀后半导体表面除了栅极侧壁部分的栅极侧壁之外覆盖在半导体器件上的其余的侧壁层全部都被清除；图5是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺湿法刻蚀后的结构示意图，请参见图5，进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整，现有技术中采用干法刻蚀的工艺不稳定，容易出现刻蚀后的形貌是上窄下宽 (footing)的问题，通过湿法刻蚀后可提高栅极侧壁层特征尺寸的均勻度，增加制程的稳定性及消除刻蚀后栅极侧壁层容易出现形貌是上窄下宽(footing)的问题。本发明中进行干法刻蚀，去除多余侧壁层的工艺中，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，其余的侧壁层均通过干法刻蚀清除。本发明中根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制栅极侧壁层的厚度，实现无需通过生长栅极侧壁层厚度即可调节刻蚀后栅极侧壁层厚度的工艺效果，解决了现有技术中干法刻蚀需生长栅极侧壁层以控制栅极侧壁层厚度的缺陷，尤其在做多次种实验的过程中，采用本发明的技术方案有效减少了现有技术多次生长所造成的浪费，并减少了工艺时间。本发明中在所述炉管中通过化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition，简称 CVD)形成侧壁层。本发明中的所述侧壁层是通过沉积无掺杂的玻璃硅形成的。本发明中根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制栅极侧壁层的特征尺寸 (CD)并消除栅极侧壁上窄下宽(footing)的情况，使侧壁表面的形貌更加理想。图6是本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的流程图，请参见图6，本发明的具体工艺步骤为步骤101 将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；步骤102 进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；步骤103 进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题，通过进行湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸，达到了优化制程同时提高良产率的技术效果。以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
权利要求
1.一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。
2.根据权利要求1所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制所述栅极侧壁层的厚度。
3.根据权利要求1所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，在所述炉管中通过化学气相沉积形成侧壁层。
4.根据权利要求1所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，所述侧壁层是通过沉积无掺杂的玻璃硅形成的。
5.根据权利要求1所述的通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，根据湿法刻蚀率对刻蚀时间进行调整，以控制栅极侧壁层的特征尺寸并消除栅极侧壁层上窄下宽的情况。
全文摘要
本发明公开了一种通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，将半导体器件的表面通过炉管生长一层侧壁层；进行干法刻蚀，将半导体器件中栅极侧壁的栅极侧壁层保留，去除多余侧壁层；进行湿法刻蚀，以对侧壁的厚度进行调整。本发明通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中通过炉管生长侧壁层，然后再用干法刻蚀去除多余部分的侧壁层所造成的工艺时间长及工艺不稳定的问题，通过进行湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸，达到了优化制程同时提高良产率的技术效果。
文档编号H01L21/311GK102420123SQ20111011033
公开日2012年4月18日 申请日期2011年4月29日 优先权日2011年4月29日
发明者刘格致, 毛刚 申请人:上海华力微电子有限公司