专利名称：晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池的生产装置。
背景技术：
在晶体硅太阳电池的生产过程中，刻蚀工序在将硅片背表面和周边的PN结去掉的同时需要保证电池片正面的PN结不被破坏。其中的一种办法就是在硅片上表面喷淋一层水膜，隔绝刻蚀工艺过程对硅片正面PN结的破坏，但水膜在喷淋到硅片正面时存在覆盖不全或者水膜过多过厚两种情况，当水膜覆盖不全会引起未被覆盖地方的PN结被破坏，从而导致电池片外观问题和电性能不合格问题。而水膜过多过厚又会导致多余的水进入工艺槽引起工艺不合格，从而引起刻蚀效果不好，电池片漏电大，电池转换效率低等情况。
实用新型内容本实用新型旨在提供一种晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，既可以保证水膜覆盖完整，也不会引起水膜过多过厚。晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管，在喷淋管后面设置挂水飘带，挂水飘带相对硅片高度和位置可调。进一步的，所述喷淋管和挂水飘带后设置有勻水滚轮，勻水滚轮相对硅片高度可调。进一步的，所述喷淋管后、挂水飘带前设置有勻水滚轮，勻水滚轮相对硅片高度可调。进一步的，所述勻水滚轮可旋转，旋转速度与硅片接触处的线速度相同。进一步的，所述勻水滚轮不旋转。进一步的，所述勻水滚轮相对硅片高度可调。进一步的，所述勻水滚轮为分段式结构或全段式结构。本实用新型既能保证硅片表面的水膜覆盖完整，也不会引起水膜过多过厚，可大大改善晶体硅太阳能电池片的质量，结构简单，制造成本低。
图1为本实用新型结构示意图。图2为本实用新型的另一实施方式。图中1-硅片，2-喷淋管，3-挂水飘带，4-勻水滚轮。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管2，在喷淋管2后面设置挂水飘带3，挂水飘带3相对硅片1高度和位
置可调。[0016]进一步的，在挂水飘带3后设置有勻水滚轮4，勻水滚轮4相对硅片1高度可调，勻水滚轮4可进一步改善硅片表面的水膜状况，使水膜更加均勻。勻水滚轮4也可设置在喷淋管2后、挂水飘带3前，如图2所示。进一步的，勻水滚轮4可旋转，旋转速度为与硅片1接触处的线速度相同，方向一致；勻水滚轮4也可以不旋转，同样也可以改善硅片1表面的水膜。勻水滚轮4可以是一根全的滚轮结构，也可以是分段式的滚轮结构。挂水飘带3可以是任意的轻质、无污染且耐磨的材质，可更换。挂水飘带与勻水滚轮组合设置的结构，使勻水滚轮可以改善挂水飘带只能改善局部水膜覆盖的问题，挂水飘带可以改善勻水滚轮在局部勻水不均的问题，可以完全保证在硅片表面水膜覆盖的完整性和均勻性。当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求1.晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管O)，在喷淋管( 后面设置挂水飘带(3)，挂水飘带C3)相对硅片(1)高度和位置可调。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于所述喷淋管( 和挂水飘带C3)后设置有勻水滚轮G)，勻水滚轮(4)相对硅片(1)高度可调。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于所述喷淋管( 后、挂水飘带C3)前设置有勻水滚轮G)，勻水滚轮(4)相对硅片(1)高度可调。
4.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于所述勻水滚轮(4)可旋转，旋转速度为与硅片(1)接触处的线速度相同。
5.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于所述勻水滚轮(4)不旋转。
6.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于所述勻水滚轮(4)为分段式结构或全段式结构。
专利摘要晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管，在喷淋管后面设置挂水飘带和匀水滚轮，挂水飘带和匀水滚轮相对硅片高度和位置可调。既能保证硅片表面的水膜覆盖完整，也不会引起水膜过多过厚，可大大改善晶体硅太阳能电池片的刻蚀质量和电性能，结构简单，制造成本低。
文档编号H01L31/18GK202332919SQ20112043205
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月3日 优先权日2011年11月3日
发明者包崇彬, 夏伟, 张凤鸣, 李理, 李质磊, 段甜健, 盛雯婷, 程曦, 马煜隆 申请人:保定天威集团有限公司, 天威新能源控股有限公司