专利名称：有机发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术：
有机发光显示装置因轻薄、视角宽、响应速度快、以及功耗低等优点，作为新一代的显示装置而备受瞩目。发明内容
本发明的目的在于，提供制造工序简单、可防止相对电极和排线之间短路的有机发光显示装置及其制造方法。
根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，可以包括薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。
根据本发明的另一特征，所述钝化层的侧端部可以具有与所述源电极和漏电极和所述排线的侧端部相同的蚀刻面。
根据本发明的再一特征，所述有机绝缘层可以形成为直接与所述钝化层的侧端部接触。
根据本发明的再一特征，所述钝化层可以包括无机绝缘物或者有机绝缘物。
根据本发明的再一特征，所述排线可以为数据线或者电源电压供给线。
根据本发明的再一特征，所述活性层和所述栅电极之间具有第一绝缘层；所述栅电极与所述源电极和漏电极之间具有第二绝缘层；通过形成于所述第二绝缘层的接触孔， 所述源电极和漏电极中的一个可以与所述像素电极连接。
根据本发明的再一特征，所述像素电极可以包括与所述栅电极相同的透明导电物质。
根据本发明的再一特征，所述相对电极可以为反射电极。
根据本发明的再一特征，还可以包括电容器，所述电容器具有下部电极，形成于与所述活性层相同的层；以及上部电极，形成于与所述栅电极相同的层。
根据本发明的再一特征，所述有机绝缘层可以直接形成于所述上部电极上。
根据本发明的再一特征，所述下部电极可以包括掺杂有离子杂质的半导体。
根据本发明的再一特征，所述上部电极可以包括与所述栅电极相同的透明导电物质。
根据本发明的再一特征，所述透明导电物质可以包括选自IT0、IZ0、Zn0以及In2O3的一种物质。
根据本发明的另一方面，提供有机发光显示装置的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上形成半导体层，图案化所述半导体层以形成薄膜晶体管的活性层；第二掩模工序，在所述第一掩模工序的产物上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质以及第一金属并对其进行图案化，以形成薄膜晶体管的栅电极和像素电极；第三掩模工序，在所述第二掩模工序的产物上形成第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层，以形成露出所述活性层的源区域和漏区域和所述像素电极的接触孔；第四掩模工序，在所述第三掩模工序的产物上依次形成第二金属和钝化层，图案化所述第二金属和所述钝化层，以形成与所述活性层连接的源电极和漏电极以及位于与所述源电极和漏电极相同的层的排线；以及第五掩模工序，在所述第四掩模工序的产物上形成第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行开口以露出所述像素电极的透明导电物质。
根据本发明的另一特征，在所述第二掩模工序后，可以对所述源区域和漏区域掺杂尚子杂质。
根据本发明的另一特征，所述第四掩模工序，可以包括第一蚀刻工序，去除所述钝化层的一部分；第二蚀刻工序，去除层叠于所述像素电极上的所述第二金属；以及第三蚀刻工序，去除形成于所述像素电极的透明导电物上的所述第一金属。
根据本发明的另一特征，所述第一蚀刻工序可以为干蚀刻工序。
根据本发明的另一特征，所述第四掩模工序可以为在去除所述钝化层的一部分的第一蚀刻工序后，同时蚀刻以相同的材料形成的所述第一金属和所述第二金属。
根据本发明的另一特征，所述第一掩模工序还包括形成电容器的下部电极；所述第二掩模工序还包括形成电容器的上部电极；所述第三掩模工序还包括形成露出所述上部电极的接触孔；以及所述第四掩模工序还可以包括去除所述上部电极的一部分。
根据本发明的另一特征，在所述第四掩模工序后，还可以包括对所述电容器的下部电极掺杂尚子杂质。
根据本发明的另一特征，在所述第五掩模工序后，还可以在所述像素电极上部形成发光层和相对电极。
根据如上所述的本发明的有机发光显示装置及其制造方法，具有如下效果
第一，在源电极和漏电极、以及形成于与源电极和漏电极相同的层的排线的上部形成钝化层，可防止电极、排线与相对电极之间发生短路(short)。
第二，无需增加额外的掩模工序，通过5次掩模工序来制造如上所述的有机发光显示装置。
第三，在形成源电极和漏电极之后形成钝化层，从而可防止像素电极受到损伤。
第四，形成MIM CAP结构,从而可提高电路的电压设计余量(margin)。
图I是包括于根据本发明一实施例有机发光显示装置的一个像素的电路图2是概略示出根据本发明一实施例有机发光显示装置的一部分的截面图3是概略示出根据本发明的比较实施例的有机发光显示装置的一部分的截面
阅图4是概略示出根据本发明的比较实施例的有机发光显示装置的一部分的平面图;
图5至图11是概略示出根据本发明一实施例有机发光显示装置的制造方法的截面图。
附图标记说明
I :有机发光显示装置；10 :基板；
12 :第一绝缘层；15 :第二绝缘层；
18 :第三绝缘层；113:第一像素电极；
114 :第二像素电极；118 :发光层；
19 :相对电极；211 :半导体层；
211a :源区域和漏区域；211c :沟道区；
213 :第一栅电极；214 :第二栅电极；
216 :源电极和漏电极；217 :钝化层；
311a :电容器的下部电极；313 :电容器的第一上部电极；
314:电容器的第二上部电极；313 :上部电极；
S :扫描线；D :数据线；
V :电源电压供给线；PXL :像素部；
TR :薄膜晶体管；Cst :电容器；
C1-C5 :接触孔。
具体实施方式
以下，参照附图所示出的本发明的优选实施例，对本发明进行详细说明。
图I是包括于根据本发明一实施例有机发光显示装置的一个像素的电路图，图2 是概略示出根据本发明一实施例有机发光显示装置I的一部分的截面图。
如图I所示，根据本发明一实施例的有机发光显示装置I，像素内部具有扫描线S、 数据线D和电源电压供给线V等多个导电线、发光部EL、第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2以及电容器Cst。
图I用于说明本发明一实施例，然而本发明不限于此。即，除了图I所示的导电线以外，本实施例还可以具有其他的导电线。并且，薄膜晶体管以及电容器的数量也不限定于图示的实施例；沿像素电路部，可组合两个以上的薄膜晶体管和一个以上的电容器。
第一薄膜晶体管TRl的栅电极连接于扫描线S，第一薄膜晶体管TRl的第一电极连接于数据线D。第二薄膜晶体管TR2的栅电极连接于第一薄膜晶体管TRl的第二电极，第二薄膜晶体管TR2的第一电极连接于电源电压供给线V、第二电极连接于发光部EL的阳电极。此时，第一薄膜晶体管TRl为开关晶体管，第二薄膜晶体管TR2为驱动晶体管。所述附图中示出的第一薄膜晶体管TRl和第二薄膜晶体管TR2为P型，但不限于此，其中至少一个可以形成为N型。
电容器Cst连接于第一薄膜晶体管TRl的第二电极和电源电压供给线V之间。电容器Cst为向第一薄膜晶体管TRl施加数据信号期间存储数据信号的存储电容器。
如图2所示，第二薄膜晶体管TR2包括在基板10上设置的半导体层211 ;第一栅电极213和第二栅电极214 ;源电极和漏电极216。虽然在所述附图中仅示出了第二薄膜晶体管TR2的截面形状，但是第一薄膜晶体管TRl具有与第二薄膜晶体管TR2相同的截面。
可以由玻璃或者塑料等多种材质形成基板10。如果显示装置为向基板10 —侧显示影像的背面发光型，优选地以透明材质形成基板10。
虽未在附图中示出，但基板10的上部形成平滑的面，还可以在基板10的上部形成缓冲层(未图示)，用于防止杂质渗透至基板。可以由3102和/或SiNx等形成缓冲层。
半导体层211可以包括非晶硅或者晶化硅，其还可以包括沟道区211c和在沟道区 211c的外侧掺杂有离子杂质的源区域和漏区域211a。源区域和漏区域211a可以通过掺杂 III族元素形成为P型，也可以通过掺杂V族元素形成为N型。
在半导体层211上的、与半导体层211的沟道区211c对应的位置，隔着作为栅绝缘膜的第一绝缘层12，依次形成有第一栅电极213以及第二栅电极214。
第一绝缘层12用于使第一栅电极213、第二栅电极214与半导体层211绝缘，其可以由SiNx和/或SiO2等无机膜形成。
可由蚀刻选择比不同的导电物质形成第一栅电极213和第二栅电极214。例如，第一栅电极213和第二栅电极214可以由如ITO的透明导电物质以及选自钛(Ti)、钥(Mo)、 Al(铝)铜(Cu)及其合金的一种以上的、蚀刻选择比不同的物质形成。本实施例中，透明导电物质ITO用作第一栅电极213，由三重层的Mo/Al/Mo用作第二栅电极214。另外，形成第一栅电极213的透明物质，除ITO外还可以使用选自IZ0、Zn0以及In2O3的物质。
第一栅电极213和第二栅电极214上形成第二绝缘层15。第二绝缘层15起到使第一电极213、第二栅电极214与源电极和漏电极216绝缘的层间绝缘膜的功能。
可以由多种绝缘物质形成第二绝缘层15。例如，可以由如氧化物、氮化物等无机物形成，也可以由有机物形成。形成第二绝缘层15的无机绝缘膜可以包括Si02、SiNx、Si0N、 A1203、TiO2, Ti205、HfO2, ZrO2, BST、PZT等；形成第二绝缘层15的有机绝缘膜可以包括通常的惯用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、 烯丙醚类高分子、酰胺类高分子、含氟高分子、对二甲苯类高分子、乙烯基类高分子及其混合物等。并且，也可以由无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合层叠体形成第二绝缘层15。
源电极和漏电极216，经由同时贯通第二绝缘层15和第一绝缘层12而形成的接触孔C3，接触于半导体层211的源区域和漏区域211a。在所述附图中示出的源电极和漏电极 216为一个层，但是本发明不限于此，其还可以由多个层形成源电极和漏电极216。
源电极和漏电极216上形成钝化层217。虽未在图2中示出，但钝化层217也可以形成于排线上，所述排线形成于与源电极和漏电极216相同的层。例如，钝化层217可以形成在位于与源电极和漏电极216相同的层的数据线D上(参照图I)，也可以形成在电源电压供给线V上(参照图I)。
如后述的，因钝化层217在与源电极和漏电极216相同的掩模工序中以相同的光刻掩模板被图案化，所以钝化层217的侧端部与源电极和漏电极216的侧端部具有相同的蚀刻面。
基板10上具有像素部PXL。像素部PXL包括第一像素电极113、发光层118以及相对电极19。
第一像素电极113形成于与第一栅电极213相同的层，以与第一栅电极213相同的透明导电物质形成。透明导电物质选自氧化铟锡(ITO :indium tin oxide)、氧化铟锌 (IZ0 indium zink oxide)、氧化锌(ZnO zink oxide)、氧化铟(In2O3)、氧化铟嫁(IGO indium galiumoxide)以及氧化招锋(AZ0 aluminium zink oxide)。
第一像素电极113上形成发光层118,从发光层118发出的光,通过由透明导电物质形成的第一像素电极113，从而向基板10侧发射而出。
第一绝缘层12以及第一像素电极113的上部形成有第三绝缘层18，作为像素限定膜的第三绝缘层18上形成有露出第一像素电极113上部的开口 C5。所述开口 C5内部具有发光层118。
发光层118可以为低分子有机物或者高分子有机物。发光层118为低分子有机物时，以发光层118为中心,可层叠空穴传输层(HTL : ho Ie transport layer)、空穴注入层 (HIL hole injection layer)、电子传输层(ETL :electron transport layer)和电子注入层(EIL :electroninjection layer)等。此外,根据需要可层叠多种层。此时，作为有机材料可使用铜酞菁(CuPc copper phthalocyanine)、N’_二(萘-I-基)-N(N' -Di (naphthal ene-l-yl) -N)、N' - 二苯基-联苯二胺(NPB :N' -diphenyl-benzidine)、8_ 轻基喧琳招 (Alq3 tris 8-hydroxyquinolinealuminum)等多种。
另外，若发光层118为高分子有机物，则除了发光层118以外还可以包括空穴传输层(HTL)。空穴传输层可使用聚(2，4)乙烯二羟基噻吩(PED0T poly- (2,4) ethylene-dihydroxy thiophene)、聚苯胺(PANI polyaniline)等。此时，可使用的有机材料为聚对苯撑乙烯(PPV Poly-pheylenevinyIene)类以及聚荷(Polyfluorene)类高分子有机物。
作为公共电极，将相对电极19沉积于发光层118上。根据本实施例的有机发光显示装置1，第一像素电极113用作阳电极，相对电极19用作阴电极。当然，还可使用相反的电极极性。
可以由包括反射物质的反射电极形成相对电极19。此时，所述相对电极19可以包括选自Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca以及LiF/Al中的一种以上的物质。将相对电极19形成为反射电极，使得从发光层118发出的光，被相对电极19反射，并透过由透明导电物质形成的第一像素电极113，从而向基板10侧发射而出。
基板10上形成电容器Cst。电容器Cst的第一电极311a包括与薄膜晶体管的活性层211相同的物质。以与第一栅电极213相同的透明导电物质形成电容器Cst的第二电极313。尤其，第一电极311a以掺杂有离子杂质的半导体物质形成，因此与第二电极313 — 起形成 MIM (metal-insulator-metal) CAP 结构。
通常相比MOS(Metal Oxide Semiconductor)CAP 结构，MIM CAP 结构在宽的电压范围内维持一定的静电容量。因此，在设计电路时，可提高电压的设计余量。
根据本实施例的有机发光显示装置1，形成有第三绝缘层18，以完全覆盖前述的第二薄膜晶体管TR2和电容器Cst，并露出像素部PXL的第一像素电极113的上部。
第三绝缘层18起到像素限定膜的作用，其可由有机绝缘物形成，其中所述像素限定膜以预定的厚度形成在像素电极113的边缘部位。如上所述的绝缘物可包括通常的惯用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、烯丙醚类高分子、酰胺类高分子、含氟高分子、对二甲苯类高分子、乙烯基类高分子及其混合物等。
有机发光显示装置的制造工序中，在第一像素电极113上形成发光层118之前的工序中，基板10的最上层上形成第三绝缘层18。制造工序中，第三绝缘层18因微粒 (particle)而产生孔(hole)或者针孔(pinhole)等不良时,使得位于第三绝缘膜18下部的源电极和漏电极216或者形成于与源电极和漏电极216相同的层的排线直接露出于外部。在已经发生了如上所述的孔等不良的前提下，在像素电极113的上部形成发光层118 后，第三绝缘层18上形成作为公共电极的相对电极19，则源电极和漏电极216或者排线与相对电极19之间发生短路，从而会产生次品。
图3是概略示出根据本发明的比较实施例的有机发光显示装置的一部分的截面图，概略示出了源电极和漏电极216的上部发生针孔PHl不良的情况，图4是概略示出数据线D以及电源电压供给线V上分别具有针孔PH2、针孔PH3的不良的情况。
参照如上所述的附图，源电极和漏电极216或者数据线D、电源电压供给线V上部没有形成钝化层而直接形成第三绝缘层18时，第三绝缘层18分别发生针孔PH1、针孔PH2、 针孔PH3不良，从而会露出源电极和漏电极216或者数据线D、电源电压供给线V上部。如果在如上所述的状态下，在第三绝缘层18的上部直接形成作为公共电极的相对电极19，则经由所述针孔PH1、针孔PH2、针孔PH3，相对电极19与源电极和漏电极216、数据线D以及电源电压供给线V之间发生短路。
根据本实施例的有机发光显示装置1，在源电极和漏电极216以及形成于与源电极和漏电极216相同的层的排线上部直接形成钝化层217，因此即使发生前述的不良，源电极和漏电极216上部以及形成于与源电极和漏电极216相同的层的排线部不会露出于外部，从而会受到保护。由此，防止相对电极19与源电极和漏电极216之间发生短路，从而减少次品的产生。
形成如上所述的钝化层217的无机绝缘膜可包括Si02、SiNx, SiON, A1203、Ti2O, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST、PZT等，形成如上所述的钝化层217的有机绝缘膜可包括通常的惯用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、烯丙醚类高分子、酰胺类高分子、含氟高分子、对二甲苯类高分子、乙烯基类高分子及其混合物等。
以下，参照图5至图11对根据本发明一实施例有机发光显示装置I的制造方法进行说明。
图5是概略示出经过根据本发明一实施例有机发光显示装置I的第一掩模工序的结果截面图。
如图5所示，基板10上形成薄膜晶体管的活性层211c以及电容器的下部电极 311c。
虽未在附图中示出，基板10上沉积半导体层(未图示)，半导体层(未图示)上涂布光刻胶(未图不)。利用第一光刻掩模板(未图不)的光刻工序而图案化半导体层(未图示)，从而同时形成薄膜晶体管的活性层211c以及电容器的下部电极311c。
基于光刻的第一掩模工序(未图不)，以第一光刻掩模板和曝光装置(未图不) 进行曝光后，经过显影(developing)、蚀亥Ij (etching)以及剥离(stripping)或者灰化 (ashing)等一系列工序而得以实现。
半导体层(未图示)可以由非晶娃(amorphous silicon)或者晶化娃(Poly silicon)形成。此时，晶化硅可通过对非晶硅结晶化而成。对非晶硅结晶化的方法有RTA(rapid thermal annealing)法、SPC(solidphase crystallization)法、ELA(excier laser crystallization)法、MIC(metal induced crystallization)法、MILC(metal inducted lateralcrystallization)法、SLS(sequential lateral solidification)法等多种方法。
图6是概略示出根据本发明一实施例有机发光显示装置I的第二掩模工序过程的截面图。
如图6所示，在经过图5的第一掩模工序的产物上沉积第一绝缘膜12，在第一绝缘层12上依次形成像素部PXL的第一像素电极113以及第二像素电极114，第二薄膜晶体管 TR2的第一栅电极213以及第二栅电极214，电容器Cst的第一上部电极313以及第二上部电极314。
第一栅电极213、第一像素电极113、电容器Cst的第一上部电极313形成于同一层，可由选自IT0、IZ0、Zn0以及In2O3的透明导电物质形成。
第二栅电极214、第二像素电极114、电容器Cst的第二上部电极314形成于同一层，可由选自Ti、Mo、Al、Cu以及其合金的一种以上的材料形成。
在如上所述的结构物上掺杂Dl离子杂质。如上所述，掺杂的离子杂质可以为III 族或者V族离子，并且以lX1015atomS/Cm2以上的浓度将薄膜晶体管的半导体层211为目标进行掺杂。
此时，将第一栅电极213和第二栅电极214用作自对准(self align)掩模板向半导体层211掺杂离子杂质，使半导体层211具有掺杂离子杂质的源区域和漏区域211a以及在其中间的沟道区211c。即，由于将第一栅电极213和第二栅电极214用作自对准掩模板， 因此无需额外增加光刻掩模板也可以形成源区域和漏区域211a。
图7是概略示出经过根据本发明一实施例有机发光显示装置I的第三掩模工序的结果截面图。
如图7所示，在经过图6的第二掩模工序的产物上层叠第二绝缘层15，图案化第二绝缘层15以形成第一接触孔Cl、第二接触孔C2、第三接触孔C3和第四接触孔C4，其中第一接触孔Cl露出第二像素电极114的上部；第二接触孔C2露出第二像素电极114的一部分以使第一像素电极113、第二像素电极114与源电极和漏电极216连接；第三接触孔C3露出半导体层211的源区域和漏区域211a的一部分；第四接触孔C4露出电容器Cst的第二上部电极314。
图8是概略示出经过根据本发明一实施例有机发光显示装置I的第四掩模工序的结果截面图。
如图8所示，在经过图7的第三掩模工序的产物上，依次形成作为源电极和漏电极材料的金属层16和作为钝化层材料的绝缘层17。
虽未在所述附图中详细图示，利用第四光刻掩模板(未图示)，在作为钝化层材料的绝缘层17上进行图案化，使得在与源电极和漏电极对应的区域上残留光刻胶PR。将残留的光刻胶PR作为掩模板对作为钝化层材料的绝缘层17进行图案化。其可通过干蚀刻工序进行图案化。
图9是概略示出对图8中作为钝化层材料的绝缘层17进行蚀刻工序的结果截面图。
如图9所示，在残留的光刻胶PR的下部形成钝化层217。
虽未在所述附图中详细图示，但是将图案化的光刻胶PR和钝化层217作为掩模板，对作为源电极和漏电极材料的金属层16进行图案化。其中，可通过第一湿蚀刻(wet etching)工序进行图案化。
图10是概略示出对图9中作为源电极和漏电极材料的金属层16进行蚀刻工序的结果截面图。
如10所示，在钝化层217的下部形成源电极和漏电极216。并且，去除像素部PXL 的第二像素电极114以及电容器Cst的第二上部电极314。其可通过第二湿蚀刻工序进行图案化。
如上所述，第四掩模工序无需增加额外的光刻掩模工序，通过一次干蚀刻工序和两次湿蚀刻工序，可以进一步形成钝化层217。由此，无需增加工序费用就可减少由针孔引起的源电极和漏电极与相对电极之间发生的短路不良，从而可显著地降低次品率。
另外，如上所述的实施例中分开了湿蚀刻工序，在形成第二像素电极114和电容器的第二上部电极314的材料与源电极和漏电极216的材料不同时，优选地采用这种工序。 若形成第二像素电极114和电容器的第二上部电极314的材料与源电极和漏电极216的材料相同时，可进行一次湿蚀刻工序。
第四掩模工序后，在如上所述的结构物上掺杂D2离子杂质。掺杂的离子杂质可以为如上所述的III族或者V族离子；并且以lX1015atomS/Cm2以上的浓度将电容器Cst和第一电极311a为目标进行掺杂。其结果，掺杂有离子杂质的第一电极311a与电容器Cst的第一上部电极313 —同，形成MMCAP结构，因此可提高电路的设计余量。
图11是概略示出经过根据本发明一实施例的有机发光显示装置I的第五掩模工序的结果截面图。
如图11所示，在经过图10的第四掩模工序的产物上形成第三绝缘层18，形成开口 C5以露出第一像素电极113的上面。
开口 C5内部形成前述的发光层118 (参照图2)，通过对第一像素电极113和相对电极19 (参照图2)施加电压而使发光层118发光。
虽然以附图所示的实施例对本发明进行了说明，但是这种说明仅为示例性的说明，应理解为本技术领域的技术人员由此可进行多种变换及等同的其它实施例。由此，应由权利要求书的技术思想来限定本发明真正的技术保护范围。
权利要求
1.一种有机发光显示装置，包括薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。
2.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述钝化层的侧端部具有与所述源电极和漏电极以及所述排线的侧端部相同的蚀刻面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述有机绝缘层形成为直接与所述钝化层的侧端部接触。
4.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述钝化层包括无机绝缘物。
5.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述钝化层包括有机绝缘物。
6.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述排线为数据线。
7.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述排线为电源电压供给线。
8.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述活性层和所述栅电极之间具有第一绝缘层；所述栅电极与所述源电极和漏电极之间具有第二绝缘层；通过形成于所述第二绝缘层的接触孔，所述源电极和漏电极中的一个与所述像素电极连接。
9.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述像素电极包括与所述栅电极相同的透明导电物质。
10.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述相对电极为反射电极。
11.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，还包括电容器，所述电容器具有下部电极，形成于与所述活性层相同的层；以及上部电极，形成于与所述栅电极相同的层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述有机绝缘层直接形成于所述上部电极上。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述下部电极包括掺杂有离子杂质的半导体。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述上部电极包括与所述栅电极相同的透明导电物质。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述透明导电物质包括选自ITO、IZ0, ZnO以及In2O3的一种物质。
16.一种有机发光显示装置的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上形成半导体层，图案化所述半导体层以形成薄膜晶体管的活性层；第二掩模工序，在所述第一掩模工序的产物上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质以及第一金属并对其进行图案化，以形成薄膜晶体管的栅电极和像素电极；第三掩模工序，在所述第二掩模工序的产物上形成第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层，以形成露出所述活性层的源区域和漏区域与所述像素电极的接触孔；第四掩模工序，在所述第三掩模工序的产物上依次形成第二金属和钝化层，图案化所述第二金属和所述钝化层，以形成与所述活性层连接的源电极和漏电极以及位于与所述源电极和漏电极相同的层的排线；以及第五掩模工序，在所述第四掩模工序的产物上形成第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行开口以露出所述像素电极的透明导电物质。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，在所述第二掩模工序后，对所述源区域和漏区域掺杂离子杂质。
18.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述第四掩模工序， 包括第一蚀刻工序，去除所述钝化层的一部分；第二蚀刻工序，去除层叠于所述像素电极上的所述第二金属；以及第三蚀刻工序，去除形成于所述像素电极的透明导电物上的所述第一金属。
19.根据权利要求18述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述第一蚀刻工序为干蚀刻工序。
20.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述第四掩模工序为在去除所述钝化层的一部分的第一蚀刻工序后，同时蚀刻以相同的材料形成的所述第一金属和所述第二金属。
21.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述第一掩模工序还包括形成电容器的下部电极；所述第二掩模工序还包括形成电容器的上部电极；所述第三掩模工序还包括形成露出所述上部电极的接触孔；以及所述第四掩模工序还包括去除所述上部电极的一部分。
22.根据权利要求21所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，在所述第四掩模工序后，还包括对所述电容器的下部电极掺杂离子杂质。
23.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，在所述第五掩模工序后，还在所述像素电极上部形成发光层和相对电极。
全文摘要
根据本发明的一方面提供了有机发光显示装置，其包括薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。
文档编号H01L21/77GK102544057SQ201110279619
公开日2012年7月4日 申请日期2011年9月20日 优先权日2010年12月14日
发明者崔埈厚, 李俊雨 申请人:三星移动显示器株式会社