专利名称：基板加热装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于在真空处理室内支撑基板的基座，所述基座包括用于将所述基板安置在其上的平面，以便使得所述基板与所述平面导热接触。更确切地说，本发明涉及在大面积的基板平面上建立非常均匀的基板温度。特别地，本发明描述了一种用于加热在真空环境中优选地具有非圆形形状的基板的非常均匀的加热系统。该加热系统能应用于以比室温高的温度工作的许多涂层或基板处理工艺。
背景技术：
薄膜沉积或涂层工艺在本领域为大家所熟知。从那时起，沉积均匀性就成为了重要的标准，特别是在大面积涂层的生产中。如今，在薄膜技术中，以小规模实现的层特性需要延伸至大面积的基板。通常，必须考虑的是，对小区域上的集成规格越严，则在较大的区域上需要的均匀性越好。典型的示例是集成电路(IC)工业:在IC工业中，多个薄膜层被彼此调节。需要在整个基板区域上维持所述调节，这一情况使得，在整个晶片上的所有相关层的全部关键特性中，良好的均匀性对所述所有相关层十分重要。类似的示例是薄膜太阳能电池应用。在此，需要将允许高效率的电池特性应用于整个集成模块上。具有“不符合规格”特性的区域将使单独的电池劣化。这样的电池具有较低的效率，会带来较高的串联电阻。结果，电池特性不良的区域降低了整个太阳能模块的总性能。对于化学气相沉积(CVD)工艺，温度均匀性是最重要的因素之一。在CVD工艺期间，化学反应展现出所谓的“阿列纽斯”(Arrhenius)行为，其中:沉积速率显示与工艺温度的指数相关性。结果，需要非常均匀的基板温度，以得到良好的厚度均匀性。当前的CVD系统使用各种措施，以得到均匀的基板温度。现有技术的系统使用热板或基座，其中，与热板相应的基座意味着配合基本上平坦的平面，用于容纳基板和将热传递至基板，以便满足上述的均匀热分布需求。所述平面可建立为尺寸不小于要被加热或要被温度控制的基板区域尺寸的板的一个面。这样的热板可包含具有不同热输入的多个独立的加热区域。通常，热板的周缘、即边缘和角部需要加热至比中心高的温度，以克服由从热板和基板的周围发出的较高的热辐射引起的热量损失。本领域已知的用于加热的解决方案，或者将电加热元件附接至热板，或者集成诸如加热电阻的加热元件。加热元件与热板之间的配合越好，则对热板中的温度变化的响应越快。有多种方法可局部地控制进入热板的吸热。在US6，962，732中记载了对不同加热方法的概述。要产生均匀受热的基板的可能解决方案之一是使用不同的加热区域，其中，每个加热区域都被附接了热电偶。每个区域的温度被设定成使基板温度更均匀的特定值。经验地确定上述温度设定。控制热板上的温度的更复杂的方法是通过用热相机进行测量来观察基板的热均匀性。相应地调整加热区域，以便使得在整个基板上观察到均匀的温度读数。该方法无需影响其他参数即允许产生均匀的温度分布。替代性地，在调查由使用热板的制造工艺所产生的层特性之后，可以调整热板的温度。人们反复修正加热区域的温度，直到获得均匀的层特性为止。该方法广泛地用于真空设备的调试。然而，涂层特性的均匀性不仅受温度影响，而且受沉积设备的气流和几何形状影响。因此，可通过调整热板的温度来补偿气流的不均匀性。特别地，由于对周围较冷腔室的热辐射更强烈地对基板角部和边缘造成了影响，所以加热矩形基板是有挑战性的。人们期望:通过提高对这样的矩形区域的热输入，能容易地补偿热辐射对基板角部和边缘造成的影响。然而，例如，和热板的其他部分对比，难以通过简单地将电阻加热元件的加热布线图案的导线布置得更致密的方法来对热板角部区域输入足够的热量。改变这样的加热布线图案意味着对热板进行实质上的即机械的变化，这种变化是昂贵并且费时的。该问题的一种解决方案是单独地加热角部区域，从而对排放给热板的热量进行电调节。该方法被证实是不切实际的。实际上，传入具有这样单独加热区域的角部的大部分热量同样会耗散至热板的较冷区域，从而影响整个热板的温度分布。使所述区域彼此热绝缘可避免以上情形，但将导致热绝缘区域的局部温度发生变化。当前，在现有技术中提出的所有解决方案都遇到了这一根本性困境。大部分的基座或热板材料是传导材料，它们还将所述加热导线或所述加热元件的热量尽可能高效地传导至基板。例如，通常采用铝、铜或碳作为基座材料。传导性不良的材料需要将加热元件布置得更致密，以得到均匀的加热。传导性良好的材料基本上涂抹掉由加热导线位置产生的局部最大热量。然而，该效应在基座的边缘和角部上是起反作用的。在那里需要强的最大热量，以补偿基板的边缘和角部的热量损失。简单地使边缘和角部区域过热同样提高中心热区域的温度。图1和2所示的示例可证实该效应。使用包含四个独立操作和受控加热导线2、3、4的基座I。所有的加热导线2、3、4安装在整体的热板上，即安装在所述基板I上。四根加热导线2、3、4形成4个不同的区域5、6、7。第一区域5是加热大部分基板9的中心区域。第二区域6是使第一区域5与第二区域6之间的温差均衡的可选择的中间区域。第三区域7加热基板9的边缘。对于这三个区域5、6、7，加热导线2、3、4如由图2所示地从所述热板I下方安装，其中已省略第二区域6。中心区域5中的各个加热导线2之间的间隔比边缘区域7的宽度还要宽。边缘加热区域8具有加热导线4 ;所述边缘加热区域8布置在热板9的顶部附近，但从加热平面向下凹进。该边缘加热区域8由边缘条10固定在热板9上，并保护该边缘加热区域8不受CVD工艺污染。基板9比基座I的表面积稍大，以便使得基板9的边缘与边缘条10重叠，从而基板9的边缘被边缘条10加热。以下表格示出了由操作者设定的温度和如由附接在特定区域5、6、7、8内的热电偶所指示的热板9所实际达到的温度。
操作者设定点 实际温度读数第一区域 5180X:1810
第二区域 61850C195°C
第三区域71950C195°C
边缘区域8210。。210 如在该概述中能看到地，由于受到第一区域5和第三区域7的温度设定的影响，所以使第二区域6过热至超出其目标温度。由于加热区域5、6、7、8的串扰，所以不可能对第二区域6的范围进行精确地加热。然而，需要将周缘和边缘区域8的温度提高至远远高于中心区域5的温度，这是因为，如果不这样提高，基板9周缘的温度就会太低，以致不能均匀提高。对不同区域5、6、7、8之间的热量串扰的解决方案是用多个热绝缘件来制造基座I。可预见的是，通过被同样独立受热的单独边缘区域8的框架包围的方式来安装中心区域板5。然而，如果用多个热绝缘件来制造基座1，该解决方案具有多个缺陷。首先，基座I并非由一整块基座I材料整体制成。因为基座I的不同板之间的公差必须低到足以允许均匀地加热基板9，所以该解决方案使得制造基座I既困难又昂贵。其次，很难在中心区域5与边缘区域8之间的间隙上得到平滑的温度分布。根据基板9的厚度对两个区域5、8之间的结合部位进行所需的涂抹，可能不足以补偿由中心区域5与边缘区域8的结合部位引起的热量损失。
发明内容
因此，本发明的目的是 克服先前描述的现有技术的缺点，即提供一种基座，其用于为大面积基板平面建立非常均匀的基板温度。
通过独立权利要求达到该目的。在从属权利要求中详述了有利的实施例。特别地，该目的通过一种用于在真空处理室内支撑基板的基座达到，所述基座包括平面，所述平面用于将所述基板安置在所述平面上，使得所述基板与所述平面导热接触，其中，基座包括至少三个相邻的区域:外部区域、中间区域和内部区域，所述区域彼此同心地环绕布置并沿着所述平面延伸，外部区域完全包围中间区域，并且中间区域完全包围内部区域，内部区域包括影响内部区域的至少一个内部加热元件，外部区域包括影响外部区域的至少一个外部加热元件，以及中间区域的最小厚度既小于内部区域的最小厚度，又小于外部区域的最小厚度，所述每个厚度都在所述平面垂直的方向上延伸。令人惊讶地，申请人已经发现，如果外部区域与内部区域之间的中间区域的厚度小于其周围区域的厚度，即小于内部区域和外部区域的厚度，并且如果内部区域和外部区域都包括用于影响相应区域中的基板的加热元件，那么由例如铝、铜和/或碳的整块制成并具有至少三个不同的区域的基座能在整个基板平面上提供非常均匀的基板温度。采用这样的根据本发明的基座，能在基板的边缘和角部处提供强的最大热量，却不会对在内部区域范围内的基板造成负面影响、即不会使其过热。因此，本发明允许在整个表面积上提供平滑的温度分布，导致非常均匀的基板温度，从而使例如在化学气相沉积工艺中要提供的涂层厚度更均匀。反过来，根据本发明的基座在改善基板涂层质量的同时，也降低了制造成本。总之,相比于现有技术的系统,本发明的基座改善了涂层特性。
在当前发明意义上的术语“处理”包括作用于基板的任何化学、物理和/或机械效应。在当前发明意义上的术语“基板”包括要用根据本发明的真空处理系统处理的元件、部件或工件。基板包括但不局限于具有矩形、方形或圆形形状的平坦的、板状的部件。优选地，基板适合于制造薄膜太阳能电池，基板包括浮法玻璃、保险玻璃和/或石英玻璃。更优选地，基板设置成诸如薄玻璃板的、尺寸> Im2的平面的大致平坦的、最优选地完全平坦的基板。在当前发明意义上的术语“真空处理”或“真空处理系统”至少包括一壳体，所述壳体用于在比周围大气压力低的压力下处理所述基板。术语化学气相沉积(即CVD)及其变体在当前发明意义上包括允许在受热基板上进行层的沉积的众所周知的技术。通常向真空处理系统供给液体或气体(气态前体材料)，其中，前体材料的热反应导致层的沉积。通常，用于通过采用低压化学气相沉积(即LPCVD)工艺而在真空处理系统中产生TCO层的前体材料选择二乙基锌(即DEZ)。术语“TC0”代表透明导电氧化物，即TCO层是透明导电层，由此，无论是对CVD、LPCVD、等离子增强化学气相沉积(即PECVD)或物理气相沉积(即PVD)来说，以下术语:层、涂层、沉积和膜在该发明内都可互换地用于在真空处理中沉积的膜。术语“太阳能电池”或“光生伏打电池”、“PV电池”在当前发明意义上包括借助于光生伏打效应能够将本质上是太阳光的光直接转换成电能的电气元件。薄膜太阳能电池通常包括连续地堆叠在基板上的第一电极或前电极、一个或多个半导体薄膜PIN结以及第二电极或背电极。每个PIN结或薄膜光电变换单元都包括被夹在P型层与η型层之间的i型层，由此“P”代表正掺杂，并且“η”代表负掺杂。本质上是本征半导体层的i型层占用所述薄膜PIN结的厚度的大部分，由此，光电变换主要出现在该i型层中。因此，优选地，所述基板是用于制造薄膜光生伏打电池的基板。术语“平坦”在当前发明意义上包括不粗糙、即没有凹槽等的表面。优选地，术语“平坦”意味着相应表面的表面粗糙度等级< N9。根据本发明的优选实施例，内部区域的最小厚度大于外部区域的最大厚度。由于比内部区域厚度小的外部区域厚度允许更细致地控制面对外部区域的基板边界和/或边缘的相应外部区域的温度，所以这样的实施例还提供横跨所述平面的均匀的基板温度。通常，可以根据现有技术已知的任何手段、例如通过长孔、狭缝和/或膛孔来实现中间区域的最小厚度。然而，根据本发明的特别优选的实施例，基座包括至少一个凹进，所述至少一个凹进具有用于实现中间区域的最小厚度的矩形横截面。优选地，基座包括两个矩形凹进，所述两个矩形凹进在从内部区域朝向外部区域的范围内布置在彼此的背后，并优选地由隔离壁再次划分(subdivided)。更优选地,凹进设置在基座的一侧面，所述被设置凹进的侧面背对着可安置所述基板的基座另一侧面，即背对着基座平面。在该背景下，进一步优选的是，与平面平行的凹进的宽度> 8mm并且彡15mm,优选地为11mm。在另一实施例中，平面包括过渡区域，所述过渡区域具有与内部区域相同的厚度，过渡区域包括影响过渡区域的多个过渡加热元件，内部区域包括多个内部加热元件，中间区域完全包围过渡区域，并且过渡区域完全包围内部区域，内部加热元件和过渡加热元件分别设置成加热导线，所述内部加热导线的导线直径比所述过渡导线的导线直径大，各所述内部加热导线之间的彼此间隔也比各所述过渡导线之间的彼此间隔大。由于进一步将内部区域隔离于邻近中间区域的过渡区域，所以这样的实施例还允许更细致地控制基板温度。这还允许对不同的区域之间的温度做了进一步的均衡，从而提高了涂层质量。优选地，所有的加热元件设置成加热导线，在本发明的特别优选的实施例中:所述加热导线设置在基座内。在另一实施例中，加热元件围绕不同区域的整个周界延伸和/或覆盖整个相应的区域。在另一实施例中，优选的是，中间区域的厚度彡Imm并且彡4mm,优选地为2mm ;和/或内部区域的厚度彡IOmm并且彡20mm，优选地为14mm。提供具有这样的厚度的基座导致横跨基座平面的最佳温度分布，从而导致用于在如此受热的基板上进行层的沉积的最佳温度。在特别优选的实施例中，基座包括用于实现中间区域的最小厚度的蜂窝状结构，所述中间区域具有设置成凹槽的凹进，还具有在凹槽之间的条杆。优选地，凹槽在与平面平行的范围内的宽度彡8mm并且彡15mm，优选地为11mm。这样的用于实现基座的中间区域的蜂窝状结构能在高温时可靠地保持所述基板。条杆提高了强度，优选地引入了具有标准的基座厚度的条杆。换句话说，这样的蜂窝状结构使得外部区域与内部区域之间温度梯度不太明显。在另一实施例中，外部区域、中间区域和/或内部区域分别包括矩形平面形状，使得矩形基板可安置在平面上，由此，优选地，基板的边界和/或边缘布置在外部区域上。本发明的目的还通过一种包括前述基座和基板的基座布置解决，由此，所述平面的尺寸或者比所述基板的尺寸大，或者匹配所述基板的尺寸。此外，本发明的目的通过一种用于制造前述基座的方法解决，由此中间区域的最小厚度通过将长孔、狭缝和/或膛孔附加至基座的一侧面实现，所述被附加长孔、狭缝和/或膛孔的基座侧面背对着可安置所述基板的基座的另一侧面。本领域的技术人员可从根据本发明的先前描述的基座推断出这样的方法的另外的实施例和优点。本发明的目的还通过用于将膜沉积在基板上的方法解决，包括步骤:在处理室内设置如先前描述的基座，在基座的平面上支撑基板，向内部加热元件和外部加热元件提供用于加热所述基板的能量，以及向处理室中供应用于在所述基板上沉积所述膜的前体材料。
根据在下文中描述的实施例而清楚地描述了本发明的这些及其他的方面，并且，参考在下文中描述的所述实施例而阐明了本发明的这些及其他的方面。在附图中:图1示出了根据现有技术的基座的顶视图；图2示出了根据现有技术的基座的侧视图；图3示出了根据本发明的优选实施例的基座的侧视图；图4示出了根据本发明的优选实施例的基座的一部分的侧视图；以及图5示出了用根据本发明优选实施例的基座来处理的基板的温度分布。
具体实施方式
图3以侧视图示出了根据本发明的优选实施例的用于支撑和热控制基板9的热板或基座I。基座I具有大致平坦的平面11，所述大致平坦的平面11用于以导热接触的方式将基板9安置其上；所述基座I还具有在与所述平面11垂直的方向上测量出的特定的、不恒定的厚度12。平面11具有至少三个彼此同心地环绕布置的范围或区域5、6、7。内部区域5是最里面的区域或中心区域，其具有至少一个影响内部区域5的内部加热元件13。外部区域或边缘区域7完全包围内部区域5，外部区域7还包括在操作热板I期间基板9的边缘和角部14所占据的区域。中间区域6布置在内部区域5与外部区域7之间，外部区域7完全包围中间区域6，中间区域6完全包围内部区域5。根据本发明，中间区域6不具有主动影响与中间区域6导热接触布置的基板9的任何加热装置。此外，在中间区域6中的热板I的厚度15至少在中间区域6的主要部分中变薄；所述厚度15既比在外部区域7中的热板I厚度16薄，也比在内部区域5中的热板I厚度12薄。热板I可优选地由既覆盖内部区域5和中间区域6、也至少覆盖外部区域7的主要部分(优选地覆盖整个外部区域7)的一整块制成。可通过在热板I的背对基板9的侧面上布置的、形成凹进23的长孔或狭缝或膛孔来实现将中间区域6的厚度15变薄。在一实施例中，热板I具有用于接收诸如薄玻璃片的矩形基板9的大致矩形的形状。为了局部地加热基板9而不需影响热板I的整个温度分布，引入较薄的基座I材料的局部区域6。内部区域5的加热导线13的导线直径(例如4mm)与过渡区域18的加热导线17的导线直径不同(例如3mm)，内部区域5的各加热导线13彼此之间的间隔也与过渡区域18的各加热导线17彼此之间的间隔不同。外部加热元件19布置在基座I的背对基板9的支撑面11下侧面，并由基座I本身保持。如图2所示的现有技术的基座I与如图3所示的根据本发明的当前解决方案之间的显著差异是:在内部区域5与外部区域7之间的基板I材料变薄了。在这一所谓的传热区域中的，即在中间区域6中的设想与基座I的平面11垂直的基座I材料的厚度15仅保留1-4_，与此相比的是:在内部区域5中的基座I材料的厚度12为14_。在当前的实施例中，基座I的上下表面11之间的距离15仅为大约2mm厚。在所述实施例中,铝用作以大约200°C操作的基座I的材料。如图4所示，为了以那些温度操作，将蜂窝状结构20用于中间区域6。大部分蜂窝状结构20由设置成宽度为Ilmm的凹槽21的凹进23组成。为了提高强度，引入具有标准的基座I厚度的条杆22。如果需要在基座I的内部区域5与外部区域7之间的温度变化得较平滑，那么，在蜂窝状结构20中，凹槽21的深度或宽度可以各不相同。在所述实施例中，外凹槽21比内凹槽21更深，在外凹槽21处的基座I厚度是2mm，在内凹槽21处的基座I厚度是4_。这使得外部区域7与内部区域5之间的温度梯度不太明显。如下面的下一表格所示，本发明明确允许对加热区域5、7的解耦。如此表格所示，加热区域5、7的实际温度等于对热板I的操作者设定点。在该示例中，也可以像在以上示出的现有技术的示例一样单独控制区域温度。操作者设定点实际温度读数
内部区域5192。。1920C
过渡区域18 195 V195 0C
外部区域72040C2040C通过应用本发明，使实现基板9的非常均匀的温度分布成为可能。作为示例，图5示出了在根据本发明的基座I的热板上的3_玻璃基板9的温度分布。从基座I的顶面11到蜂窝状结构20的底面的距离15的最小值是2mm。根据温度扫描，可实现3K的温度差值(Λ)。以下指示了对于区域5、6、7的温度设定:
操作者设定点 内部区域I1920C
过渡区域18 195 O 外部区域72040C本发明的热板I可广泛地用于希望用来得到良好的基板9温度均匀性的任何热板
I。特别地，所述热板1可用于诸如用于制造薄膜太阳能电池的大面积涂层应用。尽管在附图和前述说明中已详细例证并描述了本发明，但这样的例证和说明被认为是说明性的或示例性的，而不是限制性的；本发明不局限于公开的实施例。通过研读本发明的说明书附图、发明内容和权利要求书，本领域的技术人员在实践要求保护的本发明时能理解并实现本发明实施例的其他变体。在权利要求中，文字“包括”不排除其他元件或步骤，并且不定冠词“一”不排除复数。在相互不同的从属权利要求中列举的某些措施的纯粹事实并不表示不能有利地使用这些措施的组合。权利要求中的任何附图标记不应被解释成对保护范围的限制。附图标记列表:I 基座2 加热导线3 加热导线4 加热导线5 第一区域、内部区域6 第二区域、中间区域7 第三区域8 边缘区域、外部区域9 基板10边缘条11 平面12内部区域的厚度13内部加热元件
14边缘和角部15中间区域的厚度16外部区域的厚度17过渡加热元件18过渡区域19外部加热元件20蜂窝状结构21凹槽
22 条杆23 凹进
权利要求
1.一种用于在真空处理室内支撑基板(9)的基座，其包括平面(11)，所述平面(11)用于将所述基板(9 )安置在其上，使得所述基板(9 )与所述平面(11)导热接触，其中， 所述基座(I)包括至少三个相邻的区域(5、6、8):外部区域(8)、中间区域(6)和内部区域(5)，所述区域(5、6、8)彼此同心地环绕布置并沿着所述平面(11)延伸， 所述外部区域(8)完全包围所述中间区域(6)，并且所述中间区域(6)完全包围所述内部区域(5)， 所述内部区域(5)包括至少一个影响所述内部区域(5)的内部加热元件(13)， 所述外部区域(8)包括至少一个影响所述外部区域(8)的外部加热元件(19)，以及 所述中间区域(6)的最大厚度(15)既小于所述内部区域(5)的最小厚度(12)，也小于所述外部区域(8)的最小厚度(16)，所述每个厚度(12、15、16)都在与所述平面(11)垂直的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的基座(1)，其中，所述内部区域(5)的最小厚度(12)大于所述外部区域(8)的最大厚度(16)。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(I)，其中，所述基座(I)包括至少一个具有矩形横截面的凹进(23)，用于实现所述中间区域(6)的最小厚度(15)。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(1)，其中，与所述平面(11)平行的所述凹进(23)的宽度> 8mm并且< 15mm,优选地为11mm。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(1)，其中，所述基座(I)包括过渡区域(18)，所述过渡区域(18)具有与所述内部区域(5)相同的厚度(12)，并且包括多个影响所述过渡区域(18)的过渡 加热元件(17)，所述内部区域(5)包括多个内部加热元件(13)，所述中间区域(6)完全包围所述过渡区域(18)，并且所述过渡区域(18)完全包围所述内部区域(5)，所述内部加热元件(13)和所述过渡加热元件(17)分别被设置成加热导线，所述内部加热导线的直径以及间距分别大于所述过渡导线的直径和间距。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(1)，其中，所述加热元件(13、17、19)设置在所述基座(I)内。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(1)，其中，所述中间区域(6)的厚度(16)^ Imm并且< 4mm,优选地为2mm ;和/或所述内部区域(5)的厚度(12)3 IOmm并且< 20mm,优选地为14mm。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的基座(I)，其中，所述基座(I)包括用于实现所述中间区域(6)的较小厚度(15)的蜂窝状结构(20)该蜂窝状结构(20)具有设置成凹槽(21)的凹进(23)以及位于所述凹槽(21)之间的条杆(22)。
9.根据前述权利要求的任一项所述的基座(1)，其中，所述凹槽(21)在与所述平面(11)平行的范围内的宽度彡8mm并且< 15mm,优选地为11mm。
10.根据前述权利要求的任一项所述的基座(1)，其中，所述外部区域(8)、所述中间区域(6)和/或所述内部区域(5)包括矩形平面(11)的形状，使得矩形基板(9)可安置在所述平面(11)上。
11.一种基座(I)布置，其包括根据前述权利要求中的任一项所述的基座(I)和基板(9)，所述平面(11)的尺寸大于所述基板(9)的尺寸，或者与其尺寸相当。
12.一种用于制造根据前述权利要求1至10中的任一项所述的基座(I)的方法，其中，通过在所述基座(I)的一个侧面上设置长孔、狭缝和/或膛孔来实现所述中间区域(6)的最小厚度(15)，所述基座(I)的该侧面背对其上可安置所述基板(9)的侧面。
13.一种用于将膜沉积在基板(9)上的方法，包括步骤: 在一处理室内设置根据前述权利要求1至10中的任一项所述的基座(1)， 在所述基座(I)的所述平面(11)上支撑所述基板(9 )， 向所述内部加热元件(13)和所述外部加热元件(19)提供能量以便加热所述基板(9)， 以及 向所述处理室中供应前体材料，以便在所述基板(9)上沉积所述膜的。
全文摘要
本发明涉及一种用于在真空处理室内支撑基板(9)的基座，其包括平面(11)，用于将基板(9)安置在其上，使得基板(9)与平面(11)导热接触，基座(1)包括至少三个相邻的区域(5、6、8)外部区域(8)、中间区域(6)和内部区域(5)，所述区域(5、6、8)彼此同心地环绕布置并沿着平面(11)延伸，外部区域(8)完全包围中间区域(6)，并且中间区域(6)完全包围内部区域(5)，内部区域(5)包括至少一个影响内部区域(5)的内部加热元件(13)，外部区域(8)包括至少一个影响外部区域(8)的外部加热元件(19)，中间区域(6)的最大厚度(15)既小于内部区域(5)的最小厚度(12)，也小于外部区域(8)的最小厚度(16)，每个厚度(12、15、16)在垂直于平面(11)的方向上延伸。因此，本发明允许在整个平面(11)上提供平滑的温度分布，导致基板(9)具有非常均匀的温度，从而改善了例如在化学气相沉积过程中提供的涂层的厚度(12、15、16)均匀性。
文档编号H01L21/67GK103081084SQ201180042624
公开日2013年5月1日 申请日期2011年9月2日 优先权日2010年9月3日
发明者洛朗·德蓬, 马库斯·波佩尔勒, 拉尔夫·施莫尔 申请人:东电电子太阳能股份公司