专利名称：发光二极管晶片的切割方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光元件的制造方法，尤其涉及一种发光二极管晶片的切割方法。
背景技术：
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。通常，单一的发光二极管是由封装完毕的发光二极管晶片经过切割分离而成。现有的发光二极管晶片切割方式有刀片机械切割法和激光切割法。因发光二极管晶片的基板硬度较高，用刀片机械切割法对刀片的磨损大，切割效率低，成本高。而发光二极管晶片因表面有透明封装层，用激光切割法切割，产生的高温会使透明封装层受热变色，影响产品的外观和光效。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种发光二极管晶片的切割方法，以解决现有切割方法导致的切割刀片磨损大和透明封装层变色的技术问题。本发明是这样实现的一种发光二极管晶片的切割方法，其包括以下步骤提供一个发光二极管晶片，所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层，所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面，所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上，所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒；及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。所述发光二极管晶片的切割方法通过采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，一方面，减小了切割刀的磨损速度，节省了成本，提高了切割效率; 另一方面，由于发光二极管晶片的封装层不会受热变色，因此，最后得到的发光二极管具有很好的外观以及光效。
以下结合附图描述本发明的实施例，其中
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管晶片的示意图；图2是图1中发光二极管晶片采用切割刀切割时的示意图；图3是图1中发光二极管晶片采用激光切割时的示意图；及图4是本发明实施例提供的一种发光二极管晶片的切割方法流程图。
具体实施例方式以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅作为实施例，并不用于限定本发明的保护范围。请参阅图1，本发明实施例提供的一种发光二极管晶片100包括基板10、多个发光二极管晶粒20及封装层30。所述基板10包括一个第一表面11及一个与所述第一表面11相对的第二表面12。所述发光二极管晶粒20贴设于所述基板10的第一表面11上，并与所述基板10 电连接。具体地，所述发光二极管晶粒20可通过共晶、打线或覆晶的方式与所述基板10电连接。所述封装层30覆盖于所述基板10的第一表面11上并覆盖所述多个发光二极管晶粒20，用于保护发光二极管晶粒20免受灰尘、水气等影响。所述封装层30采用透明材料制成，优选地，所述封装层30可进一步掺杂有荧光粉，所述荧光粉可选自石榴石结构的化合物、氮化物、氮氧化物、硫化物及硅酸盐中的一种或几种的混合。请参阅图2至图4，所述发光二极管晶片100的切割方法包括以下步骤提供所述发光二极管晶片100，所述发光二极管晶片100包括基板10、多个发光二极管晶粒20及封装层30，所述基板10包括一个第一表面11及一个与所述第一表面11相对的第二表面12， 所述多个发光二极管晶粒20贴设于所述基板10的第一表面11上，所述封装层30覆盖于所述基板10的第一表面11上并覆盖所述多个发光二极管晶粒20 ；及采用切割刀200和激光300分别切割所述发光二极管晶片100的封装层30和基板10，将所述发光二极管晶片 100分割成多个发光二极管。本实施例中，在切割所述发光二极管晶片100时，先采用切割刀200从基板10的第一表面11 一侧将所述封装层30切断，再采用激光300从所述基板10的第二表面12 —侧将所述基板10切断。采用所述切割刀200切割的切割深度可等于所述封装层30的厚度， 或者，采用所述切割刀200切断所述封装层30后，可进一步切割基板10厚度的1/20-1/2。 所述采用激光300切割的切割深度可为基板10厚度的1/2-1。所述切割刀200可选自树脂刀、金属刀或石英刀等。此外，在其他实施例中，在切割所述发光二极管晶片100时，也可先采用激光300 从所述基板10的第二表面12 —侧切割所述基板10，再采用切割刀200从基板10的第一表面11 一侧将发光二极管晶片100切断。所述采用激光300切割的切割深度可为基板10厚度的1/2-1。采用所述切割刀200切割的切割深度可等于所述封装层30的厚度，或者，采用所述切割刀200切断所述封装层30后，可进一步切割基板10厚度的1/20-1/2。所述发光二极管晶片100的切割方法通过采用切割刀200和激光300分别切割所述发光二极管晶片100的封装层30和基板10，一方面，减小了切割刀200的磨损速度，节省了成本，提高了切割效率；另一方面，由于发光二极管晶片100的封装层30不会受热变色， 因此，最后得到的发光二极管具有很好的外观以及光效。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管晶片的切割方法，其包括以下步骤提供一个发光二极管晶片，所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层，所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面，所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上，所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒；及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述发光二极管晶片时，先采用切割刀从基板的第一表面一侧将所述封装层切断，再采用激光从所述基板的第二表面一侧将所述基板切断。
3.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封装层的厚度。
4.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切断所述封装层后，又进一步切割基板厚度的1/20-1/2。
5.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度为基板厚度的1/2-1。
6.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述发光二极管晶片时，先采用激光从所述基板的第二表面一侧切割所述基板，再采用切割刀从基板的第一表面一侧将发光二极管晶片切断。
7.如权利要求6所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封装层的厚度。
8.如权利要求7所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切断所述封装层后，又进一步切割基板厚度的1/20-1/2。
9.如权利要求6所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度为基板厚度的1/2-1。
10.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，所述切割刀选自树脂刀、金属刀或石英刀。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管晶片的切割方法，其包括以下步骤提供一个发光二极管晶片，所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层，所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面，所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上，所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒；及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。所述发光二极管晶片的切割方法减小了切割刀的磨损速度，节省了成本，提高了切割效率，且最后得到的发光二极管具有很好的外观以及光效。
文档编号H01L33/00GK102368521SQ20111033189
公开日2012年3月7日 申请日期2011年10月26日 优先权日2011年10月26日
发明者杨文华 申请人:宁波市瑞康光电有限公司, 深圳市瑞丰光电子股份有限公司