专利名称：发光二极管及其制造方法
技术领域：
本公开涉及发光二极管(LED)半导体光源及其制造方法。
背景技术：
LED用于各种照明用途，并可以用来提供在可见、紫外和/或红外波长之间的辐射。这些用途包括显示器、打印机、通信系统和光电子计算机互连。一种类型的LED为III-V族化合物半导体LED元件，例如，GaN-LED0然而，一般来说，从GaN-LED和多个LED中获得充足的亮度，一直是一种挑战。因此，期望的是增加最大辐射(例如光)输出或效率的LED及LED的制造工艺。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括提供垂直结构LED元件，所述垂直结构LED元件具有在衬底上设置的氮化镓(GaN)层，其中所述GaN是P-型层和η-型层的至少一种；以及对所述GaN层进行处理，其中处理方法包括对所述GaN层实施离子注入工艺和实施宏观-粗糙化处理。在该方法中，其中所述衬底在实施所述离子注入工艺期间处在低于约零摄氏度的温度下。在该方法中，其中实施所述宏观-粗糙化处理包括在离子注入之前实施湿法蚀刻。在该方法中，其中实施所述宏观-粗糙化处理包括在离子注入之前实施湿法蚀亥IJ，且其中所述湿法蚀刻包括Κ0Η。在该方法中，其中所述处理方法提供所述GaN层的表面的宏观-粗糙化和微观-粗糙化。在该方法中，其中所述离子注入工艺包括注入来自由As、Si、P、BF2, Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合组成的组中的种类。在该方法中，进一步包括在处理过的GaN层上形成电极。在该方法中，其中所述GaN层是η-型GaN层。在该方法中，其中提供所述LED元件进一步包括在所述GaN层下面的衬底上形成P-型GaN层。在该方法中，其中所述离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括提供LED元件，所述LED元件包括衬底和在所述衬底上设置的半导体层，所述半导体层具有暴露的顶面；以及对所述暴露的顶面实施离子注入工艺，其中所述衬底在所述离子注入工艺期间在低于约零摄氏度的温度下进行处理，并且其中所述离子注入工艺包括注入选自由As、Si、P、BF2, Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合组成的组中的种类。在该方法中，其中所述衬底在所述离子注入工艺期间处于约零摄氏度和-100摄氏度之间。在该方法中，进一步包括在实施所述离子注入工艺之前实施宏观-粗糙化工艺。在该方法中，进一步包括在实施所述离子注入工艺之前实施宏观-粗糙化工艺，其中所述宏观-粗糙化工艺包括湿法蚀刻、干法蚀刻和激光处理的至少一种。在该方法中，其中所述半导体层是GaN。在该方法中，其中所述半导体层是具有η-型导电性的GaN。在该方法中，其中所述半导体层是具有P-型导电性的GaN。根据本发明的又一方面，提供了一种发光二极管(LED)元件，包含衬底；在所述衬 底上形成的GaN层，其中所述GaN层包括边界层，所述边界层包括在所述衬底对面的所述GaN层的表面，其中所述表面具有微观-粗糙化纹理和宏观-粗糙化纹理，并且其中所述边界层包括As、Si、P、Ge、C、B、F、N、Sb、和Xe离子的至少一种。在该LED元件中，其中所述微观-粗糙化纹理包括非晶区域。在该LED元件中，其中所述边界层通过所述GaN层的离子注入形成，并且其中所述边界层包括与所述GaN层剩余部分不同的掺杂剂分布。
当结合附图进行阅读时，根据下面的详细描述可以最佳理解本公开的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图I是根据本公开的各个方面的包括表面的垂直结构GaN-LED的实施例的横截面视图。图2是根据本公开的各个方面的包括表面的垂直结构GaN-LED的可选实施例的横截面视图。图3是根据本发明各个方面的举例说明制造LED的方法的实施例的流程图。图4-8示出对应于图3的方法的一个或多个步骤的LED的实施例的横截面视图。图9图解表示了在多个注入条件下非晶/晶体界面的深度的实施例。
具体实施例方式可以理解以下公开提供了许多个不同的用于实施本发明的不同特征的实施例或者实例。为简化本公开，组件和布置的具体实例在下面描述。当然，这些仅仅是实例，而不是用来限制本公开。而且，在随后的说明中第一个部件在第二个部件的上方或在第二个部件上的形成可以包括其中第一个部件和第二个部件以直接接触的方式形成的实施例，还可以包括其中其它部件可以通过插入第一个部件和第二个部件的方式形成，从而使第一个部件和第二个部件可以不直接接触的实施例。为了达到简明和清楚的目的，可以以不同的比例随意绘制各种部件。而且，在一定程度上，本公开举例说明了垂直结构GaN LED的实施例，本领域普通技术人员将会认识到当应用于其他类型的LED时本文中所讨论的方法的益处。图I中所示出的是发光二极管(LED)元件100。LED元件100是垂直结构GaN-LED，然而其他结构也是可能的。LED元件100可以是完整的LED产品或其部分，或者是在一个或多个制造阶段期间提供的。LED元件100包括衬底102。在衬底102上设置多个层(例如，堆叠)。层包括GaN层104、AlGaN层106、多量子阱(MQW)层108、GaN层110和电极114。GaN层104可以是P-型层(ρ-GaN)。AlGaN层106可以是p-型层(例如具有p_型导电性)(P-AlGaN)。GaN层110可以是η-型(例如，η-型导电性)(η-GaN)。衬底102可以包括蓝宝石、氧化物单晶、SiC、硅、Zn0、GaAs、MgAl204、和/或其他合适的材料。衬底102可以包括更多的层诸如，例如缓冲层、中间层、反射层和/或其他合适的层。电极114提供欧姆接触层并可以包括各种导电材料。电极114可以是η-侧电极。层104、层106、层108和/或层110中任意一种层都可以被外延生长或通过其他合适的方法形成。LED元件100具有处理过的表面112。在GaN层110上和/或在GaN层110中设置处理过的表面112。在实施例中，处理过的表面112包括η-GaN层的顶面区域。处理过的表面112具有粗糙化的表面性质或纹理。当与通常形成的(例如原生的)平坦或平整表面比较时，具有改进的粗糙度的处理过的表面112改进LED元件100的辐射(例如光)输出。所提供的处理过的表面112由于散射来自织地粗糙的表面112的光子可以增强LED元件100的辐射(例如光)汲取效率。处理过的表面112，如图I中所示出的，包括微观粗糙化的纹理和宏观粗糙化的纹理。·处理过的表面112可以采用本文中所述的一种或多种处理来形成。参考图3中所示出的方法300的步骤304更详细地描述这些处理。例如，处理过的表面112可以通过在GaN层110的原生表面上实施离子注入工艺来形成。离子注入工艺可以提供该表面的微观粗糙化或织构化。在实施例中，离子注入工艺与其他处理诸如湿法蚀刻、干法蚀刻、KrF激光处理和/或其他合适的宏观粗糙化工艺相结合。在实施例中，处理过的表面112包括GaN层110的非晶区域。非晶区域可以通过在GaN层110上实施离子注入工艺来形成。处理过的表面112可以包括非晶区域，该非晶区域延伸至与GaN层110的晶体结构的界面。可以将处理过的表面112称为边界层。在实施例中，边界层包括与晶体结构GaN层具有界面的非晶区域。边界层可以包括诸如As、Si、P、BF2、Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、和/或其组合的离子。边界层(例如，处理过的表面112)可以包括在下面的GaN层110中不存在的离子。通过引起微观粗糙化的注入提供的包含在边界层(例如，处理过的表面112)中的离子，可能不会影响GaN层的电性能。现在参考图2，示出了 LED元件200。LED元件200也包括处理过的表面202。采用诸如下文参考图3中示出的方法300的步骤304所述的一种或多种处理方法粗糙化(或织构化)处理过的表面202。在实施例中，处理过的表面202通过在半导体层204的原生表面上实施离子注入工艺来形成。当与具有平整表面的LED元件比较时，具有比原生表面更大粗糙度的处理过的表面202可以改进LED元件200的辐射(例如光)输出。所提供的处理或表面织构化技术由于散射来自处理过的表面202的光子而增强LED元件200的辐射(例如，光)汲取效率。处理过的表面202，如所示出的，包括微观粗糙化的纹理。在其他实施例中，离子注入技术与其他处理方法诸如湿法蚀刻、干法蚀刻、KrF激光处理和/或其他合适的宏观-粗糙化工艺相结合。这些实施例可以提供微观粗糙化的表面和宏观粗糙化的表面。在实施例中，处理过的表面202包括相关联的半导体层204的非晶区域。在实施例中，半导体层204是GaN。在另外的实施例中，半导体层204是η-GaN。非晶区域可以通过层204的离子注入形成。处理过的表面202可以延伸至与区域的界面，该区域具有层204中的晶体结构。可以将处理过的表面202称为边界层。在实施例中，边界层包括非晶区域，该非晶区域具有与晶体结构GaN层的界面。边界层可以包含诸如As、Si、P、BF2, Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、和/或其组合的离子。边界层(例如处理过的表面202)可以包含在下面的层204中不存在的离子。由引起微观粗糙化的注入提供的包含在边界层(例如处理过的表面202)中的离子可能不影响层204的电性能。LED元件200进一步包含n_电极206、有源区域208、半导体层210、p-电极导电层212和衬底214。衬底214进一步包含硅子镶嵌(sub-mount) 216、导电接合层218和电极220。在实施例中，半导体层210是GaN(例如，p-GaN)。在实施例中，有源区域208是InGaN。在实施例中，半导体层204是GaN(例如，η-GaN)。LED元件200仅是代表性的，而非预期用于限制适用于本教导的LED结构。LED元件200可以是完整的LED产品或其部分，或者是在一个或多个制造阶段期间提供的。现在参考图3，示出了制造LED元件的方法300。方法300可以用于制造LED元件 100、LED元件200和/或其他LED元件。图4-图8是根据图3的方法300制造的LED元件或其部分的横截面视图。方法300开始于步骤302，在步骤302中形成了形成垂直结构LED的多个层。参考图4的实例，提供了衬底402。在实施例中，衬底402包括蓝宝石。其他示例性组分包括娃、SiC、GaAs、ZnO、GaAs、MgA1204和/或现在已知的或后来开发的其他合适的材料。可以将衬底402称为在制造期间在LED元件上设置的并随后被移除的生长衬底。继续参考图4的实例，在衬底402上设置多个半导体层。在该示例性实施例中，在衬底402上形成第一半导体层404、AlGaN层406、多量子阱(MQW)元件408和GaN层410。在实施例中，半导体层404包含GaN。半导体层404和/或AlGaN406可以是p-型层(例如，p_GaN、p_AlGaN)。GaN层410可以是η-型层或具有η-型导电性的层(例如，η-GaN)。半导体层404(例如，GaN)的示例性厚度(仅仅是示例，而非预期用于限制)是约50nm。AlGaN层406的示例性厚度(仅仅是示例，而非预期用于限制)是约20nm。GaN层410的示例性厚度(也仅仅是示例，而非预期用于限制)是约2μπι。众多其他实施例是可能的，包括各种组分、厚度和LED结构。在实施例中，在衬底402上形成各种层，且顶层保持为GaN层(例如，η-GaN层)。在本文中将半导体层410的顶面412称为原生表面(例如，如形成的)。应当注意到顶面412是基本上平整或平坦的。在实施例中，顶面412是由层410的外延生长形成的。在实施例中，垂直结构LED 400可以采用导电性衬底诸如，例如用于生长半导体层(例如，GaN层404和410)的SiC形成。在可选实施例中，垂直结构LED 400采用提供生长衬底、和分离和/或移除该衬底(例如，蓝宝石)、并随后接合导电性衬底的工艺形成。例如，在该示例性实施例中，在蓝宝石衬底402上可以形成层404、层406、层408和层410。随后可以将导电性衬底接合至一个或多个GaN半导体层。然后，蓝宝石衬底402可以通过激光剥离和/或化学机械抛光工艺移除。在实施例中，分离蓝宝石衬底402后，在LED 400上形成一个或多个电极。示例性电极包括η-型和/或P-型电极诸如在上文图I和图2中分别示出的电极114和/或206。参考方框304所描述的处理工艺可以在生长衬底(例如衬底402)移除之前和/或之后实施。在实施例中，从GaN半导体层上移除生长衬底，然后根据方框304的一个或多个方面对GaN半导体层进行处理。在实施例中，实施两种处理，一种是在移除衬底之前在第一导电侧GaN半导体层上实施；一种在移除衬底之后在第二导电侧GaN半导体层上实施。第一和/或第二导电性可以是η-型或P-型。现在参考图5，示出了晶格图案502。晶格图案502可以是在半导体层410的表面(例如，原生表面412)上或附近设置的晶体图案。晶格图案502举例说明了晶体结构。在实施例中，晶格图案502是晶体η-GaN。在实施例中，晶格图案502举例说明了如在外延工艺期间形成的层410的晶体结构。再次参考图3，方法300然后继续到步骤304，在步骤304中实施处理，该处理实现表面粗糙化或织构化。处理包括微观-粗糙化工艺。在实施例中，处理还包括宏观-粗糙化工艺。步骤304可以提供基本上与上文所述的关于图I的表面112和/或图2的表面202相似的表面。步骤304的处理包括离子注入工艺。离子注入提供暴露层(诸如上文参考步骤302·所述的层)的表面的微观粗糙化(或织构化)。表面的微观粗糙化或织构化包括纳米级的表面粗糙化。换句话说，提供的粗糙化包括纳米级的峰谷差(例如500纳米或更少)。相反，表面的宏观-粗糙化或织构化(在下文进一步详述的诸如通过湿法蚀刻/清洗提供的)包括约O. 5 μ m至约I μ m程度的表面粗糙化。换句话说，提供的粗糙化包括大于约O. 5 μ m的峰谷差。图6示出了在如图5所示出的晶格图案502上实施的离子注入处理602。离子注入处理602包括用一种或多种表示为604和606的离子轰击晶格图案502 (例如，LED元件的表面)。离子注入处理602可以将晶格图案502或其部分(之前是晶体的)改变为非晶材料。离子注入处理502可以在室温或低于零摄氏度的温度下进行实施，如下文更具体描述的。处理602的深度(例如离子注入的深度)可以是取决于温度和/或注入能量的。参考图7的实例，半导体层410的表面用步骤304的离子注入工艺进行处理。处理层410的表面如处理过的表面702所示出的。当与GaN层410的原生表面412 (如图4中所示出的)比较时，处理过的表面702具有增加的粗糙度。处理过的表面702的增加的粗糙度可以是微观级(例如纳米级)的，因此在本文中称为微观粗糙化。处理过的表面702包括是大约T的峰谷差。在实施例中，T小于约500nm。在实施例中，T是在约IOnm和500nm之间。在实施例中，T小于约lOOnm。处理过的表面702包括在半导体层410的晶体半导体层上形成的非晶材料层(例如边界层)。可以采用处于约室温(例如约25°C )和约-100°C之间的衬底温度实施离子注入工艺。在实施例中，在低于25°C下实施离子注入工艺。在实施例中，在低于0°C下实施离子注入。温度可以基于衬底温度和/或卡盘温度，根据该温度处理衬底用于离子注入工艺。示例性注入能量在例如约IkeV和约3MeV之间。示例性注入剂量在例如约I. OElO和约I. OE16之间。示例性注入种类(例如，待注入的离子)包括As、Si、P、BF2、Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合。离子注入处理可以通过注入设备诸如例如强流注入机、中流注入机和/或高能量注入机进行实施。示例性离子注入系统包括由下列公司提供的那些位于Fremont，CA的Advance Ion Beam Technology (AIBT)(包括AIBT 的“ iPulsar”系统)；位于Massachusetts的 Varian Semiconductor Equipment Associates (包括 Varian 的 Trident , 900XP 或3000XP 系统);和位于 Massachusetts 的 Axcelis Technologies (包括 Axcelis 的 HE3 或Optima XE 系统)。在方法300的实施例中，步骤304包括在上文所述的微观-粗糙化离子注入处理之前的宏观-粗糙化处理。在实施例中，宏观-粗糙化处理是湿法蚀刻或湿法清洗。示例性湿法蚀刻和清洗处理包括KOH溶液。其他示例性宏观-粗糙化处理包括干法蚀刻工艺；诸如应用KrF激光、纳米压印光刻、纳米粒子阵列、图案蓝宝石衬底的激光工艺；化学机械抛光(CMP)工艺；和/或其他合适的工艺。在实施例中，在步骤304期间可以实施多个宏观-粗糙化工艺。宏观-粗糙化工艺可以在离子注入处理(微观-粗糙化工艺)之前进行实施。可以在LED元件的多个层上实施步骤304的处理。例如，在图7和图8中示出的实施例中，在衬底402对面的η-型GaN层上实施处理。在实施例中，将衬底402移除，并在层404上实施步骤304中所述的处理(例如在P-型GaN层上实施处理)。各种其他实施例是可能的并且是在本公开的范围内。例如，LED元件的任何层，诸如GaN层(ρ-型和/或 η-型)可以从步骤304的处理中受益。处理可以在移除生长衬底之前、移除生长衬底之后、连接(接合)封装衬底(例如载体衬底)之前、和/或连接(接合)封装衬底之后进行实施。现在参考图8，其示出了包含半导体层410的处理过的表面802的LED800。也可以将处理过的表面802称为边界层。处理过的表面802示出处理半导体层410的宏观-粗糙化和微观-粗糙化影响。通过表面802的波状纹理举例说明宏观-粗糙化影响。应当注意本图示是不按比例的，而是为了便于理解进行强调。宏观-粗糙化提供了约Τ2微米的峰谷差。在实施例中，Τ2是在约O. 5 μ m和2 μ m之间。处理过的表面802还包括微观粗糙化，其包括约T纳米的峰谷差。应当注意LED 700和/或LED 800可以是制造工艺期间的垂直结构LED元件，而且在分别形成处理过的表面702和802后可以进行其他工艺步骤。例如，根据本发明的一个或多个方面，可以将衬底402移除，可以将其他衬底连接(接合)到元件上，可以对一个或多个其他层进行处理(例如层404)。在方法300的实施例中，可以对离子注入工艺的温度进行控制以提供期望的粗糙度(例如光效率)或表面纹理。例如，基于所得LED的光效率的设计目的可以确定粗糙度(相对或绝对的)，并且可以基于期望的粗糙度对离子注入工艺期间的衬底和/或卡盘的温度进行选择。根据实验数据和/或开发的模型可以确定期望的温度。表面粗糙度对温度的依赖性在下文参考图9进行描述。现在参考图9，示出了图形900，其示出了注入强度(y-轴)对注入影响的深度(X-轴)。可以将注入的强度称为破坏强度，并可以根据被轰击的层(例如，在上文参考图4所述的半导体层410)中提供的掺杂剂的浓度(以掺杂剂/cm3计)进行测量。注入影响的深度可以以纳米(例如微观-粗糙化)进行测量。应当注意低温离子注入902在处理过的层的表面上提供比室温离子注入904更大的非晶材料深度。换句话说，低温离子注入902比室温离子注入904提供更厚的非晶材料层。因此，低温离子注入902可以实现比室温离子注入904更大的表面粗糙化。因此，低温离子注入902可以实现比室温离子注入904更大的辐射输出或效率。总之，在本文中公开的方法和器件描述了 LED元件和制造LED元件的方法。这样做时，本公开提供相对于现有技术器件具有一些优势的实施例。本公开的实施例的优势包括改进LED元件表面的粗糙度、增强元件的辐射(例如光)输出、增加LED效率和/或其他优势。可以认为在本文中公开的不同实施例提供不同的公开内容，以及在不脱离本公开的实质和范围的情况下可以进行各种变化、替换和改变。例如，本文中公开的实施例可以适用于各种LED类型和结构。因此，描述了方法的实施例，该实施例包括提供包含在衬底上设置的氮化镓(GaN)层的LED元件。衬底可以是随后可以被移除的操作(handling)或生长衬底，或可以设置在产品LED中的封装(例如载具)衬底。对GaN层进行处理。处理包括对GaN层进行离子注入工艺。在实施例中，衬底在离子注入工艺期间处在低于约零摄氏度的温度下。在实施例中，在低于约25摄氏度的温度下实施离子注入工艺。在另外的实施例中，处理进一步包括进行湿法蚀刻，这种蚀刻使用Κ0Η。离子注入处理可以提供GaN层表面的微观粗糙化。
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示例性离子注入工艺包括注入来自由As、Si、P、BF2, Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合组成的组中的种类。在另一个实施例中，描述一种方法,该方法包括提供包含衬底和在该衬底上设置的半导体层的LED元件。半导体层具有暴露的顶面。在暴露的顶面上进行离子注入工艺。当使衬底处于低于约零摄氏度时实施离子注入工艺。在另外的实施例中，衬底在约零摄氏度和约-100摄氏度之间。在实施例中，方法进一步包括在实施离子注入工艺之前实施宏观-粗糙化工艺。示例性宏观-粗糙化工艺包括湿法蚀刻、干法蚀刻和激光处理(KrF)。在实施例中，上文所述的半导体层是GaN。在另外的实施例中，半导体层是具有η-型导电性的GaN (η-GaN)。还描述了发光二极管(LED)元件或器件。LED元件包括衬底和在该衬底上形成的GaN层。GaN层包括具有微观-粗糙化纹理的处理过的表面。在实施例中，处理过的表面还具有宏观-粗糙化纹理。处理过的表面可以通过GaN层的离子注入形成。
权利要求
1.一种方法，包括 提供垂直结构LED元件，所述垂直结构LED元件具有在衬底上设置的氮化镓(GaN)层，其中所述GaN是P-型层和η-型层的至少一种；以及 对所述GaN层进行处理，其中处理方法包括对所述GaN层实施离子注入工艺和实施宏观-粗糙化处理。
2.根据权利要求I所述的方法，其中所述衬底在实施所述离子注入工艺期间处在低于约零摄氏度的温度下；或者 其中所述处理方法提供所述GaN层的表面的宏观-粗糙化和微观-粗糙化；或者其中所述离子注入工艺包括注入来自由As、Si、P、BF2, Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合组成的组中的种类；或者 所述方法进一步包括在处理过的GaN层上形成电极；或者 其中所述GaN层是η-型GaN层；或者 其中提供所述LED元件进一步包括在所述GaN层下面的衬底上形成ρ_型GaN层；或者 其中所述离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。
3.根据权利要求I所述的方法，其中实施所述宏观-粗糙化处理包括在离子注入之前实施湿法蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述湿法蚀刻包括ΚΟΗ。
5.一种方法，包括 提供LED元件，所述LED元件包括衬底和在所述衬底上设置的半导体层，所述半导体层具有暴露的顶面；以及 对所述暴露的顶面实施离子注入工艺，其中所述衬底在所述离子注入工艺期间在低于约零摄氏度的温度下进行处理，并且其中所述离子注入工艺包括注入选自由As、Si、P、BF2、Ge、C、B、F、N、Sb、Xe、及其组合组成的组中的种类。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底在所述离子注入工艺期间处于约零摄氏度和-100摄氏度之间；或者 其中所述半导体层是GaN ;或者 其中所述半导体层是具有η-型导电性的GaN ;或者 其中所述半导体层是具有P-型导电性的GaN。
7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括 在实施所述离子注入工艺之前实施宏观-粗糙化工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述宏观-粗糙化工艺包括湿法蚀刻、干法蚀刻和激光处理的至少一种。
9.一种发光二极管(LED)元件，包含 衬底； 在所述衬底上形成的GaN层，其中所述GaN层包括边界层，所述边界层包括在所述衬底对面的所述GaN层的表面，其中所述表面具有微观-粗糙化纹理和宏观-粗糙化纹理，并且其中所述边界层包括As、Si、P、Ge、C、B、F、N、Sb、和Xe离子的至少一种。
10.根据权利要求9所述的LED元件，其中所述微观-粗糙化纹理包括非晶区域；或者 其中所述边界层通过所述GaN层的离子注入形成，并且其中所述边界层包括与所述GaN层剩余部分不 同的掺杂剂分布。
全文摘要
一种方法包括提供LED元件，该LED元件包括衬底和在该衬底上设置的氮化镓(GaN)层。对该GaN层进行处理。处理包括对该GaN层实施离子注入工艺。该离子注入工艺可以提供该GaN层的粗糙化的表面区域。在实施例中，该离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。在另外的实施例中，该衬底在该离子注入工艺期间处于低于约零摄氏度的温度下。本发明还提供了一种发光二极管及其制造方法。
文档编号H01L33/20GK102790149SQ20121010745
公开日2012年11月21日 申请日期2012年4月12日 优先权日2011年5月20日
发明者吴欣贤, 张钧琳, 徐光宏, 萧景文, 陈其贤 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司