专利名称：半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法
技术领域：
本发明总体上涉及半导体器件及其制造方法，并且在具体实施例中，涉及变压器及其制造方法。
背景技术：
变压器是通过感应地耦接的导体将电能从一个电路转移到另一电路的装置。第一或初级绕组或第一线圈中的变化电流通过次级绕组或第二线圈产生变化的磁场。这个变化的磁场在次级绕组中感应出变化的电动势或“电压”。如果负载被连接到次级绕组上，电流将在次级绕组中流动并且电能将通过变压器从初级电路传送到负载上。在理想的变压器中，次级绕组中的感应电压(Vs)与初级电压
(Vp)成比例，并且由如下的次级绕组内的匝数(Ns)与初级绕组内的匝数(Np)的比给出
权利要求
1.一种半导体器件，包括第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于所述第一线圈的第二线圈；以及隔离中间膜，位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。
2.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜是双侧粘合膜，所述粘合膜具有在大约60kV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。
3.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜是粘附膏，所述粘附膏具有在大约60KV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。
4.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜包括大约20μπι至大约 500 μ m的厚度。
5.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片包括集成电路，并且其中所述第二半导体芯片由第二衬垫、所述第二线圈以及位于所述第二衬垫与所述第二线圈之间的电连接所组成。
6.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括引线框，其中所述第一半导体芯片的第一衬垫结合到所述引线框，并且其中所述第二半导体芯片的第二衬垫结合到所述引线框。
7.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片的第一线圈以及所述第二半导体芯片的第二线圈形成变压器。
8.—种制造半导体器件的方法，所述方法包括制造包括第一线圈的第一半导体芯片；制造包括第二线圈的第二半导体芯片；将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片对准，使得所述第一线圈与所述第二线圈相对地布置；以及将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片结合。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片结合的步骤包括将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片经由中间隔离膜结合。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述中间隔离膜包括大约20μ m至大约500 μ m 的厚度。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述中间隔离膜是双侧粘合膜，所述粘合膜具有在大约60kV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述中间隔离膜是粘附膏，所述粘附膏具有在大约60KV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。
13.根据权利要求所述8的方法，其中，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片对准的步骤包括将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片面对面地放置。
14.根据权利要求8所述的方法，进一步包括将所述第二半导体芯片的衬底打薄到大约60 μ m至大约300 μ m的厚度。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在所述第二半导体芯片的衬底中蚀刻贯穿过孔。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括通过所述衬底过孔将所述第二半导体芯片的连接衬垫与弓I线框进行电连接。
17.—种用于传输信号的方法,所述方法包括在第一半导体芯片的第一连接衬垫处接收信号；将所述信号从所述第一半导体芯片的第一线圈变换至第二半导体芯片的第二线圈上；以及经由所述第二半导体芯片的第二连接衬垫发送所述信号，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片一起形成变压器。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片是电隔离的。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过粘合膜或者粘附膏而彼此附接，所述粘合膜或粘附膏具有在大约60kV/mm至大约 100kV/mm之间的介电强度。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述粘合膜或者所述粘附膏包括大约20μ m至大约500 μ m的厚度。
全文摘要
本发明公开了半导体器件及其制造方法、以及用于传输信号的方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于第一线圈的第二线圈；以及隔离中间层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。
文档编号H01L23/522GK102610588SQ20121001649
公开日2012年7月25日 申请日期2012年1月18日 优先权日2011年1月18日
发明者乌韦·瓦尔, 伯恩哈德·科诺特, 安德烈亚斯·斯特拉瑟, 斯特凡·维尔科费尔, 马库斯·哈默 申请人:英飞凌科技股份有限公司