专利名称：薄膜晶体管及其制造方法
技术领域：
本公开涉及薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，尤其涉及使用包括氧化锌的导电氧化物层作为有源层的TFT及其制造方法。
背景技术：
TFT被用作单独驱动液晶显示器(IXD)或有机电致发光(EL)显示器中的每一个像素的电路。TFT与栅极线和数据线同时形成在显示器的底部基板上。也就是说，TFT包括栅极电极(其是栅极线的一部分)、用作沟道的有源层、源极电极和漏极电极(其是数据线的一部分)、和栅极绝缘层。TFT的有源层充当作栅极电极和源极/漏极电极之间的沟道区，并且该有源层由非晶硅或晶体硅形成。然而，由于使用硅的TFT基板需要玻璃基板，所以其重量大并且不容易弯曲。从而该TFT基板不可以用于柔性显示器。为了解决这个问题，近来已对金属氧化物材料做了大量研究。此外，为了提高迁移率，即实现高速器件，可以将具有高载流子浓度和优良导电率的晶体层应用于有源层。采用金属氧化物的ZnO层的研究正在积极地进行中。对于SiO层，容易在低温下发生晶体生长，并且ZnO被认为是用来获得高载流子浓度和迁移率的优良材料。然而，当ZnO 层暴露于空气时，其薄膜质量不稳定，从而使得TFT的稳定性恶化。因此，为了提高ZnO层的薄膜质量，已经积极地开展了如下研究通过在用h、Ga、和Sn对ZnO层进行掺杂之后诱发非晶ZnO层来改善TFT的稳定性。
发明内容
本公开提供一种使用具有高迁移率和优良稳定性的导电氧化物层作为有源层的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。本公开还提供一种具有高迁移率和优良稳定性的TFT及其制造方法，该TFT是通过形成具有不同导电率的两层导电氧化物层并且使用导电氧化物层作为有源层而获得的。根据一个示例性实施例，薄膜晶体管(TFT)包括栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在栅极电极与源极和漏极电极之间；有源层，设置在栅极绝缘层与源极和漏极电极之间，其中有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。有源层可由沿厚度方向具有不同组成的氧化锌(SiO)形成。有源层可以包括具有高导电率的前沟道区以及具有比前沟道区低的导电率的块状区(bulk region)和后沟道区中的至少一个。可以通过用h和Ga、Hf和In、或h来掺杂导电氧化物层来形成前沟道区。块状区可以由未掺杂杂质的金属氧化物层形成。可以通过用Ga、Hf、Sn、和Al来掺杂金属氧化物层来形成后沟道区。前沟道区可以形成在栅极电极一侧，块状区或后沟道区可以形成在源极电极和漏极电极一侧。前沟道区可以形成在栅极电极一侧，后沟道区可以形成在源极电极和漏极电极的一侧，以及块状区可以形成在前沟道区和后沟道区之间。根据另一个示例性实施例，一种制造TFT的方法包括准备基板；在基板上形成栅极电极以及源极和漏极电极，该栅极电极与源极和漏极电极在垂直方向上彼此隔开；在栅极电极与源极和漏极电极之间形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层与源极和漏极电极之间形成有源层，其中有源层由导电氧化物层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。有源层可以包括具有高导电率的前沟道区以及具有比前沟道区低的导电率的块状区和后沟道区中的至少一个。前沟道区、块状区、和后沟道区可以原位形成。可以通过原子层沉积(ALD)来形成前沟道区，可以通过化学气相沉积(CVD)来形成块状区，以及可以通过ALD或CVD来形成后沟道区。
根据下面的描述以及附图可以更详细地理解示例性实施例，在附图中图1是根据示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)的截面图；图2是根据一个示例性实施例的变形的TFT的截面图；图3是根据另一个示例性实施例的TFT的截面图；图4是根据另一个示例性实施例的的变形的TFT的截面图；图5是根据又一个示例性实施例的TFT的截面图；图6是根据又一个示例性实施例的变形的TFT的截面图；以及图7到10是图示根据示例性实施例的TFT制造方法的顺序截面图。
具体实施例方式下文中，将参照附图详细描述特定实施例。然而本发明可以以不同的形式体现，不应被理解为局限于在此阐述的实施例。倒不如说提供这些实施例使得本公开是彻底的和完整的，这些实施例对本领域技术人员来说将完全覆盖本发明的范围。在附图中，为了图示的清楚性，放大了层和区的尺寸。在所有附图中，相似的参考数字指示相似的元件。还将理解的是，当指一个层、一个薄膜、一个区、或一个板位于另一个“之上”时，它可以直接位于另一个之上，或者也可以存在一个或更多个介于之间的层、薄膜、区、或板。此外，还将理解的是，当指一个层、一个薄膜、一个区、或一个板位于两个层、薄膜、区、或板“之间”时，在这两个层、薄膜、区、或板之间可以只有一个层、薄膜、区、或板，或者也可以存在一个或更多个介于之间的层、薄膜、区、或板。
图1是根据示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)的截面图。该TFT是底栅极TFT。参考图1，TFT包括在基板100上的栅极电极110、在栅极电极110之上的栅极绝缘层120、在栅极绝缘层120之上的有源层130、以及在有源层130上的相互隔开的源极电极140a和漏极电极140b。基板100可以是透明基板。举例来说，硅基板和玻璃基板可用于基板100，或者当要实现柔性显示器时，塑料基板(诸如PE、PES、PET、和PEN)可用于基板100。此外，基板 100可以是反射性基板(例如，金属基板)。金属基板可以由不锈钢、Ti、Mo、或其组合形成。 其中，当金属基板被用作基板100时，绝缘层可形成在金属基板上。绝缘层避免了金属基板与栅极电极110之间的短路，并且避免了金属原子从金属基板扩散。包括Si02、SiN、Al2O3 及其组合中的一种的材料可用作绝缘层。此外，包括TiN、TiAlN、SiC及其组合中的一种的无机材料可用作在绝缘层下面的防扩散层。栅极电极110可以由导电材料形成，并且例如可以由包括Al、Nd、Ag、Cr、Ti、Ta、 Mo、Cu及其组合中的一种的合金形成。此外，栅极电极110可以包括单层或含多个金属层的多层。也就是，多层可以是双层，该双层包括具有优良物理和化学属性的Cr、Ti、Ta、或Mo 的金属层和具有小电阻率的基于Al、Ag、或Cu的金属层。栅极绝缘层120可至少设置在栅极电极110上。也就是，栅极绝缘层120可设置在基板100上的栅极电极110的顶部和侧部上。栅极绝缘层120具有对金属材料的优良黏附性，并且可以包括包含Si02、SiN、Al2O3、或^O2的至少一个绝缘层，所有这些绝缘层都具有对金属材料的优良黏附性和介电耐电压。有源层130设置在栅极绝缘层120上，并且有源层130的至少一部分与栅极电极 110重叠。有源层130可以由包括ZnO层的导电氧化物层形成。此外，有源层130包括层叠的前沟道区130a和后沟道区130b。这里，前沟道区130a是与栅极电极110相邻的有源层 130的一部分，并且具有预定的厚度。后沟道区130b是有源层130的其余部分。也就是，一旦向栅极电极110施加⑴电压，(“)电荷就聚集在栅极绝缘层120上的有源层130的一部分上以形成前沟道，并且随着电流很好地流过前沟道，电荷迁移率变好。因此，前沟道区 130a由具有优良迁移率的材料即具有优良导电率的材料形成。相反，一旦向栅极电极110 施加(_)电压，(_)电荷就聚集在源极电极140a和漏极电极140b下面的有源层130的一部分上。因此，后沟道区130b可以由用来防止电荷传输的材料，即具有比前沟道区130a低的导电率的材料形成。为了形成包括前沟道区130a和后沟道区130b的有源层130，分别向导电氧化物层中掺入不同的杂质。也就是，有源层130包括沿厚度方向具有不同组成的导电氧化物层。 例如，当有源层130可以由ZnO来形成时，前沟道区130a可以用化和fei、Hf和111、或化来掺杂，后沟道区130b可以用( 或Hf来掺杂。因此，前沟道区130a可以由用h和fei掺杂的ZnO(即IGZ0)、用Hf和In掺杂的ZnO(即ΗΙΖ0)、或用In掺杂的ZnO(即ΙΖ0)形成。而且，后沟道区130b可以由用( 掺杂的SiO (即GZ0)或用Hf掺杂的SiO (即ΗΖ0)来形成。由于h和Ga、In和Hf、或h被掺杂到前沟道区130a中，所以其电子轨道与ZnO 的最外层电子轨道重叠，使得由于带传导(band conduction)机制而发生电传导。其结果是，可提高电荷迁移率。此外，由于杂质被掺杂到一个区域中以形成前沟道区130a，所以诱发了非晶相，使得可以制造具有优良均勻性的TFT。这个前沟道区130a可以具有约5A到约50A的厚度，并且可以通过原子层沉积(ALD)工艺来形成。同时，掺杂Hf或( 来形成后沟道区130b，使得可以诱发非晶相，并且可以调整电荷数量。也就是，由于ZnO层的电荷主要由于氧不足而产生，并且仅通过调整氧浓度难以适当地控制电荷的数量，所以Ga(即第III族元素)或Hf (即第IV族元素)被掺杂到一个区域中以适当地控制电荷的数量。其中，Sn或Al而不是( 或Hf可以被掺杂到一个区域中以形成后沟道区130b。此外，后沟道区130b可以具有约200 A到约300A的厚度，并且可以通过化学气相沉积(CVD)工艺来形成，以实现快速沉积。源极电极140a和漏极电极140b设置在有源层130上并且与栅极电极110部分重叠，使得源极电极140a和漏极电极140b彼此相互隔开，它们之间有栅极电极110。源极电极140a和漏极电极140b可以通过相同的材料和工艺来形成，并且可以包括导电材料(例如包括Al、Nd、Ag、Cr、Ti、Ta、和Mo及其合金的金属中的一种)。也就是，源极电极140a和漏极电极140b可以由与栅极电极110相同或不同的材料形成。而且，源极电极140a和漏极电极140b可以由单层或包含多个金属层的多层形成。如上所述，关于TFT，通过用h和Ga、Hf和或h掺杂金属氧化物来形成前沟道区130a，并且通过用( 或Hf掺杂金属氧化物来形成后沟道区130b，由此形成有源层 130。因此，能够通过形成由于高的电荷浓度而具有优良迁移率和导电率的前沟道区130a 来实现高速器件，并且能够通过形成具有非晶相的后沟道区130b来提高该高速器件的稳定性。也就是，由于有源层130包括分别用不同杂质掺杂的层叠的前沟道区130a和后沟道区130b，因此能够制造高速且稳定的TFT。图2是根据示例性实施例的变形的TFT的截面图。该TFT是交错型顶栅TFT。参考图2，TFT包括在基板100上相互隔开的源极电极140a和漏极电极140b、覆盖基板100的有源层130、以及在有源层130上的栅极绝缘层120和栅极电极110，该有源层130暴露于源极电极140a和漏极电极140b之间的间隔以及两电极的部分。这里，有源层130包括前沟道区130a和后沟道区130b。前沟道区130a形成在栅极电极110 —侧，后沟道区130b形成在源极电极140a和漏极电极140b —侧。因此，后沟道区130b和前沟道区130a为层叠的以形成有源层130。图3是根据另一个示例性实施例的TFT的截面图。该TFT是底栅TFT。参照图3，TFT包括在基板100上的栅极电极110、在栅极电极110上的栅极绝缘层120、在栅极绝缘层120上的有源层130、和在有源层130上相互隔开的源极电极140a和漏极电极140b。有源层130包括层叠的前沟道区130a和块状区130c。有源层130设置在栅极绝缘层120上，并且有源层130的至少一部分被设置为与栅极电极110重叠。有源层130可以由包括SiO层的导电氧化物层形成。此外，通过将前沟道区130a和块状区130c层叠来形成有源层130。这里，前沟道区130a是与栅极电极110 相邻的有源层130的一部分并且具有预定的厚度，而块状区130c是有源层130的其余部分。前沟道区130a提高电荷迁移率，并且块状区130c提高稳定性。为此，块状区130c例如可以由非晶相组成。块状区130c可以由ZnO的导电氧化物层来形成。也就是，块状区130c可以由没有掺杂杂质的导电氧化物层来形成。因此，块状区130c可以具有比前沟道区130a低的导电率。此外，可以通过CVD工艺形成具有约200 A到约300A的厚度的块状区130c，并且该块状区130c可以由非晶相或晶体相组成。图4是根据另一个示例性实施例的变形的TFT的截面图。该TFT是交错型顶栅 TFT。参照图4，TFT包括在基板100上相互隔开的源极电极140a和漏极电极140b、覆盖基板100的有源层130、和有源层130上的栅极绝缘层120和栅极电极110，该有源层130 暴露于源极电极140a和漏极电极140b之间的间隔以及两电极的部分。这里，有源层130包括前沟道区130a和块状区130c。前沟道区130a形成在栅极电极110 —侧，而块状区130c 形成在源极电极140a和漏极电极140b —侧。因此，块状区130c和前沟道区130a为层叠的以形成有源层130。图5是根据又一个示例性实施例的TFT的截面图。该TFT包括在基板100上的栅极电极110、在栅极电极110上的栅极绝缘层120、在栅极绝缘层120上的前沟道区130a、包含块状区130c和后沟道区130b的有源层130、以及在有源层130上相互隔开的源极电极 140a和漏极电极140b。有源层130设置在栅极绝缘层120上，并且有源层130的至少一部分与栅极电极 110重叠。有源层130可以由包括ZnO层的导电氧化物层形成。此外，通过将前沟道区130a、 块状区130c、和后沟道区130b层叠来形成有源层130。这里，前沟道区130a是与栅极电极 110相邻的有源层130的一部分，并且具有预定的厚度。后沟道区130b是与源极电极140a 和漏极电极140b相邻的有源层130的一部分，并且具有预定的厚度。此外，块状区130c设置在前沟道区130a和后沟道区130b之间，而且有源层130的其余部分(即，除了块状区 130c和前沟道区130a)成为后沟道区130b。为了形成包括前沟道区130a、块状区130c、和后沟道区130b的有源层130，通过分别用不同的杂质来掺杂导电氧化物层来形成前沟道区130a和后沟道区130b，而块状区 130c可以由未掺杂杂质的导电氧化物层来形成。举例来说，有源层130可以由ZnO形成， 前沟道区130a可以形成为掺杂有h和Ga、Hf和In、或h，块状区130c可以形成为未用杂质掺杂，后沟道区130b可以形成为掺杂有( 或Hf。这里，前沟道区130a提高电荷迁移率，后沟道区130b防止电荷传输。此外，块状区130c可以提高稳定性，为此可以由非晶相组成。此外，前沟道区130a具有比块状区130c高的导电率，而且块状区130c具有比后沟道区130b高的导电率。其间，可以通过ALD工艺形成具有约5A到约50A的厚度的前沟道区130a。此外， 可以通过CVD工艺形成具有约200人到约300A的厚度的块状区130c，并且该块状区130c 可以由非晶相或晶体相组成。此外，可以通过ALD工艺或CVD工艺形成具有约5 A到约50A 的厚度的后沟道区130b，并且该后沟道区130b可以由非晶相组成。图6是根据又一个示例性实施例的变形的TFT的截面图。该TFT是交错型顶栅 TFT0在该TFT中，有源层130包括层叠的前沟道区130a、块状区130c、和后沟道区130b。参照图6，TFT包括在基板100上相互隔开的源极电极140a和漏极电极140b、覆盖基板100的后沟道区130b、包括层叠的块状区130c和前沟道区130a的有源层130、以及在有源层130上的栅极绝缘层120和栅极电极110，该后沟道区130b暴露于源极电极140a 和漏极电极140b之间的间隔以及两电极的部分。也就是，对于顶栅TFT，由于栅极电极110 设置在顶部，并且源极电极140a和漏极电极140b设置在底部，所以有源层130中块状区130c和前沟道区130a设置在后沟道区130b上。其中，TFT可用作用来驱动诸如液晶显示器(LCD)和有机电致发光(EL)显示器之类的显示器中每一个像素的驱动电路。也就是，TFT形成在具有成矩阵的多个像素的显示面板中的每一个像素中。通过TFT选择每一个像素，接着用于显示图像的数据被发送到选择的像素。图7-10是图示根据示例性实施例的制造方法的顺序截面图。该TFT是底栅TFT。参照图7，在基板100的预定区域上形成栅极电极110，然后在包括栅极电极110 的整个上部上形成栅极绝缘层120。为了形成栅极电极110，可以通过CVD在基板100上形成第一导电层，然后通过光和蚀刻工艺使用预定的掩模进行图案化。这里，第一导电层可以由金属、金属合金、金属氧化物、透明导电层及其组合中的一种来形成。此外，考虑到导电和电阻性能，第一导电层可以由多个层来形成。而且，栅极绝缘层120可以形成在包括栅极电极110的整个上部上，并且可以由包括氧化物和/或氮化物的无机绝缘材料或有机绝缘材料来形成。参照图8，在包括栅极绝缘层120的整个上部上形成第一金属氧化物半导体层 132。可以通过ALD工艺来形成该第一金属氧化物半导体层132。这里，第一金属氧化物半导体层132可以在金属前驱体、反应气体、和第一杂质气体的流入下形成。金属前驱体可以采用Zn，并且反应气体可以采用包括氧的气体。此外，第一杂质气体可以采用h和( 的混合气体、Hf和h的混合气体、和h气体中的一种。此外，为了通过ALD工艺形成第一金属氧化物半导体层132，提供和净化金属前驱体和第一杂质气体以及提供和净化反应气体要重复进行几次。第一金属氧化物半导体层132可以形成为具有约5A到约50A的厚度。参照图9，在第一金属氧化物半导体层132上形成第二金属氧化物半导体层134。 第二金属氧化物半导体层134可以在金属前驱体、反应气体、和第二杂质气体的流入下形成。金属前驱体可以采用Zn，并且反应气体可以采用包括氧的气体。此外，第二杂质气体可以采用IrufeuSnjnAl中的一种。也就是，第二金属氧化物半导体层134可以采用与第一金属氧化物半导体层132相同的金属前驱体和反应气体，并且可以采用与第一金属氧化物半导体层132不同的杂质气体。此外，可以通过CVD工艺来形成第二金属氧化物半导体层 134以改善工艺速度。也就是说，同时提供金属前驱体、反应气体、和第二杂质气体以在第一金属氧化物半导体层132上形成第二金属氧化物半导体层134。第二金属氧化物半导体层 134可以形成为具有约200A到约300A的厚度。这里，第一金属氧化物半导体层132和第二金属氧化物半导体层134可以在相同的反应室中原位形成。为此，反应室可以是能够进行 ALD工艺和CVD工艺的腔室。例如，反应室可以包括其上安装多个基板100的可旋转基座和至少四个喷嘴，该至少四个喷嘴用来单独地喷射金属前驱体和杂质气体、净化气体、反应气体、和净化气体。从而，由于至少两个喷嘴单独地喷射金属前驱体和杂质气体、以及反应气体，所以在基座旋转的同时，用从每一个喷嘴喷射的气体沉积原子层，进行CVD工艺。参照图10，对第一金属氧化物半导体层132和第二金属氧化物半导体层134进行图案化以覆盖栅极电极110，使得形成有源层130。因此，有源层130具有前沟道区130a和后沟道区130b为层叠的结构。接下来，在有源层130上形成第二导电层，然后通过光和蚀刻工艺使用预定的掩模图案化该第二导电层，由此形成源极电极140a和漏极电极140b。这里，第二导电层可以通过CVD工艺由金属、金属合金、金属氧化物、透明导电层、及其组合中的一种来形成。此外，考虑到导电和电阻性能，第二导电层可以包括多个层。其间，将源极电极140a和漏极电极140b形成为与栅极电极110的顶部部分重叠，并使它们在栅极电极 110上彼此隔开。此外，上述示例性实施例描述了通过CVD工艺形成用于栅极电极110的第一导电层、栅极绝缘层120、用于有源层130的第二金属氧化物半导体层134、用于源极电极140a 和漏极电极140b的第二导电层的情形。然而，除了 CVD工艺，也可以采用物理气相沉积 (PVD)工艺。也就是说，可以通过溅射、真空沉积工艺、或离子镀来形成层。在这点上，如果通过溅射来形成层，则可以通过溅射工艺使用溅射掩模(即阴影掩模)，而不是通过光和蚀刻工艺使用预定的掩模来形成上述结构。此外，除了 CVD或PVD工艺，还可以采用包括压印 (imprinting)(诸如旋涂、深涂、和纳米压印)、模印、印刷、或转印的各种涂覆方法，通过使用分散的细小粒子的胶体溶液或包括前驱体的液态溶胶-凝胶来进行涂覆。此外，可以通过ALD工艺或脉冲激光沉积(PLD)工艺来进行涂覆。根据示例性实施例，用分别具有不同导电率的至少两个层来形成有源层。根据是否将杂质掺杂到导电氧化物层中或掺杂的杂质的类型，为了形成有源区，包括前沟道区以及包括块状区和后沟道区中的至少一个。根据示例性实施例，前沟道区具有比块状区和后沟道区更好的导电率，并且相邻栅极电极形成，由此提高了 TFT的运行速度。此外，块状区和后沟道区改善稳定性并且防止电荷传输，并且相邻源极和漏极电极形成。因此，TFT的稳定性可以得到提高。结果，由于有源层由分别具有不同导电率的至少两层形成，所以能够实现器件的高速运行，并且能够提高器件的稳定性。虽然参照特定实施例描述了薄膜晶体管及其制造方法，但是不限于此。因此，本领域技术人员将容易理解，在不偏离附加的权利要求的本发明精神和范围下可以对其进行各种修改和变化。
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括 栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与所述栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间； 有源层，设置在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间， 其中有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。
2.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源层由沿厚度方向具有不同组成的氧化锌形成。
3.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源层包括具有高导电率的前沟道区和具有比该前沟道区低的导电率的块状区和后沟道区中的至少一个。
4.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道区是通过用h和fe、Hf和In、或h 来掺杂所述导电氧化物层来形成的。
5.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述块状区由未掺杂杂质的金属氧化物层形成。
6.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述后沟道区是通过用fe、Hf、Sn、和Al来掺杂所述金属氧化物层来形成的。
7.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道区形成在所述栅极电极一侧，所述块状区或所述后沟道区形成在所述源极电极和漏极电极一侧。
8.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道区形成在所述栅极电极一侧，所述后沟道区形成在所述源极电极和漏极电极一侧，以及所述块状区形成在所述前沟道区与所述后沟道区之间。
9.一种制造薄膜晶体管的方法，包括 准备基板；在所述基板上形成栅极电极以及源极电极和漏极电极，以使其在垂直方向上彼此隔开； 在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间形成有源层， 其中所述有源层由导电氧化物形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。
10.权利要求9所述的方法，其中所述有源层包括具有高导电率的前沟道区以及具有比前沟道区低的导电率的块状区和后沟道区中的至少一个。
11.权利要求10所述的方法，其中所述前沟道区、所述块状区、和所述后沟道区是原位形成的。
12.权利要求11所述的方法，其中所述前沟道区是通过原子层沉积来形成的； 所述块状区是通过化学气相沉积来形成的；以及所述后沟道区是通过原子层沉积或化学气相沉积来形成的。
全文摘要
提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在栅极电极与源极电极和漏极电极之间；有源层，设置在栅极绝缘层与源极电极和漏极电极之间。该有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。
文档编号H01L21/205GK102299182SQ20111017692
公开日2011年12月28日 申请日期2011年6月23日 优先权日2010年6月23日
发明者金宰湖 申请人:周星工程股份有限公司