基板加热装置和基板加热方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及对载置于加热板的基板进行加热的基板加热装置、基板加热方法和存 储计算机程序的存储介质。
【背景技术】
[0002] 在半导体器件的制造步骤中，包括利用加热装置对在表面涂敷有药液的作为基板 的半导体晶片（以下记为"晶片"）进行加热处理的步骤。该加热处理为了除去从药液产生 的升华物，有时一边将晶片载置于在处理容器内设置的加热板上一边对该处理容器内进行 排气。例如在具有分层结构的半导体制造装置中，有时按各层设置那样的加热装置，在各层 设置有各自包括上述处理容器的多个加热模块。而且，例如设置于相同的层的各处理容器 经由具有风挡（damper)的排气管分别与共同的排气管道连接，该排气管道内以规定的排 气量排气。
[0003] 在上述加热模块中，为了实现提高晶片的面内的膜厚的均匀性和将升华物从处理 容器内可靠地除去这两者，研究在一个晶片的处理中改变处理容器内的排气量。但是，在上 述的加热装置中，当改变一个处理容器的排气量时，有时与该处理容器共有排气管道的其 它的处理容器的排气量发生变动，在该其它的处理容器内上述的升华物的除去能力降低， 膜厚的均匀性降低。
[0004] 关于上述的处理容器的排气量的变动，说明排气管道与三个处理容器连接的情况 的一个例子。在排气管道内以30L/分钟进行排气，各处理容器在与各处理容器连接的排气 管的风挡打开的状态下例如以10L/分钟进行排气。从该状态开始与一个处理容器连接的 排气管的风挡关闭，而该处理容器的排气量成为0L/分钟时，由于排气管道内以30L进行排 气，所以在其它的两个处理容器中排气量上升至30/2 = 15L/分钟。
[0005] 在专利文献1中记载有在晶片的处理中改变对处理容器内供给的清洁气体的供 给量的加热装置。另外，专利文献2中记载有液处理装置，其中，多个杯部经由具有风挡的 排气管与共同的排气管道连接，各杯部的排气量分别被单独控制的。但是，这些装置并不能 够解决上述的问题。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1 :日本特开2002-184682号公报
[0009] 专利文献2 :日本特开2010-45185号公报
【发明内容】
[0010] 发明想要解决的技术问题
[0011] 本发明是基于上述这样的情况而完成的，其目的在于提供一种包括具有对基板进 行处理的处理容器的多个加热模块和与各加热模块共通的排气路径的基板加热装置，其高 精度地控制各加热模块中的排气量。
[0012] 用于解决技术问题的技术方案
[0013] 本发明的基板加热装置，其特征在于，包括：
[0014] 多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理 的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口、和对 上述处理氛围进行排气的排气口；
[0015] 单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
[0016] 共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游端共同连接；
[0017] 分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口；和
[0018] 排气量调节部，其用于调节从上述排气口侧排出至上述共用排气路径的排气量和 从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比。
[0019] 本发明的基板加热方法，其使用一种基板加热装置，该基板加热装置包括：
[0020] 多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理 的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口、和对 上述处理氛围进行排气的排气口；
[0021] 单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
[0022] 共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游端共同连接；和
[0023] 分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口，
[0024] 所述基板加热方法的特征在于，包括：
[0025] 在所述加热板上载置基板的步骤；
[0026] 利用排气量调节部调节从上述排气口侧排出至上述共用排气路径的排气量与从 上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比，使得 成为低排气状态的步骤，所述低排气状态是以低的排气量对上述处理氛围内进行排气的状 态；和
[0027] 在该步骤后，利用排气量调节部调节流量比，使得成为高排气状态的步骤，所述高 排气状态是以比上述低的排气量多的排气量对上述处理氛围内进行排气的状态。
[0028] 本发明的存储介质是存储有对载置于加热板的基板进行加热处理的基板加热装 置中所用的计算机程序的存储介质，其特征在于，上述程序为了实施上述基板加热方法而 组成步骤。
[0029] 发明的效果
[0030] 根据本发明，包括：与多个加热模块的各单独排气路径连接的共用排气路径；分 支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口；和排气量调节 部，其用于调节从对处理容器内进行排气的排气口排到共用排气路径的排气量与从上述处 理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比。由此，来自 各加热模块的上述排气口的排气量能够改变，且能够抑制因该改变而导致的从单独排气路 径向共用排气路径的排气量的变动。因而，能够高精度地控制各加热模块的处理容器内的 排气量。结果是，能够抑制通过加热处理而形成于基板的涂敷膜的面内均匀性降低，且能够 防止处理容器内被从上述涂敷膜产生的升华物污染。
【附图说明】
[0031] 图1是本发明的实施方式的加热装置的整体构成图。
[0032] 图2是构成上述加热装置的加热模块的纵截面侧视图。
[0033] 图3是表示上述加热模块的风挡的状态的示意图。
[0034] 图4是表示上述风挡的状态的示意图。
[0035] 图5是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
[0036] 图6是表示加热装置中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
[0037] 图7是表示上述晶片的处理中的规定的时刻中的风挡的状态的示意图。
[0038] 图8是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
[0039] 图9是表示加热模块的其它构成例的纵截面侧视图。
[0040] 图10是表示风挡的其它构成的说明图。
[0041] 图11是表示风挡的其它构成的说明图。
[0042] 图12是表示评价试验的结果的图表。
[0043] 附图标记说明
[0044] 1加热装置
[0045] 11排气管道
[0046] 12控制部
[0047] 2A~2C加热模块
[0048] 20处理容器
[0049] 21加热板
[0050] 30排气管
[0051] 32 排气口
[0052] 33 供气口
[0053] 34分支管
[0054] 35 风挡
【具体实施方式】
[0055] 参照图1的概略构成图，对本发明的实施方式的晶片W的加热装置1进行说明。该 加热装置1对在该加热装置1的外部在表面涂敷有药液的晶片W进行加热。在该例中，晶 片W的直径为300mm。另外，作为上述药液包含分子量比较低的聚合物（低分子聚合物）和 交联剂，例如通过加热至250°C而产生上述聚合物的交联反应，形成以碳为主要成分的被称 为S0C膜的有机膜。该有机膜中的碳的含有率例如为90%以上。另外，在该有机膜上在由 加热装置1进行的加热处理后，在加热装置1的外部依次叠层包含被称为S0G膜的氧化硅 的膜、抗蚀剂膜。通过干式蚀刻形成于上述抗蚀剂膜的图案依次被转印到下层的膜。即，该 有机膜构成为以碳为主要成分，成为用于对该有机膜的下层的膜进行蚀刻的图案掩模。
[0056] 返回到加热装置1的说明，该加热装置1包括分别对上述晶片W加热的加热模块 2A~2C、排气管道11和控制部12。排气管道11设置成在横向上延伸，其下游侧与设置有 加热装置1的工厂的排气路径连接。在该排气管道11的延伸方向的相互不同的部位连接 有成为各个构成加热模块2A~2C的单独排气路径的排气管30的下游端。即，排气管道11 构成对加热模块2A~2C的共用排气路径。排气管道11内以规定的排气量总进行排气，为 了防止从加热模块2A~2C流入的升华物的凝结，而利用加热器（不图示）进行加热。