专利名称：形成掺杂区的方法、太阳能电池及其制造方法
技术领域：
所描述的技术总体涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术：
太阳能电池包括娃基底，娃基底的一个区域具有进行了 P惨杂的表面，娃基底的另一个区域具有进行了η掺杂的表面。当太阳光入射在太阳能电池上时，即，当光子进入到基底中时，在基底中形成电子-空穴对，产生的电子运动到η掺杂区，产生的空穴运动到P掺杂区。由于电子和空穴的运动，产生光伏效应，在ρ-η结的两端出现电势差。此外，自由的电子和空穴分别向η掺杂区和P掺杂区运动，从而产生电流。由电势差产生电能，并且电流被供应给结合到太阳能电池的负载电路。因此，太阳能电池的能量被转换为可用的电能。背接触太阳能电池包括基底、防反射层、掺杂区、保护层和接触电极。基底是晶片或者单晶硅或多晶硅的板，并且起着电子和空穴的运动通道的作用。基底的前表面被纹理化，由氮化硅和/或氧化硅形成的防反射层形成在基底的前表面上。在面向前表面的背表面中，交替地布置η掺杂区和P掺杂区。保护层涂覆在背表面上。保护层被部分去除，从而形成通孔。接触电极通过通孔与掺杂区电结合。顺序地通过用来形成P掺杂区的工艺、用来形成纹理化前表面的工艺、用来形成防反射层的工艺和用来形成η掺杂区的工艺来制造太阳能电池的掺杂区和防反射层。用来形成掺杂区的工艺包括用来沉积二氧化硅层的工艺和选择性地蚀刻二氧化硅层的工艺。沉积二氧化硅层的工艺是利用常压化学气相沉积(APCVD)方法使包括η型材料或P型材料的掺杂二氧化硅以及未掺杂二氧化硅成层的细化工艺。用来选择性地蚀刻二氧化硅层的工艺包括利用涂覆在二氧化硅层上的抗蚀剂选择性地蚀刻二氧化硅层的一部分的细化工艺。
太阳能电池的上述制造方法由于形成掺杂区的工艺数量的增多和制造成本的增加而会使工艺变得复杂。因此，会期望制造工艺的简化和制造成本的降低。在利用上述方法制造的太阳能电池中，P掺杂区和相邻的η掺杂区具有不同的极性并且相互接触。因此，由来自接触区域的光子产生的电子-空穴对能够容易复合，从而会劣化太阳能电池的太阳能的使用效率。因此，应当使太阳能电池中分别掺杂有不同极性的相邻区域分离。在该背景部分中公开的以上信息仅仅是为了增强对所描述技术的背景的理解，因此，它可能包含对本领域普通技术人员而言在该国未形成已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种具有简化的制造工艺和低制造成本的太阳能电池及其制造方法。此外，本发明的实施例提供了一种具有高太阳光利用效率的太阳能电池及其制造方法。一种根据本发明实施例的在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括制备基底的第一表面和基底的与第一表面相对的第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化娃层，氧化娃层包括第一氧化娃层和第二氧化娃层，其中，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化娃层和第二氧化娃层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化娃层、第二氧化娃层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。形成第一掺杂区的步骤可以包括将第一掺杂剂注入到第一表面中并使注入的第一掺杂剂活化。注入的第一掺杂剂的活化可以与氧化硅层的形成同时进行。第一氧化硅层的第一厚度可以大于大约1800A。第一氧化硅层的第一厚度可以大于大约2000A。第一掺杂区和第二掺杂区可以彼此分开。 第一掺杂区和第二掺杂区可以彼此分开100 μ m以上。所述方法还可以包括在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第一掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第一掺杂剂；在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第二掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第二掺杂剂。在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤可以与将第一掺杂剂注入到第一掺杂区的步骤同时执行。可以在将第一掺杂剂注入到第一掺杂区之后执行在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤。第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域可以包括中间化区域，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度可以高于第二掺杂剂的浓度。第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域可以包括中间化区域，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度可以低于第二掺杂剂的浓度。形成第一掺杂区的步骤可以包括将硬掩模定位成靠近基底的第一表面，硬掩模具有至少一个离子透过部分和位于所述至少一个离子透过部分的离子透过部分之间的离子阻挡部分；将第一掺杂剂注入到第一表面的与所述至少一个离子透过部分对应的部分中。所述至少一个离子透过部分可以为闭合多边形的形状，所述至少一个离子透过部分中相邻的离子透过部分可以是分开的。硬掩模还可以包括与所述至少一个离子透过部分接触的离子半透过部分。硬掩模的离子半透过部分可以比离子阻挡部分薄。可以在离子半透过部分中形成面积比所述至少一个离子透过部分的面积小的至少一个微开口。所述方法还可以包括在第一掺杂区的外围形成中间化区域，形成中间化区域的步骤可以包括将硬掩模设置得靠近第一表面，硬掩模在用于形成中间化区域的离子透过部分和相邻的用于形成该中间化区域的离子透过部分之间具有离子阻挡部分；通过离子透过部分将第一掺杂剂注入到第一表面，其中，离子透过部分可以比第一掺杂区大并且可以对应于第一掺杂区的位置设置。
形成中间化区域的步骤可以在形成第一掺杂区之后进行。形成中间化区域的步骤可以在形成第一掺杂区之前进行。第一掺杂区的第一掺杂剂可以为η型材料，第二掺杂区的第二掺杂剂可以为P型材料。所述方法还可以包括在将第一掺杂剂注入在基底中之后对基底执行热处理。一种根据本发明另一示例性实施例的太阳能 电池将光能(例如，光子能或太阳能)转化为电能。所述太阳能电池包括基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一掺杂区，位于第一表面中并且掺杂有第一掺杂剂；第二掺杂区，在第一表面中与第一掺杂区相邻并且掺杂有第二掺杂剂；第一氧化硅层，位于第一掺杂区上；第二氧化硅层，位于第二掺杂区上，其中，第一氧化硅层比第二氧化硅层厚。第一氧化硅层的厚度可以大于1800 Α。第一氧化硅层的厚度可以大于2000 Α。第一掺杂区的第一掺杂剂可以在第一氧化娃层和第二氧化娃层中。第一掺杂区和第二掺杂区可以彼此分开。所述太阳能电池还可以包括位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的中间化区域，中间化区域可以包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。所述太阳能电池还可以包括第三氧化硅层，第三氧化物层位于中间化区域上并且具有比第一氧化硅层的厚度小且比第二氧化硅层的厚度大的厚度。本发明的另一示例性实施例提供了一种太阳能电池的制造方法，太阳能电池在半导体基底的第一表面上具有第一导电类型区域和与第一导电类型区域相反的第二导电类型区域。所述制造方法包括在第一表面上形成第一导电类型区域；对第一表面进行氧化以在第一导电类型区域上形成第一氧化物层，其中，第一氧化物层比与第一表面上的除了第一氧化物层之外的区域对应的第二氧化物层大；利用第一氧化物层作为自对准掩模注入第二导电类型离子来形成第二导电类型区域。本发明的另一示例性实施例提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括第一导电类型区域，位于半导体基底的第一表面上并且包括第一导电类型；第一氧化物层，位于第一导电类型区域上；第二导电类型区域，在第一表面上与第一导电类型区域相邻并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型；第二氧化物层，位于第二导电类型区域上并且具有比第一氧化物层的厚度小的厚度，其中，第一氧化物层在注入第二导电类型离子以形成第二导电类型区域的过程中用作掩模，其中，第二氧化物层用作用于离子注入的透过层。当根据本发明的实施例利用用作自对准掩模的氧化硅制造太阳能电池时，可以简化制造工艺并且可以节省制造时间和节约制造成本。此外，由于掺杂有相反极性的区域彼此分开，所以可以改善太阳能电池的效率。
图IA至图IG是根据示例性实施例的用来制造背接触太阳能电池的工艺的示意性首1J视图。图2是根据图IC的示例性实施例的用于离子注入的硬掩模的示意性俯视图。图3是示出了在基底中注入的剂量与氧化硅层的厚度之间的关系的曲线图。
图4是示出了为测量形成有厚度均为大约2500A的氧化硅层的硅基底的表面电阻所执行的实验的结果的曲线图。图5是示出了氧化硅层的厚度与氧化硅层中的硼离子的分布关系的模拟曲线图。图6A至图6C是示出了根据本发明另一示例性实施例的形成η掺杂区的示意性剖视图。图7Α是根据另一不例性实施例的硬掩模的局部俯视图。图7Β至图7D是利用图7Α的硬掩模形成掺杂区的工艺的示意性剖视图，其中，所述掺杂区形成在硅基底上。图8Α至图SB是示出了根据另一示例性实施例的通过两次注入磷离子形成掺杂区的示意性剖视图。
具体实施例方式将参照附图描述根据本发明示例性实施例的太阳能电池的制造方法。在整个说明书和附图中，相同的标号指示相同的部件和元件。此外，在本发明的示例性实施例中使用了不同的值，但是这些值并不限制权利要求书的范围，除非所述值包括在权利要求书的精神和范围内。图IA至图IG是根据本发明示例性实施例的用来制造背接触太阳能电池的工艺的示意性剖视图。形成在基底的前表面和背表面中的层通过相应的工艺形成。根据本发明实施例的一方面，在基底的背表面中的掺杂区的表面上生长的氧化硅层比在未掺杂区上生长的氧化硅层厚。掺杂区上的相对厚的氧化硅层可以用作在将掺杂剂离子注入到未掺杂区中的工艺过程中的自对准掩模。图IA是根据本示例性实施例的用于制造太阳能电池的硅基底的示意性剖视图。硅基底102是具有1，I和O的晶格结构的单晶硅晶片，对此本领域普通技术人员将是理解的。用从η型的磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和它们的混合物中选择的一种材料的掺杂剂来轻掺杂晶片。例如，可以按照I X IO15个离子/cm2的浓度用磷原子掺杂基底。基底可以是多晶娃。太阳光所进入的基底102的前表面110通过如下方式来构造用氢氧化钾(KOH)与异丙醇或N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)的混合溶液进行蚀刻，使得前表面112被纹理化，从而呈现随机棱锥的外观。伴随着晶体缺陷、切口缺陷、天然氧化物层或它们的多余杂质的去除，基底102的背表面120具有被抛光且平坦化的表面。基底102的厚度可以为大约150 μ m 至 170 μ m。图IB是形成在纹理化的前表面112上的前表面场层114的示意性剖视图。通过将大约I. OX IO13个离子/cm2至7 X IO15个离子/cm2的低剂量磷离子注入到纹理化的前表面112的工艺并且通过用于活化的工艺来在基底的纹理化的前表面112上形成前表面场层114。前表面场层114将其外围的空穴反射到基底102的内部并且反射到背表面120的方向，从而提高太阳能电池的太阳能利用效率。图IC是形成在基底102的背表面120中的η离子注入区205的示意性剖视图。可以通过利用η型材料的掺杂剂对基底102的位置(例如，预定位置)执行离子注入工艺来形成η离子注入区(例如，基体区)205。例如，在磷注入工艺中，可以设定为利用20KeV的电能和大约I. 5 X IO15个离子/cm2至4. 5 X IO15个离子/cm2的离子剂量在室温的室内以大约SOOnm的深度将磷离子注入到硅中。在离子注入工艺中，可以使用具有离子透过部分602和离子阻挡部分606的硬掩模600。硬掩模600是由石墨或陶瓷形成的高度耐热的基底，并且具有大约Imm的厚度。可以通过激光束加工来形成离子透过部分602。硬掩模600的离子透过部分602的形状和位置基本对应于基底102的η离子注入区205。η离子注入区205通过随后将描述的工艺变为η掺杂区210，因此，硬掩模600的离子透过部分602的形状和位置基本对应于η掺杂区210。为此，硬掩模600靠近于基底102的背表面120设置。例如，硬掩模600可以距离基底102的背表面120大约500 μ m。根据本示例性实施例的离子注入工艺比通过化学气相沉积方法形成若干硅化合物的层并且对这些层进行局部蚀刻的工艺简单且花费要少。根据本示例性实施例，将基底的前表面110纹理化，然后在背表面120中形成η离子注入区205，但是本发明不限于此。例如，如本领域技术人员将会容易理解的，可以在背表 面处理之后进行前表面处理。η离子注入区205可以是均匀地分布在基底102的背表面120的整个区域的多个点离子注入区。图2示出了根据本示例性实施例的图IC中示出的并且在用于在基底102的背表面120中形成η离子注入区205的工艺中使用的硬掩模600的示意性俯视图。硬掩模600的离子阻挡部分606可以位于硬掩模600的离子透过部分602之间。离子透过部分602可以分别具有大约100 μ m至800 μ m的直径,并且可以按硬掩模600的各个离子透过部分602之间以大约ΙΟΟΟμπι至2000μπι的距离规则地布置。如上所述，离子透过部分602的形状、尺寸和位置与形成在基底102的背表面120中的η掺杂区210的形状、尺寸和位置基本相同。η离子注入区205和离子透过部分602分别形成为圆形的形状并且分布到基底的背表面120和硬掩模600，但是本发明不限于此。η离子注入区205和离子透过部分602例如可以分别具有不同的形状，如椭圆形或四边形，或者可以形成为具有主干和从主干伸展的多个分支的线的形状。在图IC的制造工艺之后，使注入的离子活化并形成(例如，与注入离子的活化同步或同时形成)氧化物层，如图ID所示。氧化硅层400可以是通过氧化工艺在基底102的前表面110和背表面120的部分上形成的二氧化硅(SiO2)。可以在大约800 □至1000 □的温度下以氧气和氢气的流量比为体积比大约6 9进行大约10分钟至120分钟来形成用于形成或生长氧化硅层400的离子活化和氧化工艺，使得离子注入区205变为掺杂区210。通过上述工艺形成的氧化硅层400中的一层是生长在前表面场层114上的前表面氧化硅层410。氧化硅层400中的另一层是生长在基底的背表面120上的背表面保护层420。背表面保护层420中的形成在η离子注入区205上的第一氧化硅层422的生长厚度可以与注入离子的浓度成比例。因此，通过η离子注入区205的活化和氧化工艺形成的且在η掺杂区210上的第一氧化硅层422的厚度t (SOLl)可以大于在未掺杂区124上的第二氧化硅层424的厚度t (S0L2)。此外，由于氧化硅层400 (例如，背表面保护层420)沿平行于基底102的方向形成,所以第一氧化娃层422的宽度w(SOLl)大于η掺杂区210的宽度w (nDR)。参照图3，示出了用于氧化基底并利用体积比为大约3 2的氧气和氢气的流量比在大约900 □的温度下在炉或室内处理45分钟至50分钟的实验的结果，其中，基底具有按每种剂量的离子浓度的值和大约20KeV的能量处理的磷离子注入的区域和未注入离子的区域，图3的图形示出了对应于氧化的数据。该图形表明在没有注入离子的区域上生长了大约1000A的氧化硅，而在注入了大量离子的区域上生长了较厚的氧化硅。例如，以
3.00 X IO15个离子/Cm2的剂量，生长在磷离子注入区上的氧化硅具有大约2500A以上的厚度。参照图4，示出了用于测量硅基底的表面电阻的实验的结果，其中，所述硅基底具有用硼离子注入并进行了充分热处理的厚度为大约2500A的氧化硅。以大约1.5X1015个离子/cm2至4. 5 X IO15个离子/cm2的剂量浓度和大约20KeV至40KeV的能量来执行硼离子注入工艺，并且在大约1050°C下执行热处理工艺大约60分钟。然后，在体积比为I : 10的氢氟酸(HF)和去离子水的混合溶液中去除氧化硅，并测量硅基底的表面电阻。如图4所示，注入有硼离子且没有氧化硅生长的硅基底的表面电阻值明显小于注入了硼离子且生长有厚度为2500A的氧化硅的硅基底的表面电阻值。因此，当以大约I. 5 X IO15个离子/cm2至·
4.5 X IO15个离子/cm2的剂量浓度并且以大约20KeV至40KeV的能量向厚度为大约2500A的氧化硅注入硼离子时，氧化硅可以用作掩模。在参照图ID描述的对η离子注入区205进行热处理的活化和氧化工艺之后，执行P离子注入，如图IE所示。在图ID中的硅基底102的背表面120中，注入由诸如硼的ρ型材料形成的离子，并且通过对硅基底102的热处理来活化注入的离子，从而形成ρ掺杂区250。当在硅基底102中注入硼离子时，如前所述，相对厚的第一氧化硅层422用作防止硼离子注入到硅基底102的η掺杂区210中的自对准掩模500。另一方面，第二氧化硅层424相对薄，因此，将硼离子注入到硅基底102的未掺杂区124中。因此，在硅基底102的η掺杂区210之间形成惨杂有砸尚子的ρ惨杂区250。这里，每个第一氧化硅层422的宽度W(SOLl)大于每个η掺杂区210的宽度w (nDR)，因此，可以在离η掺杂区210的一定距离处形成硅基底102的背表面120的ρ掺杂区250。例如，相邻的掺杂区210和250之间的距离可以为几百Α。如所述的，为了利用η掺杂区210上的氧化硅层(例如，第一氧化硅层)422作为自对准掩模500，使用第一氧化硅层422的使硼离子不能穿过的阈值厚度。图5是示出了氧化硅层的深度(例如，厚度)与氧化硅层中的硼离子分散程度(例如，硼离子浓度)的关系的模拟曲线图。执行该模拟以确定在将硼离子注入在生长在硅层上的氧化硅层中然后进行活化之后氧化硅层的深度(例如，厚度)与硼离子的浓度之间的关系，下面的表I是在模拟时需要考虑的条件。表I
权利要求
1.一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法，所述方法包括 制备基底的第一表面和基底的与第一表面相对的第二表面； 在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区； 在第一表面上形成氧化娃层，氧化娃层包括第一氧化娃层和第二氧化娃层，其中，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度； 从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；以及 通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二惨杂区。
2.如权利要求I所述的方法，其中，形成第一掺杂区的步骤包括将第一掺杂剂注入到第一表面中并使注入的第一掺杂剂活化。
3.如权利要求2所述的方法，其中，注入的第一掺杂剂的活化与氧化硅层的形成同时进行。
4.如权利要求I所述的方法，其中，第一氧化硅层的第一厚度大于1800A。
5.如权利要求4所述的方法，其中，第一氧化硅层的第一厚度大于2000A。
6.如权利要求I所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区彼此分开。
7.如权利要求6所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区彼此分开100μ m以上。
8.如权利要求6所述的方法，所述方法还包括 在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第一掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第一惨杂剂； 在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第二掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第二掺杂剂。
9.如权利要求8所述的方法，其中，在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤与将第一掺杂剂注入到第一掺杂区的步骤同时执行。
10.如权利要求8所述的方法，其中，在将第一掺杂剂注入到第一掺杂区之后，执行在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤。
11.如权利要求8所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域包括中间化区域，其中，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。
12.如权利要求8所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域包括中间化区域，其中，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度低于第二掺杂剂的浓度。
13.如权利要求I所述的方法，其中，形成第一掺杂区的步骤包括 将硬掩模定位成靠近基底的第一表面，硬掩模具有至少一个离子透过部分和位于所述至少一个离子透过部分的离子透过部分之间的离子阻挡部分； 将第一掺杂剂注入到第一表面的与所述至少一个离子透过部分对应的部分中。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述至少一个离子透过部分为闭合多边形的形状，其中，所述至少一个离子透过部分中相邻的离子透过部分是分开的。
15.如权利要求13所述的方法，其中，硬掩模还包括与所述至少一个离子透过部分接触的离子半透过部分。
16.如权利要求15所述的方法，其中，硬掩模的离子半透过部分比离子阻挡部分薄。
17.如权利要求15所述的方法，其中，在离子半透过部分中形成面积比所述至少一个离子透过部分的面积小的至少一个微开口。
18.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括在第一掺杂区的外围形成中间化区域， 其中，形成中间化区域的步骤包括将硬掩模设置得靠近第一表面，硬掩模在用于形成中间化区域的离子透过部分和相邻的用于形成该中间化区域的离子透过部分之间具有离子阻挡部分；通过离子透过部分将第一掺杂剂注入到第一表面， 其中，离子透过部分比第一掺杂区大并且对应于第一掺杂区的位置设置。
19.如权利要求18所述的方法，其中，形成中间化区域的步骤在形成第一掺杂区之后进行。
20.如权利要求18所述的方法，其中，形成中间化区域的步骤在形成第一掺杂区之前进行。
21.如权利要求I所述的方法，其中，第一掺杂区的第一掺杂剂为η型材料，其中，第二掺杂区的第二掺杂剂为P型材料。
22.如权利要求21所述的方法，所述方法还包括在将第一掺杂剂注入在基底中之后对基底执行热处理。
23.一种用于将光能转化为电能的太阳能电池，所述太阳能电池包括 基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面； 第一掺杂区，位于第一表面中并且掺杂有第一掺杂剂； 第二掺杂区，在第一表面中与第一掺杂区相邻并且掺杂有第二掺杂剂； 第一氧化硅层，位于第一掺杂区上；以及 第二氧化硅层，位于第二掺杂区上， 其中，第一氧化娃层比第二氧化娃层厚。
24.如权利要求23所述的太阳能电池，其中，第一氧化硅层的厚度大于1800Α。
25.如权利要求24所述的太阳能电池，其中，第一氧化硅层的厚度大于2000Α。
26.如权利要求23所述的太阳能电池，其中，第一掺杂区的第一掺杂剂在第一氧化硅层和第二氧化硅层中。
27.如权利要求23所述的太阳能电池，其中，第一掺杂区和第二掺杂区彼此分开。
28.如权利要求27所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的中间化区域，其中，中间化区域包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。
29.如权利要求28所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括第三氧化硅层，其中，第三氧化物层位于中间化区域上并且具有比第一氧化硅层的厚度小且比第二氧化硅层的厚度大的厚度。
30.一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池在半导体基底的第一表面上具有第一导电类型区域和与第一导电类型区域相反的第二导电类型区域，所述方法包括 在第一表面上形成第一导电类型区域； 对第一表面进行氧化以在第一导电类型区域上形成第一氧化物层，其中，第一氧化物层比与第一表面上的除了第一氧化物层之外的区域对应的第二氧化物层大；以及 利用第一氧化物层作为自对准掩模注入第二导电类型离子来形成第二导电类型区域。
31.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括 第一导电类型区域，位于半导体基底的第一表面上并且包括第一导电类型； 第一氧化物层，位于第一导电类型区域上； 第二导电类型区域，在第一表面上与第一导电类型区域相邻并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型；以及 第二氧化物层，位于第二导电类型区域上并且具有比第一氧化物层的厚度小的厚度，其中，第一氧化物层在注入第二导电类型离子以形成第二导电类型区域的过程中用作掩模， 其中，第二氧化物层用作用于离子注入的透过层。
全文摘要
本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。
文档编号H01L31/18GK102760791SQ20121010184
公开日2012年10月31日 申请日期2012年4月9日 优先权日2011年4月29日
发明者徐祥源, 朴商镇, 郭熙峻, 金元均, 金永镇 申请人:三星Sdi株式会社, 三星电子株式会社